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Artículo de método

La fabricación de nanotubos de carbono de alta frecuencia Nanoelectrónica biosensor para la detección in High Solutions fuerza iónica

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DOI:

10.3791/50438

22 de julio de 2013

En este artículo

Resumen

Se describe la fabricación de dispositivos y un protocolo de medición para biosensores de alta frecuencia basados ​​en nanotubos de carbono. La técnica de detección de alta frecuencia mitiga el efecto de apantallamiento iónica fundamental (de Debye) y permite nanotubo biosensor para ser operado en soluciones de elevada fuerza iónica donde biosensores electrónicos convencionales fallan. Nuestra tecnología ofrece una plataforma única para los puntos de atención (PDA) biosensores electrónicos que operan en condiciones fisiológicamente pertinentes.

Resumen

Las propiedades electrónicas únicas y altas proporciones de superficie-volumen de nanotubos de carbono de pared simple (SWNT) y nanocables semiconductores (NW) 1-4 hacen buenos candidatos para biosensores de alta sensibilidad. Cuando una molécula cargada se une a una superficie tal sensor, se altera la densidad de portadores 5 en el sensor, lo que resulta en cambios en su conductancia DC. Sin embargo, en una solución iónica una superficie cargada también atrae a contra-iones de la solución, la formación de una doble capa eléctrica (EDL). Este EDL pantallas eficaz de la carga y en condiciones fisiológicamente pertinentes ~ 100 milimoles (mM), la longitud característica de detección de carga (longitud de Debye) está a menos de un nanómetro (nm). Por lo tanto, en soluciones de elevada fuerza iónica, la detección basada en carga (CC) está fundamentalmente impedida 6-8.

Superamos los efectos de detección de carga mediante la detección de los dipolos moleculares en vez de los cargos de alta frecuencia, operando nanot carbonoube transistores de efecto campo como mezcladores de alta frecuencia 9-11. A altas frecuencias, la fuerza de accionamiento de CA ya no puede superar la fricción y la solución de los iones en solución no tiene tiempo suficiente para formar el EDL. Además, la técnica de mezcla de frecuencias nos permite operar a frecuencias lo suficientemente altas como para superar proyección iónica, y sin embargo, detectar las señales de detección a bajas frecuencias 11-12. Además, la alta transconductancia de los transistores de SWNT proporciona una ganancia interna para la señal de detección, que obvia la necesidad de amplificador de señal externa.

Aquí, se describe el protocolo para (a) fabricar transistores de SWNT, (b) funcionalizar biomoléculas para el nanotubo 13, (c) diseñar y estampar una poli-dimetil-siloxano (PDMS) micro-cámara de fluido 14 en el dispositivo, y (d) llevar a cabo la detección de alta frecuencia en las diferentes soluciones de fuerza iónica 11.

Introducción

Cuando una molécula cargada se une a un sensor electrónico de SWNT o NO, o bien puede donar / aceptar electrones o actuar como una puerta electrostático local. En cualquiera de los casos, la molécula unida puede alterar la densidad de carga en el canal de SWNT o NO, lo que lleva a un cambio en la conductancia continua medida del sensor. Una gran variedad de moléculas 15-20 se han detectado con éxito mediante el estudio de las características de corriente continua de los nanosensores durante tales eventos de unión. Aunque mecanismo de detección basado cargo de detección tiene muchas ventajas, incluyendo la detección sin etiqueta 21, la sensibilid....

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Protocolo

1. Patrones catalizador para el crecimiento SWNT

  1. Comience con una oblea de silicio con una deposición química de vapor de baja presión (ECV) crecido 500 nm de Si 3 N 4/500 nm de SiO 2 película en la parte superior.
  2. Girar la capa una capa de resina fotosensible (PR) a 500 rpm durante 5 seg y luego 4000 rpm durante 40 seg.
  3. Hornear la oblea a 115 ° C durante 90 seg.
  4. Utilice una fotomáscara con los hoyos rectangulares para catalizadores (Figura 1) y exponer la oblea en (365 nm) la radiación UV de 300 mJ / cm 2 de 0,3 seg. Después de la exposición de la oblea hornear a 11....

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Resultados

Una imagen de microscopio electrónico de barrido de transistor de SWNT con una puerta de la parte superior suspendido se muestra en la Figura 7a. Las dimensiones de la puerta son críticos para la suspensión 25. Las dimensiones actuales de diseño son (largo x ancho x espesor = 25 micras x 1 micras x 100 nm). El electrodo de puerta se compone de 50 nm Cr/50 nm Au, una capa de cromo gruesa añade más fuerza a la estructura suspendida. La estructura suspendida se confirma por la ausencia de corrie.......

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Discusión

El crecimiento de los nanotubos de carbono no sólo depende de las condiciones del horno, sino también a limpieza sustrato. La tasa de flujo de gas óptimo, temperatura y presión para el crecimiento tienen que calibrar cuidadosamente y una vez fijado que son más o menos estables. Incluso con que se cumplen estas condiciones, se encontró que el crecimiento depende de la zona de catalizador de modelado, cantidad de catalizador y la limpieza sustrato. Por lo tanto, hemos incorporado varios tamaños pit catalizador para dar cu.......

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Divulgaciones

Los autores declaran que no tienen intereses financieros en competencia.

Agradecimientos

Agradecemos al Prof. Paul McEuen en la Universidad de Cornell para la discusión temprana. El trabajo es apoyado por el fondo inicial brindar por la Universidad de Michigan y el Programa Nacional Science Foundation Scalable nanofabricación (DMR-1120187). En este trabajo se utilizó el Fondo para Nanofabrication Lurie de la Universidad de Michigan, miembro de la Red Nacional de Infraestructura nanotecnología financiada por la Fundación Nacional de Ciencia.

....

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Materiales

Lista de materiales utilizados en este artículo
NombreEmpresaNúmero de catálogoComentarios
REAGENTS
Los reactivos que se proporcionaron dentro de la Instalación de Nanofabricación de Lurie (Universidad de Michigan) están marcados como LNF en la columna del catálogo. Los productos químicos que requieren equipo de protección (guantes, gafas de seguridad, mascarilla, delantal) y/o campana extractora se indican con EPP en la sección de comentarios.
Obleas de silicio (tipo P, < 100>, 500-550 μ m de espesor)Silicon Valley Microelectronics
SPR 220 3.0Dow (Rohm and Haas)Megaposit SPRPPE
AZ 300MIFAZ Corporación de MaterialPPE
AcetonaJ T Baker9005-05PPE
Isopropanol (IPA)J T Baker9079-05
Ácido fluorhídrico tamponadoTransenoPPE
Ácido 1-Pirineo Butanoico, éster de succinimidiloSondas molecularesP130PPE
Biotina PEO AminaThermo ScientificEZ- Link PEG2 Biotina, # 21346PPE
EstreptavidinaInvitrogenS 888PPE
DimetilformamidaMP Biomedicals0219514791EPI
Base de elastómero de polidimetilsiloxano y agente de curadoDow CorningSylgard 184 Kit de elastómeroPPE
SU-8 2015MicrochemY111064EPI
SU-8 ReveladorMicrochemY020100EPI
Agente silanizanteSigma Aldrich452807EPI
Purezade hidrógeno PlusLNF
Pureza de etilenoPlusLNF
ArgónPurity PlusLNF
Sigma AldrichPBS1
EQUIPMENT
El equipo proporcionado por Lurie Nanofabrication Facility (Universidad de Michigan) se indica como LNF en la columna del catálogo.
GCA 200 AutostepperGCALNF
Herramienta de deposición de vapor químico de baja presiónTempressLNF
Evaporador de haz de electronesEnerjetLNF
CNT Horno de crecimientoFirst NanoEasy Tube 3000 (LNF)
FotomáscarasNanofilmLNF
Placa de Petri (150 mm)LNF
DesecadorBel-ArtF420100000
Punzón de biopsiaTed Pella15071/78
BisturíTed Pella548
Tubo de polietileno PE-50VWR20903-414
Bomba de jeringaNew Era Sistemas de bombaNE-1000
JeringaFisher ScientificBD Safety-Lok
Agujas de jeringaFisher Scientific14-821-13A
Tarjeta DAQNational Instruments779111-01
Conector GPIBNational Instruments778032-51
Amplificador de bloqueoStanford Research SystemsSR 830
Generador de frecuenciaHP Agilent8648B, 9kHz -2GHz
Bias TeePreamplificador de corriente Picosecond5575A-104
DL Instruments, LLCDL 1211
Cables BNCAllied Electronics665-xxxx
SMASentro Tech CorpSCF65141
Electrónico Sistema salino de tampón de fosfato

Referencias

  1. Dekker, C. Carbon nanotubes as molecular quantum wires. Phys. Today. 52, 22-28 (1999).
  2. McEuen, P. L., Fuhrer, M. S., Park, H. K. Single-walled carbon nanotube electronics. IEEE Transactions on Nanotechnology. 1, 78-85 (2002).
  3. Duan, X. F., Huang, Y., Cui, Y., Wang, J. F., ....

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Reimpresiones y permisos

Etiquetas

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