Name: C 型60/石墨烯混合纳米结构的制备与表征 (视频) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-05-15T13:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 40 s
Description: 学习利用物理热蒸发和退火条件在波纹石墨烯上制备一维和准一维C60结构的方法。该技术可控制分子自组装过程，为纳米结构制造和材料科学研究提供可靠途径。

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

本工作由美国陆军研究办公室资助，项目编号为 W911NF-15-1-0414。

1. 自制克努森池的制备
<ol>
	<li>准备克努森池的组件
	<ol>
		<li>购买一个带CF法兰的电源馈通件（2.75&#34; CF，4针不锈钢）。在馈通件上钻两个螺纹孔，位置位于一条直径为1.30&#34;的直线与其圆周的交点处。</li>
		<li>准备一根玻璃管（外径（OD）0.315&#34;，长度2.50&#34;）。</li>
		<li>购买厚度为0.005&#34;的薄铜片（纯度99.9%）。用剪刀将其裁剪成7.5&#34;长 × 5.0&#34;宽的尺寸，然后用手将其卷成直径为1.45&#34;的中空柱状屏蔽层（图1a）。</li>
		<li>准备K型热电偶（镍铬-镍铝），通过剪取3&#34;长度的镍铬丝和镍铝丝，使其直径为0.005&#34;。将两种金属丝两端的绝缘层剥离约0.5&#34;长度。</li>
		<li>将直径为0.01&#34;的钨丝（纯度99.95%）剪成约60&#34;长，并将其紧密缠绕在直径与玻璃管相近的金属棒上，形成直径为0.315&#34;的弹簧状结构。</li>
		<li>购买一块陶瓷件。准备一个中间带孔的合适长方体陶瓷件，其孔尺寸需与玻璃管匹配（5 图1b）。</li>
		<li>使用带锯机和车床，将两根标准钢制螺纹杆（直径0.10&#34;）切割成7&#34;长。</li>
		<li>用剪刀将一根柔软的直径为0.01&#34;的铜线剪成约30&#34;长。</li>
		<li>使用侧切钳将4根外径为0.094&#34;的中空铜棒进行切割：其中3根切为2&#34;长，1根切为4&#34;长。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>在克努森池中组装这些部件
	<ol>
		<li>使用超声波清洗仪在42 kHz频率下，以丙酮对步骤1.1中提到的所有组件清洗30分钟。</li>
		<li>将两根标准钢制螺纹杆安装到电源馈通件CF法兰的钻孔中。 
		注：这些孔已攻出螺纹（7 图1b）。</li>
		<li>将4根中空铜棒的底端插入CF法兰电源馈通件4个引脚的上部，并将引脚插入中空铜棒内，再用侧切钳固定（6 图1b）。</li>
		<li>用软铜线将陶瓷件固定在螺纹杆底部以上2.5&#34;高的位置。 
		注：该陶瓷件将在下一步中用于支撑玻璃管（5 图1b）。</li>
		<li>将玻璃管滑入卷曲的钨弹簧内。将玻璃管底部压入陶瓷件的孔中，并用软铜线将玻璃管顶端与螺纹杆顶端绑紧（3和4 图1b）。</li>
		<li>将弹簧的顶端夹入较长的铜棒（定义为A），将弹簧的底端夹入一根较短的铜棒（定义为B）（A和B 图1b）。</li>
		<li>将镍铬丝和镍铝丝各一端剥除绝缘层的部分拧在一起（2 图1b）。</li>
		<li>将拧接的接头端紧贴玻璃管外底部放置，并借助陶瓷件将其固定，防止移动。</li>
		<li>将镍铬丝另一端剥除绝缘层的部分夹入左侧两根较短铜棒中的一根（定义为C），将镍铝丝另一端剥除绝缘层的部分夹入剩下的较短铜棒中（定义为D）（C和D 图1b）。</li>
		<li>将卷曲的铜制中空柱状屏蔽层放置在CF法兰电源馈通件上（图1a）。</li>
	</ol>
	</li>
</ol>
2. 在自制克努森炉中制备 C60 源
<ol>
	<li>将 C60 源装入自制的克努森（Knudsen）池中。
	<ol>
		<li>将约 50 mg 的 C60 粉末（纯度 99.5%）装入自制克努森池的玻璃管中。 
		注：粉末质量的精度无需超过 1 mg。</li>
		<li>将克努森池重新安装到负荷锁的一个支路上。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>抽空负荷锁。
	<ol>
		<li>启动负荷锁的泵。首先打开涡轮分子泵的冷却水阀，然后开启机械泵的冷却风扇，接着启动机械泵，最后开启涡轮分子泵。</li>
		<li>检查负荷锁内的压力，并等待约 10 小时。 
		注：涡轮分子泵出口处的压力应为 6.0 × 10-2 mbar。</li>
		<li>当压力降至较低水平时（通常低于 10-6 mbar），开启安装在负荷锁内的电离规。</li>
		<li>检查负荷锁内的压力：抽气 10 小时后，压力应达到 10-8 mbar 范围内。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>对自制克努森池中的 C60 源进行退火处理。
	<ol>
		<li>通过将电源连接至 CF 法兰电力馈通的两个引脚（该引脚连接至卷绕的钨弹簧），以 1.5 °C/min 的速率逐步升温，将 C60 源在 250 °C 下退火 2 小时以进行脱气处理。</li>
		<li>将退火温度升至 300 °C，此温度高于沉积温度（270 °C）。</li>
		<li>在 300 °C 下继续退火 0.5 小时以进一步脱气。</li>
		<li>将温度降至 270 °C，准备进行沉积。</li>
	</ol>
	</li>
</ol>
3. 在UHV腔室中制备原子级洁净的石墨烯
<ol>
	<li>将石墨烯（附着在铜箔上）从样品存储转盘转移至STM系统的超高真空制备腔室中的退火板上（该位置专用于在超高真空条件下进行样品的制备与退火）。</li>
	<li>在制备腔室内，于低于10-10 mbar的本底真空压力下，逐步升温至400 °C，对石墨烯基底进行退火处理。</li>
	<li>保持12小时，以去除石墨烯表面残留的杂质。</li>
	<li>逐步将石墨烯基底的退火温度降低至室温。</li>
</ol>
4. 使用自制的克努森池在负荷锁中将 C60 沉积到石墨烯衬底上
<ol>
	<li>将石墨烯基底转移至负荷锁室。
	<ol>
		<li>将样品台置于制备腔室的转移位置。在原子级清洁的石墨烯和C60源准备就绪后，将原子级清洁的石墨烯转移至负荷锁室，以进行C60沉积。</li>
		<li>打开负荷锁室与制备腔室之间的阀门。</li>
		<li>使用转移工具将制备腔室样品台上的石墨烯基底转移至负荷锁室。</li>
		<li>将石墨烯基底倒置放置（C60从下方的源蒸发而来）。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>在石墨烯基底上沉积C60。 
	注意：C60分子从自制的克努森池在270 °C下蒸发并沉积到石墨烯基底上。
	<ol>
		<li>以0.9单层/分钟的沉积速率沉积1分钟。</li>
		<li>将C60/石墨烯样品重新转移回制备腔室。</li>
	</ol>
	</li>
</ol>
5. 准备用于STM主腔室测量的C60/石墨烯样品
<ol>
	<li>在超高真空制备腔室中，以 3.1 °C/min 的升温速率将 C60/石墨烯样品退火至 150 °C，并在该温度下保持 2 小时。</li>
	<li>在扫描隧道显微镜（STM）主腔室中对 C60/石墨烯样品进行 STM 扫描。</li>
	<li>以 3.1 °C/min 的升温速率将 C60/石墨烯样品退火至 210 °C，并在该温度下保持 2 小时。</li>
	<li>对 C60/石墨烯样品进行 STM 扫描。</li>
</ol>

<ol><li>Gutzler, R., Heckl, W. M., Lackinger, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Combination+of+a+Knudsen+effusion+cell+with+a+quartz+crystal+microbalance%3A+In+situ+measurement+of+molecular+evaporation+rates+with+a+fully+functional+deposition+source%5BTitle%5D)+AND+%22Review+of+Scientific+Instruments%22%5BJournal%5D)">Combination of a Knudsen effusion cell with a quartz crystal microbalance: In situ measurement of molecular evaporation rates with a fully functional deposition source.</a> Review of Scientific Instruments. 81, 015108(2010).</li>
<li>de Barros, A. L. F., et al. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168900206000635">A simple experimental arrangement for measuring the vapour pressures and sublimation enthalpies by the Knudsen effusion method: Application to DNA and RNA bases.</a> Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section a-Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment. 560, (2006).</li>
<li>Shukla, A. K., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.1793892">Versatile UHV compatible Knudsen type effusion cell.</a> Review of Scientific Instruments. 75, 4467(2004).</li>
<li>Cho, J., et al. <a target="_blank" href="https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl3008049">Structural and Electronic Decoupling of C60 from Epitaxial Graphene on SiC.</a> Nano Letters. 12, 3018(2012).</li>
<li>Jung, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Atomically+resolved+orientational+ordering+of+C60+molecules+on+epitaxial+graphene+on+Cu%28111%29%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale%22%5BJournal%5D)">Atomically resolved orientational ordering of C60 molecules on epitaxial graphene on Cu(111).</a> Nanoscale. 6 (111), 11835(2014).</li>
<li>Li, G., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.3673830">Self-assembly of C60 monolayer on epitaxially grown, nanostructured graphene on Ru(0001) surface.</a> Applied Physics Letters. 100 (0001), 013304(2012).</li>
<li>Lu, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Using+the+Graphene+Moire+Pattern+for+the+Trapping+of+C60+and+Homoepitaxy+of+Graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Acs+Nano%22%5BJournal%5D)">Using the Graphene Moire Pattern for the Trapping of C60 and Homoepitaxy of Graphene.</a> Acs Nano. 6, 944(2012).</li>
<li>Zhou, H. T., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.3646406">Direct imaging of intrinsic molecular orbitals using two-dimensional, epitaxially-grown, nanostructured graphene for study of single molecule and interactions.</a> Applied Physics Letters. 99, 153101(2011).</li>
<li>Belaish, I., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.350583">Spin Cast Thin-Films of Fullerenes and Fluorinated Fullerenes - Preparation and Characterization by X-Ray Reflectivity and Surface Diffuse-X-Ray Scattering.</a> Journal of Applied Physics. 71, 5248(1992).</li>
<li>Bezmel'nitsyn, V. N., Eletskii, A. V., Okun', M. V. <a target="_blank" href="http://iopscience.iop.org/article/10.1070/PU1998v041n11ABEH000502/meta">Fullerenes in solutions.</a> Uspekhi Fizicheskikh Nauk. 168, 1195(1998).</li>
<li>Ma, D. N., Sandoval, S., Muralidharan, K., Raghavan, S. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0167931716304968">Effect of surface preparation of copper on spin-coating driven self-assembly of fullerene molecules.</a> Microelectronic Engineering. 170, 8(2017).</li>
<li>Chen, C. H., Zheng, H. S., Mills, A., Heflin, J. R., Tao, C. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Temperature+Evolution+of+Quasi-one-dimensional+C60+Nanostructures+on+Rippled+Graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Scientific+Reports%22%5BJournal%5D)">Temperature Evolution of Quasi-one-dimensional C60 Nanostructures on Rippled Graphene.</a> Scientific Reports. 5, 14336(2015).</li>
</ol>

我们没有需要披露的内容。

本实验方案中描述的技术适用于有机材料及其他高蒸气压材料的热沉积。这些技术可与超高真空系统集成，该系统需具备能够支持分子蒸发和热退火的样品制备区域。本实验的具体目标是在石墨烯基底上沉积C60分子，并研究C60的自组装行为及其热效应。
该方法的优势在于，与其他薄膜制备方法（如旋涂法）相比，能够获得极为洁净的样品。与化学气相沉积（CVD）等更复杂的技术相比，这种物理热蒸发方法更容易实现，且适用于稳定原子和分子的沉积。为了观察C60/石墨烯杂化纳米结构，需要具备原子和分子级分辨率的成像技术，本实验采用扫描隧道显微镜（STM）。在整个沉积过程中，必须通过预先脱气和退火处理，保持基底和C60源的纯度，并始终维持高真空环境。适当的沉积后退火处理对于获得一维（1D）和准一维（quasi-1D）纳米结构至关重要，因为该技术利用了C60在不同热条件下表面迁移能力的变化特性。
扫描隧道显微术（STM）测量表明，通过物理热沉积方法合成的C<s...

本方案介绍了如何在石墨烯上沉积和操控C60分子，以实现一维和准一维C60链状结构的构建。本实验所采用的技术旨在解决引导吸附分子形成理想构型的需求，而无需依赖人工操控——后者过程缓慢且耗时耗力。此处描述的实验步骤依赖于高真空系统，并配备可支持分子沉积和样品热退火的样品制备区域。样品表征采用扫描隧道显微镜（STM），但也可应用其他具备分子级分辨率的表征技术。
在克努森（Knudsen）炉中对分子进行热蒸发是制备薄膜的一种高效且洁净的方法。本实验方案中，使用克努森炉将C60分子蒸发并沉积到石墨烯基底上。该克努森炉蒸发装置主要由石英管、加热灯丝、热电偶导线和馈通装置1,2,3组成。石英管用于盛放待蒸发的分子，钨丝灯丝通过通电加热石英管内的分子，热电偶导线则用于测量温度。在实验中，通过调节克努森炉内的温度源来控制沉积速率。热电偶导线通常固定在石英管外壁，因此测得的是外壁温度，与分子源所在炉内区域的实际温度略有差异。为了获得石英管内部的准确温度，我们采用两组热电偶装置分别测量管内和管外温度，并记录其温差进行校准。通过该方法，可利用固定在石英管外壁的热电偶导线更精确地控制分子蒸发过程中的源温度。由于在较低压力下，少量升华的分子会处于气相状态，因此在分子蒸发过程中通常会伴随压力变化。为此，我们需仔细监测进样室（load lock）内压力的变化。
该蒸发器可用于沉积多种分子源，例如 C60、C70、氯化硼基酞菁、Ga、Al 和 Hg4,5,6,7,8。与其它薄膜制备技术（例如旋涂法9,10,11）相比，高真空条件下的热蒸发无需使用溶剂，因而更加清洁且具有更高的通用性。此外，沉积前的脱气过程可提高源材料的纯度，消除可能存在的杂质。

<table><tbody><tr><td>CF 法兰式电源馈通件</td><td>Kurt J. Lesker</td><td>EFT0042033</td><td></td></tr><tr><td>铜片</td><td>Alfa Aesar</td><td>7440-50-8</td><td></td></tr><tr><td>热电偶铬镍-铝镍合金丝</td><td>Omega Engineering</td><td>ST032034/ST080042</td><td></td></tr><tr><td>钨丝</td><td>Alfa Aesar</td><td>7440-33-7</td><td></td></tr><tr><td>不锈钢棒</td><td>McMaster-Carr</td><td>95412A868</td><td></td></tr><tr><td>铜线</td><td>McMaster-Carr</td><td>8873K28</td><td></td></tr><tr><td>中空铜棒</td><td>McMaster-Carr</td><td>7190K52</td><td></td></tr><tr><td>C&lt;sub&gt;60&lt;/sub&gt;</td><td>MER Corporation</td><td>MR6LP</td><td></td></tr></tbody></table>

c60/石墨烯杂化纳米结构的制备与表征

Preparation and Characterization of C60/Graphene Hybrid Nanostructures

在高真空环境中进行物理热沉积是一种在石墨烯上制备新型分子纳米结构的清洁且可控的方法。本文介绍了在波纹状石墨烯上沉积并被动操控C60分子的方法，推动了实现一维C60/石墨烯杂化结构应用的研究进展。本方法适用于具备分子沉积和样品热退火能力的高真空系统。我们重点采用在低压条件下使用自制克努森（Knudsen）炉连接扫描隧道显微镜（STM）系统进行C60沉积。通过调控克努森炉的温度和沉积时间，可精确控制沉积的分子数量。通过优化实验条件，可制备出宽度为两到三个分子的一维（1D）C60链状结构。随着退火温度升高，C60分子在石墨烯表面的迁移能力增强，使其能够在波纹状石墨烯的周期性势场中移动。利用这一机制，可实现一维C60链状结构向六方密排准一维条带结构的可控转变。

蒸发完成后，新沉积的C与石墨烯结合60 退火处理于 150 °C 2小时。大尺度STM图像中的 图 2a 显示出特征性的准一维C60 初始退火过程后发现的链状结构。进一步仔细观察显示 图 2b 揭示了该一维结构的详细信息，其中每个明亮的球形突起代表一个单独的C60 分子。通常，一维链以双分子和三分子C60 平均碳链长度的链60- C60 距离为 1.00 ± 0.01 nm，表明 C60 分子以六方密堆积方式排列。线轮廓在 图2c 对应于虚线绿色线 图2b 显示C之间明显的分离60 链中轮廓的第二和第三个峰是相邻链上的最近邻分子。根据观察，这些链仅以双分子或三分子...

本文介绍了一种通过物理热蒸发法制备C60/石墨烯杂化纳米结构的实验方案。特别地，通过精确调控沉积和退火条件，可在波纹石墨烯表面可控地形成一维和准一维的C60结构。

C60/石墨烯杂化纳米结构的制备与表征

在高真空环境中进行的物理热沉积是一种在石墨烯上制备新型分子纳米结构的清洁且可控的方法。我们……

本实验方案的总体目标是通过调控物理热蒸发和退火条件，在具有波纹结构的石墨烯表面控制生成一维（1D）和准一维C60结构，从而形成杂化C60/石墨烯纳米结构。该方法有助于解决分子自组装领域中关于在二维材料上制备自组装分子纳米结构的关键问题。该技术的主要优势在于其通用性强且操作简便，通过调节温度和时间即可制备出具有不同结构的有机薄膜。开始组装克努森池时，先清洁池体组件，并将两根七英寸长的带螺纹钢制支撑杆安装到四针CF法兰不锈钢电源馈通装置上预先钻好的孔中。将三根两英寸长的中空铜杆和一根四英寸长的中空铜杆安装在馈通装置的引脚上。使用软铜线在距支撑杆顶端2.5英寸处固定一块一厘米厚的陶瓷十字连接件，该连接件中心需钻有通孔。然后，将一根石英玻璃管插入顶部和底部带有钨丝的钨丝弹簧中。将玻璃管的底部插入陶瓷件上对应的孔中。用软铜线将玻璃管顶部固定在支撑杆之间，以将其固定到位。将弹簧底部的导线插入长的中空铜棒中。使用侧切钳夹紧铜棒顶端，以固定导线。将弹簧顶部的导线与长铜棒配对，插入短的中空铜棒中。将杆的顶端沿导线捏紧闭合。然后，取一段长度为三英寸的K型绝缘热电偶导线，其两端各露出0.5英寸的裸露金属部分。将热电偶一端露出的导线拧在一起。将绞合的金属丝牢固地楔入石英玻璃管与陶瓷件之间，使金属丝固定在管底。将裸露的镍铬合金丝插入剩余的空心铜棒之一中，并将铜棒顶端压紧以夹住金属丝。将裸露的镍铝合金丝插入最后一个空心铜棒中，并将铜棒顶端压紧以夹住金属丝。最后，将一个中空的铜柱形屏蔽罩安装在组件上，使其牢固地固定在电源馈通端子上。将样品存储转盘中的铜箔基底上带波纹的石墨烯转移至扫描隧道显微镜的超高真空制备腔室内的退火板上。确保腔室已达到低于4 × 10⁻¹⁰毫巴的本底压力。以每小时约100摄氏度的速率将衬底温度升高至400摄氏度，并对衬底退火12小时。一旦石墨烯退火开始，将约50毫克纯度为99.5%的C60粉末装入克努森池的石英管中。将克努森池安装在STM载锁分支的CF法兰上。依次使用机械泵和涡轮泵对负荷锁进行10小时的抽真空。同时，在石墨烯衬底退火12小时后，开始以每小时100摄氏度的速率将衬底冷却至室温。当石墨烯衬底开始冷却后，确认负荷锁的压力处于10⁻⁸毫巴或10⁻⁷托的范围内。然后，将电源连接到与钨弹簧顶部和底部相连的电源馈通引脚。通过调节电流，在钨丝两端施加电压，使 C60 源以每分钟 1.5 摄氏度的速率升温至 250 摄氏度。在 250 摄氏度下对 C60 源退火处理两小时。然后，以每分钟约1至2摄氏度的速率将源加热至300摄氏度，并在该温度下退火30分钟。随后，将源温度降低至270摄氏度以进行沉积。当C60源达到270摄氏度且原子级清洁的石墨烯衬底冷却至室温后，将带有石墨烯衬底的退火板移至负荷锁传输位置。打开制备腔室与装载锁之间的阀门。将石墨烯衬底转移至装载锁中，并将衬

preparation-and-characterization-of-c60graphene-hybrid-nanostructures

Research

科研

JoVE Journal

Chemistry

化学

C 型60/石墨烯混合纳米结构的制备与表征

本文详细描述了一种门电压可调的石墨烯器件的制备过程，该器件经库仑杂质修饰，可用于扫描隧道显微镜研究。在带电杂质存在的情况下，对石墨烯空间依赖的电子结构进行成像，揭示了其相对论性电荷载流子对局域库仑势的独特响应行为。...

制备可栅极调控的石墨烯器件用于扫描隧道显微镜研究库仑杂质

本视频方法描述了由聚合物前驱体以及单层氧化石墨烯制备高比表面积、整体式三维石墨烯基材料的合成过程。...

三维纳米石墨烯材料的合成与功能化：石墨烯气凝胶与石墨烯宏观组装体

提出了一种一步法制备自支撑外延双异质结构的方法。该方法可实现比外延单异质结构更高密度的氧化锌覆盖，从而获得输出电学性能增强的压电纳米发电机。...

采用预加热水热法制备用于压电纳米发电机的ZnO纳米棒/石墨烯/ZnO纳米棒外延双异质结构

我们介绍了两亲性六炔的合成方法，并展示了其在气-水界面利用这些富碳、具有反应性的分子前体自组装单分子层制备碳纳米片的应用。...

室温下碳纳米片的制备

本文报道了通过纳米测量和分子动力学模拟检测与验证的富勒烯硅基底纳米材料的制备。...

使用扫描探针显微镜与分子动力学研究嵌入 C84 的硅基底

本文介绍了一种将层状材料液相剥离为纳米片，并通过显微和光谱技术进行尺寸筛选与尺寸测量的实验方案。...

制备尺寸和厚度可控的液相剥离过渡金属硫族化合物纳米片：一种先进的实验方案

在此，我们介绍一种用于制备三维石墨烯基多面体的实验方案 通过...

三维石墨烯基多面体的制备 通过 折纸式自折叠

溶液法与表面辅助合成相结合，为纳米结构的原子级精确合成开辟了新的方向。扫描隧道显微镜（STM）结合非接触原子力显微镜（nc-AFM），可对新设计和生成的碳基纳米结构进行详细表征。...

通过溶液法与表面化学相结合合成多孔纳米石墨烯的显微可视化

本文介绍了一种将单层石墨烯应用于透射电镜载网的方案，以及如何制备这些载网以用于冷冻电镜结构解析。...

用于冷冻电子显微镜的单层石墨烯包被载网的制备

在冷冻电子显微镜（cryoEM）载网上应用支撑层可提高颗粒密度，限制颗粒与气液界面的相互作用，减少电子束诱导的运动，并改善颗粒取向的分布。本文介绍了一种在cryoEM载网上涂覆单层石墨烯以改进冷冻样品制备的可靠方案。...

单层石墨烯在冷冻电子显微镜载网中的应用以实现高分辨率结构解析

本文介绍了一种经过优化且基于实践经验的制备高质量石墨烯基莫尔超晶格器件的方案，该方案采用改进的干法转移技术，结合高度可调的自制转移装置，可精确控制扭转角度。...

高质量基于石墨烯莫尔超晶格器件的优化制备工艺

学习利用物理热蒸发和退火条件在波纹石墨烯上制备一维和准一维C60结构的方法。该技术可控制分子自组装过程，为纳米结构制造和材料科学研究提供可靠途径。

C₆₀/石墨烯杂化纳米结构的制备与表征

探索更多视频