29 de agosto de 2025
Este protocolo describe la fabricación de un transistor de efecto de campo sensible a iones (ISFET) basado en óxido de indio y estaño (ITO) de una pieza, que se puede construir como un sensor FET activado por solución (por ejemplo, sensor de pH) utilizando un proceso corto y simple (aproximadamente medio día). Este ITO-ISFET de una sola pieza también se puede aplicar a la biodetección.