Name: Transferencia Forward inducida por láser para Flip-chip de embalaje de muñones individuales (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-03-20T14:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 21 s
Description: Aprende la técnica LIFT para el ensamblaje flip-chip de componentes optoelectrónicos mediante transferencia láser de microbumps. Este método ofrece una solución de baja temperatura, rentable y flexible para circuitos de alta densidad.

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Este trabajo se llevó a cabo en el marco del proyecto "MIRAGE", financiado por la Comisión Europea dentro del programa FP7.

1. Levante asistida flip-chip Bonding NOTA: Hay tres etapas involucradas en la realización de las asambleas flip-chip LIFT asistida, es decir, micro-golpes de los sustratos utilizando la técnica LIFT, adjuntando los chips optoelectrónicos a los sustratos chocaron con el método de unión flip-chip termo-compresión, y finalmente encapsulación de las asambleas de servidumbre. Cada una de estas etapas se discute en las siguientes secciones: <ol><li> Micro-chocar usando LIFT: <ol><li> Para la preparación de los donantes, depositar una película delgada de material donante en un sustrato portador transparente al láser. Para este experimento, se evapora una gruesa película de 200 nm de metal de indio en la parte superior del sustrato de soporte de vidrio con dimensiones: espesor de 2 pulgadas de diámetro x 0,05 cm. NOTA: método de preparación de los donantes depende de la fase del material del donante, por ejemplo, utilizar la evaporación y pulverización catódica para los materiales donantes en fase sólida y spin-recubrimiento y médico-Perfilado de donante en fase líquidas. </li><li> Para la preparación del receptor, utilizar sustratos de vidrio con dimensiones de 5 x 5 x 0,07 cm 3 como los receptores. Patrón de estos sustratos con las almohadillas de contacto metálicos para unir el chip de la OE y fan-out sondeo estructuras usando fotolitografía. Para este experimento, patrón de 4 m de espesor terminales de unión Ni-Au y fan-out sondeo pistas sobre sustratos del receptor de vidrio. </li><li> Luego, coloque el donante en contacto con el receptor y montar el conjunto donante-receptor en una etapa de traslación XY controlada por ordenador. NOTA: En función de la fase del material donante (por ejemplo, sólido (indio) o líquido (tinta / pegar)) y su espesor, el donante y los sustratos del receptor se colocan en una separación óptima que puede ser controlado fácilmente (por ejemplo, usando espaciadores metálicos). </li><li> Enfocar el haz láser incidente en la interfase portador de donantes que emplea una lente de objetivo de 160 mm de distancia focal y explorar el haz (20 micras tamaño del punto) a través del substrat donantee para la transferencia de donantes micro-protuberancias en el receptor de bonos-pads. Utilice una fuente de láser de picosegundos de longitud de onda de 355 nm y 12 duración del pulso psec a LEVANTAR golpes de indio en el receptor de bonos-pads a una fluencia de 270 mJ / cm2. NOTA: Las propiedades de láser, como la energía, no. de legumbres, altura lente objetivo, las coordenadas de su ubicación exacta en el sustrato del receptor de donantes impresión micro-golpes y el modelo deseado para ser transferidos son controlados con precisión mediante un programa informático. Parámetros experimentales clave (por ejemplo, la transferencia de fluencia) necesitan ser optimizado en caso de utilizar otra fuente láser. </li><li> Para protuberancias gruesas mover el donante a un área fresca y repita el paso 1.1.4 varias veces. Por ejemplo, repita el paso 1.1.4 seis veces para obtener una pila de 6 golpes de indio impresos en la parte superior de uno al otro para este experimento. La final levantó pápulas tienen una altura promedio de ~ 1,5 my un diámetro de 20 mm (Figura 2). NOTA: Para estos experimpadres el perfil de la superficie y el espesor de las protuberancias se midieron usando un perfilómetro óptico. Fue examinado si los golpes tenían una morfología convexa / cúpula con un espesor medio de 1,5 micras, de media sobre el diámetro golpe (como se marca amarilla en la Figura 3). La razón de esto se atribuye al hecho de que el donante se fundió en la zona de láser irradiado y el sedimento transferido luego re-solidificó al llegar a la superficie del receptor (indio tiene un punto de fusión bajo). La ventaja de esto es que resulta en una buena adherencia de la protuberancia impresa a las almohadillas de contacto VCSEL. </li></ol></li><li> Chip al sustrato unión termo-compresión (Figuras 4-6): <ol><li> Utilice una semiautomática bonder flip-chip para la unión de los chips optoelectrónicos a los sustratos golpeado. </li><li> Cargue el receptor golpeado y el chip para estar unidos en sus respectivas placas de vacío del dispositivo de adhesión. Coloque el chip en una posición invertida, es decir, con su área activa faclas marchas. </li><li> Utilice una herramienta de recogida adecuado y corresponda con el centro del chip. Utilice una herramienta en forma de aguja, como se muestra en la Figura 5. A continuación, elija el chip utilizando esta herramienta de recogida. </li><li> Alinear los chips de bonos-pads con las almohadillas de contacto correspondientes en el sustrato receptor mediante un sistema de cámara-alineación. </li><li> Una vez alineado lugar el chip sobre el sustrato. </li><li> Aplicar calor (~ 200 ° C) y presión (12,5 gf / golpe) simultáneamente a darse cuenta de chip al sustrato interconexiones eléctricas y mecánicas. </li></ol></li><li> La encapsulación de los conjuntos de servidumbre (Figuras 4-6): <ol><li> Dispensar un adhesivo ópticamente transparente alrededor de los bordes del conjunto unido utilizando una aguja de jeringa. La encapsulación aumenta la fiabilidad mecánica de los conjuntos unidos. Utilice un único adhesivo curable UV componente como NOA 86 para encapsular los chips unidos. </li><li> Curar el adhesivo usando una lámpara UV para ~ 30 seg. </li></ol></li></ol> 2. Caracterización de los Vertical-cavidad láseres de emisión superficial en condiciones de servidumbre (VCSEL) NOTA: Después de la fabricación el siguiente paso es evaluar el rendimiento electro-óptica de los conjuntos de servidumbre. Los-corriente-tensión de luz (LIV) curvas de los dispositivos se registran después de la unión usando una estación de sonda. Los siguientes pasos están involucrados para la prueba: <ol><li> Coloque el flip-chip dispositivo unido a un escenario transparente a medida. La etapa tiene un agujero perforado en el centro para facilitar el acceso a la luz emitida por los VCSELs. </li><li> Coloque un fotodetector (PD) debajo del escenario transparente y alinear su área activa con el chip unido usando un microscopio. </li><li> Colocar con precisión las agujas de sondeo en el Ni-Au sondeo almohadillas con un microscopio. </li><li> Inyectar hasta 10 mA de corriente y medir la caída de voltaje a través del VCSEL y la luz emitida por éste utilizando un / unidad de fuente de voltaje de corriente-metro y un metro de potencia restivamente. </li></ol>

<ol><li>Davis, E., Harding, W., Schwartz, R., Coring, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Solid+logic+technology%3A+versatile%2C+high+performance+microelectronics%5BTitle%5D)+AND+%22IBM+J.+Res.+Develop%22%5BJournal%5D)">Solid logic technology: versatile, high performance microelectronics.</a> IBM J. Res. Develop. 8, 102-114 (1964).</li>
<li>Bigas, M., Cabruja, E., Lozano, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Bonding+techniques+for+hybrid+active+pixel+sensors+%28HAPS%29%5BTitle%5D)+AND+%22Nucl.+Instrum.+Methods+Phys.+Res.+A%22%5BJournal%5D)">Bonding techniques for hybrid active pixel sensors (HAPS).</a> Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 574 (2), 392-400 (2007).</li>
<li>Bohandy, J., Kim, B. F., Adrian, F. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Metal+deposition+from+a+supported+metal+film+using+an+excimer+laser%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Metal deposition from a supported metal film using an excimer laser.</a> J. Appl. Phys. 60 (4), 1538-1539 (1986).</li>
<li>Kaur, K. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Shadowgraphic+studies+of+triazene+assisted+laser-induced+forward+transfer+of+ceramic+thin+films%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Shadowgraphic studies of triazene assisted laser-induced forward transfer of ceramic thin films.</a> J. Appl. Phys. 105 (11), 113119(2009).</li>
<li>Boutopoulos, C., Pandis, C., Giannakopoulos, K., Pissis, P., Zergioti, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Polymer%2Fcarbon+nanotube+composite+patterns+via+laser+induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Physc.+Lett%22%5BJournal%5D)">Polymer/carbon nanotube composite patterns via laser induced forward transfer.</a> Appl. Physc. Lett. 96, 041104(2010).</li>
<li>Xu, J., Liu, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-assisted+forward+transfer+of+multi-spectral+nanocrystal+quantum+dot+emitters%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Laser-assisted forward transfer of multi-spectral nanocrystal quantum dot emitters.</a> Nanotechnology. 18 (2), 025403(2007).</li>
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<li>Papazoglou, S., Raptis, Y. S., Chatzandroulis, S., Zergioti, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((I.A+study+on+the+pulsed+laser+printing+of+liquid+phase+exfoliated+graphene+for+organic+electronics%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+A%22%5BJournal%5D)">I.A study on the pulsed laser printing of liquid phase exfoliated graphene for organic electronics.</a> Appl. Phys. A. , (2014).</li>
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<li>Stewart, J. S., Lippert, T., Nagel, M., Nuesch, F., Wokaun, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Red-green-blue+polymer+light-emitting+diode+pixels+printed+by+optimized+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Red-green-blue polymer light-emitting diode pixels printed by optimized laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 100 (20), 203303(2012).</li>
<li>Kaur, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Waveguide+mode+filters+fabricated+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">Waveguide mode filters fabricated using laser-induced forward transfer.</a> Opt. Express. 19 (10), 9814-9819 (2011).</li>
<li>Kuznetsov, A. I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser+fabrication+of+large-scale+nanoparticle+arrays+for+sensing+applications%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Laser fabrication of large-scale nanoparticle arrays for sensing applications.</a> ACS Nano. 5 (6), 4843-4849 (2011).</li>
<li>Rapp, L., Diallo, A. K., Alloncle, A. P., Videlot-Ackermann, C., Fages, F., Delaporte, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Pulsed-laser+printing+of+organic+thin-film+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Pulsed-laser printing of organic thin-film transistors.</a> Appl. Phys. Lett. 95 (17), 171109(2009).</li>
<li>Assembly of optoelectronics for efficient chip-to-waveguide coupling. Bosman, E., Kaur, K. S., Missinne, J., Van Hoe, B., Van Steenberge, G. 15th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), Dec 11-13, , 630-634 (2013).</li>
<li>Kaur, K. S., Missinne, J., Van Steenberge, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flip-chip+bonding+of+vertical-cavity+surface-emitting+lasers+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Flip-chip bonding of vertical-cavity surface-emitting lasers using laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 104 (6), 061102(2014).</li>
<li>Kaur, K. S., al, et <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-induced+forward+transfer+of+focussed+ion+beam+pre-machined+donors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Laser-induced forward transfer of focussed ion beam pre-machined donors.</a> Appl. Surf. Sci. 257 (15), 6650-6653 (2011).</li>
</ol>

Los autores no tienen nada que revelar.

En este trabajo, hemos demostrado termo-compresión flip-chip pegado de virutas VCSEL individuales utilizando una técnica de escritura directa con láser basado llamado LIFT. Las etapas de fabricación montaje involucrados impresión de los micro-golpes de indio en las zonas de contacto sustrato utilizando la técnica de ascensor. Esto fue seguido por termo-compresión flip-chip de unión de los chips de VCSEL a los sustratos golpeado y, finalmente, su encapsulación. Eléctrico, óptico y mecánico fi...

Laser-inducida Transferencia Forward (LIFT) es un directo escribir método de fabricación aditiva versátil para definición del patrón de un solo paso y de transferencia de material con micrones y sub micrones de resolución. En este trabajo, nos informe el uso de LIFT como técnica chocar para el envasado flip-chip de cavidad vertical de emisión de superficie láseres (VCSEL) en una escala de chip. Flip-chip es una tecnología clave en envases sistema y la integración de (OE) componentes electrónicos y optoelectrónicos. Con el fin de lograr la integración densa de los componentes de unión de paso fino es esencial. Aunque unión paso fino ha sido demostrado por algunas de las técnicas estándar, pero hay un vacío en términos de combinar juntos las otras características importantes tales como la flexibilidad, la rentabilidad, la velocidad, la precisión y la baja temperatura de procesamiento. Con el fin de cumplir con estos requisitos demostramos método de unión LIFT-asistida termo-compresión para la unión de paso fino de los componentes de OE. En LIFT, una película delgada de material a ser impreso (denominado el donante) se deposita sobre una cara de un sustrato de soporte transparente al láser (referido como el portador). La Figura 1 representa el principio básico de esta técnica. Un pulso de láser incidente de suficiente intensidad se centra entonces en la interfaz carrier-donante que proporciona la fuerza propulsora necesaria para reenviar transferir el pixel de donantes de la zona irradiada sobre otro sustrato (referido como el receptor) situado en las proximidades. LIFT se informó por primera vez en 1986 por Bohandy como una técnica para imprimir las líneas de cobre de tamaño micrométrico para la reparación de daños foto-máscaras 3. Desde su primera demostración de esta técnica ha ganado un interés significativo como una tecnología de fabricación de micro-nano para el patrón controlado y la impresión de una amplia gama de materiales tales como la cerámica, 4 CNTs 5, 6 puntos cuánticos, las células vivas 7, gráficoeno 8, para diversas aplicaciones tales como biosensores 9, OLEDs 10, componentes optoelectrónicos 11, sensores plasmónicas 12, orgánico-electrónica 13 y la unión 14,15 flip-chip. LIFT ofrece varias ventajas sobre los golpes y técnicas de unión flip-chip existentes, como la simplicidad, velocidad, flexibilidad, rentabilidad, alta resolución y precisión para el envasado de flip-chip de componentes de equipo original.

<table><tbody><tr><td>Fuente láser</td><td>3D MicroMac (3DMM)</td><td>2912-295</td><td></td></tr><tr><td>Fotodetector</td><td>Newport&nbsp;</td>Serie <td></td><td>818</td></tr><tr><td>Unidad de medición de la fuente</td><td>Keithley&nbsp;</td><td>2401</td><td></td></tr><tr><td>Medidor de potencia</td><td>Newport &nbsp;</td><td>1930</td><td></td></tr><tr><td>Lámpara</td> UV <td>Norlands</td><td>NOA 86</td><td></td></tr><tr><td>Omnicure</td><td></td><td>Series 1000</td> Estación de sonda UV <td></td></tr><tr><td></td><td>Cascade Microtech</td><td>modelo 42</td><td></td></tr><tr><td>Flip-chip bonder</td><td>Dr. Tresky</td><td>T-320 X</td><td></td></tr></tbody></table>

transferencia forward inducida por láser para flip-chip de embalaje de muñones individuales

Laser-induced Forward Transfer for Flip-chip Packaging of Single Dies

Flip-chip (FC) de envasado es una tecnología clave para la realización de alto rendimiento, circuitos de ultra miniaturizado y de alta densidad en la industria microelectrónica. En esta técnica el chip y / o el sustrato es golpeado y los dos están unidos a través de estos topes conductores. Muchas de las técnicas que chocan se han desarrollado e intensamente investigado desde la introducción de la tecnología FC en 1960 1, tales como la impresión de la plantilla, golpes espárrago, la evaporación y electrolítico / galvanoplastia 2. A pesar del progreso que estos métodos han hecho todos ellos sufren de una o más de uno inconvenientes que deben abordarse tales como el costo, las etapas de procesamiento complejas, las temperaturas altas de procesamiento, el tiempo de fabricación y lo más importante la falta de flexibilidad. En este trabajo se demuestra una protuberancia técnica simple y rentable basado en láser que forma conocida como inducida por láser Transferencia Forward (LIFT) 3. Utilizando la técnica LIFT una amplia gama de materiales bump puede be impreso en un solo paso con gran flexibilidad, alta velocidad y precisión a TA. Además, LIFT permite al chocar y unión a chip de escala, lo cual es fundamental para la fabricación de circuitos de ultra-miniatura.

La Figura 7 muestra una curva típica LIV que fue grabado de uno de los muchos flip-chip unidos chips de VCSEL. Una buena combinación entre la potencia óptica medida al proveedor citó valores indicados buen funcionamiento de los dispositivos enlazados post-unión. Las curvas también se registraron prioridad y después de la encapsulación y en la comparación se verificó que el encapsulante no tuvo ningún efecto sobre la funcionalidad de chip (como se muestra en la Figura 7). También, una co...

Se demuestra el uso de la transferencia (LIFT) técnica Forward inducida por láser para el montaje flip-chip de componentes optoelectrónicos. Este enfoque proporciona una, rentable y de baja temperatura simple, solución rápida y flexible para chocar de paso fino y unión en el chip escala para alcanzar circuitos de alta densidad para aplicaciones optoelectrónicas.

Transferencia Forward inducida por láser para Flip-chip de embalaje de muñones individuales

Flip-chip (FC) packaging is a key technology for realizing high performance, ultra-miniaturized and high-density circuits in the micro-electronics ...

El objetivo general de este procedimiento es demostrar el uso de la técnica de transferencia hacia adelante inducida por láser para el encapsulado tipo flip chip de componentes optoelectrónicos. Esto se logra depositando una película delgada de metal, el donador, sobre un sustrato de vidrio transparente, el portador. El segundo paso consiste en estructurar otro sustrato de vidrio, el receptor, mediante fotolitografía, con pads de contacto metálicos y estructuras de prueba sobre las cuales se transfieren microbultos donadores.A continuación, se ponen en contacto el donador y el receptor, y se enfoca un pulso láser en la interfaz del portador donador. El pulso transfiere hacia adelante el microbús donador desde la zona irradiada hacia las almohadillas de contacto del receptor. El paso final consiste en alinear un chip optoelectrónico al sustrato receptor levantado y realizar una unión por compresión térmica tipo flip chip, seguida de la encapsulación del conjunto unido.Por último, los chips optoelectrónicos unidos se caracterizan eléctrica, ópticamente y mecánicamente para demostrar el funcionamiento exitoso de los chips unidos con asistencia de elevación. Las principales ventajas de la técnica de elevación frente a los métodos existentes, como la impresión con plantilla, evaporación, galvanizado y electrodeposición, son que es un proceso sencillo, rápido, rentable, se realiza a baja temperatura y, sobre todo, ofrece la flexibilidad que carecen la mayoría de estas técnicas estándar.Las implicaciones de esta técnica se extienden hacia aplicaciones que requieren bumping y unión a nivel de chip con alta precisión y paso fino para interconexiones de alta densidad. El primer paso es preparar los sustratos para el experimento. Este video comienza con la preparación de sustratos de vidrio de dos pulgadas y de cinco centímetros por cinco centímetros para el donador y el receptor, respectivamente.El sustrato donador tiene una película delgada de metal indie de 200 nanómetros de espesor evaporada sobre su superficie. El sustrato receptor ha sido estructurado mediante fotolitografía. El patrón incluye pads de unión de níquel y oro de cuatro micrómetros de espesor y estructuras de fanout para sondeo.Una vez que los sustratos estén listos, colóquelos en el sistema de transferencia hacia adelante inducida por láser o en el montaje de lift. El montaje de lift consta de un láser con una longitud de onda de 355 nanómetros y una duración de pulso de 12 picosegundos, así como de una lente objetiva. Primero, el sustrato receptor se coloca sobre la mesa de vacío del sistema de traslación.Luego, la posición de impresión sobre el sustrato receptor se define mediante un sistema de visión por cámara; coloque el donador encima del sustrato receptor. El donador y el receptor deben estar en contacto, con el donador primero en la trayectoria óptica del láser. Utilice el sistema de visión por cámara para ajustar el enfoque y focalizar el haz láser sobre la interfaz del donador portador.En el software de control del láser, ingrese el patrón deseado para los bultos de indio que se transferirán a las almohadillas de conexión del receptor y comience el escaneo. A continuación, se muestra un ejemplo de las almohadillas de conexión del receptor después de que se han transferido los bultos. Se pueden crear bultos más gruesos moviendo el donante a un área nueva y repitiendo el escaneo.Los bultos impresos se inspeccionan utilizando el sistema de cámara del software. Después de retirar el sustrato donante desde la parte superior para continuar, recupere el receptor con bultos del estadio de traslación. Lleve un receptor con bultos a un bonder de chip invertido semiautomático para unirlo a un chip optoelectrónico.Coloque el receptor sobre la placa de vacío adecuada. Luego obtenga un chip optoelectrónico vixo para unirlo al sustrato receptor con bultos. Esta es una imagen de un chip vixo, que mide aproximadamente 1000 micrómetros por 350 micrómetros.Cargue el VLE en una placa de vacío del bonder con su área activa hacia abajo. Ahora comience el proceso de unión. Primero, seleccione la herramienta de recogida con forma de aguja y alinéela en el centro del chip del VLE.Tomar el chip y utilizar el sistema de alineación de cámara para alinear las almohadillas de conexión del chip con las almohadillas de contacto correspondientes en el sustrato receptor. Una vez alineadas las almohadillas, colocar el chip sobre el sustrato y unir ambos aplicando una fuerza de 12.5 gramos por bump a una temperatura de aproximadamente 200 grados Celsius durante unos cinco minutos. Tras completar la unión, usar una aguja de jeringa para dispensar un adhesivo transparente curable por UV alrededor de los bordes del conjunto.Endurez el adhesivo con una lámpara UV durante aproximadamente 30 segundos. Luego retire el ensamblaje para caracterizarlo. Después de la fabricación, el ensamblaje unido está listo para la evaluación de su rendimiento electroóptico. Utilice una estación de prueba con puntas para registrar las curvas de corriente, voltaje y luz.Equipe la estación con una plataforma que tenga un orificio en su centro para permitir el paso de la luz emitida por el vle unido y monte el sustrato con el chip invertido sobre ella. Asegúrese de que el vle unido esté alineado con el orificio. A continuación, coloque un detector de luz por debajo de la plataforma.Utilice un microscopio para alinear su área activa con el chip unido y luego continúe posicionando con precisión las agujas de prueba sobre las almohadillas de prueba de níquel-oro. Esta es una imagen de un chip correctamente alineado con las sondas en posición para una medición. Durante las mediciones, inyecte hasta 10 miliamperios de corriente y mida la caída de voltaje a través del vle y la potencia de la luz emitida.Las líneas azul sólida y roja punteada representan datos de mediciones de corriente y voltaje del chip optoelectrónico antes y después de la encapsulación. La curva negra sólida y la curva negra punteada corresponden a los datos de potencia óptica emitida por el chip optoelectrónico antes y después de la encapsulación. Estos datos confirman el funcionamiento exitoso del VIX Excels tras la unión y que el ENCAPSULANTE no tuvo efecto sobre la funcionalidad del chip.En este gráfico se comparan las curvas de corriente-voltaje registradas para ensamblajes tipo flip chip unidos con diferentes presiones con aquellas registradas a partir de un chip desnudo. Esto respalda la conclusión de que no existe una resistencia adicional significativa debida a las microbolas impresas mediante transferencia hacia adelante inducida por láser. Los chips de láser de emisión superficial por cavidad vertical unidos fueron sometidos a pruebas de envejecimiento en una cámara climática a 85 grados Celsius y 85 % de humedad relativa durante 400 horas.La resistencia media de corriente continua en rojo no muestra cambios a lo largo del tiempo para la potencia óptica media; se registró un cambio de menos de 0,3 decibelios en azul. Una vez que haya optimizado los parámetros para la impresión por levantamiento y la unión por termo-compresión, puede realizar el encapsulado en menos de 10 minutos. Después de ver este video, debería tener una buena comprensión del uso de la técnica de levantamiento para el encapsulado de chips invertidos de componentes ópticos crónicos individuales, que además puede escalarse hasta el nivel de oblea.

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