En este trabajo, presentamos un protocolo directamente creciendo un epitaxial todavía elemento de memoria de titanato de circonio de cable flexible en la mica moscovita.
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Artículo de método
Una fabricación y método de medición de un elemento ferroeléctrico Flexible basado en heteroepitaxias de Van Der Waals
* These authors contributed equally
En este artículo
Resumen
Resumen
Memorias no volátiles flexibles han recibido mucha atención como son aplicables para dispositivo electrónico inteligente portátil en el futuro, confiando en las capacidades de bajo consumo de energía y almacenamiento de datos de alta densidad. Sin embargo, la memoria no volátil de óxido de alta calidad basado en los substratos flexibles es a menudo limitada por las características del material y el proceso de fabricación de alta temperatura inevitable. En este trabajo, se propone un protocolo directamente crecimiento epitaxial pero flexible plomo circonio titanato memoria elemento de mica moscovita. El método de medición y técnica de deposición versátil permiten la fabricación de elementos de memoria no volátil flexible pero monocristalino necesarios para la próxima generación de dispositivos inteligentes.
Introducción
La exitosa fabricación de elementos de memoria no volátil flexible (NVME) desempeña un papel clave en la explotación de todo el potencial de la electrónica flexible. NVME disponen de peso ligero, bajo costo, de baja potencia consumo, alta velocidad y capacidades de almacenamiento alta densidad además de almacenamiento de datos, procesamiento de la información y la comunicación. Perovskita Pb (Zr, Ti) O3 (PZT) actúa como un sistema popular para las aplicaciones teniendo en cuenta su gran polarización, polarización rápida conmutación, alta temperatura de Curie, bajo campo coercitivo y alto coeficiente piezoeléctrico. En memoria no volátil ferroeléctrico, un p....
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Protocolo
1. fabricación de películas delgadas de PZT Flexible
- Corte un substrato de mica de 1 cm x 1 cm de una hoja de mica con tijeras.
- Fijar este substrato de mica de 1 cm x 1 cm en un escritorio usando cinta de doble cara.
- Utilice unas pinzas para pelar apagado la mica capa-por-capa hasta el espesor deseado (50 μm), medida con un micrómetro.
- Pegue esto recién troceados substrato de mica en un portamuestras de sustrato de 5'' con una fina capa de pintura plateada y curar a 120 ° C sobre una placa caliente por 10 minutos fijar firmemente la mica en el substrato.
- Ponga el soporte del sustrato PLD (Pulsed Laser Deposition) en la....
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Resultados
Las películas delgadas de PZT/SRO/CFO/mica epitaxiales fueron depositadas con la técnica de deposición pulsada del laser como se indica en el paso 1. La figura 1 muestra el esquema de crecimiento y la figura 2 muestra un elemento real de NVM flexible basado en el PZT.
Estabilidad mecánica es un aspecto crucial de la aplicación de dispositivos flexibles. Se evalú.......
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Discusión
El paso clave en la fabricación de elementos ferroeléctricos miente en el uso de una superficie limpia y plana incluso del sustrato. Aunque la superficie recién descamada mica es atómico lisa, es necesario prestar atención a la prevención de las superficies del sufrimiento visible fragmentación, fractura de capas, grietas, inclusiones, etc. después de la deposición de la capa PZT, la muestra se enfrió bajo un oxígeno alta presión (200-500 Torr) para reducir las vacantes de oxígeno. Ex situ superior elec.......
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Divulgaciones
Los autores tienen intereses financieros que compiten a revelar.
Agradecimientos
Este trabajo fue financiado por la Fundación Nacional de Ciencias naturales de China (Grant no. 11402221 y 11502224), la simulación de estado clave laboratorio de intensa pulsada la radiación y efecto (SKLIPR1513) y Hunan Provincial clave de investigación y Plan de desarrollo (no. 2016 WK 2014).
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Materiales
| Nombre | Empresa | Número de catálogo | Comentarios |
|---|---|---|---|
| fuerte< / placa caliente fuerte Sistema > | |||
| P-20 | |||
| PLD | Productos PVD | PLD 5000 | |
| Sistema de prueba ferroeléctrico | Estaciones de trabajo Precisions de Radiant Technologies | RT66A | |
| dispositivos semiconductores | Agilent | B1500A Moldes | |
| de flexión | material de | teflón mecanizado | |
| Etapa de flexión | interconectada Labview construida | en casa | |
| Sistema de pulverización catódica | Beijing Elaboradas | láminas ETD-3000 | |
| Materials | |||
| mica(001) | Nilaco corporation | ||
| de plata conductora | Ted Pella, INC | No.16033 | |
| CoFe2O4 objetivo | Kurt J.Lesker | ||
| SrRuO3 | objetivo Kurt J.Lesker | ||
| PbZr0.2Ti0.8O3 objetivo | Kurt J.Lesker | ||
| Objetivo | Pt Hefei Ke jing |
Referencias
- Kim, W. Y., Lee, H. C. Stable ferroelectric poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) film for flexible nonvolatile memory application. IEEE Electron Device Letters. 33 (2), 260-262 (2012).
- Mao, D., Quevedo-Lopez, M. A., Stiegler, H., Gnade, B. E., Alshareef, H. N. Optimization of poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) films as non-volatile memory for flexible electronics. Organic Electronics. 11 (5), 925-932 (2010).
- Lee, G. G., et a....
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Reimpresiones y permisos
