Name: Métodos experimentales para el giro y ángulo resuelto fotoemisión espectroscopia combinan con láser de polarización Variable (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-06-28T13:00:00.000+00:00
Duration: 9 min
Description: Aprende espectroscopía fotoemisión resuelta en espín y ángulo con láser de 7 eV de polarización variable para estudiar acoplamiento espín-órbita en estados sólidos. Este método mejora la precisión en la determinación de estructuras de espín electrónico.

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Agradecemos a M. Nakayama, Toyohisa S., A. Fukushima y Y. Ishida para apoya a la instalación experimental. Agradecemos financiamiento desde la JSP Grantin-ayuda para la investigación científica (B) a través del proyecto núm. 26287061 y para jóvenes científicos (B) a través del proyecto Nº 15K 17675. Este trabajo fue apoyado también por el MEXT de Japón (innovadora área "ciencia topológica de los materiales," concesión Nº 16 H 00979) y JSPS KAKENHI (Grant no. 16 H 02209)

1. instalación y montaje de la muestra
<ol><li>Corte muestras del solo-cristal de Bi2Se313 en un tamaño aproximado de 1 × 1 × 0,5 mm3 y uso epoxi basada en cinta para pegar la muestra en el portamuestras.</li>
	<li>Pegar la cinta adhesiva sobre la superficie de la muestra. Nota: La cinta scotch se utiliza para hender la muestra en Ultra cámara de vacío (UHV) para obtener una superficie limpia atómico.</li>
	<li>Instalar la muestra en la muestra de revista en el bloqueo de carga y arranque la bomba hasta que la presión de la cerradura de la carga es inferior a 1 × 10-5 PA.</li>
</ol>2. muestra hendiendo
<ol><li>Abra la válvula UHV entre el bloqueo de carga y el compartimiento de la preparación de UHV.</li>
	<li>Hacia el compartimiento de muestra de la roca de carga del compartimiento de la preparación utilizando el paso lineal de rotary que se une a la cámara de bloqueo de carga.</li>
	<li>Recoger la muestra de la revista muestra por la barra de transferencia a la sala de preparación.</li>
	<li>Vuelva a colocar la muestra de revista en el bloqueo de carga y cierre la válvula UHV.</li>
	<li>Espere hasta que la presión de la cámara de preparación está por debajo de 5 × 10-7 PA.</li>
	<li>Despegue la cinta scotch usando palo de bamboleo en la cámara de preparación y hienden la muestra bajo la condición UHV.</li>
</ol>3. muestra transferencia a la posición de medición
<ol><li>Transferir la muestra a la cámara de medición de UHV y fijar la muestra de la gonio-escenario principal por el conductor de tornillo equipado con la cámara de medición.</li>
	<li>Mueva la gonio-fase a la posición de medida y la etapa de micrómetro para precisamente mover la posición de la muestra en el enfoque del espectrómetro.</li>
</ol>4. configuración de 7eV-laser
<ol><li>Activar el láser de Nd: YVO4. Nota: El láser genera 355 nm de luz láser con una tasa de alta repetición de 120 MHz.</li>
	<li>Abra el obturador del haz de láser y asegúrese de que el láser pasa a través del cristal KBBF y una ola de segundo armónico de 177 nm (6,994 eV) se genera.</li>
	<li>Optimizar la potencia del láser de 7eV cambiando la potencia del láser de 355 nm con el atenuador variable.</li>
</ol>5. ARPES de adquisición de datos
<ol><li>Abra el software de control del analizador en la computadora de escritorio. Nota: Utilizamos "SES software" que es un programa general de control ScientaOmicron analyzer con un deflector de electrón.</li>
	<li>Seleccione configuración... por debajo de la secuencia en el menú de la barra (figura 2, paso i.2-1).</li>
	<li>Elija configuración ARPES (figura 3, paso 1 i.3) y ARPES Mapping en la lista (figura 3, paso i.3-2) para realizar la asignación de superficie de Fermi con el deflector del fotoelectrón.</li>
	<li>Haga clic en Editar (figura 3, paso 3 i.3) y configurar asignación de superficie de Fermi desde-12 ° hasta 12 ° de un ángulo θy de la emisión con tamaño de paso de 0.5 ° (figura 3, paso 4 i.3). Nota: El analizador hemisférico con un deflector de electrónica nos permite mapear la superficie de Fermi sin las rotaciones de la muestra.</li>
	<li>Haga clic en Ejecutar (figura 2, paso 3 i.2).</li>
</ol>6. SARPES de adquisición de datos
<ol><li>Cambiar manualmente la configuración de la máquina para medición SARPES como la ranura de entrada del analizador y el tamaño de la abertura (figura 1).</li>
	<li>Seleccione configuración... por debajo de la secuencia en el menú de la barra (figura 2, paso 2 i.2).</li>
	<li>Elija configuración de giro (figura 4, paso i.4-1) y Normal en la lista (figura 4, paso 2 i.4) y haga clic en Aceptar (figura 4, paso 3 i.4).</li>
	<li>Seleccione DA30 (figura 5, paso i.5-1) en la barra de menús y Control Theta... (Figura 5, paso i.5-2) para abrir el panel de configuración para la configuración de ángulo (θx, θy) DA30.</li>
	<li>Elegir el ángulo de emisión (θxθy) = (-6 °, 0 °) para tomar espectros SARPES (figura 5, paso i.5-3).</li>
	<li>Campo magnético se aplica mediante el control del Banco condensador bipolar para magnetizar el objetivo VLEED en la dirección positiva del eje particular (α: x, yo z). Nota: En nuestro sistema, este proceso puede realizarse a través de comandos [figura 6 (a)].</li>
	<li>Haga clic en Ejecutar para espectro de intensidad (figura 2, paso 3 i.2).</li>
	<li>Aplicar el campo magnético para magnetizar el objetivo VLEED en sentido negativo a lo largo de α y exploración para espectro de intensidad.</li>
	<li>Calcular la polarización de spin y los espectros spin-resolved.</li>
</ol>7. Análisis de la dependencia de la polarización de la luz
<ol><li>Cambiar el ángulo de la λ/2-waveplate precisamente controlada por el motor para ajustar la polarización de la luz del eV-laser 7. Nota: En nuestro sistema, este proceso puede realizarse a través de comandos [figura 6 (b)].</li>
	<li>Tomar los espectros resueltos de vuelta para los ejes x, y y z .</li>
	<li>Analizar los espectros spin-resolved en función de la polarización de la luz con diversos la mitad waveplate ángulo de 0° a 102° con tamaño de paso de 3°.</li>
</ol>

<ol><li>Damascelli, A., Hussain, Z., Shen, Z. -X. <a target="_blank" href="https://journals.aps.org/rmp/abstract/10.1103/RevModPhys.75.473">Angle-resolved photoemission studies of the cuprate superconductors.</a> Rev. Mod. Phys. 75 (2), 473-541 (2003).</li>
<li>Johnson, P. D. Spin-polarized photoemission. Rep. Prog. Phys. 60 (11), Available from:
 <a target="_blank" href="http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0034-4885/60/11/002/meta">http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0034-4885/60/11/002/meta</a> 1217-1304 (1997).</li>
<li>Qiao, S., Kimura, A., Harasawa, A., Sawada, M., Chung, J. -G., Kakizaki, A. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.1148401">A new compact electron spin polarimeter with a high efficiency.</a> Rev. Sci. Instrum. 68 (12), 4390-4395 (1997).</li>
<li>Dil, J. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Spin+and+angle+resolved+photoemission+on+non-magnetic+low-dimensional+systems%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Phys.+Condens.+Matter%22%5BJournal%5D)">Spin and angle resolved photoemission on non-magnetic low-dimensional systems.</a> J. Phys. Condens. Matter. 21 (40), 403001(2009).</li>
<li>Hoesch, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0368204802000580">Spin-polarized Fermi surface mapping.</a> J. Electron Spectrosc. 124 (2), 263-279 (2002).</li>
<li>Souma, S., Takayama, S., Sugawara, K., Sato, T., Takahashi, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ultrahigh-resolution+spin-resolved+photoemission+spectrometer+with+a+mini+Mott+detector%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Sci.+Instrum%22%5BJournal%5D)">Ultrahigh-resolution spin-resolved photoemission spectrometer with a mini Mott detector.</a> Rev. Sci. Instrum. 81 (9), 096101(2010).</li>
<li>Okuda, T., Kimura, A. <a target="_blank" href="http://journals.jps.jp/doi/10.7566/JPSJ.82.021002">Spin- and angle-resolved photoemission of strongly spin-orbit coupled systems.</a> J. Phys. Soc. Jpn. 82 (2), 021002(2013).</li>
<li>Okuda, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+new+spin-polarized+photoemission+spectrometer+with+very+high+efficiency+and+energy+resolution%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Sci.+Instrum%22%5BJournal%5D)">A new spin-polarized photoemission spectrometer with very high efficiency and energy resolution.</a> Rev. Sci. Instrum. 79 (12), 123117(2008).</li>
<li>Jozwiak, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+high-efficiency+spin-resolved+photoemission+spectrometer+combining+time-of-flight+spectroscopy+with+exchange-scattering+polarimetry%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Sci.+Instrum%22%5BJournal%5D)">A high-efficiency spin-resolved photoemission spectrometer combining time-of-flight spectroscopy with exchange-scattering polarimetry.</a> Rev. Sci. Instrum. 81 (5), 053904(2010).</li>
<li>Okuda, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Efficient+spin+resolved+spectroscopy+observation+machine+at+Hiroshima+Synchrotron+Radiation+Center%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Sci.+Instrum%22%5BJournal%5D)">Efficient spin resolved spectroscopy observation machine at Hiroshima Synchrotron Radiation Center.</a> Rev. Sci. Instrum. 82 (10), 103302(2011).</li>
<li>Yaji, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((High-resolution+three-dimensional+spin-+and+angle-resolved+photoelectron+spectrometer+using+vacuum+ultraviolet+laser+light%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Sci.+Instrum%22%5BJournal%5D)">High-resolution three-dimensional spin- and angle-resolved photoelectron spectrometer using vacuum ultraviolet laser light.</a> Rev. Sci. Instrum. 87 (5), 053111(2016).</li>
<li>Shimojima, T., Okazaki, K., Shin, S. <a target="_blank" href="http://journals.jps.jp/doi/abs/10.7566/JPSJ.84.072001">Low-temperature and high-energy-resolution laser photoemission spectroscopy.</a> J. Phys. Soc. Jpn. 84 (7), 072001(2015).</li>
<li>Augustine, S., Mathai, E. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0025540801007176">Growth, morphology, and microindentation analysis of Bi2Se3, Bi1.8In0.2Se3, and Bi2Se2.8Te0.2 single crystals.</a> Mater. Res. Bull. 36 (13), 2251-2261 (2001).</li>
<li>Hasan, M. Z., Kane, C. L. <a target="_blank" href="https://journals.aps.org/rmp/abstract/10.1103/RevModPhys.82.3045">Colloquium: Topological insulators.</a> Rev. Mod. Phys. 82 (4), 3045-3067 (2010).</li>
<li>Ando, Y. <a target="_blank" href="https://arxiv.org/pdf/1304.5693.pdf">Topological insulator materials.</a> J. Phys. Soc. Jpn. 82 (10), 102011(2013).</li>
<li>Zhang, H., Liu, C. -X., Qi, X. -L., Dai, X., Fang, Z., Zhang, S. -C. <a target="_blank" href="https://www.nature.com/articles/nphys1270">Topological insulators in Bi2Se3, Bi2Te3 and Sb2Te3 with a single Dirac cone on the surface.</a> Nature Phys. 5 (6), 438-442 (2009).</li>
<li>Cao, Y., et al. <a target="_blank" href="https://www.nature.com/articles/nphys2685">Mapping the orbital wavefunction of the surface states in three-dimensional topological insulators.</a> Nature Phys. 9 (8), 499-504 (2013).</li>
<li>Zhang, H., Liu, C. -X., Zhang, S. -C. <a target="_blank" href="https://arxiv.org/abs/1211.0762">Spin-orbital texture in topological insulators.</a> Phys. Rev. Lett. 111 (6), 066801(2013).</li>
<li>Kuroda, K., et al. <a target="_blank" href="https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.94.165162">Coherent control over three-dimensional spin-polarization for the spin-orbit coupled surface state of Bi2Se3.</a> Phys. Rev. B. 94 (16), 165162(2016).</li>
<li>Meier, F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Interference+of+spin+states+in+photoemission+from+Sb%2FAg%28111%29+surface+alloys%5BTitle%5D)+AND+%22J+Phys-Condens+Mat%22%5BJournal%5D)">Interference of spin states in photoemission from Sb/Ag(111) surface alloys.</a> J Phys-Condens Mat. 23 (7), URL: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0953-8984/23/7/072207/meta 072207(2011).</li>
<li>Dil, J. H., Meier, F., Osterwalder, J. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0368204814002308">Rashba-type spin splitting and spin interference of the Cu(111) surface state at room temperature.</a> J Electron Spectrosc. 201, 42-46 (2015).</li>
<li>Yaji, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Spin-dependent+quantum+interference+in+photoemission+process+from+spin-orbit+coupled+states%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Commun%22%5BJournal%5D)">Spin-dependent quantum interference in photoemission process from spin-orbit coupled states.</a> Nature Commun. 8, 14588(2017).</li>
<li>Noguchi, R., et al. <a target="_blank" href="https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.95.041111">Direct mapping of spin and orbital entangled wave functions under interband spin-orbit coupling of giant Rashba spin-split surface states.</a> Phys. Rev. B. 95 (6), 04111(R)(2017).</li>
</ol>

Los autores declaran que no tienen intereses financieros que compiten.

ARPES y SARPES técnicas se han utilizado comúnmente para el estudio de las estructuras de la banda electrónica a través de la asignación de la banda y spin-detección1,2. Además de estas ventajas generales indicadas, laser-SARPES basado en regla de selección orbital en la excitación óptica dipolo puede ser empleada como una nueva técnica para visualizar el efecto de acoplamiento spin-orbital en el wavefunction y quantum interferencia de vuelta . Como se muestra en...

Técnica de ángulo resuelto fotoemisión (ARPES) la espectroscopia se ha convertido en una de las herramientas más poderosas para investigar las estructuras de banda quasiparticle en Estados sólido1. El máximo atractivo de ARPES es la capacidad para la asignación de la banda caracterizar los Estados electrónicos en el espacio de energía e impulso. Spin-resolved ARPES (SARPES), que aquí está equipado con detectores de spin, por ejemplo. Mott detector2,3, además permite resolver el carácter de vuelta de la banda observada estructuras4. Puesto que el detector de Mott puede medir el giro de dos ejes (x y zo y y z), la combinación de los dos detectores de Mott además permite obtener la orientación de vuelta en tres dimensiones4,5 . Desde hace varias décadas, sin embargo, los experimentos SARPES se sufrieron de su baja eficiencia (típicamente 1/10000 en comparación con la medición ARPES integrado spin)3,4,5,6 ,7, que había limitado la energía y la resolución angular. Recientemente, se ha aumentado la resolución de la energía de SARPES con un detector de giro de alta eficiencia basado en dispersión de intercambio, el supuesto bajo consumo-difracción de electrones (VLEED) detector7,8,9 ,10. Con este detector ha mejorado significativamente la calidad de los datos y se ha acortado el tiempo de adquisición de datos. Recientemente, SARPES ha logrado mucho para polarización de spin electrónicos Estados y sobre todo efecto de acoplamiento spin-órbita resultante en la textura de la vuelta de la superficie bandas7.
Aquí empleamos SARPES medidas con una polarización variable vacío Ultravioleta luz (laser-SARPES) laser y demostrar las grandes ventajas de esta técnica combinada. A través de la investigación en los Estados de spin-órbita juntada superficial Bi2Se3, presentamos dos capacidades de láser SARPES. En primer lugar, debido a la regla de selección orbitales de láser linealmente polarizada en el régimen de transición de dipolo, p- y s-polarizadas luces excitan selectivamente una parte de eigen-wavefunctions con diferente simetría orbital. Una excitación selectiva tal orbital hay así SARPES, es decir, orbitales selectivo SARPES. En segundo lugar, tridimensional (3D) de detección de vuelta en SARPES muestra la dirección del eje cuántico spin y directamente toda la información de la dependencia de la polarización de la luz. En este protocolo, se describe brevemente una metodología para realizar esta técnica de vanguardia láser-SARPES para estudiar los efectos de acoplamiento fuerte hacer girar-órbita.
Nuestro sistema láser SARPES se encuentra en el Instituto de física del estado sólido, la Universidad de Tokio11. El dibujo esquemático de nuestra máquina láser SAPRES se muestra en la figura 1. La luz láser de polarización variable de 7-eV12 se ilumina la superficie de la muestra y los fotoelectrones son emitidos de la muestra. La polarización del láser es controlada automáticamente por MgF2- base λ/2 - y λ/4-waveplates selectivamente utilizar polarizaciones lineales y circulares. Un analizador de electrones hemisférico corrige los fotoelectrones y analiza su energía cinética (Ekin) y el ángulo de emisión (θx y θy). Las intensidades del fotoelectrón se asignan en el Ekin-θx pantalla monitoreada por una cámara CCD. Esta imagen se transforma directamente en la estructura de la banda de energía en el espacio recíproco.
Para la medición SARPES los fotoelectrones con un ángulo de emisión específica y energía cinética analizada por el analizador de electrones son guiados a dos detectores de giro tipo VLEED con una desviación de 90 grados del fotoelectrón y las vigas del fotoelectrón se centran en dos objetivos diferentes de Fe(001) -p(1 × 1) las películas terminadas por el oxígeno. Los fotoelectrones reflejados los objetivos se detectan en la detección de solo canal utilizando un channeltron colocado en cada detector de giro. Los objetivos de la VLEED pueden ser magnetizados con bobinas eléctricas tipo Helmholtz que se arreglan con geometría ortogonal con respecto a ellos. La dirección de magnetización es controlada por el Banco de condensador bipolar. Los detectores de giro doble de VLEED tal modo nos permiten analizar el vector polarización de spin del fotoelectrón en tres dimensiones.

<table><tbody><tr><td>Analizador hemisférico DA30-L</td><td>ScientaOmicron</td><td></td><td>http://www.scientaomicron.com/en/products/353/1170</td></tr><tr><td>Epoxi a base de plata</td><td>Tecnología epoxi</td><td>H20E</td><td></td></tr><tr><td>Cinta de sctoch</td><td>3M</td><td>801-1-18C</td><td></td></tr><tr><td>Válvula UHV</td><td>IVA</td><td>01034-KE01</td><td></td></tr><tr><td>paso lineal/rotativo</td><td>Ferrovac</td><td>MD40</td><td></td></tr><tr><td>varilla de transferencia</td><td>diseño UHV serie</td><td>PP bamboleo</td><td></td></tr><tr><td></td><td>Ferrovac</td><td>WM40</td><td></td></tr><tr><td>Paladin compacto 355</td><td>Placa de</td> media onda coherente <td></td><td></td></tr><tr><td></td><td>Kogakugiken</td><td></td><td>pedido hecho</td></tr><tr><td>Banco de condensador bipolar</td><td>Tsuji electrónica</td><td></td><td></td></tr></tbody></table>

métodos experimentales para el giro y ángulo resuelto fotoemisión espectroscopia combinan con láser de polarización variable

Experimental Methods for Spin- and Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Combined with Polarization-Variable Laser

El objetivo de este protocolo es presentar cómo realizar espectroscopía de fotoemisión giro y ángulo resuelto combinado con polarización variable 7-eV laser (láser-SARPES) y demostrar una potencia de esta técnica para estudiar la física del estado sólido. Láser-SARPES logra dos grandes capacidades. En primer lugar, mediante el examen de regla de selección orbitales de láser linealmente polarizado, orbital excitación selectiva puede realizarse en SAPRES experimento. En segundo lugar, la técnica puede mostrar toda la información de una variación del eje cuántico spin en función de la polarización de la luz. Para demostrar el poder de la colaboración de estas capacidades en láser-SARPES, aplicamos esta técnica para las investigaciones de los Estados superficiales spin-órbita juntada de Bi2Se3. Esta técnica permite descomponer los componentes spin y orbital de los wavefunctions del hacer girar-órbita juntada. Por otra parte, como una ventaja representativa del uso de la detección directa de vuelta colaboró con el láser de polarización variable, la técnica visualiza claramente la dependencia de la polarización de la luz del eje cuántico spin en tres dimensiones. Láser-SARPES aumenta dramáticamente la capacidad técnica de la fotoemisión.

Antes de comenzar los experimentos SARPES, posiciones k deban ser determinado con precisión para la toma de espectro spin-resolved usando resultados ARPES integrado spin estadística alta con alta energía y angular-resoluciones (protocolo 5.1-5.5). Esto se demuestra en la figura 7 donde se presentan los resultados ARPES de Bi2cristalina Se3 . Este material es conocido como un aislante topológico prototipo con una polarización de ...

Aquí combinamos polarización variable 7-eV láser con giro y ángulo resuelto fotoemisión técnica de visualizar el efecto de acoplamiento spin-orbital en Estados sólidos.

Métodos experimentales para el giro y ángulo resuelto fotoemisión espectroscopia combinan con láser de polarización Variable

The goal of this protocol is to present how to perform spin- and angle-resolved photoemission spectroscopy combined with polarization-variable 7-eV laser ...

La espectroscopia de fotoemisión con resolución de espín y ángulo, la llamada SARPES, es una técnica poderosa para investigar estructuras electrónicas de estado sólido, incluida su información de espín. En nuestro método, combinamos esta técnica con el láser de polarización variable de 7 eV que nos permitió determinar las estructuras del espín de los electrones, con mucha precisión. El SARPES se realizó generalmente con radiación de sincrotrón o lámpara de descarga de gas noble.En comparación con este método, el uso de un láser de 7 eV de polarización variable es una gran mejora. La polarización con el rayo láser se puede controlar fácilmente mediante la placa de onda. Al usar esta propiedad, podemos rastrear completamente el comportamiento del espín del electrón, que es sensible a la polarización de la luz.La reacción del espín del fotoelectrón depende de la polarización de la luz. Y eso muestra muchos significados físicos, como el acoplamiento espín-órbita y la interferencia de espín. Por esta razón, nuestra técnica se puede utilizar gradualmente para el estudio de la física de la materia condensada.Para comenzar, corte muestras de selenito de bismuto de un solo cristal y use un epoxi a base de plata para pegarlas a un soporte de muestras. Una vez que el epoxi se haya curado, coloque un trozo de cinta adhesiva sobre la superficie de las muestras. A continuación, transfiera el almacén de muestras a la esclusa de carga de ultra alto vacío y ponga en marcha la bomba hasta que la presión de la esclusa de carga sea inferior a uno por diez a menos cinco pascales.A continuación, abra la válvula de ultra alto vacío entre el bloqueo de carga y la cámara de preparación, y mueva el almacén de muestras del bloqueo de carga a la cámara de preparación, utilizando el mecanismo de paso adjunto a la cámara de bloqueo de carga. Ahora, use una varilla de transferencia para recoger la muestra del almacén de muestras y luego vuelva a colocar el almacén de muestras en el bloqueo de carga y cierre la válvula de vacío ultra alto. Espere hasta que la presión de la cámara de preparación esté por debajo de cinco veces diez por menos siete pascales, y luego retire la cinta adhesiva de la superficie del seleniuro de bismuto usando el palo de bamboleo en la cámara de preparación.Esto partirá la muestra, produciendo una superficie atómicamente limpia. Transfiera la muestra a la cámara de medición UHV. Allí, use un destornillador para fijar la muestra a la etapa principal del gonio.A continuación, mueva la platina a la posición de medición y utilice una platina de micrómetro para posicionar con precisión la muestra en el foco del espectrómetro. A continuación, encienda el láser de ortovanadato de itrio dopado con neodimio y deje que se caliente durante diez a 15 minutos. Abra el obturador del rayo láser y asegúrese de que el láser pase a través de un cristal de fluoroborato de potasio y berilio para generar una segunda onda armónica de 177 nanómetros.Optimice la potencia del láser de siete electrones voltios, cambiando la potencia del láser de 355 nanómetros mediante un atenuador variable. Primero, abra el software de control del analizador. En el menú de secuencia, seleccione configuración y, a continuación, elija Configuración de ARPES y Mapeo de ARPES, en la lista, para realizar el mapeo de superficie de Fermi con el deflector de fotoelectrones.Haga clic en editar y configure el mapeo de superficie de Fermi para que el ángulo de emisión oscile entre 12 grados y 12 grados con un tamaño de paso de 0,5 grados y 49 para el número de pasos. Una vez configurado, vuelva al menú de secuencia y seleccione ejecutar. El analizador hemisférico dispone de un deflector de electrones que nos permite cartografiar la superficie de Fermi sin necesidad de rotar la muestra.Cambie manualmente la configuración de la máquina para la medición de espectroscopia de fotoemisión con resolución de espín y ángulo. Esto incluye cambiar tanto la ranura de entrada del analizador como el tamaño de la apertura. En el software, seleccione configuración y elija configuración de giro, y normal de la lista de opciones y haga clic en aceptar.A continuación, seleccione DA30 en la barra de menú y navegue hasta controlar theta. Esto abrirá el panel de configuración para la configuración del ángulo DA30. En el panel, elija el ángulo de emisión para que theta x sea menos seis grados y para que theta y sea cero grados.Luego, use un símbolo del sistema para aplicar el campo magnético controlando el banco de condensadores bipolares. Esto magnetizará el objetivo del cable en V en la dirección de la posición a lo largo de los ejes x, y o z. Una vez configurado, haga clic en ejecutar, para tomar el espectro de intensidad.A continuación, aplique un campo magnético para magnetizar el objetivo v-lead en la dirección negativa a lo largo del eje y ejecute el escaneo para tomar otro espectro de intensidad. Cuando termine, calcule la polarización del espín y los espectros resueltos por el espín. Usando el símbolo del sistema, encienda el motor paso a paso para cambiar con precisión el ángulo de la media placa de onda para ajustar la polarización de la luz del láser de siete electrones-voltio.A continuación, toma los espectros resueltos por espín para cada uno de los ejes x, y y z. Escanee los espectros resueltos por espín en función de la polarización de la luz, mientras varía el ángulo de la mitad de la placa de onda de cero grados a 102 grados con un tamaño de paso de tres grados. El seleniuro de bismuto es un aislante topológico prototípico con estados superficiales polarizados por espín.El mapa de superficie de Fermi obtenido del estado de la superficie en seleniuro de bismuto, muestra una forma casi circular. A continuación, realice el mapeo de bandas a lo largo de la línea de alta simetría. Muestra la dispersión de energía en forma de X, el llamado cono de Dirac.A partir de estos resultados, ahora se puede elegir el ángulo de emisión específico para el experimento SARPES. Cuando se toma un theta x igual a menos seis grados y theta y igual a cero grados a través de menos kF de la banda de superficie, las curvas de distribución de energía para diferentes direcciones de magnetización, alcanzan su punto máximo de intensidad cerca de la energía de Fermi. Las intensidades en los dos espectros son diferentes cerca del pico.A partir de la diferencia entre sus intensidades, se puede calcular la polarización del espín en función de la energía y los espectros resueltos por el espín. Aparentemente, el espectro de espín ascendente tiene una estructura de pico, pero los espectros de espín descendente son relativamente planos. Esto refleja la polarización de espín de casi el 100%.Al tomar la misma medición para un eje diferente y con diferente polarización de luz, la dirección del espín de los electrones y su dependencia de la polarización son claramente visibles. Para la polarización p, los datos muestran claramente la polarización de espín positiva del 100% solo a lo largo de y y no hay polarización de espín a lo largo de las direcciones x y z. Curiosamente, cuando se cambia la polarización de la luz de p a s, el signo de la polarización del espín también cambia al 100% negativo para la polarización s sin el componente de espín x y z.Como consecuencia de la información completa del espín, la rotación del espín del electrón se desentraña completamente en tres dimensiones. Hemos demostrado la potencia del SARPES, con el láser de polarización variable, para iniciar el estado de polarización de espín del seleniuro de bismuto. Esto nos permite visualizar directamente el espín de los electrones y sus variaciones, en función de las polarizaciones de la luz.Esta técnica se puede aplicar fácilmente a muchos otros sistemas físicos. Nuestro experimento muestra que, incluso pequeños cambios en los campos de luz realmente pueden remodificar el espín del fotoelectrón en tres dimensiones. La forma en que se ilumina la muestra es muy importante.Hay que cuidar la geometría experimental para entender correctamente los datos.

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