2020年10月6日
本文介绍了一种单细胞电穿孔技术方案,可用于在不同体外培养年龄的海马脑片中,向兴奋性和抑制性神经元递送基因。该方法可实现单个细胞中基因的精确且高效的表达,可用于研究细胞自主性及细胞间功能。
基因转染是神经生物学研究中的一种重要方法。我们的电穿孔技术能够将目的基因转染至海马体脑片器官型培养物中的中间神经元,且未检测到明显副作用。与其它单细胞转染方法相比,该方案的转染效率显著更高,同时仍具有成本较低、操作简便的优点。
该技术对于研究神经元的特定分子和生理功能(包括细胞自主机制和跨突触蛋白相互作用)的研究人员将非常有用。为准备用于电穿孔的脑片培养物,将感兴趣的培养插件转移至含有900 µL培养基的3厘米培养皿中,并将培养物置于台式二氧化碳培养箱内。接下来,用每插件1 mL的新鲜脑片培养基在3.5厘米培养皿中对新鲜培养插件进行预孵育,时间不少于30分钟,并用10%次氯酸钠溶液对电穿孔装置的管路消毒5分钟。
灌流结束后,先用无菌去离子水冲洗管路至少30分钟,然后再用含有0.001毫摩尔河豚毒素的滤菌人工脑脊液进行灌流。将电穿孔仪的脉冲参数设置为:振幅负五伏、方波脉冲、持续时间为500毫秒的脉冲串、频率50赫兹、脉冲宽度500微秒。用五微升含质粒的细胞内液填充玻璃移液管,并轻轻弹动和轻敲管尖多次,以排除任何滞留的气泡。
使用解剖显微镜确认尖端未受损,并将移液器尖端牢固地安装到电极上。当尖端接触ACSF时,记录电穿孔仪显示的移液器电阻值。为分离切片培养物,用锋利的刀片切割培养插件膜,并使用尖头弯镊小心地将切片培养物转移至电穿孔室中。
然后用切片固定锚固定培养物的位置。对目标细胞进行电穿孔时,通过嘴部施加正压至移液管,并使用三维旋钮控制装置将移液管尖端移动至接近切片培养物表面。在显微镜下观察培养物,使移液管尖端接近目标细胞,持续施加正压,直至细胞表面形成凹陷。
观察到凹陷后,迅速通过嘴部施加轻微的负压,使移液管尖端与细胞膜之间形成松散的密封。此时细胞膜会略微进入移液管内。应观察到移液管初始电阻约为原来的2.5倍,表现为扬声器发出的音调升高。
迅速重新施加正压,使凹陷重新形成。随后立即重复至少两次上述压力循环,中间不要停顿。最后一次压力脉冲后,保持负压一秒钟。
当扬声器发出的声音音调达到稳定的最高点时,使用脚踏开关快速脉冲电穿孔仪。电穿孔后,轻轻将移液管从细胞撤回约100微米,期间不施加压力,然后重新施加正压,确认阻值与接近下一个细胞前的基线读数相近。当所有目标细胞完成电穿孔后,将脑片培养物转移至已准备好的新鲜培养插件之一,并将插件置于35摄氏度环境下培养,最长可培养三天。
在此代表性实验中,将EGFP转染至体外脑片培养不同时间(7天、14天和21天)的海马CA1区的5至20个锥体神经元中。在海马CA1区,小清蛋白和囊泡型谷氨酸转运蛋白3型中间神经元也可成功进行电穿孔转染。有趣的是,转染效率不受体外脑片培养天数的显著影响,且与CA1区锥体神经元中观察到的转染效率无差异。
神经元非常脆弱。在接近细胞、进行压力循环以及回撤移液管尖端时,必须格外小心和轻柔,以免造成严重损伤。电穿孔后,细胞可进行各种实验分析,包括电生理学和成像。
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本文介绍了一种用于器官型海马脑片培养中兴奋性和抑制性神经元单细胞电穿孔的实验方案,可实现基因递送。该技术能够精确控制基因表达,有助于研究不同发育阶段的细胞自主性机制以及细胞间相互作用。
在海马脑片器官型培养物中进行单细胞电穿孔,可实现兴奋性和抑制性神经元中精确的基因递送,支持神经科学发现中的靶点验证和机制去风险化。该方法在不同发育阶段均具有高转染效率(约80%),可用于疾病相关神经元系统中通路研究的稳定表型筛选和检测方法开发。通过在疾病相关的神经元系统中实现可重复、定量的基因表达研究,该技术可降低早期靶点假设验证中的生物学不确定性。
该方法适用于从靶点假设验证到先导化合物鉴定的整个发现流程,可在化合物筛选前实现作用机制层面的风险消除。