2015年11月9日
我们对在HF原位改变处理的Si(001)面成亲水或疏水状态通过照射在微流体室中填充用H 2 O 2 / H 2 O的溶液(0.01%-0.5%)或甲醇溶液样品的处理报告使用相对低的脉冲能量密度的脉冲UV激光。
本实验的总体目标是证明用氟化氪和氩氟化物激光器照射浸入低浓度过氧化氢溶液或甲醇中的样品,从而在硅胶上形成亲水和疏水表面。该方法可以帮助回答激光半导体相互作用领域中有关半导体表面选择性区域化学修饰的一些关键问题,这可能适用于生物传感应用。该技术的主要优点是它们可以应用于钢中硅表面活力的控制,而无需真空表面。
半导体的形态。我们首先想到了这种方法。我们研究了 U 激光基工艺对该技术中使用的表面缺陷的选择性区域形成。
现在作为量子混合,这种方法的视觉演示至关重要,因为简单腔室的气穴舰队数量和 EXIM 激光均匀光束的辐射是相对困难的步骤。首先,使用金刚石划线将具有一面抛光的端型磷 OBED 硅晶片劈成 380 微米厚的 12 毫米 x 6 毫米样品。然后用丙酮冲洗样品,然后用异丙醇各冲洗 5 分钟,以清洁样品。
接下来,将样品在 0.9% 氢氟酸溶液中蚀刻 1 分钟以去除初始氧化物,然后用去离子水冲洗并用高纯度氮气流干燥。将制备好的样品储存在充满氮气的袋子中以抑制氧化,当准备继续时,将样品放入 0.74 mm 高的腔室中。用 0.01 至 0.2% 的水稀释过氧化氢或 DGA 甲醇填充腔室,然后用具有高透射紫外光的熔融石英窗口密封腔室。
确保腔室内没有气泡。通过直径为 4 毫米的圆形掩模,以 100 个脉冲的步长将脉冲数从 100 个增加到 600 个,在每个样品上的两个位置用均匀光束照射样品。接下来,使用枫叶掩模以相同的方式照射样品。
完成后,用离子水冲洗样品,然后用氮气冲洗稀释的生物素偶联物和荧光素染色的 40 纳米球,用 PBS 将其干燥至每毫升 10 至 12 个颗粒的 1 倍,在室温下。接下来,将氟化氪激光照射的样品在室温下浸入该溶液中 2 小时。然后将辐照样品浸泡在 PBS 中 1 分钟,以去除表面任何未结合的荧光素染色的纳米球。
首先将样品放在干净平坦的表面上,在微型注射器的尖端滴出一滴,然后慢慢将其降低到样品表面,直到它接触并转移到表面。使用 CCD 相机捕获并保存 water Drop 剖面图像,独立测量每个激光点的每个接触角。然后将图像加载到图像 J 中,并使用液滴分析插件 drops snake 来估计和平均接触角值。
首先将图像转换为灰度图像。接下来,从左到右勾勒出 drop 轮廓以初始化蛇。接受连接这些结的曲线,并通过按下蛇形按钮来发展曲线。
对成像的每个液滴重复此过程。计算不同样品上四个激光照射位点的平均接触角值,以进行 X 射线光电子能谱分析。首先将样品加载到真空室中,然后将 1 乘以 10 的真空拉至负 9。
然后,Tor 以 50 电子伏特通过能量的恒定能量模式获取表面测量数据。使用电子束产生的 150 瓦功率的铝 K α 发射,瞄准 220 微米 x 220 微米的区域。接下来,使用 20 电子伏特通过能量从同一分析区域获取高分辨率扫描。
最后,根据制造商的规格,使用适当的定量软件处理采集的谱图。这些接触角结果是在平均暴露于过氧化氢溶液 10 分钟后获得的。对于所有不同的过氧化物浓度,接触角随着脉冲数的增加而减小。
使用 0.02% 和 0.01% 的过氧化氢溶液在 500 次脉冲下获得约 15 度的最小接触角 X 射线光电子能谱数据显示,氟化氪激光照射部位的二氧化硅和氢氧化硅的数量大于未照射区域的数量。由于涂有二氧化硅的表面的最小接触角为 45 度至 50 度,氢氧化硅层的最小接触角为 13 度。超亲水性氢氧化硅单分子层很可能是导致辐照样品中接触角减小的原因。
由于生物素包被的荧光纳米球优选地固定在疏水性非辐照硅胶表面上,因此在绿色背景上观察到的枫叶图案表示由 KRF 激光器制造的强亲水表面的面积。在点击此程序时,重要的是要记住尽量减少空气暴露造成的氧化并减少激光照射过程中气泡的产生。遵循此程序。采用紫外线灯的其他方法也可以研究具有材料能力的化学改性表面。
这种方法的潜在优势在于它能够将有机硅表面从疏水转变为亲水,反之亦然,而无需从加工室中去除波。一旦掌握,这项技术可以在大约 30 分钟内完成,具体取决于选择性空气改性模型的复杂程度。所以看完这个视频后,你应该对如何使用湿疹激光的 uuv 光来控制选定区域内的硅胶表面的能力有一个很好的了解。
不要忘记,使用紫外线工作可能非常危险,因此在执行此程序时应始终佩戴紫外线防护装备。此外,使用氢氟酸也很危险,需要戴橡胶手套和面罩设备。
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本研究通过在低浓度双氧水或甲醇溶液中使用激光照射,展示了在硅上形成亲水和疏水表面的方法。该方法解决了激光-半导体相互作用的关键问题,特别是在生物传感应用中。
Selective UV laser-induced modification of silicon surface wettability enables precise spatial control of hydrophilic and hydrophobic domains, directly supporting advanced biosensor fabrication. This capability addresses a critical inflection point in device prototyping by allowing in situ, mask-defined surface functionalization without vacuum processing. The approach enhances predictive confidence in surface chemistry outcomes, facilitating rapid iteration and integration into biosensing R&D pipelines.
This laser-based wettability modification method fits at the interface of discovery biology and assay development, enabling rapid transition from hypothesis-driven surface design to functional biosensor evaluation.