2020年2月22日
采用浸涂法将*BEA晶种负载于多孔α-Al2O3载体上,并在不使用有机结构导向剂的条件下通过水热法生长。通过二次生长法成功制备了缺陷极少的*BEA型沸石膜。
沸石膜的制备基于实验室积累的知识和技术经验。我们希望分享本方案,为所有希望开展膜合成研究的人员提供参考。该方法使我们能够制备出具有优良分离性能的BEA型沸石膜,且无需使用有机结构导向剂。
从操作上看,沸石膜制备所需的设备非常特殊。本视频可帮助您了解如何制备沸石膜。演示该实验步骤的是本实验室的研究生 Yuto Tsuzuki。
首先,截取一段长三厘米的管状多孔α氧化铝支撑体。用蒸馏水清洗该支撑体10分钟。随后,用丙酮清洗该支撑体10分钟。
重复此洗涤过程两次。使用烧杯将洗涤后的载体转移至培养箱中,在110摄氏度下干燥过夜。次日早晨,称量载体样品的重量。
首先,将 26.2 克胶体二氧化硅和 8.39 克四乙基氢氧化铵加入一个 250 毫升的聚丙烯瓶中。在 50 摄氏度的水浴中使用磁力搅拌器搅拌混合物 20 分钟。随后,在室温下继续使用磁力搅拌器搅拌混合物 20 分钟。
然后,将8.39克四乙基氢氧化铵、5.79克蒸馏水、1.08克氢氧化钠和0.186克偏铝酸钠加入聚四氟乙烯烧杯中。使用磁力搅拌器在室温下搅拌混合物20分钟。接着,将溶液B加入250 ml瓶中的溶液A中。
溶液A与溶液B的混合物变为乳白色。盖紧瓶盖,用手剧烈摇晃5分钟。随后,在室温下使用磁力搅拌器搅拌该混合物24小时。
第二天,得到的凝胶为合成凝胶,其最终组成为24份氧化钠 : 1份氧化铝 : 200份二氧化硅 : 69份四乙基氢氧化铵 : 2905份水。为进行结晶,将合成凝胶倒入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中。将高压反应釜置于100摄氏度的空气烘箱中反应七天。
然后,用流动水对高压灭菌锅进行淬灭处理30分钟。使用带有200纳米孔径滤膜的真空过滤装置,将高压灭菌锅中的白色沉淀物移除。用200 ml沸水洗涤白色沉淀物,以去除无定形物质和未结晶的材料。
将洗涤后的沉淀物置于培养皿中,在110摄氏度下干燥过夜。干燥后的沉淀物即为晶种。制备BEA晶种浆液时,将0.5克晶种加入装有100毫升蒸馏水的瓶中。
将种子浆液超声处理一小时,以分散种子晶体。然后,使用聚四氟乙烯胶带将不锈钢棒固定在管状支撑体上,用于堵塞支撑体内部。将种子浆液倒入直径为19 ml的玻璃管中。
将固定支架浸入浇注的种子浆液中,静置一分钟。随后,通过硅胶帽以约3厘米/秒的速度垂直提拉取出。重复浸涂过程一次。
浸涂后,在 70 摄氏度下干燥载体 2 小时。接着,将浸涂后的载体在 538 摄氏度下煅烧 6 小时,升温与降温速率均为每分钟 50 摄氏度。此过程可去除 OSDA,并将晶种化学键合到载体表面。
煅烧后,称量载体的重量。根据浸涂前后载体重量的差值,计算所负载的晶种量。将92.9克蒸馏水、9.39克氢氧化钠和1.15克偏铝酸钠加入一个250 ml的聚丙烯瓶中。
将混合物置于水浴中,使用磁力搅拌器在60摄氏度下搅拌30分钟。随后,以每秒1滴的速度分步加入81.6克胶体二氧化硅。继续将混合物在60摄氏度的水浴中搅拌4小时。
所得凝胶为合成凝胶,其最终组成为30份氧化钠:1份氧化铝:100份二氧化硅:2000份水。然后将合成凝胶倒入内衬聚四氟乙烯的高压反应釜中,其中已垂直放置有晶种支撑体。将高压反应釜置于120摄氏度的空气烘箱中,恒温七天以完成结晶。
结晶后,用流动水淬灭高压釜30分钟。将带有膜的载体在沸水中洗涤八小时,并过夜干燥。此即为BEA膜。
干燥后,测量载膜支撑体的重量。通过结晶前后支撑体重量的差值,计算膜的重量。合成的 BEA 晶种的 X 射线衍射图谱显示出典型的强衍射峰,位于 2θ 约为 7.7 和 22.1 度处。
此外,除 BEA 型沸石外,未观察到其他明显的衍射峰。通过合成晶种的场发射扫描电镜(FE-SEM)图像可观察到球形晶种颗粒,其尺寸均匀,约为 200 纳米。合成 BEA 膜的 X 射线衍射图谱显示出与晶种中观察到的相同衍射峰。
此外,观察到α-氧化铝在2θ等于26、35.5和38度时的反射峰。合成膜的场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)图像显示,晶体呈截断八面体形态,均匀覆盖在载体表面。沸石合成可采用多种锆源和铝源。
但是,请不要更改用于制备这种 BEA 型膜的材料。
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本文介绍了一种在多孔α-Al2O3载体上采用浸涂法制备BEA型沸石膜的方法。所得膜缺陷极少,且合成过程中无需使用有机结构导向剂。
该方案实现了无需有机结构导向剂的缺陷最小化BEA型沸石膜合成,降低了分离技术研发中的材料复杂性和环境负担。该方法支持可规模化生产热稳定和化学稳定的膜材料,适用于烃类和石化产品的分离,符合工业上对节能工艺的需求。通过消除对OSDA的依赖,该方法提高了可重复性,并降低了在膜材料研发流程中推广应用的门槛。
该方法适用于材料早期发现阶段,能够将晶种制备、浸涂和二次生长作为独立且可放大的步骤,用于膜制备的工艺流程。