12.4
Betrachten Sie die Konfiguration des BJT mit gemeinsamen Emittern.
Die Spannungs- und Stromabhängigkeiten werden experimentell gemessen, um die Strom-Spannungs-Eigenschaften zu verstehen.
Für die Eingangscharakteristik wird die Basis-Emitter-Spannung variiert, während die Kollektor-Emitter-Spannung konstant gehalten wird.
Das resultierende Diagramm zeigt die Abhängigkeit des Kollektorstroms vom Shockley-Typ von der Basis-Emitter-Spannung.
Die Ausgangscharakteristik stellt den Kollektorstrom in Abhängigkeit von der Kollektor-Emitter-Spannung dar, wobei der Basisstrom konstant bleibt.
Der Sättigungsbereich entspricht einer kleinen Kollektor-Emitter-Spannung, bei der der Kollektorstrom gegen Null abfällt. Hier ist der Widerstand des Transistors zwischen Kollektor- und Emitteranschluss gering.
Wenn die Kollektor-Emitter-Spannung ansteigt, tritt der Transistor in den aktiven Bereich ein. Dabei wird der Kollektor-Emitter-Widerstand des Transistors unendlich hoch, während der Kollektorstrom unabhängig von der Kollektor-Emitter-Spannung bleibt.
In der Praxis ist jedoch ein leichter Anstieg des Kollektorstroms zu beobachten, der auf die Verbreiterung des Verarmungsbereichs und die Verkürzung der Basislänge zurückzuführen ist.
Dies wird als Early-Effekt bezeichnet, der zu einem endlichen Ausgangswiderstand des Transistors führt.
Der Bipolar Junction Transistor (BJT), insbesondere in einer Emitterschaltung, weist ausgeprägte Strom-Spannungs-Eigenschaften auf, die für das Verstä…
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