欧姆接触制造用聚焦离子束技术和电气特性的半导体层的纳米结构

该程序的总体目标是使用聚焦离子束技术来观察层、半导体材料的各个纳米结构上的组学接触制造。这种方法可以帮助回答纳米技术领域的关键问题，例如如何在不进行 alne 处理的情况下在单个纳米材料上进行良好的组学接触。该技术的主要优点是 fo 铁束金属 Deion 方法在单层半导体纳米结构上提供了高度可重复的电竞争。

技术相比，整个过程也相对简单，例如 trobin discography 在随附的文本协议中描述的硒化钼层晶体的结构表征之后。开始制造硒化钼层 Nano Krystal 器件。首先，用丙酮清洁一把镊子，然后用酒精清洁。

使用镊子挑选出 4 到 8 块表面有光泽且面积大于 0.5 毫米 x 0.5 毫米的硒化钼层晶体。将每个晶体放在一块面积为 20 毫米 x 60 毫米的切割胶带上。将胶带对折以去除该层的角质。

Crystal，重复此作大约 20 次。通常，层状晶体可以剥离成许多微米大小的晶体。获得三个涂有二氧化硅的硅衬底，表面有 16 个 pre-PA 钛金电极。

每个模板的面积应约为 5 毫米 x 5 毫米见方。将带有 nano Krystal 粉末层的切割胶带倒置在每个设备模板上。轻轻敲击切割胶带，使大约 10 到 100 块 maum 二硒化物层晶体落在每个模板上。

使用导电铜箔胶带将制备好的模板安装在聚焦离子束支架上。然后将支架装入聚焦离子束室。通过单击泵，将腔室抽真空至 10 倍到 5 毫巴。

对于 SEM 模式，将电子束电流设置为 41 皮安，将加速电压设置为 10 千伏。接下来，对于 FIB 模式，将离子束电流设置为 0.1 纳安，将加速电压设置为 30 千伏。然后预热离子束系统和气体注入系统。

通过单击按钮打开电子束，并以 100 倍的低放大倍率聚焦图像。接下来，将 SEM 模式的 Z 轴向工作距离设置为 10 毫米。现在将放大倍数增加到 5， 000 倍并专注于样品。

聚焦后，在导航菜单中输入 52 度的倾斜角度以倾斜支架的角度。接下来，选择矩形和方形硒化钼。厚度从 5 到 3000 纳米不等的层纳米晶体。

对于电极制造，在电极制造之前，以 1000 x 到 10， 000 x 的不同放大倍率拍摄目标原始材料的 SCM 图像。接下来，切换到聚焦离子束模式并使用快照模式拍摄图像，以减少目标材料在离子束轰击下的曝光时间。首先选择铂沉积模式，然后输入厚度为 0.2 至 1.0 微米，从而定义电极沉积区域。

接下来，通过单击气体注入块中的铂沉积框，将气体注入系统的毛细管引入腔室。使用快照模式拍摄另一张图像并修改电极的位置。如果最初定义的图案略有偏移，则打开聚焦离子束沉积沉积后，通过取消单击铂沉积框，将气体注入系统的毛细管向后拉。

接下来，切换到扫描电子显微镜模式，并使用两个或四个电极以不同的放大倍率拍摄已完成设备的图像。拍摄图像后，设置支架的倾斜角度，返回零度，并以不同的放大倍率拍摄额外的俯视图图像，以估计材料宽度和电极间距。完成后，关闭电子束和离子束系统并冷却气体注入系统。

此外，用氮气对腔室进行排气，然后将支架从腔室中取出。最后，关闭腔室门并撤离腔室。最后一次。

此处显示了两个端子和四个端子钼 IDE 器件的代表性场扫描电子显微镜图像。在使用 FM 估计大量纳米薄片的高度后，可以通过测量电流与电压的关系来表征器件的 omic 触点。该器件的电流电压曲线遵循线性关系，确认了硒化钼器件的组接触条件。

铂钼二硒化物界面的横截面透射电子显微镜图像显示，由于离子束轰击，铂和二硒化钼之间形成了约 25 至 30 纳米的合金层。界面的高分辨率 TEM 图像显示，在单晶二硒化钼的表面形成了非晶合金。这种合金由钼、硒和铂的混合物组成，一旦掌握，比例为 2 比 4 比 1。

如果在开发后正确执行，这项技术可以在数小时内完成。这项技术为纳米技术和材料科学领域的研究人员开辟了道路，因此可以探索其半导体材料系统中的电特性。