2019年7月5日
在本研究中,我们描述了一种通过堆叠超薄层状二维材料来制备新型晶体(范德华异质结构)的技术,该技术可精确控制材料的位置和相对取向。
本方案能够制备自然界中原本不存在的材料,旨在揭示以往难以触及的物理现象,或为技术应用开发性能更优的器件。该技术的主要优势在于,设备可实现远程操作和环境控制,从而降低人为操作误差的风险,并提高样品的洁净度。此外,系统配备有旋转平台,使用户能够实现两个薄片之间亚度级的精确角度对准。
由于我们处理的是较薄的晶体且表面面积较小,对于缺乏经验的操作者而言,识别出合适尺寸的薄片可能具有挑战性。此外,晶体的微小尺寸在转移过程中容易导致错位。因此,建议仔细谨慎地执行这些步骤。
该方案中的许多步骤都包含一些难以用文字解释的细节,但通过视觉呈现则更容易理解。为了观察转移过程,需使用可在明场照明下操作的光学显微镜,并配备5倍、50倍和100倍的长工作距离物镜。
显微镜还必须配备连接到计算机的相机。配备两个独立的操纵器(如图所示),以分别控制晶体的位置。制作可支撑玻璃载玻片的定制样品架。
该样品台将用于固定上部晶体。对于底部操纵器,将一个平面加热元件放入加工好的玻璃陶瓷支架中,并将其固定到旋转台上。然后,将加热元件连接至电源和温度控制器。
将一块尺寸为1厘米×1厘米的硅-二氧化硅晶圆碎片浸入盛有丙酮的烧杯中,然后将烧杯放入超声波清洗仪中。10分钟后,用镊子将晶圆从烧杯中取出,用异丙醇冲洗,再使用氮气枪吹干。接着,小心取下部分晶体,并将其放置在一段半导体级压敏胶带表面。
取第二段粘性胶带,将其紧密按压在固定晶体的初始胶带上。将两段胶带剥离,重复此过程数次,以获得多个晶体薄片。将带有薄二维晶体的粘性胶带按压到新近清洁的基底上,使晶体直接接触基底,然后剥离胶带,使剥离后的薄片留在基底上。
为了去除任何残留的粘合剂,将所得样品放入盛有丙酮的烧杯中。10分钟后取出样品,用异丙醇冲洗,并用氮气枪吹干。使用光学显微镜检查剥离的薄片,通过评估薄片与衬底之间的光学对比度来估算其厚度。
然后,采用轻敲模式的原子力显微镜(AFM)更精确地量化表面形貌并测量薄片厚度。通过在带有附着聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的载玻片上剥离晶体,制备用于转移工艺的上层基底。在获得如前所述的洁净基底后,将基底置于旋涂仪上,并用聚乙烯醇覆盖。
将基底以 3,000 RPM 的转速旋转一分钟,形成一层约 450 纳米厚的薄膜。然后,将基底直接置于加热板上,在 75 摄氏度下敞口烘烤五分钟。冷却后,将基底重新放回旋涂仪上,并用聚甲基丙烯酸甲酯覆盖。
以1500 RPM的转速在基底上旋涂一层820纳米厚的PMMA,持续一分钟。旋涂完成后,将基底放回加热板上,在75摄氏度下敞口烘烤。五分钟后,从加热板上取下基底,并在其边缘贴上胶带条,形成胶带框架。
然后,如前一节所示,将二维晶体机械剥离到PMMA表面。使用尖头镊子将PMMA从PVA上分离,缓慢地向后剥离胶带框架。PMMA层、剥离的晶体以及胶带框架将从硅-二氧化硅晶圆基底上的PVA上脱离。
接下来,将胶带框翻转并放置在加工好的支撑物上,使晶体朝下。将样品置于光学显微镜下,使用一对尖头镊子将一个小垫圈精确地放置在PMMA薄膜上,使其包围住目标薄片。然后,放下一块玻璃盖片,通过按压使其与暴露的胶带粘附在聚合物上。
将制备好的基底放置在转移装置的下层载台上。在该基底上确定目标薄片的位置。该薄片将作为底部晶体。
然后,将上层基底放入转移装置的上层基底 holder 中。使用低倍物镜,使下层基底成像清晰,并将目标薄片置于视野中心。缓慢降低上层基底,直至物镜中可见该基底。
然后,调整其横向位置以及两片材料的旋转对准。当两片材料接近理想对准时,切换至50倍物镜,并在继续降低上层基底的同时微调材料的对准。对准后,继续降低上层基底,直至上层材料完全接触下层材料。
接触时会因颜色突然变化而明显可见。接触后,将底部基底加热至75摄氏度,以增强PMMA与底部基底的粘附性。PMMA将从玻璃载片上脱离。
然后,清洗底部基底以去除PMMA薄膜。若采用微片转移的印章法,首先将基底放置在转移装置的底部载台上。在该基底上确定目标微片的位置,该微片将作为底部晶体。
接下来,将上层衬底放入转移装置的夹具中,并将下层衬底加热至100摄氏度。然后,对准并将上层晶体与下层薄片接触。当两片薄片完全接触后,缓慢抬升上层衬底。
这会导致顶部的薄片从印章转移到底部的基底上。二硫化铼晶体非常适合用于演示角度对准,因为它在机械剥离时会形成具有明确边缘的细长条状结构。在此示例中,使用本视频所示的PDMS印章法,将顶部薄片以75度角放置在底部晶体上。
采用原子力显微镜精确测量了顶层与底层薄片之间的扭转角。利用PMMA/PVA转移方法,成功构建了由两层二硫化钼单层薄片组成的结构。图中所示为分别剥离到PMMA以及硅/二氧化硅基底上的单层薄片。
通过光学显微镜观察,所展示的实验步骤可得到此处所示的结构。使用原子力显微镜(AFM)可进一步确认更多细节,例如堆叠单层的厚度及其相对位置。该实验步骤中最关键的部分是片层的横向与旋转对准。
其他转移方法也存在,其遵循类似的实验流程,可使用不同的聚合物和二维晶体来制备特定结构。当然,也可采用额外的清洗方法以确保晶体表面和界面的洁净。使用PMMA、丙酮等化学品时,务必佩戴适当的个人防护装备,并在通风良好的环境中操作,例如通风橱内。
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本工作描述了一种通过精确控制堆叠超薄层状二维材料来构建范德华异质结构的技术。该方法旨在揭示新的物理现象并开发先进的技术器件。
该技术能够实现范德华异质结构的精确制备,具有亚度级角度控制和亚微米级平移控制能力,有助于发现二维材料中的新奇物理现象。远程计算机控制操作减少了人为误差,提高了样品纯度,这对于早期研发阶段纳米材料的可重复合成至关重要。此类能力在电子与光电器件开发中具有重要价值,可通过实现可重复、可调谐的材料界面,降低靶点验证过程中的风险。
该方法适用于从材料合成到功能测试的发现全过程,特别是在界面工程决定性能的早期电子和光电子器件原型开发中。