Electron Canalización de imágenes de contraste para Rapid III-V heteroepitaxial Caracterización

El concepto básico de esta técnica es utilizar la canalización de electrones y los fenómenos de retrodispersión dentro de un microscopio electrónico de barrido como modo para la obtención de imágenes basadas en la difracción de defectos cristalinos. Utilizando el patrón de canalización de electrones como guía, la muestra se orienta dentro del microscopio para establecer las condiciones de difracción de Bragg entre el haz de electrones y los planos de cristal. Esto da como resultado la canalización de electrones y, por lo tanto, el rendimiento de dispersión trasera.

Cuando se encuentran en condiciones de difracción, los defectos cristalinos crean perturbaciones en los planos de red que dispersan electrones fuera del haz canalizado, creando regiones localizadas de mayor señal de retrodispersión. Estas características de defectos se pueden obtener de manera efectiva escaneando el haz de electrones a través de la superficie de la muestra y mapeando la señal de retrodispersión de electrones. Las imágenes resultantes son equivalentes a las obtenidas a través de TEM, pero se producen en solo una fracción del tiempo, lo que la convierte en una poderosa técnica de caracterización rápida con aplicaciones en una amplia gama de áreas de investigación de materiales cristalinos.