July 17th, 2015
我们报道了一种将用于表面图案化的扫描隧道显微镜的原子计量与选择性原子层沉积和反应离子蚀刻相结合的方案。使用涉及大量大气暴露和传输的稳健工艺,制造了具有原子计量学的 3D 纳米结构。
以下实验的总体目标是使用直接金属氧化物蚀刻掩模生长和反应离子蚀刻制造具有原子晶格可追溯性的硅纳米结构。该程序的最终精度包括使用扫描隧道显微镜尖端去除硅胶芯片上氢钝化层的精确区域作为第二步,使用原子层沉积工艺曝光图案表面,该工艺选择性地沉积二氧化钛并充当抵抗反应离子蚀刻的掩模。接下来进行反应离子蚀刻,以便从表面去除除先前图案化区域以外的所有区域的硅。
结果表明,能够制造高达 20 纳米、临界尺寸远低于 10 纳米的结构。与电子束或光学光刻等更传统的方法相比,该技术的主要优点是 STM 中的初始计量步骤提供原子级信息。这种方法可以帮助回答纳米技术中的关键问题,例如放置在非常明确位置的纳米结构之间的精确相互作用是什么?
一般来说,刚接触这种方法的人会很挣扎,因为有太多的步骤和机会会损坏样品。因此,当我们试图在氧化气氛中使用 A FM 和 STM 尖端最大限度地提高二氧化硅蚀刻掩模的厚度时,我们首先想到了这种方法,我们在硅上涂布二氧化硅刻蚀掩模。相反,通过将氢光刻与原子层沉积相结合,我们能够获得类似的空中控制,同时实际上在生长方向上获得了更大的自由度。
这种方法的视觉演示至关重要,因为转移和形态定位步骤很难学习,因为每个人都必须正确执行自己的步骤并能够理解位置定位指令。首先,在扫描隧道显微镜的样品架中准备并安装带有基准标记的硅 1 0 0 芯片,并按照随附文本协议中的说明进行闪光循环和钝化。接下来,将样品转移到扫描隧道显微镜中,并将样品和尖端带入隧道范围。
使用分辨率优于 20 微米光斑大小的相机拍摄针尖样品结偏斜的高分辨率光学图像,并调整光学图像的大小,使其表示观察到针尖位置的基准标记的未失真复制。接下来,设计要生成的 HDL 模式,包括实验模式和蛇形识别模式。将整体图案分解为基本形状,以定义笔尖后面的基本向量。
当应用 AP mode 和 FE mode HDL 条件时,请使用来自硅表面的晶格信息。要确定最终的尖端路径,请使用原子精确的 HDL,也称为 AP 模式光刻,适用于小区域或需要原子精度边缘的区域,使用上一步的矢量输出。使用场发射模式光刻技术对大面积区域进行 HDL,样品偏压为 7 至 9 伏,电流为 1 纳安,每厘米 0.2 毫克。
接下来,通过负 2.25 伏样品偏压和 0.2 纳安隧道电流成像,对所需的 HDL 图案区域进行扫描隧道显微镜计量。然后将吸头与样品分离,将样品移回上样锁。保护样品后,通过与惰性扁平基材(如干净的蓝宝石)接触来保护样品,关闭任何泵的阀门,然后尽快将氮气引入腔室。
腔室放空后,从系统中取出样品。请参阅此处使用聚四氟乙烯或钛镊子的样品屏蔽组件的特写。快速将样品移至转运车,保护样品的正面。
将盖子盖在样品上,并松散地组装加压样品运输器。用超纯氩气冲洗转运蛋白 1 分钟,然后用小的氩气正压密封样品转运蛋白。在这种情况下,执行这些步骤以保护过程中每个步骤之间的样品。
样品将保持稳定长达一个月。将原子层沉积室预热至 100 摄氏度。然后打开样品转运器,使用不锈钢自由镊子快速转移到沉积室。
记下样品和控制芯片的位置和方向。关闭腔室并使用氩气流和小于 0.2 毫巴的压力吹扫 1 小时。然后进行 80 次重复的原子层沉积循环,使用随附文本协议中描述的配方在样品上生长 2.8 纳米厚的无定形二氧化钛层。
完成后,快速将样品移回转运车中,并用 Argonne 进行吹扫。将样品从运输车上牢固取出后,使用机械安装方法(如夹紧系统或真空吸盘)将其安装到 A FM 系统中。将 A FM 相机对准样品,并找到样品表面的基准标记,以将 A FM 尖端对准预期会发现纳米图案的区域。
使用最高分辨率的高度和相位信息,扫描样品,直到识别出定位器图案区域。然后使用可用的最高图像质量和分辨率拍摄所需区域的图像。对感兴趣区域进行成像后,取出样品并在氩气下将其放回转运蛋白中。
在准备反应离子刻蚀时,将电容耦合反应离子刻蚀反应器冷却至零下 110 摄氏度。然后从转运车中取出样品,并将样品和任何对照芯片装入其感应室。使用导电浆料,将腔室抽至7.5倍10至负6毫巴。
将系统稳定 3 分钟,然后以每分钟 8 标准立方厘米的速度流取氧气。氩气为每分钟 40 标准立方厘米,六氟化硫为每分钟 20 标准立方厘米。使用 150 瓦射频放电打击等离子体。
然后修改气体流速,并使用每分钟 52 标准立方厘米的流速(对于六氟化硫)和每分钟 8 标准立方厘米的氧气(反应离子刻蚀)进行 1 分钟的蚀刻。在氩气下将样品放回转运蛋白中。打开样品转运器并牢固地安装样品,即 SEM 支架。
然后将样品组件引入 SEM,抽真空室,然后找到并聚焦于基准标记。根据需要调整工作距离并优化焦点、亮度和对比度,以最大限度地减少图案上的碳沉积。使用附近的非必要功能优化焦点。
优化后,确定样品上的大致模式位置。然后转到模式并获取平面图图像和测量值。然后执行典型的 SEM 系统关闭程序,并按照 SEM 制造商的规定卸载样品。
在氩气下将样品固定回转运蛋白中。此时,样品很稳定,可以无限期保存。此处显示的是仅使用 AP 模式创建的 HDL 图案的代表性扫描隧道显微镜图像。
AP 和场发射模式的组合,其中 AP 模式用于单独写入每个边缘和场发射模式,以实现最佳掩模生成。使用 AP HDL 图样时,必须能够使用原子力显微镜实现高度选择性。将沉积在图案区域上的氧化钛的高度与背景区域的沉积高度进行了比较。
该样品显示,孵育约 20 个周期,背景生长最高。在这里,使用 FE 模式 HDL 以 10 纳米的间距写入两个蛇形图案。通过将图案彼此旋转 90 度,可以创建一个网格。
这里显示了在 2.8 纳米氧化钛掩模沉积后的 FM 中显示了相同的模式。由于尖端卷积效应,图案中的开口很难解析。反应离子蚀刻后,大约 60% 的所需开口被转移到基底中,这表明这种图案尺寸和密度大约是仅使用 FE 模式 HDL 进行有效纳米结构制造的极限一旦掌握。
如果作得当,该技术可以在大约三天内完成,大部分时间用于超高温、真空样品制备和必要时在不同地点之间运输。在尝试此过程时,保持样品清洁并保护背景非常重要。纳米压印光刻等其他技术可用于扩大该技术的纳米制造生产能力。
看完这个视频后,您应该对如何小心处理样品以制造单纳米级结构有很好的了解。执行此过程时,应始终采取预防措施,例如气体稀释。否则,可能会损坏 a LD 泵送系统。
View the full transcript and gain access to thousands of scientific videos
本研究提出了一种使用扫描隧道显微镜、原子层沉积和反应离子刻蚀相结合的方法,以原子精度制造硅纳米结构的协议。该方法能够创建关键尺寸低于10纳米的3D纳米结构。
Atomic-scale traceability in nanostructure fabrication enables unprecedented control over feature size and density, directly impacting the reliability of nanoscale device prototyping in pharmaceutical R&D. This method's integration of atomic metrology and selective etch masking supports high-confidence hypothesis testing for structure-function relationships at the nanometer scale. Such precision is critical for advancing next-generation biosensors, analytical platforms, and mechanistic studies in drug discovery pipelines.
This fabrication method fits at the intersection of early discovery and lead identification, enabling atomic-scale hypothesis testing and downstream assay development for nanotechnology-enabled platforms.