Name: 通过内联红外热成像在输送带炉中的原点表面温度测量 (视频) | JoVE Journal
Uploaded: 2020-05-30T13:00:00.000+00:00
Duration: 7 min 3 s
Description: 学习在输送带炉中安装红外热成像相机进行非接触式实时温度测量，用于工业硅太阳能电池的表面温度分布监测。该方法可避免传统热电偶造成的损伤和生产中断，实现空间分辨的温度数据采集。

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本工作由德国联邦经济事务部在“Feuerdrache”项目（0324205B）中提供资助。作者感谢为本工作及项目合作伙伴（InfraTec、Rehm Thermal Systems、Heraeus Noblelight、Trumpf Photonic Components）作出贡献的同事，感谢他们共同资助并提供了卓越的支持。

1. 将红外相机安装到传送带炉中
<ol>
	<li>确定应由红外相机测量的炉体部分。 
	注意：此处选择点火过程的峰值区域（参见点火区域中橙色高亮部分） 图1A).</li>
	<li>设定红外相机应检测的目标温度范围（例如700−900 °C，即烧制过程中的典型峰值温度范围）。</li>
	<li>确定或至少估算（通过实验或文献）温度，&#160;光谱和角度相关的发射特性，以确定目标物体（如硅太阳能电池）在感兴趣温度范围内（特定相机角度下）发射最强的波长范围 
	注意：此处的发射是基于以往文献进行估算的3 以及一款名为 RadPro 的软件10，可计算目标材料的光谱、角度和温度依赖性发射率。</li>
	<li>确定红外相机类型 
	注意：此处使用一台中波红外（MWIR）锑化铟（InSb）相机（材料表) 被使用。
	<ol>
		<li>选择能够检测目标温度范围的相机。</li>
		<li>选择一个探测波长范围与感兴趣物体在目标温度范围内最高发射波长范围相匹配的相机。</li>
		<li>尽可能避免相机检测到寄生辐射，方法是移除或避开会向相机视场发射或反射辐射的物体（例如炉膛内的红外灯）。&#160;</li>
		<li>确定相机所需的空间和时间分辨率（例如，本实验所用相机为 640 像素 × 512 像素，125 Hz [全图像]）。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>实现从红外相机到物体之间的足够光路（参见 图1B).
	<ol>
		<li>避免扰动光路中的物体（例如，导致直射或反射光的红外灯）。</li>
		<li>尽可能将相机置于炉腔外部。 
		注意：大多数相机的工作温度较低（例如，最高50 °C）。如需调整相机位置，请提前确认其位置可进行变更。</li>
		<li>拆除光路位置处的炉壁及隔热层，并用隔热红外窗口替换该孔洞。
		<ol>
			<li>选择适合的窗口材料，需满足以下要求：1）在相机检测波长（λ）范围内尽可能透明（例如，对于约0.2 µm的波长，选用石英玻璃窗口） &#60; λ &#60; 3 µm，蓝宝石窗口，适用于约0.4 µm &#60; λ &#60; 4.2 µm）且 2）能够实现炉膛腔体的热隔离。 
			注意：窗口的最终温度可能会影响窗口的透射率。</li>
			<li>避免损坏红外窗口。不要过度拧紧窗口，以防加热膨胀时破裂。 
			注意：窗口材料在受热膨胀时应具有足够的伸展空间。</li>
		</ol>
		</li>
	</ol>
	</li>
	<li>通过红外相机软件检查红外热成像图，确认红外相机的视场范围（FOV）。在热成像图中识别目标物体及其温度。如有必要，调整视场范围（FOV）。</li>
</ol>
2. 制造校准红外相机的全球&#160;客户温度校正
警告：假设红外相机的制造包含辐射度校准。
<ol>
	<li>识别局部光学伪影，例如反射和背景辐射。</li>
	<li>在使用红外相机同步记录包含热电偶的晶圆的同时，对物体进行传统的热电偶测温。
	<ol>
		<li>检查所用热电偶的有效性。在被处理物体的温度曲线中寻找可清晰目视识别的已知特征温度点（例如平滑曲线中的中断）。如果热电偶能正确测量这些温度点，则表明该热电偶很可能已正确校准。</li>
		<li>以硅太阳能电池为例
		<ol>
			<li>将热电偶置于晶圆背面的铝层一侧。对标准烧结工艺进行一次温度曲线测量11。</li>
			<li>通过判断步骤 2.2.2.1 中的温度曲线是否在 Al-Si 共晶温度 577 °C 附近出现曲线变平的中断现象（如 图 2D 所示），来验证热电偶的准确性。 
			注：若该中断出现在约 577 °C 的温度处，则表明热电偶的温度测量是准确的。后续步骤中仅使用已验证的热电偶。</li>
		</ol>
		</li>
		<li>在感兴趣的温度范围内，于同一物体位置多次进行热电偶测量（出于统计学考虑），随后在空间上不同随机位置进行测量（同样出于统计学考虑），以获得时间-温度曲线。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>将热电偶放置在物体上表面，根据步骤 2.2.3 中的热电偶测量结果，确定热电偶下方物体的局部未校正热成像温度。
	<ol>
		<li>检查热电偶接触区域是否存在可能的局部温度下降（由散热和遮挡引起）。若无局部温度下降，则可将热电偶周围区域的温度视为热电偶正下方物体的温度。</li>
		<li>若存在局部温度下降，则执行以下步骤。
		<ol>
			<li>确定未被热电偶覆盖区域中该温度下降的空间温度梯度。 
			注：建议在温度下降区域周围多个位置（径向）测定梯度，并计算&#160;平均梯度。</li>
			<li>估算热电偶可能引起的光学伪影的贡献（示例方案假设沿电池深度方向温度均匀，如硅太阳能电池）。
			<ol>
				<li>将热电偶置于被测表面的对侧，并在此配置下重复热电偶与热成像测量（如 图 3A 所示）。将物体连同热电偶翻转，使热电偶不在相机与物体之间的光学路径中。 
				注：若热电偶位于光学路径内（即附着于被测表面）和外（即附着于对侧表面）时，局部温度下降的梯度相同，则表明热电偶很可能未引入光学伪影。</li>
				<li>将热电偶接触被测表面（即处于光学路径内）时的温度下降梯度外推至热电偶覆盖区域，以获得热电偶下方物体的温度。</li>
				<li>对步骤 2.2.3 中的每次测量重复 2.3.2.2.2。</li>
			</ol>
			</li>
		</ol>
		</li>
	</ol>
	</li>
	<li>替代步骤 2.3：将热电偶置于物体下表面，根据步骤 2.2.3 中的热电偶测量结果，确定热电偶下方物体的局部未校正热成像温度。&#160;为确定热电偶下方太阳能电池的局部未校正热成像温度，提取热电偶位置处的局部温度。&#160; 
	注：将热电偶保留在背面&#160;可避免其遮挡相机对物体的观测&#160;。因此，一方面温度校正显著简化；另一方面，在烧结过程中热电偶通常不放置在物体下表面&#160;，可能导致操作上的复杂性，因此该替代方法需格外谨慎执行。&#160;</li>
	<li>利用步骤 2.3 或 2.4 生成的数据，根据热电偶测得的温度对未校正的热成像图像进行校正。
	<ol>
		<li>绘制热电偶测得的温度与未校正红外热成像确定的温度之间的关系图，并进行曲线拟合。</li>
		<li>将所得的拟合曲线作为通用的全局统一校正公式，应用于未校正的热成像图像。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>每当更换新的物体类型或配置时，尤其是光学参数发生变化时，均需重复进行温度校正。</li>
</ol>
3. 通过红外热成像评估空间表面温度分布
注意：本节假设点火条件完全相同。
<ol>
	<li>创建二维峰值温度分布图（参见 图4A)
	<ol>
		<li>使用合适的编程语言编写脚本，以追踪整个相机视场（FOV）内每个物体表面点的表面温度，即起到以下作用： &#34;虚拟热电偶&#34; 置于所有物体上&#160;同时检测多个位点。 
		注意：此处的脚本使用 MATLAB 编写。</li>
		<li>提取每个目标斑点的最大值，即峰值温度，并将这些温度绘制在相应的二维分布图中。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>物体通过方向内部及垂直方向的平均温度分布（参见 图4B)
	<ol>
		<li>在通量方向上：对与通量方向垂直的维度上的二维温度分布进行平均，所得结果即为通量方向上的平均一维温度分布。</li>
		<li>垂直于通量方向：在通量方向的维度上对二维温度分布进行平均，所得结果即为垂直于通量方向的一维平均温度分布&#160;通量方向 
		注意：建议在边缘至少留出一厘米的区域不参与平均计算，因为物体边缘的光学伪影可能会导致测得的温度平均值失真。</li>
	</ol>
	</li>
</ol>

<ol><li>Xu, J., Zhang, J., Kuang, K. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aXu%2C+J+%22Conveyor+Belt+Furnace+Thermal+Processing%22">Conveyor Belt Furnace Thermal Processing</a>. , Springer. Heidelberg, Germany. (2018).</li>
<li>Breitenstein, O., Warta, M. W. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aBreitenstein%2C+O+%22Langenkamp+Lock-in+Thermography%3A+Basics+and+Use+for+Evaluating+Electronic+Devices+and+Materials%22">Langenkamp Lock-in Thermography: Basics and Use for Evaluating Electronic Devices and Materials</a>. , Springer. Heidelberg, Germany. (2010).</li>
<li>Ravindra, N. M., Ravindra, K., Mahendra, S., Sopori, B., Fiory, A. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Modeling+and+Simulation+of+Emissivity+of+Silicon-Related+Materials+and+Structures%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Electronic+Materials%22%5BJournal%5D)">Modeling and Simulation of Emissivity of Silicon-Related Materials and Structures.</a> Journal of Electronic Materials. 32 (10), 1052-1058 (2003).</li>
<li>Ourinson, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((In+Situ+Solar+Wafer+Temperature+Measurement+during+Firing+Process+via+Inline+IR+Thermography%5BTitle%5D)+AND+%22Physica+Status+Solidi+%28RRL%29+-+Rapid+Research+Letters%22%5BJournal%5D)">In Situ Solar Wafer Temperature Measurement during Firing Process via Inline IR Thermography.</a> Physica Status Solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 13 (10), 1900270(2019).</li>
<li>Ourinson, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((In-situ+wafer+temperature+measurement+during+firing+process+via+inline+infrared+thermography%5BTitle%5D)+AND+%22AIP+Conference+Proceedings%22%5BJournal%5D)">In-situ wafer temperature measurement during firing process via inline infrared thermography.</a> AIP Conference Proceedings. 2156, 020013(2019).</li>
<li>Cooper, I. B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Understanding+and+Use+of+IR+Belt+Furnace+for+Rapid+Thermal+Firing+of+Screen-Printed+Contacts+to+Si+Solar+Cells%5BTitle%5D)+AND+%22IEEE+Electron+Device+Letters%22%5BJournal%5D)">Understanding and Use of IR Belt Furnace for Rapid Thermal Firing of Screen-Printed Contacts to Si Solar Cells.</a> IEEE Electron Device Letters. 31 (5), 461-463 (2010).</li>
<li>Schubert, G., Huster, F., Fath, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Physical+understanding+of+printed+thick-film+front+contacts+of+crystalline+Si+solar+cells-Review+of+existing+models+and+recent+developments%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy+Materials+and+Solar+Cells%22%5BJournal%5D)">Physical understanding of printed thick-film front contacts of crystalline Si solar cells-Review of existing models and recent developments.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 90 (18-19), 3399-3406 (2006).</li>
<li>Rauer, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Aluminum+Alloying+in+Local+Contact+Areas+on+Dielectrically+Passivated+Rear+Surfaces+of+Silicon+Solar+Cells%5BTitle%5D)+AND+%22IEEE+Electron+Device+Letters%22%5BJournal%5D)">Aluminum Alloying in Local Contact Areas on Dielectrically Passivated Rear Surfaces of Silicon Solar Cells.</a> IEEE Electron Device Letters. 32 (7), 916-918 (2011).</li>
<li>Pawlik, M., Vilcot, J. -P., Halbwax, M., Gauthier, M., Le Quang, N. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Impact+of+the+firing+step+on+Al+2+O+3+passivation+on+p-type+Czochralski+Si+wafers%3A+Electrical+and+chemical+approaches%5BTitle%5D)+AND+%22Japanese+Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Impact of the firing step on Al 2 O 3 passivation on p-type Czochralski Si wafers: Electrical and chemical approaches.</a> Japanese Journal of Applied Physics. 54 (8), 21(2015).</li>
<li>Lee, B. J., Zhang, Z. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((RAD-PRO%3A+Effective+Software+for+Modeling+Radiative+Properties+in+Rapid+Thermal+Processing%5BTitle%5D)+AND+%222005+13th+International+Conference+on+Advanced+Thermal+Processing+of+Semiconductors%22%5BJournal%5D)">RAD-PRO: Effective Software for Modeling Radiative Properties in Rapid Thermal Processing.</a> 2005 13th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors. , Santa Barbara, CA. (2005).</li>
<li>Temperature Measurements. , Available from: 
 <a target="_blank" href="https://meettechniek.info/measuring/temperature.html">https://meettechniek.info/measuring/temperature.html</a> (2020).</li>
<li>Blakers, A. W., Wang, A., Milne, A. M., Zhao, J., Green, M. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((22.8%25+efficient+silicon+solar+cell%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Physics+Letters%22%5BJournal%5D)">22.8% efficient silicon solar cell.</a> Applied Physics Letters. 55 (13), 1363-1365 (1989).</li>
<li>Dullweber, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((PERC%2B%3A+industrial+PERC+solar+cells+with+rear+Al+grid+enabling+bifaciality+and+reduced+Al+paste+consumption%5BTitle%5D)+AND+%22Progress+in+Photovoltaics%3A+Research+and+Applications%22%5BJournal%5D)">PERC+: industrial PERC solar cells with rear Al grid enabling bifaciality and reduced Al paste consumption.</a> Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24 (12), 1487-1498 (2016).</li>
<li>Ourinson, D., Emanuel, G., Lorenz, A., Clement, F., Glunz, S. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evaluation+of+the+burnout+phase+of+the+contact+firing+process+for+industrial+PERC%5BTitle%5D)+AND+%22AIP+Conference+Proceedings%22%5BJournal%5D)">Evaluation of the burnout phase of the contact firing process for industrial PERC.</a> AIP Conference Proceedings. 2147 (1), 040015(2019).</li>
</ol>

作者无任何利益冲突需要披露。

通常，热成像温度的校正需要通过测量并调整物体、透射窗口及光路的光学参数，以及物体和透射窗口的环境温度来实现2。作为另一种方法，本实验方案描述了一种基于热电偶测量的温度校正技术。采用后一种方法时，无需了解上述参数。对于本文所示的应用场景，该方法已足够准确。然而，无法保证热电偶方法在传送带炉的所有热成像应用中均适用。
在该方案中，建议对热成像图像进行均匀的全局温度校正；尽管对空间分辨温度进行校正更为精确。然而，研究发现，在存在运动物体的情况下，均匀温度校正更为合适。此外，校正的目标是物体本身的温度，而非周围物体（如传送带和墙壁）的温度。
如步骤 2.3.2.2 中所述，此处提供的示例假设物体深度方向上的温度分布是均匀的。对于深度方向上温度分布不均匀的物体，其一个表面的温度与相对表面的温度并不相同。因此，第 2.3.2.2 节中描述的步骤&#160;不适用于这些情况。针对物体深度方向上温度分布不均匀的问题，需进一步研究解决方案。

在传送带炉中加工的物体的过程控制和质量保证1至关重要，通常通过测量物体表面温度来实现。目前，温度通常使用热电偶1进行测量。由于热电偶测量需要与物体接触，不可避免地会对物体造成损伤。因此，通常只能从一批产品中选择具有代表性的样品进行温度测量，而这些样品因受损无法继续后续加工。随后，将这些受损样品测得的温度数据推及至同批次中其他未受损并继续加工的样品。因此，生产过程必须中断以进行热电偶测量。此外，接触式测温具有局部性，每次测量后都需要重新调整，并且会对局部温度产生干扰。
红外（IR）热成像技术2相较于传统的热电偶测量具有多项优势，是一种非接触式、原位、实时、节省时间且具有空间分辨能力的温度测量方法。利用该方法，可在不中断生产的前提下，对批次中的每个样品（包括后续进一步加工的样品）进行测温。此外，还可测量样品表面的温度分布，从而了解工艺过程中温度的均匀性。其实时特性使得温度参数能够在线动态调整。迄今为止，在网带炉中未能广泛应用红外热成像技术的可能原因主要有两点：1）高温物体的光学参数未知（特别是非金属材料3）；2）炉内存在寄生环境辐射（即红外相机除接收到物体自身发射的辐射外，还检测到反射的辐射），导致测温结果失真2。
在此，以红外热成像技术在传送带式炉中的概念验证示例为代表，我们成功将一套在线热成像系统集成至由红外灯供电的太阳能烧结炉中（图1），该设备用于工业硅太阳能电池的电极烧结工艺（图2A,B）4,5。烧结工艺是工业太阳能电池生产末期的关键步骤6。在此过程中，电池的电极结构得以形成7,8，同时表面钝化被激活9。为成功实现后者，必须精确实现烧结过程中的时间-温度曲线（图2C）。因此，需要具备充分且高效的温度控制能力。本方案详细描述了如何将红外相机安装至传送带式炉中，对出厂校准后的红外相机进行用户校正，并评估目标物体表面的空间温度分布。

<table><tbody><tr><td>数据记录仪（含热障）</td><td>Datapaq Ltd.</td><td></td><td></td></tr><tr><td>红外热成像相机 &quot;Image IR 8300&quot;</td><td>InfraTec GmbH</td><td></td><td></td></tr><tr><td>红外热成像软件 &quot;IRBIS Professional 3.1&quot;</td><td>InfraTec GmbH</td><td></td><td></td></tr><tr><td>太阳能电池</td><td>Fraunhofer ISE</td><td></td><td></td></tr><tr><td>太阳能烧结炉 &quot;RFS 250 Plus&quot;</td><td>Rehm Thermal Systems GmbH</td><td></td><td></td></tr><tr><td>K型护套热电偶</td><td>TMH GmbH</td><td></td><td></td></tr><tr><td>热电偶石英框架</td><td>Heraeus Noblelight GmbH</td><td></td><td></td></tr></tbody></table>

通过在线红外热成像法在传送带式炉中进行原位表面温度测量

In Situ Surface Temperature Measurement in a Conveyor Belt Furnace via Inline Infrared Thermography

测量在传送带炉中处理的物体表面温度是过程控制和质量保证的重要工具。目前，传送带炉中处理的物体表面温度通常通过热电偶进行测量。然而，与热电偶测量相比，红外（IR）热成像具有多项优势，因为它是一种非接触式、实时且具有空间分辨能力的测量方法。本文以一个典型的概念验证示例，成功将一套在线热成像系统集成至由红外灯供电的太阳能烧结炉中，该炉用于工业硅太阳能电池的电极烧结工艺。本实验方案详细描述了如何将红外相机安装到传送带炉中，对出厂校准的红外相机进行用户校正，并对目标物体的表面温度空间分布进行评估。

如图3B−D所示，示例样品（此处为硅太阳能电池；严格来说为钝化发射极和背表面电池[PERC]12；图2A,B）在不同构型下均可被红外相机清晰检测到4。这些不同构型分别为单面金属化（图3B）、双面金属化13（图3C）以及未金属化的PERC样品（图3D）。单面与双面构型的区别在于，前者在背面具有全区域的铝层，而后者在背面具有H型栅格结构（类似于正面的银电极）。实验中，红外相机的位置设置使得其视场（FOV）能够捕捉到烧结过程中的峰值温度。峰值阶段是烧结过程中最关键的阶段，因为电极接触正是在此阶段形成14<...

本方案介绍了如何将红外相机安装到传送带式炉中，对工厂校准的红外相机进行客户校正，并评估目标物体表面的空间温度分布。示例物体为工业用硅太阳能电池。

测量在传送带式炉中加工的物体表面温度是工艺控制和质量保证中的重要工具。

由于测量在线炉中处理物体的温度至关重要，本文提出在线热成像作为热电偶传统测温方法的一种有前景的替代方案。热电偶会损伤样品，仅能进行局部温度测量，且需要中断生产过程。而我们的在线热成像相机则能够以非接触、实时、空间分辨的方式测量物体温度。我们使用管式炉对硅太阳能电池进行接触烧结。因此，我们在炉膛内集成安装了一台热成像相机，以研究这些优势。应选择探测波长范围尽可能与被测物体在目标温度范围内最高辐射波长范围相匹配的相机。若要将相机安装在炉室外部，需移除炉壁及隔离层中光路所在位置的部分，避免干扰光路中的物体（如红外灯）。使用能够在热学上隔离炉室且对相机检测波长范围尽可能透明的窗口封闭该孔洞。然后，将相机置于窗口上方，使相机能够观察到移动的传送带。尽可能避免相机检测到寄生辐射，方法是避开在相机检测波长范围内发射或反射辐射的邻近物体。然后通过红外相机软件检查热成像图像，以确认相机的最终视场。对于硅太阳能电池的客户温度校正，首先检查太阳能电池是否存在局部光学伪影。由于温度校正基于热电偶，为检查热电偶的有效性，需将热电偶安装在晶圆背面的铝层一侧，并测量标准烧结工艺的时间-温度曲线。若时间-温度曲线在铝硅共晶温度577摄氏度处呈现较平缓的形态变化，则表明热电偶很可能已正确校准。使用已验证的热电偶安装在太阳能电池背面进行热电偶测量，并用红外相机记录晶圆图像。在感兴趣的温度范围内，对同一物体位置以及空间上不同随机位置进行多次热电偶测量，以获得具有统计显著性的温度-时间曲线。为确定热电偶下方局部未校正的热成像太阳能电池温度，提取热电偶位置处的局部温度值。将热电偶测得的温度与未校正红外热成像所确定的温度进行记录比对，并通过曲线拟合获得适用于未校正热成像图像的通用均匀全局校正公式。然后利用该曲线拟合数据对未校正的热成像图像进行全局校正。为生成二维峰值温度分布图，编写适当编程语言的脚本，用于追踪视场范围内每个物体表面位置的表面温度，从而模拟在晶圆各个位置同时放置虚拟热电偶。随后提取每个位置的峰值温度值，并将这些温度值绘制成相应的二维分布图。为了获得沿通量方向的平均温度分布，需在垂直于通量方向的维度上对二维温度分布进行平均。为了获得垂直于通量方向的平均温度分布，需在通量方向的维度上对二维温度分布进行平均。如图中所示，通过红外相机可在不同配置下清晰检测到该硅太阳能电池的校正后温度。单面金属化、双面金属化及非金属化 PERC 样品。在这些分析中，所关注的温度范围接近烧结工艺的典型峰值温度范围。如本图所示，太阳能电池背面接触的热电偶周围出现温度下降，最可能的原因是热量散失和遮挡效应。后一温度降低值对于估算电池在工作期间的温度至关重要，该估算无需使用热电偶，而是与热电偶实测温度进行比较，后者对应于当电池被热电偶接触并置于框架上时所测得的温度。若将电池直接放置在传送带上，红外相机可实现观察电池通过传

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通过内联红外热成像在输送带炉中的原点表面温度测量

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