12.15
Der Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ist ein Halbleiterbaustein mit drei Anschlüssen: Source, Drain und Gate und wird auch als IGFET, MISFET und MOST bezeichnet.
Es kann entweder ein n-Kanal oder ein p-Kanal sein, abhängig von der Dotierung des Substrats und dem Source- oder Drain-Bereich.
In einem n-Kanal-MOSFET weist das Substrat zwei stark dotierte n-Typ-Source- und Drain-Bereiche auf. Auf der Oberfläche wird eine dünne Schicht aus Siliziumdioxid gezüchtet, auf der sich Metall abscheidet, um die Gate-Elektrode zu bilden.
Bei einer Gate-Spannung von Null fließt außer einem kleinen Leckstrom kein Strom von der Quelle zum Drain.
Wenn eine positive Vorspannung am Gate angelegt wird, bewegen sich die Elektronen aus dem Substrat in Richtung des Gates, bilden eine Inversionsschicht und ermöglichen einen großen Elektronenfluss von der Quelle zum Abfluss. Der Leitwert dieses Kanals kann durch Variation der Gate-Spannung moduliert werden.
Der herkömmliche Strom fließt vom Drain zur Quelle und wird als Drain Current bezeichnet.
MOSFETs sind in verschiedenen Anwendungen unverzichtbar, darunter Smartphones, Laptops und Elektroautos.
Der Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) spielt dank seiner Vielseitigkeit und Effizienz bei der Steuerung elektrischer Ströme eine zen…
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