Fabricación de puerta-sintonizables grafeno dispositivos de escaneo de Estudios microscopía de efecto túnel con Coulomb impurezas

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24 de julio de 2015

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Han Sae Jung¹^,² , Hsin-Zon Tsai¹ , Dillon Wong¹ , Chad Germany¹ , Salman Kahn¹ , Youngkyou Kim¹^,³ , Andrew S. Aikawa¹ , Dhruv K. Desai¹ , Griffin F. Rodgers¹ , Aaron J. Bradley¹ , Jairo Velasco Jr.¹ , Kenji Watanabe⁴ , Takashi Taniguchi⁴ , Feng Wang¹^,⁵^,⁶ , Alex Zettl¹^,⁵^,⁶ , Michael F. Crommie¹^,⁵^,⁶

¹Department of Physics, University of California at Berkeley, ²Department of Chemistry, University of California at Berkeley, ³Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California at Berkeley, ⁴National Institute for Materials Science (Japan), ⁵Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, ⁶Kavli Energy NanoSciences Institute, University of California at Berkeley and Lawrence Berkeley National Laboratory

Este artículo detalla el proceso de fabricación de un dispositivo de grafeno sintonizable por puerta, decorado con impurezas de Coulomb para estudios de microscopía de efecto túnel de barrido. El mapeo de la estructura electrónica espacialmente dependiente del grafeno en presencia de impurezas cargadas revela el comportamiento único de sus portadores de carga relativistas en respuesta a un potencial de Coulomb local.