Name: 任意基底上共轭聚合物薄膜的反应气相沉积 (视频) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-01-17T10:55:00.000+00:00
Duration: 7 min 32 s
Description: 了解反应气相沉积法在粗糙基底上制备共轭聚合物薄膜的技术。该方法可在纺织品等非常规材料上制造柔性电子器件，为材料科学和聚合物化学研究提供新途径。

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作者衷心感谢美国空军科学研究办公室（协议号 FA9550-14-1-0128）提供的经费支持。T. L. A. 还衷心感谢大卫与露西尔·帕卡德基金会提供的部分支持。

阅读试剂的材料安全数据表，并遵守所在机构要求的所有化学品安全措施。
1. 氯代聚(丙二氧噻吩)（Cl-PProDOT）和氯代聚噻吩（Cl-PTT）的沉积
<ol>
	<li>按照图1所示，搭建自行设计的管状蒸镀腔体结构。
	<ol>
		<li>将一个1/4英寸（外径，O.D.）熔融石英侧入口连接至一个2英寸（O.D.）熔融石英管。使用定制的U形1英寸不锈钢管和杜瓦瓶制作一个冷阱。</li>
		<li>使用不锈钢KF接头和快速接头将石英管与真空计和冷阱连接。将单体放入石英安瓿瓶中，并通过1/4英寸快速接头和针阀将安瓿瓶连接至管状腔体。将氧化剂置于腔体内的坩埚中。</li>
		<li>分别使用独立的加热带作为氧化剂、基底和单体的加热源。在腔体右端增加一个气体入口，以便在必要时引入额外的惰性气体以控制工艺压力。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>Cl-PProDOT的沉积
	<ol>
		<li>在单体安瓿瓶中加入50 mg的3,4-丙二氧基噻吩（ProDOT），并将其连接至管状腔体。保持针阀开启。</li>
		<li>将基底（载玻片、织物、纸张等）放入腔体内。基底尺寸为1.3 cm × 2.5 cm。</li>
		<li>在5 mL坩埚中加入50 mg FeCl3，并将其置于腔体内。 
		注：单体入口、基底和坩埚的相对位置如图1所示。单体入口与坩埚之间的距离为13 cm。</li>
		<li>开启真空泵。缓慢关闭腔体右端的阀门。当腔体压力低于525 mTorr（70 Pa）时，向冷阱中加入液氮。</li>
		<li>用加热带包裹三个加热区域，并将加热带连接至温控器。</li>
		<li>当压力降至工艺压力（52.5 mTorr，7 Pa）时，关闭单体容器的针阀。</li>
		<li>分别将氧化剂、基底和单体加热至170 °C、80 °C和80 °C。约10分钟后，FeCl3蒸发并在较冷区域形成红色FeCl3固体。</li>
		<li>打开单体容器的针阀。 
		注：在基底区域将形成蓝色薄膜。典型的生长速率为约10 nm/min。在打开单体容器针阀前，必须确保FeCl3蒸气已在腔体内形成。否则，单体将与坩埚中的FeCl3固体反应生成聚合物层，从而阻碍氧化剂的进一步蒸发。</li>
		<li>当达到所需膜厚时，关闭单体容器的针阀。关闭所有加热带，并将系统冷却至室温。</li>
		<li>打开气体入口阀门，并关闭真空泵。</li>
		<li>将样品从腔体中取出。小心地将样品浸入甲醇中30分钟，以去除残留的氧化剂和单体。 
		注：冲洗时间应随膜厚增加而延长。对于载玻片上厚度小于100 nm的薄膜，通常冲洗30分钟即可。厚度超过500 nm的薄膜在冲洗时可能从基底上剥离。</li>
		<li>用氮气小心吹干样品。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>Cl-PTT的沉积
	<ol>
		<li>在单体安瓿瓶中加入50 mg的噻吩并[3,2-b]噻吩（TT），并将其连接至管状腔体。保持针阀开启。</li>
		<li>重复步骤1.2.2至1.2.12。</li>
	</ol>
	</li>
</ol>
2. 沉积 Br-PEDOT
<ol>
	<li>沉积室设置
	<ol>
		<li>在石英管上增加一个1/4英寸的侧向进气口用于氧化剂，并使其与单体进气口相距8英寸。将液态氧化剂置于石英安瓿瓶中，并以与单体相同的方式将安瓿瓶连接到管式反应室（图2）。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>Br-PEDOT的沉积
	<ol>
		<li>在单体安瓿瓶中加入2 mL的3,4-乙烯二氧噻吩（EDOT），并将安瓿瓶连接至管式反应室。保持针阀开启。</li>
		<li>将基底（载玻片、织物、纸张等）放置在管式反应室中靠近单体蒸气入口的位置。基底尺寸为1.3 cm × 2.5 cm。</li>
		<li>在通风橱中，向氧化剂安瓿瓶中加入2 mL Br2，将安瓿瓶连接至针阀并保持针阀关闭。将针阀连接至石英管。 
		注意：Br2为危险物质，操作时需谨慎。</li>
		<li>开启泵。缓慢关闭反应室右端的阀门。当反应室内压力低于525 mTorr（70 Pa）时，在冷阱中加入液氮。</li>
		<li>用加热带包裹单体区域，并连接温度控制器。保持基底和氧化剂区域处于室温。</li>
		<li>当压力降至工艺压力52.5 mTorr（7 Pa）时，打开氧化剂的针阀。 
		注：反应速度非常快。由于Br2具有高挥发性，蓝色的PEDOT薄膜将在靠近单体入口处迅速形成。</li>
		<li>当达到所需膜厚时，关闭单体和氧化剂的针阀。</li>
		<li>关闭加热带，使系统冷却至室温。</li>
		<li>打开气体进气阀，关闭泵。从反应室中取出样品。 
		注：Br2-掺杂的聚合物无需冲洗。</li>
	</ol>
	</li>
</ol>

<ol><li>Kaltenbrunner, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ultrathin+and+lightweight+organic+solar+cells+with+high+flexibility%5BTitle%5D)+AND+%22Nat.+Commun%22%5BJournal%5D)">Ultrathin and lightweight organic solar cells with high flexibility.</a> Nat. Commun. 3, 770(2012).</li>
<li>Savagatrup, S., Printz, A. D., O'Connor, T. F., Zaretski, A. V., Lipomi, D. J. <a target="_blank" href="http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cm501021v">Molecularly Stretchable Electronics.</a> Chem. Mater. 26, 3028-3041 (2014).</li>
<li>Lee, J. -Y., Connor, S. T., Cui, Y., Peumans, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Semitransparent+Organic+Photovoltaic+Cells+with+Laminated+Top+Electrode%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Semitransparent Organic Photovoltaic Cells with Laminated Top Electrode.</a> Nano Lett. 10, 1276-1279 (2010).</li>
<li>Kaltenbrunner, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((An+ultra-lightweight+design+for+imperceptible+plastic+electronics%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">An ultra-lightweight design for imperceptible plastic electronics.</a> Nature. 499, 458-463 (2013).</li>
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<li>Hu, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Stretchable%2C+Porous%2C+and+Conductive+Energy+Textiles%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Stretchable, Porous, and Conductive Energy Textiles.</a> Nano Lett. 10, 708-714 (2010).</li>
<li>Jost, K., Dion, G., Gogotsi, Y. <a target="_blank" href="http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2014/ta/c4ta00203b/unauth#!divAbstract">Textile energy storage in perspective.</a> J. Mater. Chem. A. 2, 10776-10787 (2014).</li>
<li>Ding, Y., Invernale, M. A., Sotzing, G. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Conductivity+Trends+of+PEDOT-PSS+Impregnated+Fabric+and+the+Effect+of+Conductivity+on+Electrochromic+Textile%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Appl.+Mater.+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Conductivity Trends of PEDOT-PSS Impregnated Fabric and the Effect of Conductivity on Electrochromic Textile.</a> ACS Appl. Mater. Interfaces. 2, 1588-1593 (2010).</li>
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<li>Du, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Thermoelectric+Fabrics%3A+Toward+Power+Generating+Clothing%5BTitle%5D)+AND+%22Sci.+Rep%22%5BJournal%5D)">Thermoelectric Fabrics: Toward Power Generating Clothing.</a> Sci. Rep. 5, 6411(2015).</li>
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<li>Musumeci, C., Hutchison, J. A., Samori, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Controlling+the+morphology+of+conductive+PEDOT+by+in+situ+electropolymerization%3A+from+thin+films+to+nanowires+with+variable+electrical+properties%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale%22%5BJournal%5D)">Controlling the morphology of conductive PEDOT by in situ electropolymerization: from thin films to nanowires with variable electrical properties.</a> Nanoscale. 5, 7756-7761 (2013).</li>
<li>Allison, L., Hoxie, S., Andrew, T. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Towards+seamlessly-integrated+textile+electronics%3A+methods+to+coat+fabrics+and+fibers+with+conducting+polymers+for+electronic+applications%5BTitle%5D)+AND+%22Chem.+Commun%22%5BJournal%5D)">Towards seamlessly-integrated textile electronics: methods to coat fabrics and fibers with conducting polymers for electronic applications.</a> Chem. Commun. 53, 7182-7193 (2017).</li>
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<li>Jo, W. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Oxidative+Chemical+Vapor+Deposition+of+Neutral+Hole+Transporting+Polymer+for+Enhanced+Solar+Cell+Efficiency+and+Lifetime%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Mater%22%5BJournal%5D)">Oxidative Chemical Vapor Deposition of Neutral Hole Transporting Polymer for Enhanced Solar Cell Efficiency and Lifetime.</a> Adv. Mater. 28, 6399-6404 (2016).</li>
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</ol>

作者无任何利益冲突需要披露。

该反应的机理是氧化聚合。采用相同机理的聚合物涂层方法包括电化学聚合17和气相聚合18。电化学聚合需要导电基底，无法实现均匀且保形的涂层，且是一种对环境不友好的溶液法19。现有的气相聚合方法与本文报道的方法类似，但仅能聚合高挥发性单体20。我们的方法改进了现有方法的反应室设计，不仅能够聚合高挥发性单体，还能聚合非挥发性单体。多种新型导电和半导体聚合物，例如PProDOT和PTT，首次通过本文报道的方法经气相沉积成功合成20。
该方案中的一个关键步骤是引入单体蒸气的时机（步骤 1.2.8）。在本方案中，应在 FeCl3 蒸气形成后，再将单体蒸气引入反应室，可通过观察冷却区域是否生成红色固体来判断。如果在 FeCl3 蒸气尚未形成时就引入单体蒸气，单体蒸气将到达氧化剂坩埚并与固态氧化剂直接反应，从而在氧化剂表...

聚合物导电和半导体材料具有独特的性质，例如柔韧性1、可拉伸性2、透明性3和低密度4，这些特性为在非传统基底上制造下一代电子器件提供了非凡的机遇。目前，许多研究人员正致力于利用聚合物材料的独特性能，开发柔性及/或可穿戴电子器件5,6以及智能织物7。然而，如何在高度粗糙的表面以及非刚性基底（如纸张、织物和纤维/纱线）上实现保形涂覆，仍是尚未攻克的难题。通常情况下，聚合物主要通过溶液法进行合成并在表面进行涂覆8,9,10,11,12。尽管溶液法能够实现聚合物在纤维/织物上的涂覆，但所得涂层往往不均匀，且容易因微小的物理应力而受损13,14。此外，由于润湿性问题，溶液法也不适用于纸张的涂覆。
反应性气相沉积可在多种不同基底上形成保形的共轭聚合物薄膜，而无需考虑其表面化学/成分、表面能以及表面粗糙度/形貌15。该方法通过将单体蒸气和氧化剂蒸气同时输送至表面，在气相中合成共轭聚合物。聚合反应及薄膜形成在表面一步完成，且无需使用溶剂。理论上，该方法适用于任何可通过溶液法氧化聚合合成的共轭聚合物。然而迄今为止，仅有一小部分共轭聚合物结构的沉积工艺被报道。15
本文演示了通过反应性气相沉积法沉积导电性聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)（PEDOT）和聚(3,4-亚丙二氧基噻吩)（PProDOT），以及半导体性聚(噻吩并[3,2-b]噻吩)（PTT）薄膜的过程。该过程使用了两种类型的氧化剂：固体 FeCl3 和液体 Br2。所得到的相应聚合物分别命名为 Cl-PProDOT、Cl-PTT 和 Br-PEDOT。实验对传统基底（如载玻片）以及非传统纹理基底（如纸张、毛巾和织物）均成功涂覆了聚合物薄膜。
本方案介绍了自行搭建的气相沉积室的组装方法以及沉积过程的详细步骤。旨在帮助新用户构建其沉积系统，并避免与气相合成相关的常见问题。

<table><tbody><tr><td>3,4-乙烯二氧噻吩，97%</td><td>Sigma Aldrich</td><td>483028</td><td></td></tr><tr><td>3,4-丙烯二氧噻吩，97%</td><td>Sigma Aldrich</td><td>660485</td><td></td></tr><tr><td>噻吩并[3,2-b]噻吩，95%</td><td>Sigma Aldrich</td><td>702668</td><td></td></tr><tr><td>FeCl&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;，97%</td><td>Sigma Aldrich</td><td>157740</td><td></td></tr><tr><td>Br&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;</td><td>Sigma Aldrich</td><td>207888</td><td></td></tr></tbody></table>

在任意基底上共轭聚合物薄膜的反应性气相沉积

Reactive Vapor Deposition of Conjugated Polymer Films on Arbitrary Substrates

我们展示了一种使用定制设计的低压反应腔室在任意基底上保形涂覆共轭聚合物的方法。导电聚合物聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)（PEDOT）和聚(3,4-亚丙二氧基噻吩)（PProDOT），以及一种半导体聚合物聚(噻吩并[3,2-b噻吩）（PTT）被沉积在非常规的高度无序且具有高比表面积的多孔基底上，例如纸张、毛巾和织物。本研究所报道的沉积室是对以往气相反应器的改进，因为我们的系统能够同时容纳挥发性和非挥发性单体，例如3,4-亚丙基二氧噻吩和噻吩并[3,2-b噻吩。同时展示了固体和液体氧化剂的使用。该方法的一个局限性在于缺乏精细的 原位 厚度监测器。采用常规溶液法涂层工艺（如旋涂和表面接枝）制备的聚合物涂层通常存在不均匀或易受机械降解的问题。本报道的气相沉积方法克服了这些缺点，是常用溶液法涂层技术的一种有力替代方案。值得注意的是，采用该方法涂覆的聚合物薄膜在粗糙表面上具有良好的均匀性和保形性，即使在微米尺度下亦然。这一特性使得气相沉积聚合物有望在未来应用于柔性及高度纹理化基底上的电子器件。

通过台阶仪测量了在中心管沿横向不同位置放置的 1.3 cm × 2.5 cm 玻片上形成的 Cl-PProDOT 薄膜厚度（图3）。利用自制的四探针测试装置通过电阻率测量计算电导率。在玻片上制备的 100 nm 厚 Cl-PProDOT 薄膜的实测电导率为 106 S/cm，足以证明该薄膜具有作为潜在电极材料的资格。图4 为玻片上 100 nm 厚 PProDOT 薄膜的原子力显微镜（AFM）图像。采集了玻片上 Cl-PProDOT 薄膜在冲洗前后进行 X 射线光电子能谱（XPS）分析的谱图，以证实所有残留的 FeCl3 均已被去除，并证明电导率完全来源于聚合物本身（图5）。
Cl-PProDOT、Cl-PTT 和 Br-PEDOT 的紫外/可见吸收光谱...

本文介绍了一种在载玻片以及纺织品和纸张等粗糙基底上，通过反应性气相沉积法制备聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)、聚(3,4-亚丙二氧基噻吩)和聚(噻吩并[3,2-b]噻吩)薄膜的实验方案。

我们展示了一种使用定制设计的低压反应室在任意基底上保形涂覆共轭聚合物的方法。

本实验的总体目标是利用自行设计的反应性气相沉积腔室，在粗糙和具有纹理的基底上制备导电或半导体聚合物薄膜的保形涂层。该方法可将柔性电子材料沉积到非传统基底上，从而制造出纺织电子器件等独特装置。我们所用腔室的主要优势在于，可实现多种聚合物的气相沉积，这意味着能够制备结构多样化的共轭聚合物薄膜。开始实验时，将50毫克ProDOT放入石英马丁密尔安瓿瓶中。通过四分之一英寸快接接头和针阀将安瓿瓶连接。用加热带包裹安瓿瓶、金属部件和温度探头。将安瓿瓶连接到管状腔室，保持针阀打开。然后，使用长镊子将五片尺寸为1.3厘米×2.5厘米、所需材料的基底并排置于基底加热区。在氧化剂加热区放置一个容积为5毫升、内含50毫克三氯化铁的氧化铝坩埚。关闭腔室末端，缓慢关闭惰性气体进气阀，并启动真空泵。当腔室压力低于525毫托时，用液氮填充冷阱杜瓦瓶。用加热带包裹三个加热区中的每一个。将胶带连接至温度控制器。当腔室达到52.5毫托的处理压力时，关闭马提默安瓿针阀。将氧化剂加热器设定为170摄氏度，基底和马提默加热器设定为80摄氏度。在这些温度下加热约十分钟，使氯化铁（III）从坩埚中完全挥发。确认挥发的氯化铁（III）在管式炉较冷区域（位于氧化剂与气体入口之间）沉积为红色固体后，再继续下一步操作。随后，打开马蒂森安瓿瓶的针阀，使蓝色薄膜在基底上生长至所需厚度。在反应室中生成氯化铁蒸气后，方可打开通往马蒂默安瓿的针阀。否则，马蒂默蒸气会与坩埚中的氧化剂反应，在粉末表面形成聚合物层。当达到所需薄膜厚度时，关闭马蒂默安瓿的针阀。关闭加热带，使系统在真空条件下冷却至室温。系统冷却后，打开惰性气体阀门，并关闭真空泵。使用长镊子从腔室中取出样品。将样品浸入甲醇中30分钟，以去除残留的未反应氧化剂和martimer。处理厚度超过500纳米并位于玻璃基底上的薄膜时需小心，因为在清洗过程中薄膜可能发生剥离。甲醇清洗完成后，用温和的氮气气流小心地将样品吹干。开始实验时，将两毫升 EDOT 置于石英马氏瓶中。将安瓿瓶连接至针阀，并用加热带包裹两者。将安瓿瓶连接至管式腔室，保持针阀处于打开状态。接下来，使用长镊子将尺寸为 1.3 厘米 × 2.5 厘米的基底放置在两个试剂蒸汽入口之间的相邻位置。然后，关闭腔室的末端。在通风橱中，将 2 毫升液态溴加入石英氧化剂安瓿瓶中。将安瓿瓶配备一个关闭的针型阀。通过关闭的针型阀将氧化剂安瓿瓶连接至反应室。然后，在惰性气体进气阀关闭的情况下启动真空泵。当腔室压力低于525毫托时，用液氮填充冷阱杜瓦瓶。将缠绕有加热带的Martimer加热区域连接至温度控制器。当腔室达到52.5毫托的加工压力时，将Martimer加热器设定为80摄氏度。在该温度下加热约十分钟，使单体汽化。然后，仅轻微打开氧化剂针阀，因为液态溴具有高挥发性。监测蓝色PEDOT薄膜的沉积过程，当薄膜达到所需厚度时，关闭单体和氧化剂针阀，关闭加热带，并在真空条件下使腔室冷却至室温。然后，打开惰性气体进气阀，并停止真空泵。当使用溴作为氧化剂时，无需进行冲洗。在距马提默安瓿入口约两英寸处，观察到氯掺杂的聚丙基二氧噻吩薄膜厚度最大。采用原子力显微镜表征形貌。厚度为100纳米的掺氯聚丙二氧噻吩薄膜的电导率为106西门子每厘米。通过X射线光电子能谱确认了残留三氯化铁的去除，表明电导率完全来源于该聚合物。将氯掺杂的PTT薄膜分别沉积在纸张、灯芯绒织物和棉质斜纹织物上，最终使原本白色的基底呈现深红色。扫描电子显微镜结果显示，在微米尺度上，薄膜在三种不同纹理表面上均形成了均匀且保形的覆盖层。对氯掺杂的聚丙撑二氧噻吩（polyproDot）和溴掺杂的PEDOT薄膜进行紫外-可见光谱分析，显示其在600纳米以上具有宽而无特征的吸收带，表明在用甲醇去除过量氧化剂后，薄膜仍保持P型掺杂状态。在氯掺杂的PTT中未观察到该谱带，表明其在甲醇冲洗过程中已完全实现D掺杂。一旦掌握，若操作得当，该技术可在2小时内完成。该技术开发后，研究人员得以通过在腔室内将商业织物和纤维简单涂覆导电或半导体聚合物薄膜，将其转化为电子元件。

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化学

任意基底上共轭聚合物薄膜的反应气相沉积

本文介绍了一种将含乙烯基化合物在玻璃碳电极和掺氟氧化锡涂层电极上进行还原电化学聚合的方法。文中包含了关于电化学池构型的建议以及故障排除步骤。尽管此处未明确描述，含吡咯化合物的氧化电化学聚合过程与基于乙烯基的还原电化学聚合过程类似。...

含乙烯基的多吡啶配合物在玻碳和氟掺杂氧化锡电极上的还原电聚合

我们介绍一种用于制备大面积（直径可达13 cm）和超薄（薄至8...

大面积自支撑超薄聚合物薄膜的制备

本文中，我们描述了在牺牲性基底上共轭微孔聚合物（CMP）的界面合成方法，以及通过溶解基底制备自支撑CMP纳米膜的过程。此外，我们还将介绍如何将这些脆弱的纳米膜转移至其他基底上。...

逐层合成与自支撑共轭微孔聚合物纳米膜的转移

介绍了一种使用苝作为可见光光催化剂，对功能化乙烯基单体进行原子转移自由基聚合的方法。...

使用苝作为可见光光催化剂的功能化乙烯基单体的原子转移自由基聚合

本文介绍了一种由电活性聚合物组成的纳米粒子的合成与制备方案。...

具有光热特性的电活性聚合物纳米颗粒

报道了用于在表面图案化沉积叠氮内酯嵌段共聚物纳米级厚度刷状层或微米级厚度交联薄膜的制备方法。讨论了每种方法的关键实验步骤、代表性结果及其局限性。这些方法可用于构建具有定制物理结构和可调表面反应性的功能化界面。...

利用含唑啉酮功能化嵌段共聚物的刷状与交联薄膜制备反应性表面

我们介绍一种使用3D打印排水室将嵌段共聚物薄膜转移到多孔支撑基底上的高度可控且无皱褶的转移方法。该排水室设计适用于所有涉及将大分子薄膜转移到多孔基底上的操作步骤，而此类操作通常以手工方式进行，难以重复。...

将聚合物薄膜转移至多孔基底并最大限度减少缺陷的操作步骤

本文介绍了一种制备高效、结构简单、溶液沉积且低效率滚降的有机发光二极管的实验方案。...

通过溶液沉积法制备高效有机发光二极管

本文介绍了一种利用气相沉积法在静电纺丝聚丙烯腈（PAN）纳米纤维上涂覆电活性聚合物的简单技术。研究了氧化剂FeCl₃对在PAN上沉积聚(3,4-乙烯二氧噻吩)涂层的影响，以理解并优化聚合物的生长、纤维直径以及纳米纤维膜的整体机械强度。...

在静电纺丝商用聚合物纳米纤维上通过气相沉积法制备电活性聚(3,4-乙烯二氧噻吩)

本文描述了在微孔材料（如金属有机框架）上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积全氟烷烃以提高其稳定性和疏水性的步骤。此外，还详细介绍了毫克级样品的穿透测试方法。...

通过等离子体增强化学气相沉积全氟烷烃制备疏水金属有机框架用于氨气去除

了解反应气相沉积法在粗糙基底上制备共轭聚合物薄膜的技术。该方法可在纺织品等非常规材料上制造柔性电子器件，为材料科学和聚合物化学研究提供新途径。

在任意基底上共轭聚合物薄膜的反应性气相沉积

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