Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Andrew M. Herrero; Paul T. Blanchard; Kris A. Bertness

doi:10.3791/50738

Die Analyse der Kontaktschnittstellen für Einzel GaN-Nanodraht-Geräte

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Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Die Analyse der Kontaktschnittstellen für Einzel GaN-Nanodraht-Geräte

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11:13 min

November 15, 2013

DOI: 10.3791/50738-v

Andrew M. Herrero¹, Paul T. Blanchard¹, Kris A. Bertness¹

¹Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

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Eine Technik entwickelt, die Ni / Au Kontaktmetallschichten entfernt von ihrem Substrat für die Untersuchung und Charakterisierung der Kontakt / Substrat-und Kontakt / NW-Schnittstellen der einzelnen GaN-Nanodraht-Geräten zu ermöglichen.

Das übergeordnete Ziel dieses Verfahrens ist es, die Untersuchung und Charakterisierung des Kontaktsubstrats und der Kontakt-Nanodraht-Grenzflächen für Einzelgalliumnitrid-Nanodrahtbauelemente zu ermöglichen. Dies wird erreicht, indem zunächst eine Nanodrahtsuspension hergestellt und auf einem Substrat dispergiert wird. Der zweite Schritt besteht darin, die Nickelgoldkontakte auf den Nanodrähten abzuscheiden und dann die Probe in die Knie zu zwingen.

Der letzte Schritt besteht darin, die analen bis nickelgoldenen Kontakte vom Substrat zu entfernen, indem sie auf Carbonband geklebt werden. Abschließend wird ein Rasterelektronenmikroskop eingesetzt, um die Kontaktgrenzflächen auf Hohlraumbildung zu untersuchen. Diese Methode kann helfen, Fragen zur Verarbeitung von Halbleiter-Nanodrähten zu beantworten.

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