Epitaxie Perowskit Strontiumtitanat auf Germanium über Atomic Layer Deposition

Das übergeordnete Ziel dieses Verfahrens ist es, kristalline Perowskitoxide mit hoher Dielektrizitätskonstante in einem skalierbaren Prozess zu züchten, die als Gadine direkt auf Geranie, einer zukünftigen Mikroelektronikplattform, fungieren. Diese Methode kann Schlüsselfragen im Bereich der Mikroelektronik beantworten: Können kristalline Oxide, die über die Grenzfläche binden, Filme mit extrem niedrigen Fallendichten und Grenzflächenzuständen erzeugen? Der Hauptvorteil dieser Technik besteht darin, dass sie in einer Fertigungsumgebung einfach zu implementieren ist und leicht auf dreidimensionale Gerätearchitekturen erweiterbar sein sollte.

Im Allgemeinen werden Personen, die mit dieser Methode noch nicht vertraut sind, Schwierigkeiten haben, weil es keine Minderheiten gibt, die Vorläufer zu handhaben und die Sequenz so zu timen, dass sie Schritte für ihre spezielle Hardware im Reaktor erzeugen. Wir hatten die Idee zu dieser Methode, als Mitarbeiter Perowskite mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie direkt auf Geranien gruppierten, und wir dachten, wir wollten ihren Prozess an die Atomlagenabscheidung anpassen. Die visuelle Demonstration dieser Methode ist von entscheidender Bedeutung, da die Probenreinigung, der Transferschritt und das Timing für andere Systeme geändert werden müssen, um eine saubere und rekonstruierte Wachstumsoberfläche zu gewährleisten.