Name: Síntesis del jerárquica ZnO / CdSSe heteroestructura Nanotrees (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2016-11-29T12:30:00.000+00:00
Duration: 6 min 50 s
Description: Aprende a sintetizar nanoárboles jerárquicos de ZnO/CdSSe mediante deposición de vapor químico para aplicaciones en conversión de energía solar y dispositivos optoelectrónicos.

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Los autores agradecen a Svilen Bobev por su ayuda con los espectros de difracción de rayos X y K. Booksh de asistencia con el equipo Sputter.

1. Síntesis de árbol-como ZnO / CdSSe nanoestructuras <ol><li> El pretratamiento y el oro de recubrimiento de sustratos de zafiro NOTA: La película de oro actúa como un catalizador en el crecimiento de los nanocables de ZnO. <ol><li> diapositivas de zafiro limpio (un avión, 10 x 10 x 1 mm) en el 99,5% de etanol con 5 min de tratamiento con ultrasonidos para preparar el sustrato de Au pulverización catódica. </li><li> Depositar a 10 nm (± 2 nm) de espesor de película de oro sobre los portaobjetos de zafiro con un dispositivo de recubrimiento por pulverización catódica y objetivo de oro. </li></ol></li><li> Síntesis de nanocables de ZnO NOTA: La etapa de sonicación 1.2.2 resultados en una ZnO homogénea y carbono (/ C ZnO) mezcla. Después de mezclar, la mezcla cambia a un color gris. La etapa de compactación 1.2.3 asegura que el aire no está presente en la mezcla y que el ZnO y el carbono están en estrecho contacto. Después de CVD, una película blanca de nanocables de ZnO debe ser depositado sobre el sustrato, lado que mira hacia el barco. <ol><li> Mezclar 1 g de ZnO y nanopowder activcarbono ated (proporción en masa de 50:50) en 10 ml de etanol al 99,5% y mezclar bien con una espátula. </li><li> Sonicar la mezcla en un baño de agua a 20 ºC durante 30 minutos, y luego se seca en un horno durante ~ 5 horas a 80 ºC. </li><li> Colocar la mezcla ZnO / C en un bote de aluminio y compacto bien con una espátula. </li><li> Colocar los portaobjetos de zafiro recubiertas de oro en la parte superior de la embarcación de alúmina, con el lado recubierto de oro hacia abajo. Coloque el barco de alúmina en el centro del tubo de cuarzo en un horno de tubo horizontal. </li><li> Purgar el tubo de cuarzo durante 1 hora con Ar a un caudal de 40 sccm a temperatura ambiente (RT). Aumentar la temperatura de RT a 900 ºC a una velocidad de 80 ºC / min y mantener constante el caudal de argón. </li><li> Mantenga la temperatura a 900 ° C durante 2 horas. Abrir el tubo de cuarzo en ambos extremos mediante la eliminación de las entradas de gas tapón de goma y dejar que entre aire en el tubo para proporcionar oxígeno para la reacción. </li><li> Mantenga la temperatura de reacción a 900 ° C durante 3 horas con el rutapones bber quitados. Enfriar a temperatura ambiente a una velocidad de 10 ºC / min. </li><li> Tome el barco y la corredera fuera del horno. </li></ol></li><li> La deposición de ramas CdSSe en nanocables de ZnO NOTA: El barco de alúmina de CdS / Se fue representada en el centro del tubo de cuarzo. Los nanocables de ZnO preparados se enfrentan hacia arriba y eran de 10 cm abajo de la embarcación. Después de este segundo CVD, un / película de color amarillo anaranjado, que es la nanoestructura ZnO / CdSSe, debe ser depositado en la diapositiva. <ol><li> Mezclar 0,5 g de CdS y CdSe (CdS / Se) y polvo (fracción de masa de 50:50) y colocar la mezcla en un bote de alúmina. Compactar bien la mezcla. </li><li> Coloque el bote de alúmina de CdS / SE y la muestra de ZnO nanocables preparado previamente en el tubo de cuarzo. </li><li> Purgar el tubo con Ar a un caudal de 40 sccm a RT durante 1 hr. Aumentar la temperatura de reacción a 820 ºC a una velocidad de 80 ºC / min. Mantenga la temperatura a 820 ºC durante 30 min. </li><li> Enfriar a RT auna velocidad de 10 ºC / min. Tome el barco y la corredera fuera del horno. </li></ol></li><li> Síntesis de las muestras de control: ZnO y CdSSe nanocables <ol><li> Sintetizar nanocables de ZnO como en la sección 1.2, en las mismas condiciones experimentales. </li><li> Sintetizar nanocables CdSSe como en la sección 1.3, en las mismas condiciones experimentales, con la misma cantidad de CdS y composición CdSe, pero con una, tobogán zafiro recubierto de oro limpia como sustrato en lugar de la corredera de ZnO-depositado. </li></ol></li></ol> 2. Caracterización morfológica y cristalográfica <ol><li> Montar la muestra en la etapa SEM con una abrazadera y colocar la muestra en la cámara de vacío del instrumento SEM. Tomar imágenes de SEM en el modo de alta resolución con una distancia de trabajo de 12,0 mm a una tensión de 3 kV y una ampliación de entre 3,000X y 10.000X 11,12. </li><li> Tomar datos EDS con la misma muestra utilizando el detector de rayos X a la misma distancia de trabajo de12.0 mm. Poner el instrumento a modo de análisis y ajuste el voltaje a 20 kV, lo que resulta en una corriente de 20 a 40 mu 13. </li><li> Recoger los espectros de difracción de rayos X en un difractómetro de polvo de rayos X usando radiación filtrada Cu Ka (λ = 1,5418 Å) 11,12. </li></ol> 3. PL espectroscopia de emisión y Medidas de por vida PL Tiempo de resolver NOTA: Los espectros de PL y recuento de fotones individuales correlacionado con el tiempo (TCSPC) mediciones en RT se llevaron a cabo usando un amplificado Ti: oscilador de zafiro después de segunda generación armónica (SHG), produciendo un tren de 50 impulsos FSEC centradas en una longitud de onda de 400 nm y con una potencia de salida de 1,76 mW 14. <ol><li> Fijar la muestra en un soporte de muestras que posiciona la cara de muestra hasta el láser y al detector. Alinear el láser para centrarse en la muestra. Medir los espectros de emisión PL de las muestras de 500-nm a longitudes de onda 900 nm utilizando un espectrómetro de fibra. </li><li> Use un detector de fotón único (avalanche fotodiodo o célula fotoeléctrica) para medir los tiempos de vida PL tiempo de resolverse con un filtro de vidrio de color y un filtro de interferencia de paso de banda de 500 o 650 nm. </li><li> Insertar ZnO, CdSSe, o ZnO / CdSSe se desliza en el soporte de muestra. Medir los nanocables de ZnO puro con el filtro de paso de banda de 500 nm y las muestras CdSSe o ZnO / CdSSe con un filtro de paso de banda de 650 nm. </li><li> Utilice un contador de fotón único correlacionado con el tiempo o un osciloscopio rápido para medir los tiempos de vida de decaimiento de fluorescencia con resolución temporal. </li></ol>

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<li>Li, Z., Nieto-Pescador, J., Carson, A. J., Blake, J. C., Gundlach, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Efficient+Z-scheme+charge+separation+in+novel+vertically+aligned+ZnO%2FCdSSe+nanotrees%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Efficient Z-scheme charge separation in novel vertically aligned ZnO/CdSSe nanotrees.</a> Nanotechnology. 27 (13), 135401(2016).</li>
</ol>

Datos y cifras en este artículo se citan en la bibliografía de la nanotecnología por Li et al. 17.

La alineación vertical de nanocables de ZnO (tallos) se basa en el crecimiento epitaxial sobre el sustrato. Nanocables de ZnO crecen preferentemente a lo largo de la &lt;0001&gt; dirección que coincide con la periodicidad de la a-plano de zafiro 12. Por lo tanto, el tipo y la calidad del sustrato son muy importantes. Diferentes espesores de la capa de oro sobre el substrato, de 5 nm a 20 nm, se han probado y no mostró diferencias significativas en el crecimiento de nanocables de ZnO. La longitud de los nanoca...

ZnO es un semiconductor II-VI que ofrece un intervalo de banda (BG) de 3,3 eV, una alta movilidad de electrones, y un 1,2 energía de enlace gran excitón. Se trata de un material semiconductor abundante, con una gran cantidad de aplicaciones presentes y futuras en dispositivos ópticos, células solares, y fotocatálisis. Sin embargo, ZnO es transparente, lo que limita su aplicación en la gama espectral visible. Por lo tanto, materiales absorbentes de luz visible, tales como semiconductores estrecha brecha de 3, 4 moléculas de colorante, y polímeros fotosensibles 5, con frecuencia han sido empleados para sensibilizar ZnO a la absorción de la luz visible. CdS (BG 2.43 eV) y CdSe (BG 1.76 eV) son comunes semiconductores II-VI-gap estrecho y se han investigado intensamente. Los parámetros de BG y de celosía de la aleación ternaria CdSSe se pueden ajustar mediante la variación de las relaciones molares de los componentes de VI 6,7. nanocompuestos ZnO / CdSSe se han reportado para dar lugar a photov eficienteconversión de energía oltaic 8,9. La combinación de la vía de transporte de electrones eficiente de los nanocables de ZnO alineados verticalmente hacia un sustrato con la mejora de la absorción de luz visible de las ramas CdSSe condujo a la transferencia eficiente de electrones entre el tallo y las ramas 9,10. Por lo tanto, se sintetizó una nueva nanoestructura ZnO / CdSSe en forma de árbol, donde nanocables de ZnO alineados verticalmente están decoradas con ramas CdSSe. Este material compuesto puede actuar como un bloque de construcción para los nuevos dispositivos de conversión de energía solar. Este protocolo describe cómo se cultivan las matrices de nanocables de ZnO sobre un sustrato de zafiro mediante la deposición química de vapor de un solo paso (CVD) a partir de polvos de ZnO y C, siguiendo un procedimiento que ha sido previamente publicado 11. Tras el crecimiento de los nanocables de ZnO, un segundo paso de CVD se emplea para crecer ramas CdSSe en los nanocables de ZnO. Empleamos de difracción de rayos X en polvo (XRD), microscopía electrónica de barrido (SEM), yespectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS) para medir la estructura cristalina, morfología y composición de los nanotrees ZnO / CdSSe (NTs). El mecanismo de transferencia de propiedades ópticas y portador de carga entre las ramas y el tallo había sido investigada por la fotoluminiscencia (PL) y espectroscopia de mediciones de toda la vida PL tiempo de resolverse.

<table><tbody><tr><td>ZnO</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1314-13-2</td><td></td></tr><tr><td>Carbón Activado</td><td>Alfa</td><td>231-153-3</td><td></td></tr><tr><td>CdSe</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1306-24-7</td><td></td></tr><tr><td>CdS</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1306-23-6</td><td></td></tr><tr><td>Zafiro</td><td>MTI</td><td>2SP</td><td>A-plano, 10 &veces; 10 &veces; 1 mm</td></tr><tr><td>Horno</td><td>Lindberg Azul M</td><td>SSP</td><td></td></tr><tr><td>Microscopio electrónico de barrido</td><td>Hitachi</td><td>S5700</td><td>ensamblado con un detector Oxford Inca X-act</td></tr><tr><td>Difractómetro de polvo de rayos X</td><td>Rigaku</td><td>MiniFlex</td><td>filtrado Cu K&alpha; radiación (&lambda;=1.5418&nbsp; &Aring;)</td></tr><tr><td>Oscilador de Ti:zafiro amplificado</td><td>Mantis coherente</td><td>Leyenda coherente-Elite</td><td></td>Módulo de</tr><tr><td>detección de fotón único</td><td>ID Quantique</td><td>ID-100</td><td></td></tr><tr><td>Recubridor por pulverización catódica</td><td>Cressington</td><td>308</td><td>ensamblado con objetivo de oro</td></tr><tr><td>Espectrómetro de sonda de fibra</td><td>Control de fotones</td><td>SPM-002</td><td></td></tr><tr><td>Filtro de vidrio coloreado</td><td>Thorlabs</td><td>FGB37-A - & Barra de oslayo; 25 mm BG40</td><td>AR Coado: 350 - 700&nbsp; nm</td></tr><tr><td>Gas argón comprimido</td><td>Keen</td><td>7440-37-1</td><td></td></tr></tbody></table>

síntesis del jerárquica zno / cdsse heteroestructura nanotrees

Synthesis of Hierarchical ZnO/CdSSe Heterostructure Nanotrees

Un procedimiento de deposición de vapor químico de dos etapas se emplea aquí para preparar jerárquicos ZnO / CdSSe hetero-nanoestructuras en forma de árbol. Las estructuras se componen de ramas CdSSe cultivadas en nanocables de ZnO que están alineadas verticalmente sobre un sustrato de zafiro transparente. La morfología se midió a través de microscopía electrónica de barrido. La estructura cristalina se determinó por análisis de difracción de polvo de rayos X. Tanto el ZnO tallo y las ramas CdSSe tener una estructura de cristal predominantemente wurtzita. La relación molar de S y de Se en las ramas CdSSe se midió por espectroscopia de rayos X de dispersión de energía. Las ramas CdSSe dan lugar a una fuerte absorción de la luz visible. Fotoluminiscencia (PL) espectroscopía demostró que el tallo y las ramas forman una heterounión de tipo II. mediciones de toda la vida PL mostraron una disminución en el tiempo de vida de la emisión de los árboles, en comparación con la emisión de ZnO individuo tallos o ramas CdSSe e indicar la transferencia de carga rápida entre CdSSe y ZnO. el verticamente alineado ZnO se debe proporcionar una vía de transporte de electrones directa al sustrato y permitir la separación de la carga eficiente después de fotoexcitación por la luz visible. La combinación de las propiedades mencionadas anteriormente hace ZnO / CdSSe nanotrees candidatos prometedores para aplicaciones en células solares, la fotocatálisis, y dispositivos opto-electrónicos.

La Figura 1 muestra el mecanismo de crecimiento de ZnO / CdSSe NT. El procedimiento consistió en un proceso catalítico de vapor-líquido-sólido (VLS) seguido de un crecimiento no catalítica vapor-sólido (VS). En el primer paso VLS, ZnO y C reaccionan en la atmósfera Ar, resultando en Zn metálico y óxido de carbono. Zn se disuelve posteriormente en el precursor de oro sobre el sustrato de zafiro. nanocables de ZnO crecen desde el Zn disuelto y oxígeno residual. En el segun...

A continuación, preparamos y caracterizar nuevos jerárquicos nanoestructuras de ZnO / CdSSe forma de árbol, donde las ramas CdSSe se cultivan en nanocables de ZnO alineados verticalmente. Los nanotrees resultantes son un material potencial para la conversión de energía solar y otros dispositivos optoelectrónicos.

Síntesis del jerárquica ZnO / CdSSe heteroestructura Nanotrees

A two-step chemical vapor deposition procedure is here employed to prepare tree-like hierarchical ZnO/CdSSe hetero-nanostructures. The structures are ...

El objetivo general de este experimento es sintetizar una nanoestructura con forma de árbol, con tallos de óxido de zinc y ramas de sulfoseleniuro de cadmio. Y caracterizar su morfología, estructura cristalina y propiedades ópticas. Este método puede ayudar a responder preguntas clave sobre la aplicación de materiales nanocompuestos en usos ópticos y electroópticos.La principal ventaja de esta técnica es que la deposición química de vapor es una forma sencilla y rentable de producir nanoestructuras tipo árbol con interfaces bien definidas. Las ramas de sulfoseleniuro de cadmio absorben luz visible y forman una heterounión de tipo-II con un tallo de óxido de zinc. La heterounión facilita la transferencia eficiente de electricidad desde las ramas hasta el tallo. Las propiedades ópticas indican que los nanorboles son materiales prometedores para aplicaciones que se benefician de un mecanismo de transferencia de carga tipo z, como celdas solares y otros dispositivos optoelectrónicos. Aunque este procedimiento puede proporcionar información sobre los nanorboles de óxido de zinc y sulfoseleniuro de cadmio, también puede aplicarse a otros sistemas, como nanocables, nanotubos, nanobots, entre otros. En general, las personas nuevas en este método tendrán dificultades porque cada parámetro, como la emulsificación, la temperatura y el fluoruro, afectará la morfología de los nanorboles.Primero, limpie una placa de zafiro mediante sonicación en etanol al 99,5 % durante cinco minutos. Luego, utilizando un evaporador de pulverización catódica, deposite una película de oro de 10 nanómetros de espesor sobre la placa. A continuación, agite un gramo de una mezcla uno a uno en masa de nanopartículas de óxido de zinc y carbón activado en 10 mililitros de etanol al 99,5 %.Someta la mezcla a sonicación en un baño de agua a 20 grados Celsius durante 30 minutos. Este paso asegura que no haya aire presente en la mezcla y que el óxido de zinc y el carbono estén en estrecho contacto.Seque la mezcla sonicada a 80 grados Celsius durante cinco horas. Luego coloque la mezcla seca en un crisol de alúmina para combustión y compáctela con una espátula para excluir el aire de la mezcla. Coloque un portaobjetos recubierto de oro encima del crisol de combustión, con el lado dorado hacia abajo.Coloque el barquito en el centro del tubo de cuarzo de un horno de tubo horizontal. Luego, configure los parámetros de calentamiento y enfriamiento en el horno. Purifique el tubo con gas argón a un flujo de 40 centímetros cúbicos estándar por minuto a temperatura ambiente durante una hora.Luego, aumente la temperatura desde la temperatura ambiente hasta 900 grados Celsius a una velocidad de 80 grados Celsius por minuto y mantenga esa temperatura durante dos horas. A continuación, abra el tubo al aire por ambos extremos para proporcionar oxígeno para la reacción. Continúe calentando la muestra a 900 grados Celsius con el tubo abierto al aire durante tres horas.Enfríe el horno hasta la temperatura ambiente a 10 grados Celsius por minuto y retire la lancha y la portaobjetos. La película blanca sobre la portaobjetos consiste en nanocables de óxido de zinc. A continuación, mezcle completamente 0,25 gramos de polvo de sulfuro de cadmio y 0,25 gramos de polvo de seleniuro de cadmio y coloque la mezcla en otra lancha de combustión de alúmina.Compacte bien la mezcla. Coloque la portaobjetos recubierta con nanocables de óxido de zinc aproximadamente a 10 centímetros aguas abajo del barco. Coloque el barco en el centro del tubo de horno de cuarzo.En el portaobjetos, asegúrese de que los nanocables de óxido de zinc estén orientados hacia arriba. Nuevamente, configure los parámetros en el horno. Purifique el tubo de cuarzo del horno con gas argón a 40 centímetros cúbicos estándar por minuto a temperatura ambiente durante una hora.Luego caliente el horno hasta 820 grados Celsius a una velocidad de 80 grados Celsius por minuto y mantenga la temperatura a 820 grados durante 30 minutos. Una temperatura diferente dará lugar a una composición y morfología distintas. Luego enfríe el horno hasta la temperatura ambiente a una velocidad de 10 grados Celsius por minuto y retire la lancha y la placa del horno.Los nanorboles de óxido de zinc y sulfoseleniuro de cadmio se obtienen como una película de color amarillo anaranjado sobre el portaobjetos. Prepare muestras control de nanohilos de óxido de zinc y sulfoseleniuro de cadmio sobre portaobjetos de zafiro limpios y recubiertos con oro, utilizando los mismos procedimientos. Caracterice las nanoestructuras mediante microscopía electrónica de barrido, difracción de rayos X en polvo y espectroscopía de rayos X dispersiva en energía.Obtenga espectros de emisión de fotoluminiscencia y mida los tiempos resultantes de decaimiento de la fotoluminiscencia y los tiempos de vida de fluorescencia. Se cultivaron nanocables de sulfoseleniuro de cadmio mediante deposición química en fase vapor sobre nanocables de óxido de zinc para formar nanoestructuras tipo árbol. Las ramas principales fueron recubiertas con sulfoseleniuro de cadmio.Los nanorboles mostraron picos de difracción de rayos X característicos tanto de los nanocables de óxido de zinc puro como de los nanocables de sulfoseleniuro de cadmio puro. Un pico adicional observado en el espectro de DRX se asigna a una fase diferente de sulfoseleniuro de cadmio que se forma en defectos puntuales del tallo de óxido de zinc, iniciando así el crecimiento de ramas. La proporción molar porcentual de azufre respecto al selenio en las ramas se determinó mediante EDS y DRX que era de aproximadamente 54 a 46.La relación molar afecta el ancho de banda de las ramas y puede ajustarse modificando la temperatura de crecimiento de las ramas. El tiempo de vida de la fotoluminiscencia de los nanorboles fue más corto que los tiempos de vida de los nanocables de óxido de cinc y sulfoseleniuro de cadmio. Esto sugiere que ocurre una transferencia electrónica rápida a través de la interfaz de la nanoestructura, proporcionando una ruta alternativa de relajación.Una vez dominada, esta técnica puede realizarse en ocho horas si se lleva a cabo correctamente: seis horas para la preparación del óxido de zinc y dos horas para el crecimiento del sulfoseleniuro de cadmio. Y no olvide que trabajar con azufre de cadmio y seleniuro de cadmio puede ser extremadamente peligroso.Y siempre se deben tomar precauciones como el uso de guantes, bata de laboratorio y calzado cerrado al realizar este procedimiento.

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Investigación

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Chemistry

Química

Una estrategia general para el desarrollo de la carga de separación de semiconductores compuestos de nanocristales de despliegue para la producción de energía solar se presenta. Se demuestra que el montaje de donante-aceptor dominios de nanocristales en una geometría sola nanopartícula da lugar a una función fotocatalítica, mientras que para cargas masivas de heterouniones de donante-aceptor películas nanocristal puede ser utilizado para la conversión de energía fotovoltaica.

Captación de energía solar por medio de carga de separación nanocristales y sus sólidos

Se presenta un método simple para la fabricación de una gama de densidad ultra alta de nanocables orgánicos de pequeña moleculares ordenados verticalmente. Este método permite la síntesis de complejas geometrías de nanocables híbridos heterostructured, que puede ser poco costosa cultivan en sustratos arbitrarias. Estas estructuras tienen potenciales aplicaciones en la electrónica orgánica, la optoelectrónica, sensores químicos, la energía fotovoltaica y espintrónica.

Ultra Alta Densidad conjunto de nanocables orgánicos pequeña moleculares verticalmente alineados sobre sustratos arbitrarias

Se presenta un protocolo para la síntesis sembrada de nanoestructuras multicomponentes en forma de bastón y tetrápodo que consisten en CdS y CdSe.

Síntesis sembrada de nanocristales de varillas y tetrápodos de CdSe/CdS

Varios procedimientos se describen para preparar plantillas atómicamente definidos para el crecimiento epitaxial de óxido complejo de películas delgadas. Los tratamientos químicos de un solo SrTiO cristalina 3 (001) y DyScO 3 (110) sustratos se realizaron para obtener superficies atómicamente lisas, individuales terminadas. Ca 2 N ° 3 O 10 - se utilizaron nanoláminas para crear plantillas atómicamente definidos sobre sustratos arbitrarias.

Plantillas Atómicamente definidos para crecimiento epitaxial de óxido complejo Películas Delgadas

Ofrecimos un método para sintetizar directamente una película delgada de ZnO de alto eje c (0002) mediante deposición química de vapor mejorada con plasma. La película delgada de ZnO sintetizada combinada con el electrodo interdigitado de Pt se utilizó como capa de detección para el fotodetector ultravioleta, mostrando un alto rendimiento a través de una combinación de su buena capacidad de respuesta y confiabilidad.

Síntesis y Caracterización de alta eje c ZnO Thin Film por Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System y su Fotodetector Aplicación UV

Se presenta método de fabricación de un solo paso para la obtención independiente heteroestructura doble epitaxial. Este enfoque podría lograr una cobertura ZnO con una densidad numérica más alta que la de la heteroestructura sola epitaxial, lo que lleva a un nanogenerador piezoeléctrico con un rendimiento eléctrico aumento de la producción.

Preparación de ZnO nanorod / grafeno / ZnO nanorod epitaxialLa heteroestructura doble para piezoeléctricas nanogenerador mediante precalentamiento Hidrotermal

Este manuscrito describe cómo diseñar y fabricar células solares eficientes SMPV1:PC invertido71BM nanorods de ZnO (NRs) crecido en una capa de semilla del ZnO dopado Al (AZO) de alta calidad. Bien alineados verticalmente orientado a NRs ZnO exhiben alta cristalinas propiedades. La eficiencia de conversión de energía de células solares puede llegar a 6.01%.

Bien alineados verticalmente orientado a ZnO Nanorod matrices y su aplicación en invertida pequeña molécula de las células solares

Consecución de contactos Schottky de alta calidad es imprescindible para lograr la modulación eficiente puerta en transistores de efecto de campo de heteroestructura (HFETs). Presentamos la metodología de fabricación y características de los diodos de Schottky en heteroestructuras de Zn-polar BeMgZnO/ZnO con alta densidad gas dos de dimensiones del electrón (2DEG), crecidos por epitaxy de viga molecular asistida por plasma en plantillas de GaN.

Fabricación de diodos de Schottky en Zn-polar heteroestructura de BeMgZnO/ZnO por Epitaxy de viga Molecular asistida por Plasma

Los cálculos realizados por el paquete de simulación Vienna Ab initio se pueden utilizar para identificar las propiedades electrónicas intrínsecas de los materiales a nanoescala y predecir los posibles fotocatalizadores de división de agua.

Alineación de bandas tipo II de sonda en heteroestructuras de Van Der Waals unidimensionales utilizando cálculos de primeros principios

Se presenta una técnica de síntesis para preparar el ZnCoS/ZnCdS sensible a la luz visible con fotocatalizador de estructura cristalina gemela y la técnica de prueba de reacción fotorredox, de su actividad fotocatalítica y selectividad en la evolución de H2 y la producción de benzaldehído.

Síntesis y evaluaciones de rendimiento de ZnCoS / ZnCdS con estructura cristalina gemela para fotocatálisis redox multifuncional en aplicaciones energéticas

Aprende a sintetizar nanoárboles jerárquicos de ZnO/CdSSe mediante deposición de vapor químico para aplicaciones en conversión de energía solar y dispositivos optoelectrónicos.

Síntesis del jerárquica ZnO / CdSSe heteroestructura Nanotrees

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