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Artículo de método

Detección de peróxido de hidrógeno ultra-bajo mediante efecto potencial sinérgico de Nernst en transistores electroquímicos orgánicos

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DOI:

10.3791/70467

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31 de marzo de 2026

 ,  ,  ,  ,  , 
1College of Integrated Circuits, Taiyuan University of Technology

En este artículo

Resumen

Aquí presentamos un protocolo para la detección de peróxido de hidrógeno en ultra-bajos basados en el efecto sinérgico de Nernst. Este protocolo cubre la fabricación de poli(3,4-etilenooxitiofeno): azul de bromotimol (PEDOT: BTB)/sulfonato de poliestireno (PEDOT: PSS) y microelectrodo de platino (Pt), así como la determinación del punto óptimo de funcionamiento parael sensor H 2O 2 tal como se construyó.

Resumen

El potencial sinérgico de Nernst basado en transistores electroquímicos orgánicos (OECT)—generado mediante el electrodo de compuerta Pt que cataliza el peróxido de hidrógeno (H2O2) y la interacción entre las moléculas de azul de bromotimol (BTB) y los iones de hidrógeno (el subproducto de la catálisisH2O2)—se aprovecha para la detección ultra baja de H2O2 hasta 1,8 × 10-12 M, con un amplio rango de detección lineal desde 10-11 M hasta 10-3 M. La formación de este potencial se determina seleccionando una tensión fuente-dreno (VDS) y una tensión de puerta (VG) de −0,6 V como puntos de funcionamiento óptimos, y adoptando el material del canal semiconductor de capa apilada poli(3,4-etilenooxiquitiofeno): bromotimol azul/poli(3,4-etilenooxitiofeno):p olistireno sulfonato (PEDOT:BTB/PEDOT:PSS) como material semiconductor. Además, se proporciona una verificación relevante caracterizando la capacidad de (de)dopage de portadora de las capas apiladas mediante espectroscopía UV-vis, identificando el punto óptimo de funcionamiento mediante mediciones electroquímicas y evaluando el rendimiento de deteccióndel sensor H 2O 2 basado en OECT tal como construido mediante escaneo de voltaje constante de una sola etapa. Finalmente, el sensor H2O2 basado en OECT se fabrica mediante un proceso de fabricación micronano, que incluye la preparación de capas semiconductoras apiladas mediante recubrimiento de spin y la fabricación de microelectrodos mediante el proceso de despegue y pulverización de magnetrón. Esta metodología puede abrir una amplia vía para la detección ultrabaja de analitos mediante reacciones catalizadas por enzimas.

Introducción

El peróxido de hidrógeno (H2O2) es un subproducto ubicuo de numerosas reacciones bioquímicas catalizadas por enzimas, incluidas aquellas mediadas por lactato oxidasa, glutamato oxidasa y glucosaoxidasa 1. Su presencia generalizada en una amplia gama de procesos fisiológicos y patológicos 2,3,4 la convierte en una biomolécula crítica para comprender la salud humana y los estados de enfermedad. Por ello, la detección precisa deH2O2 a concentraciones ultrabajas es esencial para obtener conocimientos precisos sobre las condiciones corporales, lo que genera un interés significativo entre los investigadores en desarrollar metodologías de detección sensibles con un límite bajo de detección (LOD).

Los métodos tradicionales de detección deH2O2 5,6, como la espectroscopía, la cromatografía y la quimioluminiscencia, han sentado las bases para el análisis cuantitativo, pero sufren de limitaciones inherentes que dificultan su amplia aplicabilidad. Estas técnicas suelen depender de instrumentación voluminosa y costosa y requieren experiencia profesional especializada, lo que las hace poco prácticas para escenarios de detección in situ, portátiles o en el punto de atención. Por ello, existe una necesidad urgente de tecnologías alternativas de detección que combinen alta sensibilidad con miniaturización, bajo coste y facilidad de uso.

Con el avance de las microtecnologías nano, los transistores electroquímicos orgánicos (OECT) han surgido como una plataforma prometedora para aplicaciones de biodetección, debido a sus ventajas inherentes, incluyendo miniaturización, bajo voltaje de funcionamiento, excelente capacidad de amplificación de señales y biocompatibilidad 7,8,9. Los sensores basados en OECT se han explorado cada vez más para la detección deH2O2, con un enfoque principal en modificar materiales sensibles aH2O2 sobre microelectrodos para mejorar la sensibilidad a la detección. Por ejemplo, Cicoira et al.10 construyeron un sensor H2O2 basado en OECT con un rango de detección lineal de 5 μM a 103 μM y un LOD bajo de 5 μM cuando se usaba Pt como material fuente, drenaje y compuerta. Guo et al.11 fabricaron un OECT sobre un sustrato flexible de poliuretano (tereftalato de etileno)(PET) y un soporte transpozo. El dispositivo empleaba un electrodo de pasta de carbono serigrafiado modificado con nanotubos de carbono y nanopartículas Pt como electrodo de puerta, y PEDOT: PSS como material del canal, mostrando un rango de detección lineal de 0,5-100 μM y un LOD de 0,2 μM paraH2O 2. Qi et al.12 informaron de un OECT polimérico basado en polímero monoorgánico único orgánico mixto de conductor iónico-electrónico (OMIEC) ambipolar tipo donador-aceptor (D-A), que mostró un rango lineal de detección de 0,001-100 μM y un LOD de 1 nM paraH2O 2. El mencionado sensor H2O2 alcanzó un LOD bajo principalmente dependiendo del potencial de Nernst generado por el electrodo de puerta basado en Pt que cataliza H2O2, lo que podía regular el estado electroquímico (de) de dopaje de la capa del canal para aprovechar la excelente capacidad de amplificación de señal. Así, estudios previos en este campo han establecido una base teórica y experimental sólida para una optimización posterior.

El objetivo principal de este estudio es desarrollarun sensor H 2O 2 basado en OECT altamente controlable y sensible, aprovechando aún más el potencial de Nernst, un mecanismo clave que subyace al rendimiento de los sensores electroquímicos. Para lograrlo, proponemos un mecanismo sinérgico de potencialde Nernst 13, que se basa en una reacción en cascada que involucra dos componentes clave: electrodos de puerta basados en PT que electrocatalizanH2O2, y una capa de canal semiconductor apilada (PEDOT: BTB/PEDOT: PSS) que interactúa con iones de hidrógeno generados como subproducto deH2O2 catálisis. Este diseño se basa en investigaciones consolidadas: el azul de bromotimol (BTB), un conocido indicador químico para ácidos débiles ybases 14, se ha integrado con éxito con PEDOT (como PEDOT: BTB) en la puerta o capa de canal OECT para la detección del pH en estudios previos, validando la viabilidad de la reacción en cascada central en nuestro enfoque.

En comparación con métodos alternativos de detección H₂O₂ basados en OECT, nuestra estrategia sinérgica de Potencial Nernst ofrece ventajas claras. A diferencia de los diseños convencionales que dependen únicamente de la actividad catalítica de electrodos de puerta basados en Pt para generar potencial de Nernst, nuestro enfoque mejora la controlabilidad al acoplar este proceso catalítico con el comportamiento sensible al pH de la capa de canal apilado. Esta sinergia no solo mejora la sensibilidad del sensor, sino que también mejora su estabilidad y afinabilidad, abordando las limitaciones clave de los sensores basados en OECT existentes. Además, esta técnica se alinea con la tendencia más amplia de la biodetección basada en la OECT, que enfatiza la integración de materiales funcionales y mecanismos de reacción innovadores para ampliar los límites del rendimiento de detección.

En el contexto de la literatura más amplia sobre detecciónelectroquímica 15,16,17,18,19,20,21, los OECTs se han convertido en una piedra angular de la biodetección portátil debido a su capacidad para amplificar señales electroquímicas débiles, lo que los hace ideales para la detección de analitos de baja concentración. Nuestro trabajo se basa en esta base refinando el mecanismo impulsado por el potencial de Nernst, ofreciendo una nueva perspectiva sobre cómo optimizar el rendimiento del OECT para la detección de H2O2. Para los lectores que consideran la aplicabilidad de este método, nuestro diseño es especialmente adecuado para escenarios que requieren alta sensibilidad, portabilidad y controlabilidad, como diagnósticos en el punto de atención, monitorización in vitro y análisis ambiental o biológico de muestras in situ, donde los métodos tradicionales son poco prácticos. Al aclarar el marco conceptual y las ventajas de nuestro enfoque, esta introducción proporciona a los lectores el contexto necesario para evaluar si este método se alinea con sus necesidades específicas de aplicación.

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Protocolo

1. Fabricación y caracterización de PEDOT apilado: BTB/PEDOT: película semiconductora PSS

  1. Preparación de muestras
    NOTA: Al preparar el PEDOT de una sola capa: PSS, haz el paso 1.1.1. Al preparar la capa apilada PEDOT: BTB/PEDOT: PSS, realiza el Paso 1.1.2.
    1. Prepara el PEDOT: PSS de una sola capa mediante un recubrimiento de centrifugado.
      1. Filtrar la solución PSS comercial PEDOT usando un filtro de 0,45 μm (polietersulfona PES).
      2. Tome 884 μL de PEDOT filtrado: PSS, 1 μL de ácido dodecilbenceno sulfónico (DBSA) al 0,1% en peso, 50 μL de etilenoglicol (EG) al 5% en peso y 5 μL de 3-glicoxipropiltrimetoxisilano (GOPS) al 0,5% en peso y mézclalos a fondo para formar una solución mixta (es decir, PEDOT: precursor PSS).
      3. Remueve el precursor PEDOT: PSS durante la noche usando un agitador magnético, luego sonica durante 5 minutos
      4. Recubre el PEDOT: película semiconductora PSS para conectar los electrodos fuente y drenaje usando un recubridor de spin a una velocidad de spin de 4200 rpm, una velocidad acelerada de 200 rpm s-1 y un tiempo de mantenimiento de 60 s.
      5. Hornea la película a 130 °C durante 15 minutos en un horno, luego pipetea 10 μL de ácido sulfúrico concentrado (H2SO₄) sobre la película para eliminar el exceso de PSS.
      6. Enjuaga la película después con agua desionizada y luego hornea a 130 °C durante 10 minutos.
    2. Preparar la capa apilada PEDOT: BTB/PEDOT: PSS mediante electrodeposición.
      1. Prepara una solución que contenga 42 μL de 10 mM de 3,4-etilenooxitiofeno (EDOT), 0,02496 g de BTB, 40 mL de 1 mM de solución tampón de fosfato (PBS) y 0,4044 g de nitrato de potasio (KNO3). Mezcla y agita durante 10 minutos hasta obtener una solución roja.
      2. PEDOT de electrodepósito: BTB sobre la capa PSS recubierta de spin usando el método de voltametría cíclica (CV) de una estación de trabajo electroquímica potenciostática dual. Cortocircuitar la fuente (S) y drenar electrodos (D) para usarlos como electrodos de trabajo, usar un electrodo calomel saturado como electrodo de referencia, un cable Pt como electrodo contrario y la solución acuosa mixta como electrolito.
      3. Aplicar un potencial eléctrico que varía de 0 a 1 V sobre el electrodo de trabajo a una velocidad de barrido de 0,1 V⋅s-1 durante 15 ciclos.
      4. Limpia el canal electrodepositado con agua desionizada y luego sécalo a temperatura ambiente.
  2. Microscopio electrónico de barrido (SEM), microscopio de fuerza atómica (AFM), espectroscopía ultravioleta-visible (UV-vis) y caracterización electroquímica.
    1. Realizar caracterizaciones morfológicas de las películas usando SEM y AFM.
      1. Depositar las películas de capa simple y apilada sobre la hoja Au respectivamente, usando el Spin Coater a una velocidad de spin de 4200 rpm, una velocidad acelerada de 200 rpm s-1 y un tiempo de mantenimiento de 60 s.
      2. Operar el SEM a tensiones de aceleración de 1 kV y 3 kV en modo electrónico secundario para observar las morfologías superficiales y de sección transversal de la película de capa apilada tal como se prepara, respectivamente.
      3. Mide la película de una sola capa (espesor inferior a 115 nm) usando un aumento alto de 40.000 ×. Mide la película de capa apilada (grosor total 361 nm) usando grandes aumentos de 10.000 × y 40.000 × para dilucidar la electrodeposición de la película de capa apilada sobre la lámina de Au.
      4. Adopta el modo de tapping de un AFM para observar las variaciones de rugosidad superficial de las películas de capa única y de capa apilada.
      5. Ajusta el rango de escaneo AFM a 5 μm × 5 μm. Registrar la morfología 3D y calcular la rugosidad cuadrática media de la raíz.
    2. Caracterizar las propiedades fotoelectroquímicas de las capas apiladas mediante espectroscopía UV-vis. Ajustar el rango de longitudes de onda de 200 nm a 800 nm, resolución óptica a 0,73 nm, tamaño de la rendija a 10 μm, tiempo de integración a 11 ms y control de temperatura a 20–30 °C.
      1. Aplicar un spin-coat de la película de capa apilada sobre el óxido de indio-estaño (ITO) a una velocidad de centrifugación de 4200 rpm durante 60 s con una velocidad acelerada de 200 rpm s-1.
      2. Selecciona soluciones tampón de pH que van desde pH 3 hasta 9 en intervalos de dos órdenes de magnitud como electrolito para la celda del espectrofotómetro, y coloca el electrodo ITO modificado en la celda del espectrofotómetro alineada con el camino de la luz.
      3. Utiliza una bomba de microinyección para añadir y extraer sucesivamente 2 mL de soluciones electrolíticas con diferentes valores de pH en la celda del espectrofotómetro.
      4. Mide y adquiere los espectros de absorción de la capa apilada PEDOT: BTB/PEDOT: PSS en cada solución de pH.
      5. Coloca un cable Pt en la celda del espectrofotómetro y conecta el electrodo de trabajo (WE) de la estación electroquímica potenciostática dual al cable Pt. Aplicar tensiones de +0,6 V y -0,6 V. Conectar el electrodo de control (CE) de la estación de trabajo electroquímica potenciostática dual al electrodo modificado de la ITO.
      6. Preparar soluciones H2O2 (10-11–10-3 M) en 0,1× PBS con una conductividad de 34,39 ± 0,73 mS·cm-1. Coloque el electrodo ITO modificado en la celda del espectrofotómetro.
      7. Utiliza una bomba de microinyección para añadir y eliminar sucesivamente 2 mL de soluciones electrolíticas con diferentes concentraciones deH2O2 en la celda del espectrofotómetro.
      8. Mide y adquiere los espectros de absorción de la capa apilada PEDOT: BTB/PEDOT: PSS en diferentes soluciones H2O2 .
    3. Determinar los puntos de operación de la compuerta mediante mediciones electroquímicas.
      1. Realizar mediciones CV en 20 mL de solucionesH2O2 con diferentes concentraciones (configuradas en PBS de 0,1×, que van de 10-3 M a 10-11 M en intervalos de dos órdenes de magnitud) con la misma conductividad de 34,39 ± 0,73 mS cm-1.
      2. Utilizar un alambre Pt como electrodo de trabajo, la película de capa única modificada en la lámina de Au como electrodo contrario, un electrodo Ag/AgCl como electrodo de referencia y soluciones deH2O2 de diferentes concentraciones como electrolitos, respectivamente.
      3. Aplicar un potencial eléctrico que varía de -1 a 1 V sobre el electrodo de trabajo a una velocidad de barrido de 0,1 V⋅s-1.
      4. Mide el voltaje electrolito (VE) en 0,1 × PBS (equivalente a 1 mM PBS) sin mezclarH2O2.
      5. Introducir otro electrodo Ag/AgCl en el sistema OECT original (incluyendo fuente, drenador, electrodo de puerta Ag/AgCl y película semiconductora de capa apilada PEDOT: BTB/ PEDO: PSS), y cortocircuitar eléctricamente el electrodo adicional de Ag/AgCl y el electrodo fuente en el sistema OECT original.
      6. Conecte un oscilógrafo al electrodo adicional de Ag/AgCl, aplique una duración de medición de 2 s y una frecuencia de 10 kHz, y mide el VE.
      7. Medir los espectros de barrido de VE en 0,1 × PBS con diferentes concentraciones deH2O2 (que van de 10-11 M a 10-3 M en intervalos de dos órdenes de magnitud) con la misma conductividad de 34,39 ± 0,73 mS cm-1 bajo VG de ±0,6 V y VDS de -0,6 V, respectivamente.
      8. Adquiere el valor medio de los espectros de barrido y úsalo como el valor cuasi-equivalente de VE.

2. Preparación del sensor H2O2 basada en el proceso tradicional de microfabricación de despegue

  1. Cultiva una capa aislante deSiO 2 de 500 nm de espesor sobre un sustrato de Si tridimensional (3D) (es decir, capa de óxido de silicio 3D), y luego realiza un tratamiento ultrasónico con acetona, alcohol y agua desionizada durante 5 minutos cada uno en secuencia. Seca bajo nitrógeno durante 1 minuto.
  2. Recubre una capa de fotorresist negativo ROL-7133 sobre la capa de óxido de silicio usando un recubridor de spin (Paso 1: velocidad de rotación 500 rpm, tiempo 25 s, aceleración 100 rpm/s; Paso 2: velocidad de rotación 3.000 rpm, tiempo 54 s, aceleración 200 rpm/s; Paso 3: velocidad de rotación 4.000 rpm, tiempo 6 s, aceleración 1.000 rpm/s).
  3. Fija el sustrato de óxido de silicio recubierto con fotorresist sobre la máscara usando cinta PET, y luego colócala sobre una plataforma calefactora a una temperatura constante de 110 °C durante 90 s.
  4. Coloca la fotomáscara plana sobre la zona de litografía de la máquina de litografía y realiza el patrón fotolitótico bajo las siguientes condiciones litográficas: voltaje de la luz 0,65 V, tiempo 6,5 s.
  5. Colocar el sustrato de óxido de silicio con un patrón fotolitografía completo en la solución reveladora AZ-400K (solución estándar: agua = 1:4) durante 60 s de revelado. Después de la retirada, límpiate bien con agua desionizada y luego séquenla con gas nitrógeno.
  6. Pulveriza secuencialmente una capa de Ti de 20 nm y una capa de Au de 100 nm sobre la superficie del sustrato de óxido de silicio usando un instrumento de pulverización de magnetrón (potencia 50 W, multiplicada por 600 s).
  7. Remoja el sustrato en acetona durante 10 minutos y luego enjuaga el exceso de fotorresist.
  8. Enjuaga los microelectrodos preparados con agua desionizada durante 1 minuto y luego seca con nitrógeno durante 1 minuto.
  9. Diseña la geometría del canal entre la relación ancho-longitud 15:1 y un canal corto de 4μm en la fotomáscara
  10. Cinta PET patrón (1,2 mm de longitud, 0,6 mm de ancho) usando una máquina de corte láser ultravioleta como ventana para alinear la posición del electrodo de compuerta.
  11. Pulveriza secuencialmente una capa Pt de 100 nm sobre la superficie del electrodo de puerta usando un instrumento de sputtering magnetrón (potencia 50 W, tiempo 500 s).
  12. Cinta PET de patrón (60 μm de longitud, 15 μm de ancho) usando una máquina de corte láser ultravioleta como ventana para alinear la posición del canal.
  13. Aplicar el spin-coat del canal siguiendo los pasos 1.1.1 y 1.1.2.

3. Rendimiento de deteccióndel sensor H 2O 2 basado en OECT con el PEDOT apilado: BTB/PEDOT: capa semiconductora PSS

NOTA: Al medirel sensor H 2O 2 basado en OECT bajo una tensión fija de compuerta de +0,6 V, se debe al paso 3.1. Al medir bajo una tensión fija de puerta de -0,6 V, siga el Paso 3.2.

  1. Mide las variaciones de la corriente de salida (IDS) con diferentes concentraciones deH2O2 bajo una tensión fija de compuerta de +0,6 V.
    1. Inmersión 20 μL H2O2 con diferentes concentraciones (configuradas en 0,1× PBS, que van de 10-3 M a 10-11 M en intervalos de dos órdenes de magnitud) con la misma conductividad de 34,39 ± 0,73 mS cm-1 secuencialmente en la superficie del canal.
    2. Conecta los electrodos de fuente, drenaje y compuerta del sensorH2O2 a un medidor de fuente de doble puerto, respectivamente.
    3. Aplicar VDS de -0,6 V, VG de +0,6 V, un tiempo de medición de 40-150 s para adquirir la salida de equilibrio cuasi-relativo IDS, y una duración de medición de 10 s en modo de voltaje constante de una sola etapa.
    4. Enjuaga la superficie del canal con agua desionizada antes de medir la siguiente soluciónH2O2.
    5. Adquiere el valor de DS en estado estacionario I.
  2. Mide las variaciones de IDS con diferentes concentraciones deH2O2 bajo un voltaje fijo de puerta de -0,6 V.
    1. Inmersión de 20 μL de solucionesH2O2 con diferentes concentraciones (configuradas en 0,1× PBS, que van de 10-3 M a 10-11 M en intervalos de dos órdenes de magnitud) con la misma conductividad de 34,39 ± 0,73 mS cm-1 secuencialmente en la superficie del canal.
    2. Conecta los electrodos de fuente, drenaje y compuerta del sensorH2O2 al medidor de fuente de doble puerto, respectivamente.
    3. Aplicar VDS de -0,6 V, VG de -0,6 V, un tiempo de medición de 40-150 s para obtener la salida de equilibrio cuasi-relativo IDS, y una duración de medición de 10 s en modo voltaje constante de una sola etapa.
    4. Enjuaga la superficie del canal con agua desionizada antes de medir la siguiente soluciónH2O2.
    5. Adquiere el valor de DS en estado estacionario I.

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Resultados

Este artículo caracteriza inicialmente el material de canal PEDOT: BTB/PEDOT: PSS de capa apilada utilizando espectroscopía SEM, AFM, UV-VIS y mediciones electroquímicas. Las imágenes SEM y AFM (Figura 1 y Figura 2) revelan que la capa apilada PEDOT: BTB/PEDOT: PSS de 241 nm de grosor presenta abundantes estructuras granulares, en contraste con la superficie relativamente lisa de la película PEDOT: PSS de una so...

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Discusión

El éxito del protocolo se basa en tres pasos críticos interdependientes, cada uno validado mediante caracterización experimental. En primer lugar, la fabricación del material de canal de capa apilada (Protocolo 1.1) requiere un control preciso sobre PEDOT: recubrimiento de spin PSS (4200 rpm durante 60 s, seguido de hornear a 130 °C) y PEDOT: electrodeposición BTB (donde el canal PEDOT: PSS cortocircuitado sirve como electrodo de trabajo, con un potencial eléctrico que v...

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Divulgaciones

Los autores no tienen conflictos de interés que revelar.

Agradecimientos

Esta investigación fue apoyada por la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China (52175542 y 52203316), el Proyecto Especial de Cooperación e Intercambio en Ciencia y Tecnología de la provincia de Shanxi (Nº 202304041101032), el Programa de Fondos para las Actividades Científicas de Profesionales Seleccionados Retornados en el Extranjero en la Provincia de Shanxi (20240007), el Proyecto de Investigación apoyado por el Consejo de Becas de Shanxi de China (N.º 2024062), el Programa Especial de Transformación de Patentes de la Provincia de Shanxi (Nº 202304012). Fundación de Ciencias Postdoctorales de China (N.º 2024M762331), Fundación de Ciencias Naturales de la provincia de Shanxi (N.º 20210302123136 y 202103021223068), y la estación de innovación doctoral de la provincia de Shanxi (Xinzhou) para apoyar esta investigación.

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Materiales

Lista de materiales utilizados en este artículo
NombreEmpresaNúmero de catálogoComentarios
10 y más; Solución salina tamponada con fosfato (PBS)Lanbolide Trading Co., LTDP7209Pureza: ≥ 99%
3,4-etilenooxitiofeno (EDOT)Shanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., ChinaE105649-25gPureza: ≥ 99%
3-glicoxipropiltrimetoxisilano (GOPS)Shanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., ChinaG107576Pureza: ≥ 97%
DesarrolladorSuzhou Yancai Weina Technology Co., Ltd.AZ 400K
Azul de bromotimol (BTB)Sinopharm Group Chemical Reagent Co., LTDB801811-25gPureza: ≥ 95%
Agua desionizadaShanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., ChinaW11942418.2 Mfigure-materials-1 cm 
Microscopio digitalCorporación Olympus de JapónDSX1000Una observación superficial del canal tal como se preparó el OECT
Ácido dodecil benceno sulfónico (DBSA)Shanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., ChinaD106550Pureza: ≥ 90%
Estación de trabajo electroquímica potenciostática dualMetrohm AG, SuizaVIONIC
Medidor de Fuente de doble puertoTek Technology Co., LTDKeithley 2636B
Sputtering de magnetrón de doble objetivoShenyang Kejing Automation Equipment Co., LTDVTC-600-2HD
Etilenglicol (EG)Shanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., ChinaE119700Pureza: ≥ 99.8%
Peróxido de hidrógeno (H2O2)Compañía Bioquímica HuizeELPureza: ≥ 35%
N-metil1-2-pirroldona (NMP)Sigma-Aldrich (Shanghai) Trading Co., Ltd.328634Pureza: ≥ 99.5%
Poli(3,4-etilenooxitiofeno): sulfonato de poliestireno (PEDOT: PSS)Sigma-Aldrich (Shanghai) Trading Co., Ltd.739332Pureza: ≥ 99.7%
Tereftalato de polietileno (PET)Sigma-Aldrich (Shanghai) Trading Co., Ltd.GF09063581
Nitrato de potasio (KNO3)Sinopharm Group Chemical Reagent Co., LTD10017218Pureza: ≥ 99.0%
FotorresistSuzhou Yancai Micro-Nano Technology Co., LTDROL-7133
Microscopio Electrónico de Barrido (SEM)Compañía Carl Zeiss de AlemaniaGemini Sigma 300
Bobinador de hiladoJiangsu Leibo Scientific Instrument Co., LTDEZ4
Ácido sulfúrico (H2SO4)Sinopharm Group Chemical Reagent Co., LTD1002160895.0-98.0%
Microscopía de Fuerza Atómica (AFM)Bruker Corporation de los Estados UnidosIcono de dimensión de Bruker
Máquina de marcado láser ultravioletaShanghai Cifang Electrical Technology Co., LTDRD-JW355
Espectrofotometría ultravioleta-visible (UV-vis)Ocean Insight Company de los Estados UnidosOCÉANO-HDX-UV-VIS

Referencias

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