$$\rightleftharpoonup{xx}$$
$$\longleftharp{xx}$$,
$$\longrightharp{xx}$$,
La Figura 1 muestra el esquema de la geometría de una estructura de prueba, y la Figura 2 muestra el esquema del flujo de trabajo de las mediciones necesarias para obtener un punto de datos. Para investigar la influencia de la longitud y la existencia y el valor numérico de la longitud de la línea bajo prueba necesaria para el inicio de la electromigración, se utilizó el protocolo antes mencionado para obtener datos para múltiples líneas bajo prueba con diferentes longitudes (por ejemplo, 120 μm, 540 μm y 680 μm) hechas de disiliciuro de molibdeno y encapsuladas por una capa de óxido de silicio a alta temperatura. Todas las líneas bajo prueba se fabricaron de la misma manera y se sometieron a tensiones durante el mismo tiempo de 7 min en condiciones de aire ambiente a temperatura ambiente (23 °C) con una corriente constante sin estrechamiento de la línea bajo prueba durante el esfuerzo, lo que resultó en una densidad de corriente constante de 2,26 ×10 10 A/m2, 3,25 × 1010 A/m2 o 3,44 × 1010 A /m2.
En las estructuras de prueba utilizadas (líneas de MoSi2 encapsuladas) solo la región de contacto de MoSi2 con el aluminio mostró cambios en el volumen. Los experimentos anteriores no mostraron protuberancias de ningún tipo a través de la encapsulación.
Los tamaños laterales de todos los montículos evaluados con este método estuvieron por encima del tamaño de 200 nm, muy por encima de la resolución lateral del microscopio láser de barrido.
V = const.lwh
La incertidumbre máxima del volumen medido se puede estimar mediante la ley de propagación de la covarianza.

siendo l la longitud, w la anchura y h la altura. Con las incertidumbres de medición de las dimensiones individuales Δl = 50 nm, Δw = 50 nm y Δh = 12 nm. Las incertidumbres de la longitud y el ancho se toman como las dimensiones de un píxel. La incertidumbre de la altura de Δh = 12 nm se ha medido mediante SEM en el montículo más pequeño detectable mediante microscopio de barrido láser y está de acuerdo con la incertidumbre declarada por el fabricante.
La altura de los montículos (como se muestra en la Figura 3) suele estar en el rango de 190 nm. Los montículos más pequeños detectables correctamente tienen alturas en el rango de 34 nm. Las longitudes y anchuras suelen estar en el rango de 1 μm para la mayoría de los montículos, como se muestra en la Figura 3.
Esto hace que la incertidumbre para un solo montículo con un tamaño de montículo típico sea
= 16%
y para que un pequeño montículo sea
= 45%.
Con el método que se muestra en este protocolo, se suma el volumen de varios montículos. Los valores típicos para la cantidad de montículos sumados en una muestra son aproximadamente 9, como se muestra en la Figura 3.
Esto hace que la incertidumbre sea:

Si en la muestra solo hay montículos de tamaño medio
y

si todos los montículos presentes en la muestra son extremadamente pequeños.
En realidad, los montículos pequeños y de tamaño típico están presentes en las muestras, y la cantidad de montículos varía ligeramente entre las muestras, lo que hace que la incertidumbre esté entre el 5% y el 15% dependiendo de los tamaños y números exactos de los montículos.
Como se puede observar en los resultados representativos mostrados en este trabajo, el valor del volumen electromigrado aumenta con el aumento de la longitud de la línea bajo prueba. El volumen electromigrado también aumenta si se utilizan condiciones de tensión más fuertes, por ejemplo, valores más altos de densidad de corriente.
Si todos los datos de volumen, independientemente de la longitud de la línea bajo prueba, son cero, se necesitan condiciones de tensión más fuertes (por ejemplo, temperaturas más altas, tiempo de tensión más largo, densidades de corriente más altas o una combinación de estas) para el inicio de la electromigración. En otros experimentos se utilizarán condiciones de tensión más fuertes.
La Figura 3 muestra una región de interés antes de la tensión de corriente en el lado izquierdo y después de la tensión de corriente en el medio. En el lado derecho de la Figura 3 se destacan los montículos después de la tensión actual. En la Figura 3 se muestran los nuevos montículos que se han formado y el crecimiento de protuberancias que han estado presentes antes del esfuerzo actual.
La Figura 4 muestra los resultados exitosos del aumento del volumen electromigrado con el aumento de la longitud, incluyendo una línea exponencial de mejor ajuste, incluyendo todos los puntos de datos. La Figura 4 también muestra los resultados de las longitudes más cortas que se utilizan para determinar la intercepción de la línea lineal de mejor ajuste con el eje x.
La Figura 5 muestra datos exitosos del volumen electromigrado aumentando con un aumento de la densidad de corriente con la longitud manteniéndose constante en 120 μm y la densidad de corriente variada en el rango en que se observó el inicio de la electromigración en experimentos anteriores. La Figura 5 también muestra la influencia del óxido de silicio encapsulante a alta temperatura. Dos espesores diferentes de óxido de silicio a alta temperatura (círculos rellenos: 60 nm, círculos sin relleno: 20 nm) dan como resultado dos valores diferentes para el inicio de la electromigración con respecto a la densidad de corriente. Esto es causado por la tensión mecánica de las capas de encapsulación.
La Figura 6 muestra datos que podrían ser adecuados para obtener una primera estimación de los parámetros de electromigración en el material. Para obtener mejores resultados, se deben adquirir más datos con longitudes en el rango de 150 μm a 500 μm.
La Figura 7 muestra datos subóptimos, que requerirían pruebas de líneas bajo prueba con longitudes comprendidas entre 120 μm y 260 μm, ya que podría haber longitudes superiores a 120 μm que también tengan un volumen electromigrado de 0. Si hay una disminución del volumen con un aumento de la longitud de la estructura de la prueba, algunos de los datos son incorrectos. Lo más probable es que se deba a errores en la evaluación del volumen, como errores en la determinación de la escala de altura o errores en la búsqueda del borde de los montículos. Si este es el caso, echar otro vistazo a la evaluación de la imagen respectiva y reevaluarla puede ser útil para llegar al fondo del problema.
Los datos incorrectos también pueden deberse a que no se permite que la estructura de la prueba se enfríe a temperatura ambiente para la segunda exploración. Volver a escanear la misma área y usar el nuevo escaneo para la evaluación es la única opción para abordar el problema. Si este problema persiste después de volver a evaluar y rehacer el escaneo, es probable que no se deba a un error en la evaluación y podría ser un efecto real del material utilizado.
Para longitudes ligeramente por encima de la longitud crítica, la línea de mejor ajuste se puede aproximar mediante una línea recta. Si la longitud de las líneas bajo prueba se alarga, la naturaleza exponencial de la línea de mejor ajuste se hace visible.
La intercepción con el eje x se determinó a 33,33 μm para tensión con una densidad de corriente de 3,25 × 1010 A/m2 , lo que resultó en (Ij)c = 1,08 × 106 A/m.
A partir de los datos de la Figura 5 , se determinó la intercepción a 3.49 ×10 10 A/m2 y 3.6 ×10 10 A/m2. Con una longitud de la línea sometida a prueba de 120 μm, se obtienen valores de 4,19 × 106 A/m y 4,2 ×10 10 A/m.
La discrepancia del producto crítico medido surge de un mayor autocalentamiento de las líneas bajo prueba con un aumento en la densidad de corriente. La temperatura de las líneas bajo prueba generalmente aumenta con el aumento de la densidad de corriente. Las temperaturas de las líneas sometidas a prueba con una longitud de 120 μm sometidas a tensión durante 7 min se determinaron mediante la medición de la resistividad eléctrica para densidades de corriente de 2,65 ×10 10 A/m2, 3,24 × 1010 A/m2, 3,53 × 1010 A/m2 y 3,85 ×10 10 A/m2 a 158 °C, 202 °C, 257 °C y 320 °C, respectivamente. Se ha demostrado anteriormente una dependencia del producto crítico de la temperatura y otros factores11.

Figura 1: Esquema de la geometría de una estructura de prueba adecuada para investigaciones de parámetros de electromigración a través de un microscopio de barrido láser. La caja dorada es la línea bajo prueba (en este trabajo hecho de MoSi2), las cajas plateadas son los suministros eléctricos (en este trabajo hechos de aluminio) y las almohadillas de contacto se muestran como pilas de las cajas plateadas en la región de los cables de unión (gris oscuro). Las pilas indican que las almohadillas de contacto tienen un espesor de capa mayor que los suministros eléctricos. Las pequeñas cajas plateadas a ambos lados de la línea bajo prueba son las regiones de contacto eléctrico del suministro eléctrico y la línea bajo prueba. Se supone que el borde oscuro simboliza que esta región tiene una elevación más baja debido a que la capa de encapsulación se abre en esta parte para permitir el contacto eléctrico. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figura 2: Esquema del flujo de trabajo de las mediciones necesarias para obtener un punto de datos. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figura 3: Comparación de la región de interés antes y después del estrés actual. Comparación de la región de interés (en este trabajo, el contacto eléctrico del aluminio con la línea bajo prueba) antes del esfuerzo de corriente (lado izquierdo) y después del esfuerzo de corriente (centro) con los montículos causados por electromigración resaltados en el lado derecho. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figura 4: Resultados exitosos del volumen electromigrado de las regiones de contacto del lado del cátodo en función de la longitud de la línea bajo prueba para las líneas MoSi2 . Datos representativos (resultados satisfactorios) del volumen electromigrado de las regiones de contacto del lado del cátodo en función de la longitud de la línea sometida a prueba para líneas de MoSi2 encapsuladas con óxido de silicio de alta temperatura de 60 nm, tensión en condiciones de aire ambiente durante 7 min con una densidad de corriente de 3,25 × 1010 A /m 2. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figura 5: Resultados exitosos del volumen electromigrado de las regiones de contacto del lado del cátodo en función de la densidad de corriente para las líneas encapsuladas bajo prueba hechas de MoSi2. Datos representativos (resultados exitosos) del volumen electromigrado de las regiones de contacto del lado del cátodo en función de la densidad de corriente para las líneas encapsuladas bajo prueba hechas de MoSi2 mientras se estresan en condiciones de aire ambiente durante 7 min. Los círculos rellenos muestran los datos de las líneas MoSi2 bajo prueba encapsuladas con óxido de silicio de alta temperatura de 60 nm. Los círculos sin relleno muestran los datos de las líneas de MoSi2 bajo prueba encapsuladas con óxido de silicio de alta temperatura de 20 nm. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figura 6: Datos válidos. Datos representativos (los datos pueden usarse) del volumen electromigrado de las regiones de contacto del lado del cátodo en función de la longitud de la línea bajo prueba para líneas de MoSi2 encapsuladas con óxido de silicio de alta temperatura de 60 nm, tensión en condiciones de aire ambiente durante 7 min con una densidad de corriente de 2,56 ×10 10 A /m 2. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figura 7: Datos subóptimos. Datos representativos (datos subóptimos) del volumen electromigrado de las regiones de contacto del lado del cátodo en función de la longitud de la línea sometida a ensayo para líneas de MoSi2 encapsuladas con óxido de silicio a alta temperatura de 20 nm, sometidas a tensión en condiciones de aire ambiente durante 7 minutos con una densidad de corriente de 3,44 ×10 10 A/m2. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.
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