基于纳米柱裂环谐振器的研制为位移电流共振介导太赫兹超材料

该协议使用金电镀和原子层沉积方法创建具有纳米级间隙的新型基于纳米柱的开口环谐振器超材料。每个制造的开口环谐振器由数千个金纳米柱组成，由它们之间纳米间隙的位移电流驱动，从而激发太赫兹谐振。位移电流的大小与纳米间隙的大小成正比。

纳米间隙的大小可以通过改变原子层沉积过程的周期来调整，这会导致谐振频率和振幅发生变化。可以实现大约 450 的增强品质因数，这比薄膜开口环谐振器所能实现的 11 品质因数高 40 倍。还可以观察到比基于薄膜的谐振器大 17 倍的频移。

仿真和测量的透射光谱都表明，基于纳米柱的超材料是高灵敏度传感器和频率捷变太赫兹器件的理想选择。扫描电子显微镜的分析结果显示，制造的基于纳米柱的开口环谐振器、两个相邻的金纳米柱以及它们之间的 10 纳米氧化铝间隙。基于纳米柱的分体式谐振器包含金纳米柱和 10 纳米氧化铝间隙。

这种结构通过位移电流激发感应和电容谐振。它们为它提供更多的能量，将这些能量提高到高质量因数和大频移。由于高 Q 值和大频移，基于纳米柱的分离谐振器适用于各种应用，包括生物医学和化学传感器以及频率调谐设备。

与电子束光刻和自组装等现有方法相比，该技术的主要优点是，这种方法结合了顺序电镀工艺和原子层沉积，只需传统的微纳加工工艺即可实现大面积的纳米级结构。与电子束光刻和自组装相比，制造过程更快、更简单。通过精确控制的特征尺寸，可以轻松创建高纵横比纳米结构。

首先，将粘附促进层和种子层沉积到平坦的基材上。然后，使用光刻和电镀对纳米柱进行图案化。使用原子层沉积在整个结构上均匀涂覆纳米级介电层。

然后沉积第二个粘附促进剂层和种子层，然后进行电镀沉积。最后，通过使用光刻和离子铣削对纳米柱和介电纳米间隙进行部分蚀刻，创建一个 C 形开口环谐振器。然后，在超声浴中使用丙酮去除光刻胶。

从 4 英寸高电阻率硅晶片开始基板制备。用丙酮、异丙醇和去离子水清洁硅胶晶片。然后，用氮气吹干。

使用电子束蒸发器沉积 5 纳米铬粘附促进剂层和 10 纳米铜种子层。将晶圆切成 2 厘米 x 2.5 厘米的小块。然后，以 2， 000 RPM 的速度旋涂两微米的 S1813 光刻胶层，持续 60 秒。

基材在 115 摄氏度下烘烤 60 秒。现在，使用掩模对准器将光刻胶暴露在纳米柱掩模上，紫外线约为 15 毫瓦/平方厘米，持续 22 秒。纳米柱掩模具有 5 毫米 x 5 毫米的纳米柱阵列。

在 MF-319 显影液中搅拌显影光刻胶 90 秒。用去离子水冲洗样品，然后用氮气吹干。使用丙酮去除基板上光刻胶的顶部，露出铜种子层以进行电极连接。

然后，将样品浸入金电镀溶液中，并在 800 纳米金层上电镀约 8 分钟。使用丙酮去除光刻胶。用去离子水冲洗，然后用氮气吹干。

将样品浸入铬蚀刻剂中 10 秒，然后用铜蚀刻剂浸泡 10 秒，去除样品表面的铬和铜层。现在，使用原子层沉积在样品上均匀涂覆 10 纳米氧化铝层。使用电子束蒸发器在 10 纳米氧化铝层的顶部沉积第二个 5 纳米铬粘附促进剂层，以及第二个 10 纳米铜种子层。

将样品浸入金电镀溶液中 16 分钟，在基板上电镀 400 纳米的金膜。以 2， 000 RPM 的速度旋转涂覆两微米的 S1813 光刻胶层 60 秒。将基材在 115 摄氏度下烘烤 60 秒。

使用掩模对准器，用每平方厘米约 15 毫瓦的紫外线将光刻胶暴露在 C 形裂环谐振器掩模上 22 秒。在 MF-319 显影剂中开发 90 秒。使用离子研磨系统蚀刻光刻胶图案外的结构约 30 分钟。

在超声浴中使用丙酮去除光刻胶，然后用丙酮、异丙醇和去离子水冲洗样品，然后用氮气吹干。或者，如果首选空气纳米间隙，将样品浸入 5% 氟化氢溶液中 5 分钟，以去除氧化铝。在光学显微镜下检查基于纳米柱的开口环谐振器。

光学成像显示硅基板上有两个 5 毫米 x 5 毫米的基于纳米柱的开口环谐振器阵列。放大的光学显微镜图像显示了基于 C 形纳米柱的开口环谐振器阵列。在单个开口环谐振器的放大图像中可以观察到金纳米柱和氧化铝纳米间隙。

扫描电子显微镜的分析结果还显示了制造的基于纳米柱的开口环谐振器、两个相邻的金纳米柱以及它们之间的氧化铝间隙。通过控制氧化铝原子层沉积过程的循环，可以轻松制造 5 纳米氧化铝间隙和 10 纳米氧化铝间隙。这些结果表明，这种制造工艺可以在大规模衬底上产生数千个基于纳米柱的开口环谐振器。

与电子束光刻和自组装相比，该工艺可以精确控制纳米间隙的大小，并且可以轻松产生高纵横比的纳米结构。基于纳米柱的分环谐振器包含数千个金纳米柱和纳米级间隙。通过改变纳米间隙的大小，可以很容易地调整基于纳米柱的开口环谐振器的谐振频率和振幅，这使得它们适用于各种应用，包括生物医学传感器和频率捷变器件。

看完这个视频，你应该对如何使用两步金电镀和解剖层沉积工艺来制作基于金纳米柱的分裂环谐振器有一个很好的了解，从而在金纳米柱之间产生氧化铝纳米级间隙。了解工艺的工作原理并为工艺中使用的每种材料选择合适的材料和厚度非常重要。