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Ambas técnicas de crecimiento producen cristales de UTe2 que tienen dimensiones en la escala de longitud milimétrica. Los cristales son brillantes, con un brillo metálico. La morfología cristalina es variable, y pueden ocurrir intercrecimientos. En general, el transporte químico de vapor y los cristales cultivados con flujo se ven similares y no son fácilmente distinguibles por inspección visual, como es evidente en la Figura 1.
Para confirmar la estructura cristalina, las mediciones de difracción de rayos X en polvo se realizan típicamente en cristales individuales triturados de cristales individuales de UTe2 cultivados en CVT y de UTe2 cultivados en fundente a temperatura ambiente. Los cristales individuales de ambas técnicas de crecimiento tienen la misma estructura cristalina y son monofásicos, sin signos de fases de impureza. La Figura 2 muestra los datos de difracción de rayos X recopilados y un refinamiento de una estructura cristalina ortorrómbica centrada en el cuerpo con el grupo espacial Immm10.
La dependencia de la temperatura de la resistencia eléctrica es una forma típica de caracterizar los materiales metálicos. La Figura 3 compara la dependencia de la temperatura de la resistencia eléctrica, normalizada al valor de temperatura ambiente, para muestras de UTe2 sintetizadas utilizando métodos químicos de transporte y flujo de vapor. Estos datos se recopilaron en un sistema de refrigerador comercial utilizando una configuración estándar de 4 derivaciones. Por encima de 50 K, ambas muestras muestran un ligero aumento de la resistencia eléctrica al enfriamiento, que es atípica de los metales. Este comportamiento es consistente con el causado por la dispersión de electrones de conducción de los momentos magnéticos atómicos de uranio, conocido como el efecto Kondo de iones únicos. También se observa un amplio máximo en ambas muestras, seguido de una caída en la resistencia debido al inicio de la coherencia de Kondo.
Una diferencia distintiva entre las muestras es que el valor de la resistencia residual, o el valor de la resistencia en el límite de temperatura cero, es dramáticamente mayor en la muestra sintetizada por el método de flujo. La relación de resistencia residual RRR, o la relación entre el valor de resistencia a temperatura ambiente y la resistencia residual, es aproximadamente 2 para la muestra cultivada con flujo, que es aproximadamente 15 veces menor que el valor RRR de la muestra de transporte de vapor químico. El RRR muy reducido de la muestra cultivada con flujo indica que hay más impurezas o defectos cristalográficos en la muestra cultivada de flujo, que son responsables de una mayor dispersión de los electrones de conducción y, por lo tanto, de una mayor resistencia residual. Estos valores son coherentes con informes anteriores7.
Una diferencia más dramática es que las muestras cultivadas con flujo no superconducen. En general, la presencia de impurezas y defectos es perjudicial para la superconductividad porque el aumento de la dispersión debilita la interacción de emparejamiento de electrones que subyace a la superconductividad. Los efectos del desorden pueden ser aún más pronunciados en UTe2, en el que se cree que la superconductividad es de la variedad de triplete de espín inusual que generalmente es más sensible a la ruptura de pares11,12,13,14,15,16,17,18,19. Los efectos del desorden y la química sobre la superconductividad en UTe2 todavía están en los primeros días y actualmente son un campo de estudio activo.
La susceptibilidad magnética de CC, o magnetización normalizada al campo aplicado, tanto del flujo cultivado como del UTe2 cultivado con CVT se ve muy similar. Como se muestra en la Figura 4, en la que los datos se recopilaron a 1000 Oe en un magnetómetro SQUID comercial, la susceptibilidad magnética a alta temperatura muestra una respuesta paramagnética cuando se aplica el campo magnético a lo largo del eje a cristalográfico de las muestras. A bajas temperaturas, la susceptibilidad magnética aumenta bruscamente y luego muestra un ligero cambio de pendiente a ~ 10 K, probablemente debido a la coherencia de Kondo. La diferencia entre las curvas de susceptibilidad magnética de las dos muestras es pequeña y atribuible a una ligera desalineación de la muestra, lo que hace que las dos muestras sean indistinguibles para esta medición.

Figura 1: Fotografías de cristales individuales de UTe2. (A) flujo cultivado y (B-C) CVT cultivado. Las rejillas son de 1 mm. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figura 2: Datos de difracción de rayos X en polvo de UTe2 cultivados con CVT. Los datos muestran la buena calidad de la muestra sin picos visibles de impurezas. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figura 3: Datos de resistencia eléctrica normalizados en función de la temperatura tanto para CVT cultivada como para flujo cultivado UTe2. La muestra cultivada de flujo tiene una resistencia residual sustancialmente mayor, que es una firma de un mayor desorden cristalográfico. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figura 4: Susceptibilidad magnética, o magnetización normalizada al campo magnético aplicado, en función de la temperatura tanto para CVT cultivada como para flujo cultivado UTe2. Las muestras muestran un comportamiento similar, incluyendo una torcedura característica de aproximadamente 10 K. Se aplica un campo magnético H = 1000 Oe paralelo al eje a cristalográfico. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.