Totalmente electrónico resuelto nanosegundo túnel microscopía: Facilitar la investigación de Dopant solo carga dinámica

El objetivo general de la microscopía electrónica de efecto túnel de barrido resuelta en el tiempo es estudiar los procesos dinámicos que ocurren a escala atómica. En estos experimentos, se estudia la dinámica cargada de los dopantes en silicio. Estos métodos se pueden utilizar para investigar fenómenos interesantes en el campo de la nanotecnología y la física, como la velocidad a la que los dopantes de los semiconductores reciben electrones o cómo se pueden utilizar las corrientes de efecto túnel para impulsar la resonancia magnética de átomos individuales.

La principal ventaja de estas técnicas es que se puede estudiar la dinámica rápida sin necesidad de integrar la óptica en la unión de tunelización. Estas técnicas no se limitan a las bajas temperaturas o a los microscopios tunelización de barrido de ultra alto vacío. Para comenzar, enfríe el microscopio de efecto túnel de barrido capaz de alcanzar temperaturas de vacío ultra alto a temperaturas criogénicas.