August 17th, 2017
本文介绍了一种表面离子阱的微细加工方法, 以及在室温环境中捕获镱离子的详细实验程序。
该程序的总体目标是准备和演示用于捕获镱离子的实验装置,其中包括一个微制造芯片。离子阱技术被认为是量子信息处理物理实现的主要候选技术之一。该程序提供了微制造捕获芯片以及构建实验装置以使用微制造捕获芯片捕获离子的详细方案。
由微制造技术开发的离子阱系统为量子信息处理和量子计算提供了巨大的潜力。这里介绍的方案将指导整个制造过程和设置离子阱实验。这种方法的视觉演示至关重要,因为它需要协调各种组件,例如激光器、成像系统、真空室、电子元件和微加工。
要进行实验,首先需要制造表面离子捕获芯片。这是本演示中使用的安装在载体中的芯片示例。芯片的功能在此原理图中表示,有一个加载槽,通过该槽引入中性原子。
在上样槽的两侧,都有射频电极,用于将离子限制在垂直于上样槽的方向上。外电极上的直流电压限制了沿该槽的离子。内部电极上的直流电压有助于倾斜总电位的主轴。
对于实验,将封装的芯片安装在超高真空室中。在这种情况下,芯片位于球形八边形腔室的中心。超高真空系统的元件在此示意图中进行了介绍。
离子泵和非蒸发吸气剂,可以将压力降至 3 x 10 以下,达到 11 Torr。球形八边形包括一个由镱原子组成的烤箱。球面八边形表示在最终光学设置的示意图的中心。
微制造芯片位于八边形的中心。馈通允许与八边形烘箱中的芯片电极进行电气连接。光学元件的布置使三个二极管激光器产生在陷印位置重叠的光束。
球形八边形中的凹陷视窗允许成像镜头靠近芯片表面。使用电子倍增 CCD 相机对芯片表面进行成像。将多通道电缆连接到数模转换器。
将多通道电缆的另一端连接到球形八边形的馈通。此外,与螺旋谐振器进行适当的馈通连接。接下来,使用谐振器、频谱分析仪和定向耦合器。
将 RF 发生器的输出端连接到定向耦合器的输出端。然后将谐振器的 input 与定向耦合器的 input 端口连接起来。将正向耦合端口连接到频谱分析仪的 RF 输入。
使用 50 欧姆电阻器端接反向耦合端口。现在,准备调整螺旋谐振器帽。设置螺旋谐振器帽的位置,然后扫描发生器的频率,以确定反射最小的频率。
通过调整 Cap 位置来继续调整谐振器。同时,监控频率扫描以查找反射功率的全局最小值的频率。在找到全局最小值时,锁定谐振器帽的位置。
在继续之前关闭 RF 发生器。要继续,请将所有激光器就位、稳定并阻止以确保安全。疏通 369.5 纳米激光器并准直光束。
光束应向被困的芯片传播。将光束平行于芯片对齐,几乎接触其表面。使用光束卡,在光束入口点对面测试对准,围绕点,表示光束不会从任何表面反射。
接下来,将聚焦透镜安装在平移台上。放置透镜,以便将光束聚焦在捕获电位附近,仍然平行于芯片表面。继续处理成像光学元件。
选择安装在平移台上的高数值孔径成像镜头。将其放在超高真空室嵌入式窗口的前面。这是成像镜头就位后的设置示意图。
接下来,对准激光束,使芯片表面有一些散射。像以前一样使用光束卡来验证光束是否被部分阻挡。继续将光束卡放置在成像镜头的图像平面附近。
使用平移台调整成像镜头位置。新位置应允许散射光在光束卡上产生清晰的图像。现在,将电子倍增 CCD 放在镜头成像平面的平移台上。
在 CCD 前面,放置带通滤光片以阻挡背景光。使用 CCD 和镜头设置,电极应该是可见的。接下来,垂直对齐光束,使其穿过陷印电位。
然后监控光束并将其移向陷阱表面。假设最大光束散射,意味着光束中心位于芯片表面。现在,使用透镜平移台将光束移动到捕获电位的预期高度。
调整后,将成像镜头和 CCD 的平移台向后移动相同的距离并注意位置。这是此时系统的示意图。光束穿过预期的陷压板位置。
解锁其他两个激光器后继续并开始对齐它们。将 CCD 前面的带通滤光片更换为 399 纳米带通滤光片。然后调整成像镜头和 CCD 位置,使电极聚焦在 CCD 上。
对准准 399 纳米光束,进入真空室,沿与 369.5 纳米光束相反的方向传播并重叠。引入镜子和二向色镜以组合两个光束,以便它们在腔室中共同传播。为了进行测试,在腔室之前的光束路径中临时添加一个镜子,并使用光束轮廓仪检查光束重叠。
在二向色镜和临时镜之间的光束路径的平移台上引入聚焦透镜。使用光束轮廓仪检查两个光束的焦点。在这种情况下,两个激光器没有聚焦在应有的同一点。
最后,对准 935 纳米激光器,使激光器重合。完成此作后,取下临时镜并确保可以在 CCD 中观察到 399 纳米光束。将光束与预期的陷印位置垂直对齐,然后将光束移向芯片。
监控 CCD 图像并将散射光的最大强度与光束以芯片表面为中心相关联。然后将光束从表面移动到陷阱的预期位置。然后将成像镜头和 CCD 向后移动相同的距离。
然后,将 399 纳米激光器设置为接近适当的镱 174 跃迁。当含镱的烘箱打开并增加电流时,监控 CCD 图像。在将激光扫过镱共振的同时执行此作,通过观察荧光来确定蒸发的开始。
注意荧光前的当前值并关闭柱温箱。为捕获离子做最后的准备工作。返回到 CCD 处的带通滤光片,并将其替换为 369.5 纳米带通滤光片。
此外,调整 368.5 纳米焦距的 CCD 和成像镜头位置。设置控制电极的数字到模拟转换器的电压。然后转到连接到螺旋谐振器的 RF 发生器。
以非常低的功率设置打开发电机,并逐渐增加输出功率。在激光控制计算机上,将激光频率和烘箱电流源设置为适当的值。几分钟后,短暂阻挡 935 纳米激光器 1 到 2 秒,以开始测试陷印。
使用 CCD 查看陷印器。如果离子被捕获,散射速率会显著下降,图像会受到明显影响。阻挡激光几次,以检查阻挡与图像变化的相关性。
离子被捕获后,关闭烘箱。这种电子倍增 CCD 图像的合成表明了被困在微制造离子阱芯片中的五个镱 174 1+离子的位置。可以通过改变施加的直流电压来改变捕获离子的数量。
在这个捕获离子的视频中,通过改变离子阱的直流电压来纵离子。本视频介绍了制备表面离子阱和捕获镱 174 同位素离子的方案。该程序可以很容易地扩展到捕获同位素 171 的镱离子并纵立方阶段,最终转向量子信息处理和量子计算。
本文介绍了一种用于表面离子陷阱的微制造方法,以及在室温环境中捕获镱离子的详细实验步骤。
Microfabricated surface ion traps enable scalable, high-fidelity quantum bit manipulation, directly impacting early-stage quantum device prototyping and validation. Their integration supports predictive confidence in quantum information processing platforms, reducing mechanistic ambiguity in device performance. This methodology is foundational for advancing quantum-enabled biopharma analytics and next-generation screening technologies.
This microfabrication and trapping methodology positions quantum device development at the intersection of early discovery and analytical platform innovation.