Name: Synthese von Hierarchical ZnO / CdSSe Heterostruktur Nanotrees (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2016-11-29T12:30:00.000+00:00
Duration: 6 min 50 s
Description: Erfahren Sie die Synthese hierarchischer ZnO/CdSSe-Nanostrukturen mittels chemischer Gasphasenabscheidung. Diese Methode ermöglicht effizienten Ladungstransfer für Anwendungen in der Solarenergie und Optoelektronik.

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Die Autoren danken Svilen Bobev für seine Hilfe bei der XRD-Spektren und K. Booksh für die Unterstützung bei der Sputter-Coater Ausrüstung.

1. Synthese von Baumartige ZnO / CdSSe Nanostrukturen <ol><li> Die Vorbehandlung und Goldbeschichtung von Saphir - Substraten HINWEIS: Der Goldfilm wirkt als Katalysator für das Wachstum der ZnO-Nanodrähten. <ol><li> Saubere Saphir Dias (a-Ebene, 10 × 10 × 1 mm) in 99,5% Ethanol mit 5 min Beschallung des Substrats für Au-Sputtern herzustellen. </li><li> Kaution eine 10-nm (± 2 nm) dicken Goldfilm auf dem Saphirträger mit einem Sputter-Coater und Gold-Ziel. </li></ol></li><li> Synthese von ZnO-Nanodrähten HINWEIS: Die Beschallungsschritt 1.2.2 Ergebnisse in einer homogenen ZnO und Kohlenstoff (ZnO / C) -Mischung. Nach dem Mischen, ändert sich die Mischung auf eine graue Farbe. Der Verdichtungsschritt 1.2.3 gewährleistet, dass keine Luft in der Mischung vorhanden ist, und dass die ZnO und Kohlenstoff sind in engem Kontakt. Nach CVD sollte ein weißer Film aus ZnO-Nanodrähten auf dem Substrat abgeschieden werden, nach unten in Richtung des Bootes zeigt. <ol><li> Mischen Sie 1 g ZnO-Nanopulver und activATED Kohlenstoff (Massenanteil von 50:50) in 10 ml 99,5% Ethanol und gut umrühren mit einem Spatel. </li><li> Beschallen die Mischung in einem Wasserbad bei 20 ºC für 30 min und dann bei 80 ºC für ca. 5 h in einem Ofen trocknen. </li><li> Legen Sie das ZnO / C-Mischung in einem Aluminiumoxid-Boot und kompakt, dass es gut mit einem Spatel. </li><li> Legen Sie die goldbeschichteten Saphir gleitet oben auf dem Aluminiumoxid-Boot, mit der goldbeschichteten Seite nach unten. Legen Sie das Aluminiumoxid Boot in der Mitte des Quarzrohr in einem horizontalen Rohrofen. </li><li> Spülen des Quarzrohr für 1 h mit Ar mit einer Strömungsrate von 40 sccm bei Raumtemperatur (RT). Erhöhen Sie die Temperatur im Bereich von RT bis 900 ° C mit einer Geschwindigkeit von 80 ºC / min und halten Sie die Argonflussrate konstant. </li><li> Halten Sie die Temperatur auf 900 ºC für 2 Stunden. Öffnen des Quarzrohres an beiden Enden durch den Gummistopfen Gaseinlässe Entfernen und lassen Luft in die Röhre eintreten Sauerstoff für die Reaktion bereitzustellen. </li><li> Halten Sie die Reaktionstemperatur bei 900 ºC für 3 Stunden mit dem rubber Stopfen entfernt. Abkühlen auf RT mit einer Geschwindigkeit von 10 ºC / min. </li><li> Nehmen Sie das Boot und die Folie aus dem Ofen. </li></ol></li><li> Die Ablagerung von CdSSe Zweige auf ZnO - Nanodrähte HINWEIS: Das Schiffchen aus Aluminiumoxid von CdS / Se wurde in der Mitte der Quarzröhre angezeigt. Die hergestellten ZnO-Nanodrähte wurden nach oben gerichtet und waren 10 cm hinter dem Boot. Nach diesem zweiten CVD, ein orange / gelb-Film, der die ZnO / CdSSe Nanostruktur ist, sollte auf der Folie aufgebracht werden. <ol><li> Mischen 0,5 g CdS und CdSe (CdS / Se) Pulver gut (Massenanteil von 50:50) und legen Sie die Mischung in einem Aluminiumoxid-Boot. Komprimieren Sie die Mischung gut. </li><li> Legen Sie das Schiffchen aus Aluminiumoxid von CdS / Se und der zuvor hergestellten ZnO-Nanodraht Probe in dem Quarzrohr. </li><li> Spülen des Rohres mit Ar mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 40 sccm bei RT für 1 Std. Erhöhung der Reaktionstemperatur auf 820 ºC mit einer Geschwindigkeit von 80 ºC / min. Halten Sie die Temperatur bei 820 ° C für 30 min. </li><li> Abkühlen auf RT aufeine Rate von 10 ºC / min. Nehmen Sie das Boot und die Folie aus dem Ofen. </li></ol></li><li> Synthese von Kontrollproben: ZnO und CdSSe Nanodrähte <ol><li> Synthesize ZnO-Nanodrähte, wie in Abschnitt 1.2 unter den gleichen Versuchsbedingungen. </li><li> Synthetisieren CdSSe Nanodrähte, wie in Abschnitt 1.3, unter den gleichen Versuchsbedingungen mit der gleichen Menge an CdS und CdSe Zusammensetzung, aber mit einem sauberen, goldbeschichteten Saphir Folie als Substrat anstelle des ZnO dampfte Folie. </li></ol></li></ol> 2. Morphologische und kristallographischen Charakterisierung <ol><li> Montieren Sie die Probe auf der SEM-Stufe mit einer Klammer und legen Sie die Probe in der Vakuumkammer des SEM Instruments. Nehmen Sie REM - Bilder auf hochauflösenden Modus mit einem Arbeitsabstand von 12,0 mm bei einer Spannung von 3 kV und einer Vergrößerung zwischen 3,000X und 10.000fach 11,12. </li><li> Nehmen EDS-Daten mit der gleichen Probe unter Verwendung des Röntgendetektors bei der gleichen Arbeitsabstand von12,0 mm. Stellen Sie das Instrument den Analysemodus und Einstellen der Spannung auf 20 kV, was zu einem Strom von 20 bis 40 &amp; mgr; A 13. </li><li> Sammeln XRD - Spektren wurden auf einem Röntgenpulver - Diffraktometer mit gefilterter Cu Ka - Strahlung (λ = 1,5418 Å) 11,12. </li></ol> 3. PL Emissionsspektroskopie und zeitaufgelöste PL Lebensdauermessungen HINWEIS: PL-Spektren und zeitkorrelierten Einzelphotonenzählung (TCSPC) Messungen bei RT wurden unter Verwendung eines verstärkten Ti durchgeführt: Saphir-Oszillator nach Erzeugung der zweiten Harmonischen (SHG), einen Zug von 50 fsec Impulsen bei einer Wellenlänge von 400 nm zentriert ist und mit einer Ausgangsleistung von 1,76 mW 14. <ol><li> Fixieren der Probe in einen Probenhalter, der die Probe Gesichtspositionen bis zu dem Laser und zum Detektor. Ausrichten des Lasers auf die Probe zu fokussieren. Messung der PL-Emissionsspektren der Proben von 500 nm bis 900-nm-Wellenlängen ein Faserspektrometer. </li><li> Verwenden Sie ein Einzelphotonendetektor (avalanche Fotodiode oder Fotozelle) zeitaufgelöste PL Lebensdauer mit einem Farbglasfilter und einem 500- oder 650-nm-Interferenzbandfilter zu messen. </li><li> Insert ZnO, CdSSe oder ZnO / CdSSe gleitet in den Probenhalter. Messen Sie die reine ZnO-Nanodrähte mit dem 500-nm-Bandpassfilter und den CdSSe oder ZnO / CdSSe Proben mit einem 650-nm-Bandfilter. </li><li> Verwenden Sie eine zeitkorrelierte Einzelphotonenzähler oder einen schnellen Oszilloskop die zeitaufgelöste Fluoreszenzzerfallslebensdauern zu messen. </li></ol>

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<li>Li, Z., Nieto-Pescador, J., Carson, A. J., Blake, J. C., Gundlach, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Efficient+Z-scheme+charge+separation+in+novel+vertically+aligned+ZnO%2FCdSSe+nanotrees%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Efficient Z-scheme charge separation in novel vertically aligned ZnO/CdSSe nanotrees.</a> Nanotechnology. 27 (13), 135401(2016).</li>
</ol>

Daten und Fakten in diesem Artikel sind aus der Literatur in der Nanotechnologie von Li zitiert et al. 17.

Die vertikale Ausrichtung der ZnO-Nanodrähte (Stämme) auf epitaxiales Wachstum auf dem Substrat basiert. ZnO - Nanodrähte wachsen vorzugsweise entlang der &lt;0001&gt; Richtung , die 12 mit der Periodizität der a-Ebene von Saphir passt. Daher sind die Art und die Qualität des Substrats sehr wichtig. Unterschiedliche Dicken der Goldbeschichtung auf dem Substrat, von 5 nm bis 20 nm, wurden getestet und zeigten keinen signifikanten Unterschied im Wachstum der ZnO-Nanodrähten. Die Länge der ZnO-Nanodrähte können ...

ZnO ist ein II-VI - Halbleiter mit einer Bandlücke (BG) von 3,3 eV mit einer hohen Elektronenbeweglichkeit und eine große Exzitonenbindungsenergie 1,2. Es ist ein reichlich vorhandenes Halbleitermaterial mit einer Vielzahl von gegenwärtigen und zukünftigen Anwendungen in der optischen Geräte, Solarzellen und Photokatalyse. Allerdings ist ZnO transparent, die im sichtbaren Spektralbereich ihrer Anwendung begrenzt. Daher Materialien für sichtbares Licht, beispielsweise mit schmalem Bandabstand - Halbleiter 3, Farbstoffmoleküle 4 und lichtempfindliche Polymere 5 haben für sensibilisierende ZnO für sichtbares Licht absorbierende eingesetzt Absorption häufig worden. CdS (BG 2.43 eV) und CdSe (BG 1.76 eV) sind gemeinsame Schmal Lücke Halbleiter II-VI und intensiv untersucht worden. Die BG und Gitterparameter der ternären Legierung CdSSe durch Variation der Molverhältnisse der Komponenten VI 6,7 eingestellt werden. ZnO / CdSSe Nanokomposite wurden in effizienter photov führen berichtetoltaic Energieumwandlung 8,9. Mit dem verbesserten sichtbaren Lichtabsorption der CdSSe Zweige führte zu einer effizienten Elektronentransfer zwischen dem Stamm und Zweige 9,10 effiziente Elektronentransportweges vertikal ausgerichteter ZnO - Nanodrähten auf einem Substrat zu verbinden. So synthetisierten wir einen neuen Baum-wie ZnO / CdSSe Nanostruktur, in der vertikal ausgerichteten ZnO-Nanodrähte mit CdSSe Zweigen verziert sind. Dieser Verbundwerkstoff kann für neuartige Solarenergieumwandlungsvorrichtungen als Baustein handeln. Dieses Protokoll beschreibt , wie ZnO - Nanodraht - Arrays auf einem Saphirsubstrat durch einstufige chemische Dampfabscheidung (CVD) von ZnO und C Pulver gezüchtet werden, nach einem Verfahren , das vorher 11 veröffentlicht. Nach dem Wachstum von ZnO-Nanodrähten wird ein zweiter Schritt der CVD eingesetzt CdSSe Zweige auf der ZnO-Nanodrähte zu wachsen. Wir beschäftigen Röntgenpulverbeugung (XRD), Rasterelektronenmikroskopie (SEM), undEnergiedispersive Röntgenspektroskopie (EDS) zur Messung der Kristallstruktur, Morphologie und Zusammensetzung der ZnO / CdSSe nanotrees (NTs). Die optischen Eigenschaften und die Ladungsträgertransfermechanismus zwischen den Zweigen und Stamm wurden von Photolumineszenz (PL) -Spektroskopie und zeitaufgelöste PL Lebensdauermessungen untersucht.

<table><tbody><tr><td>ZnO</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1314-13-2</td><td></td></tr><tr><td>Aktivkohle</td><td>Alfa</td><td>231-153-3</td><td></td></tr><tr><td>CdSe</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1306-24-7</td><td></td></tr><tr><td>CdS</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1306-23-6</td><td></td></tr><tr><td>Saphir</td><td>MTI</td><td>2SP</td><td>A-Plane, 10 & 10 & 1 mm</td></tr><tr><td>Ofen</td><td>Lindberg Blue M</td><td>SSP</td><td></td></tr><tr><td>Rasterelektronenmikroskop</td><td>Hitachi</td><td>S5700</td><td>montiert mit einem Oxford Inca Röntgenaktdetektor</td></tr><tr><td>Röntgenpulverdiffraktometer</td><td>Rigaku</td><td>MiniFlex</td><td>gefilterte Cu K&alpha; Strahlung (&lambda;=1,5418&nbsp; &Aring;)</td></tr><tr><td>Amplifizierter Ti:Saphir-Oszillator</td><td>Coherent Mantis</td><td>Coherent Legend-Elite</td><td></td></tr><tr><td>Einzelphotonen-Detektionsmodul</td><td>ID Quantique</td><td>ID-100</td><td></td></tr><tr><td>Sputter-Coater</td><td>Cressington</td><td>308</td><td>montiert mit Goldtarget</td></tr><tr><td>Fasersondenspektrometer</td><td>Photon Control</td><td>SPM-002</td><td></td></tr><tr><td>Farbglasfilter</td><td>Thorlabs</td><td>FGB37-A - & Oslash; 25 mm BG40</td><td>AR beschichtet: 350 - 700&nbsp; nm</td></tr><tr><td>Komprimiertes Argongas</td><td>Keen</td><td>7440-37-1</td><td></td></tr></tbody></table>

synthese von hierarchical zno / cdsse heterostruktur nanotrees

Synthesis of Hierarchical ZnO/CdSSe Heterostructure Nanotrees

Ein zweistufiger chemical vapor deposition Verfahren wird hier verwendet baumartige hierarchische ZnO / CdSSe hetero-Nanostrukturen herzustellen. Die Strukturen bestehen aus CdSSe Zweige auf ZnO-Nanodrähte gewachsen, die vertikal auf einem transparenten Saphirsubstrat ausgerichtet sind. Die Morphologie wurde mittels Rasterelektronenmikroskopie gemessen. Die Kristallstruktur wurde durch Röntgenpulverbeugungsanalyse bestimmt. Sowohl die ZnO-Stamm und CdSSe Zweige haben eine überwiegend Wurtzit-Kristallstruktur. Das Molverhältnis von S und Se in den Zweigen CdSSe wurde durch energiedispersive Röntgenspektroskopie gemessen. Die CdSSe Zweige bewirken starke Absorption sichtbaren Lichts. Photolumineszenz (PL) Spektroskopie zeigte, dass der Stamm und Ästen eine Typ-II-Heteroübergang bilden. PL Lebensdauermessungen zeigten eine Abnahme in der Lebensdauer der Emission von den Bäumen, wenn der Emission von einzelnen ZnO verglichen Stielen oder CdSSe Zweigen und zeigen schnelle Ladungsübertragung zwischen CdSSe und ZnO. Der Vertinisch ausgerichteten ZnO ergibt sich ein direkter Elektronentransportweges auf das Substrat liefern und für eine effiziente Ladungstrennung nach Anregung durch Licht durch sichtbares Licht zu ermöglichen. Die Kombination der oben genannten Eigenschaften macht ZnO / CdSSe nanotrees aussichtsreiche Kandidaten für Anwendungen in Solarzellen, Photokatalyse und opto-elektronischen Vorrichtungen.

Abbildung 1 zeigt den Wachstumsmechanismus von ZnO / CdSSe NTs. Das Verfahren involviert eine katalytische Dampf-Flüssigkeit-Feststoff (VLS) Verfahren durch eine nicht-katalytische Dampffeststoff (VS) Wachstum gefolgt. Im ersten Schritt VLS, ZnO und C reagieren, in die Atmosphäre Ar, was zu metallischem Zn und Kohlenoxid. Zn wird anschließend in dem Gold-Vorläufer auf dem Saphirsubstrat gelöst. ZnO-Nanodrähte wachsen aus dem gelösten Zn und Restsauerstoff. Im zweiten Sch...

Hier bereiten wir und zu charakterisieren neuartige baumartige hierarchische ZnO / CdSSe Nanostrukturen, wo CdSSe Zweige auf vertikal ausgerichteten ZnO-Nanodrähte wachsen. Die resultierenden nanotrees sind ein potentielles Material für die Umwandlung von Solarenergie und andere optoelektronische Geräte.

Synthese von Hierarchical ZnO / CdSSe Heterostruktur Nanotrees

A two-step chemical vapor deposition procedure is here employed to prepare tree-like hierarchical ZnO/CdSSe hetero-nanostructures. The structures are ...

Das übergeordnete Ziel dieses Experiments besteht darin, eine baumartige Nanostruktur mit Zinkoxid-Stämmen und Cadmiumsulfoselenid-Zweigen zu synthetisieren und deren Morphologie, Kristallstruktur sowie optische Eigenschaften zu charakterisieren. Diese Methode kann helfen, zentrale Fragen zur Anwendung von Nanokompositmaterialien in optischen und elektrooptischen Anwendungen zu beantworten.Der Hauptvorteil dieser Technik besteht darin, dass die chemische Gasphasenabscheidung eine einfache und kostengünstige Methode zur Herstellung baumartiger Nanostrukturen mit gut definierten Grenzflächen darstellt. Die Cadmiumsulfoselenid-Zweige absorbieren sichtbares Licht und bilden einen Heteroübergang vom Typ-II mit einem Zinkoxid-Stamm. Der Heteroübergang ermöglicht einen effizienten elektrischen Ladungstransfer von den Zweigen zum Stamm.Die optischen Eigenschaften deuten darauf hin, dass die Nanobäume vielversprechende Materialien für Anwendungen darstellen, die von einem Z-Schema-Ladungstransfermechanismus profitieren, wie beispielsweise Solarzellen und andere optoelektronische Bauelemente. Obwohl diese Methode Einblicke in Zinkoxid-Cadmiumsulfoselenid-Nanobäume ermöglichen kann, ist sie auch auf andere Systeme anwendbar, wie beispielsweise Nanodrähte, Nanoröhren, Nanobots und dergleichen. Im Allgemeinen werden Personen, die neu in dieser Methode sind, Schwierigkeiten haben, da jeder Parameter, wie Emulgierung, Temperatur und Fluorid, die Morphologie der Nanobäume beeinflusst.Zunächst reinigen Sie eine Saphirplatte durch Beschallung in 99,5 % Ethanol für fünf Minuten. Anschließend bringen Sie mit einem Sputter-Coater einen 10 Nanometer dicken Goldfilm auf der Platte auf. Danach rühren Sie ein Gramm einer gleichmäßigen Massemischung aus Zinkoxid-Nanopulver und Aktivkohle in 10 Milliliter 99,5 % Ethanol ein.Sonizieren Sie die Mischung 30 Minuten lang in einem Wasserbad bei 20 Grad Celsius. Dieser Schritt stellt sicher, dass keine Luft in der Mischung vorhanden ist und dass Zinkoxid und Kohlenstoff eng miteinander in Kontakt stehen.Trocknen Sie das sonifizierte Gemisch bei 80 Grad Celsius fünf Stunden lang. Danach wird das trockene Gemisch in ein Aluminiumoxid-Brennboot gegeben und mit einem Spatel verdichtet, um Luft aus dem Gemisch auszuschließen. Legen Sie einen mit Gold beschichteten Objektträger mit der Goldseite nach unten auf das Brennboot.Platzieren Sie das Boot in die Mitte des Quarzrohrs eines horizontalen Ofens. Stellen Sie anschließend die Heiz- und Kühlparameter am Ofen ein. Spülen Sie das Rohr eine Stunde lang bei Raumtemperatur mit Argongas mit einer Durchflussrate von 40 Standardkubikzentimetern pro Minute aus.Erhöhen Sie dann die Temperatur von Raumtemperatur auf 900 Grad Celsius mit einer Rate von 80 Grad Celsius pro Minute und halten Sie diese Temperatur zwei Stunden lang konstant. Öffnen Sie anschließend das Rohr an beiden Enden zur Luft, um Sauerstoff für die Reaktion bereitzustellen. Fahren Sie mit dem Erhitzen der Probe bei 900 Grad Celsius fort, während das Rohr für drei Stunden zur Luft geöffnet bleibt.Kühlen Sie den Ofen mit 10 Grad Celsius pro Minute auf Raumtemperatur ab und nehmen Sie das Boot und den Objektträger heraus. Der weiße Film auf dem Objektträger besteht aus Zinkoxid-Nanodrähten. Mischen Sie anschließend 0,25 Gramm Cadmiumsulfid- und 0,25 Gramm Cadmiumselenid-Pulver gründlich und geben Sie das Gemisch in ein anderes Aluminiumoxid-Brennboot.Verdichten Sie die Mischung gut. Stellen Sie den mit Zinkoxid-Nanodrähten beschichteten Objektträger etwa 10 Zentimeter hinter dem Boot an. Platzieren Sie das Boot in der Mitte des Quarzofenrohrs.Stellen Sie sicher, dass auf dem Objektträger die Zinkoxid-Nanodrähte nach oben zeigen. Stellen Sie erneut die Parameter am Ofen ein. Spülen Sie das Quarzrohr des Ofens mit Argongas bei 40 standard Kubikzentimetern pro Minute bei Raumtemperatur eine Stunde lang aus.Erhitzen Sie dann den Ofen auf 820 Grad Celsius mit einer Geschwindigkeit von 80 Grad Celsius pro Minute und halten Sie die Temperatur 30 Minuten lang bei 820 Grad. Eine abweichende Temperatur führt zu einer anderen Zusammensetzung und Morphologie. Kühlen Sie anschließend den Ofen mit einer Geschwindigkeit von 10 Grad Celsius pro Minute auf Raumtemperatur ab und nehmen Sie das Boot und den Objektträger aus dem Ofen heraus.Die Zinkoxid-Cadmiumsulfoselenid-Nanobäume werden als orange-gelber Film auf dem Objektträger erhalten. Bereiten Sie Kontrollproben aus Zinkoxid- und Cadmiumsulfoselenid-Nanodrähten auf sauberen, mit Gold beschichteten Saphir-Objektträgern mit denselben Verfahren vor. Charakterisieren Sie die Nanostrukturen mittels Rasterelektronenmikroskopie, Röntgenpulverdiffraktometrie und energiedispersiver Röntgenspektroskopie.Erhalten Sie Photolumineszenz-Emissionsspektren und messen Sie die zeitaufgelösten Photolumineszenz- und Fluoreszenz-Zerfallslebensdauern. Cadmiumsulfoselenid-Nanodrähte wurden durch chemische Gasphasenabscheidung auf Zinkoxid-Nanodrähten gezüchtet, um baumartige Nanostrukturen zu bilden. Die Stämme wurden mit Cadmiumsulfoselenid abgedeckt.Die Nanobäume zeigten Röntgenbeugungsspitzen, die sowohl für reine Zinkoxid-Nanodrähte als auch für reine Cadmiumsulfoselenid-Nanodrähte charakteristisch sind. Eine zusätzliche Spitze im XRD-Spektrum wird einer anderen Phase von Cadmiumsulfoselenid zugeordnet, die an Punktdefekten auf dem Zinkoxid-Stamm entsteht und das Wachstum der Äste initiiert. Das molare Verhältnis von Schwefel zu Selen in den Ästen wurde mittels EDX und XRD zu etwa 54 zu 46 bestimmt.Das Molverhältnis beeinflusst die Bandlücke der Äste und kann durch Änderung der Astwachstumstemperatur eingestellt werden. Die Photolumineszenzlebensdauer der Nanobäume war kürzer als die Lebensdauer der Zinkoxid- und Cadmiumsulfoselenid-Nanodrähte. Dies deutet darauf hin, dass ein schneller elektronischer Transfer an der Grenzfläche der Nanostruktur stattfindet, wodurch ein alternativer Entspannungsweg ermöglicht wird.Wenn die Technik einmal beherrscht ist, kann sie in acht Stunden durchgeführt werden, sofern sie ordnungsgemäß ausgeführt wird. Sechs Stunden für die Zubereitung von Zinkoxid und zwei Stunden für das Wachstum von Cadmiumsulfoselenid. Und vergessen Sie nicht, dass das Arbeiten mit Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid äußerst gefährlich sein kann.Und Vorsichtsmaßnahmen wie das Tragen von Handschuhen, Laborkittel und geschlossenen Schuhen sollten stets beachtet werden, wenn dieses Verfahren durchgeführt wird.

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Eine allgemeine Strategie für die Entwicklung der Ladungstrennung Halbleiternanokristall Verbundwerkstoffen einsetzbar für Solarenergie vorgestellt. Wir zeigen, dass die Montage von Donor-Akzeptor Nanokristall Domains in einem einzigen Nanopartikel Geometrie führt zu einer photokatalytischen Funktion, während Bulk-Heteroübergängen von Donor-Akzeptor Nanokristall Filme für photovoltaischen Energieumwandlung genutzt werden kann.

Harvesting Solar Energy mittels Charge-Trennung Nanokristalle und ihre Solids

Wir berichten über eine einfache Methode zur Herstellung einer Ultrahochvakuum Dichte Anordnung von vertikal bestellt kleinen molekularen organischen Nanodrähte. Diese Methode ermöglicht eine Synthese von komplexen heterostructured Hybrid Nanodraht Geometrien, die kostengünstig auf beliebigen Substraten gezüchtet werden können. Diese Strukturen haben potentielle Anwendungen in der organischen Elektronik, Optoelektronik, chemischen Sensorik, Photovoltaik und Spintronik.

Ultrahigh Density Array von vertikal ausgerichteten Klein-molekulare organische Nanodrähte auf beliebige Untergründe

Es wird ein Protokoll für die Seeding-Synthese von stäbchenförmigen und tetrapodenförmigen Mehrkomponenten-Nanostrukturen, bestehend aus CdS und CdSe, vorgestellt.

Gesetzt Synthese von CdSe / CdS-Nanokristalle Rod und Tetrapod

Verschiedene Verfahren werden beschrieben, um atomar definierten Vorlagen Epitaxieausrüstung komplexer Oxiddünnschichten vorzubereiten. Chemische Behandlungen von einkristallinen SrTiO 3 (001) und DyScO 3 (110) Substrate wurden durchgeführt, um atomar glatte, Einzelterminierten Oberflächen zu erhalten. Ca 2 Nb 3 O 10 - Nanoschichten wurden verwendet, um atomar definierten Vorlagen auf beliebigen Substraten zu schaffen.

Atomar definierte Vorlagen Epitaxieausrüstung komplexer Oxide Thin Films

Wir haben eine Methode zur direkten Synthese von ZnO-Dünnschichten mit hoher c-Achse (0002) durch plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung angeboten. Die as-synthetisierte ZnO-Dünnschicht in Kombination mit einer Pt-Interdigitalelektrode wurde als Sensorschicht für ultraviolette Photodetektoren verwendet und zeigte eine hohe Leistung durch eine Kombination aus guter Empfindlichkeit und Zuverlässigkeit.

Synthese und Charakterisierung von Hoch c-Achsen-ZnO-Dünnfilm durch Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-System und seine UV-Photodetektor Anwendungs

Ein-Schritt-Herstellungsverfahren für den Erhalt von freistehenden epitaktischen Doppelheterostruktur dargestellt. Dieser Ansatz könnte ZnO Abdeckung mit einer höheren Dichte als die Anzahl der epitaxialen Einzelheterostruktur zu erzielen, die zu einem piezoelektrischen Nanogenerator mit einem erhöhten elektrischen Ausgangsleistung.

Herstellung von ZnO-Nanostäbchen / Graphene / ZnO-Nanostäbchen Epitaxial Doppelheterostruktur für Piezoelektrische Nanogenerator mithilfe Vorwärmen Hydrothermale

Dieses Manuskript wird beschrieben, wie zu entwerfen und fertigen effiziente invertierten SMPV1:PC71BM Solarzellen mit ZnO Laptops (NRs) auf eine qualitativ hochwertige Al-dotierten ZnO (AZO) Samen Schicht angebaut. Die gut abgestimmten vertikal ausgerichtet ZnO NRs Ausstellung hohe kristalline Eigenschaften. Der Wirkungsgrad von Solarzellen erreichen 6.01 %.

Gut abgestimmten vertikal orientierte ZnO Nanorod Arrays und deren Anwendung in invertiert kleine Molekül Solarzellen

Erreichung des qualitativ hochwertigen Schottky Kontakte ist zwingende Voraussetzung für effiziente Tor Modulation in Heterostruktur Feldeffekttransistoren (HFETs) zu erreichen. Wir präsentieren die Herstellung Methodik und Merkmale der Schottky-Dioden auf Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostrukturen mit High-Density-zwei dimensional Electron Gas (2DEG), gewachsen durch Plasmaunterstützte Molekularstrahl-Epitaxie auf GaN Vorlagen.

Herstellung von Schottky-Dioden auf Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostruktur gewachsen durch Plasmaunterstützte Molekularstrahl-Epitaxie

Berechnungen des Vienna Ab initio Simulation Package können verwendet werden, um die intrinsischen elektronischen Eigenschaften von nanoskaligen Materialien zu identifizieren und die potenziellen wasserspaltenden Photokatalysatoren vorherzusagen.

Probe Typ II BandAusrichtung in eindimensionalen Van Der Waals Heterostrukturen mit First-Principles Berechnungen

Es wird eine Synthesetechnik zur Herstellung des auf sichtbares Licht reagierenden ZnCoS/ZnCdS mit Zwillingskristallstruktur-Photokatalysator und die Photoredoxreaktionstesttechnik auf seine photokatalytische Aktivität und Selektivität bei der H2 -Entwicklung und Benzaldehydproduktion vorgestellt.

Synthese und Leistungsbewertung von ZnCoS/ZnCdS mit Zwillingskristallstruktur für die multifunktionale Redox-Photokatalyse in Energieanwendungen

Erfahren Sie die Synthese hierarchischer ZnO/CdSSe-Nanostrukturen mittels chemischer Gasphasenabscheidung. Diese Methode ermöglicht effizienten Ladungstransfer für Anwendungen in der Solarenergie und Optoelektronik.

Synthese von Hierarchical ZnO / CdSSe Heterostruktur Nanotrees

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