Article de méthode

Guide étape par étape pour l’exploitation de diodes électroluminescentes organiques par dispositif traité en solution Fabrication d’un émetteur TADF

DOI :

10.3791/68434

⸱

7 novembre 2025

 ,  ,  ,  ,  , 
1Materials Research Centre, Indian Institute of Science

* These authors contributed equally

Dans cet article

Résumé

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Les dispositifs à diodes électroluminescentes organiques (OLED) offrent une qualité d’affichage supérieure avec un meilleur contraste tout en proposant des avantages environnementaux en réduisant la consommation d’énergie. Ici, une stratégie simple pour la fabrication de dispositifs OLED traités en solution est présentée de manière séquentielle.

Résumé

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

La demande de sources lumineuses économes en énergie a connu une augmentation significative ces derniers temps, en raison de la prise de conscience croissante des préoccupations environnementales et du changement climatique. Les diodes électroluminescentes organiques (OLED) offrent une qualité d’affichage, une efficacité énergétique et une durabilité supérieures, ce qui en fait un choix idéal pour les consommateurs soucieux de l’environnement et les industries basées sur une empreinte carbone réduite. Les OLED, plus fins et plus flexibles, ont révolutionné le domaine des smartphones, des téléviseurs, des écrans automobiles et des gadgets portables. Ici, dans cet article, un dispositif OLED efficace est fabriqué à partir de la synthèse d’un émetteur basé sur un donneur-accepteur, suivie de sa purification. Le processus de synthèse organique est brièvement expliqué. Pour la purification, le mélange de produits est d’abord purifié par chromatographie sur colonne, puis il est sublimé à l’aide d’un dispositif de sublimation sous vide à gradient de température pour obtenir un composé de haute pureté. L’objectif ultime est de fabriquer un appareil OLED multicouche qui nécessite des émetteurs de très haute pureté. La fabrication d’un OLED efficace nécessite de la précision et de l’expertise ; Par conséquent, il est important pour la communauté scientifique de présenter un protocole détaillé étape par étape. Ici, les détails de la fabrication du dispositif OLED traité en solution sont dépliés en quatre étapes (nettoyage du substrat, revêtement par centrifugation des couches, évaporation thermique des couches et mesure des performances du dispositif). Tout d’abord, les substrats doivent être nettoyés à l’aide d’un protocole bien établi. Ensuite, l’architecture en couches est obtenue par revêtement par centrifugation et dépôt thermique des matériaux souhaités à l’épaisseur requise. L’évaporation thermique se fait à l’aide d’un évaporateur thermique sous vide poussé avec une configuration de boîte à gants intégrée. Enfin, pour obtenir les performances de l’appareil, les mesures doivent être effectuées dans un environnement sombre. Ce travail complet fournira une connaissance approfondie de la fabrication des dispositifs et inspirera davantage de chercheurs à décorer ce monde avec des OLED.

Introduction

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Avec la modernisation croissante, le taux de consommation d’énergie a débordé, ce qui a forcé l’émergence de plusieurs sources économes en énergie. Bien qu’il soit souvent inexploité, l’éclairage est l’un des principaux domaines consommateurs d’énergie. Selon un rapport publié par le Programme des Nations Unies pour l’environnement (PNUE) en 20171. L’éclairage consomme 15 à 19 % de l’électricité mondiale 1,2 et émet environ 5 % des gaz à effet de serre dans le monde 1,3. Si ce problème n’est pas résolu, la consommation d’électricité pour l’éclairage sera multipliée par 2030 1,4, ce qui aura un impact significatif sur le changement climatique dû au réchauffement de la planète. Ainsi, le développement de technologies d’éclairage économes en énergie5 est très prometteur pour un environnement durable.

Les dispositifs à diodes électroluminescentes organiques (OLED) ont révolutionné le domaine de l’affichage et de l’éclairage, offrant une meilleure qualité d’affichage ainsi qu’une efficacité énergétique élevée 6,7. En outre, il offre également la finesse, la flexibilité, le contraste élevé et les angles de vision larges requis. En raison de tous ces avantages, l’utilité des matériaux OLED augmente progressivement dans diverses applications, notamment les smartphones, les téléviseurs, les appareils portables et les systèmes d’éclairage automobile8. Les OLED utilisent des composés organiques comme couches émissives, et ils émettent de la lumière lors de la recombinaison radiative des trous et des électrons 9,10,11. Le développement des dispositifs OLED a progressé à travers trois générations de matériaux d’émetteur12. Le premier est constitué de matériaux fluorescents, qui ne peuvent récolter que les excitons singulets, ce qui conduit théoriquement à l’efficacité quantique interne (IQE) de 25 %. Les OLED de deuxième génération utilisent des émetteurs phosphorescents pour accéder à tous les excitons singulet et triplet, en raison du couplage spin-orbite efficace, tous les électrons triplets peuvent également être récoltés, ce qui conduit à 100 % IQE13,14. Cependant, ces complexes contiennent des métaux lourds comme l’iridium (Ir) ou le platine (Pt), ce qui soulève des préoccupations environnementales et des problèmes de coût. Vient ensuite la troisième génération d’OLED, comprenant les émetteurs de fluorescence retardée activées thermiquement (TADF) 15,16,17,18,19.

Les molécules TADF présentent un petit écart d’énergie entre les états excités triplet et singulet, permettant le croisement intersystème inverse (RISC) activé par l’énergie thermique et atteignant un IQE théorique de 100%20. La conception d’une molécule TADF repose sur la stratégie consistant à attacher un groupe donneur et un groupe accepteur avec ou sans l’aide d’une unité centrale. Un noyau approprié permet un couplage électronique efficace entre les groupes donneur et accepteur. Les groupes riches en électrons (par exemple, carbazole, phénoxazine, phénothiazine, triphénylamine) sont généralement utilisés comme donneurs, tandis que les groupes déficients en électrons (par exemple, les groupes triazine, oxadiazole, benzophénone ou cyano) fonctionnent comme des accepteurs 21,22,23,24,25,26,27. Les émetteurs TADF possèdent un petit écart d’énergie singulet-triple (ΔEST), ce qui facilite le croisement intersystème inverse (RISC)28. Ici, dans ce travail, nous préparons une molécule TADF de type D-A, qui sera ensuite utilisée pour fabriquer un dispositif OLED émissif vert28.

Les OLED multicouches ont considérablement fait progresser la technologie OLED en améliorant les mesures de performance par rapport aux appareils monocouches. Un dispositif OLED multicouche contient plusieurs couches organiques, chacune d’entre elles remplissant une fonction spécifique 29,30. Les performances de l’appareil peuvent être adaptées en modifiant le matériau, l’épaisseur et la concentration de chaque couche. Les matériaux de ces couches sont choisis en fonction de leur niveau d’énergie de l’orbitale moléculaire occupée la plus élevée (HOMO) et de l’orbitale moléculaire inoccupée la plus basse (LUMO). Ces couches organiques restent prises en sandwich entre les deux électrodes (cathode et anode). Une fois connectés au circuit, les électrons circulent de l’HOMO des molécules émissives vers la source de tension à travers l’anode, créant un trou. Alors que la source de tension fournit des électrons au LUMO de la molécule à travers la cathode. Ces charges opposées traversent le dispositif et se recombinent dans la couche émissive, et la recombinaison radiative des excitons émet des photons. En fonction des matériaux de la couche émissive et de leur écart d’énergie HOMO-LUMO, la couleur d’émission peut varierde 29. Il est souhaitable que la recombinaison se produise dans la couche émissive (EML) ; Pour cela, une structure d’appareil optimisée est nécessaire. Si les couches et leur épaisseur ne sont pas correctement optimisées, la recombinaison peut être décalée, ce qui entraîne de mauvaises performances du dispositif.

La fabrication de dispositifs multicouches peut être de deux types, soit par dépôt thermique sous vide, soit par traitement en solution. Ici, dans cet article, une méthode détaillée est présentée pour la fabrication d’un émetteur TADF à l’aide de la méthode traitée en solution (dans laquelle un revêtement par centrifugation est réalisé pour les trois premières couches, suivi du dépôt sous vide des trois couches suivantes). Le processus de fabrication du dispositif traité par la solution a attiré plus d’attention en raison de sa rentabilité, de sa grande évolutivité et de sa durabilité environnementale. De plus, le gaspillage de matériau est comparativement inférieur à l’évaporation thermique sous vide. Le matériau traité en solution peut être déposé à température ambiante, ce qui en fait un choix approprié, permettant la fabrication sur des substrats souples et sensibles à la chaleur. En fait, pour les molécules à faible stabilité thermique, le dispositif ne peut être fabriqué que par cette méthode. Cependant, il y a quelques éléments à prendre en compte avant la fabrication. La solubilité de l’émetteur, la stabilité et l’uniformité du film doivent être vérifiées.

Ici, nous avons préparé une molécule TADF de type D-A, qui sera ensuite utilisée pour fabriquer un dispositif OLED émissif vert28. Tout d’abord, la stratégie de synthèse de l’émetteur TADF 2BPy-oTC est discutée en quelques mots ; La discussion détaillée a déjà été rapportée dans le document précédent de notre groupe28. De plus, le matériau synthétisé a été purifié par chromatographie sur colonne, et pour obtenir un matériau de haute pureté, il a été sublimé à l’aide d’une configuration de sublimation à gradient de température sous vide poussé. L’étape de purification est extrêmement nécessaire, car toute trace d’impureté affectera les performances de l’appareil. Ensuite, pour la fabrication de l’appareil, des substrats de verre à motifs d’oxyde d’indium et d’étain (ITO) ont été prélevés et nettoyés. Le nettoyage des supports est très important31. Les substrats revêtus d’ITO ont été nettoyés en profondeur par sonication avec une solution savonneuse, de l’eau ultrapure et des solvants organiques, puis nettoyés à l’ozone. Ensuite, la couche d’injection de trous (HIL) a été enduite par centrifugation sur le substrat ITO (anode), et la couche polymère de poly(3,4-éthylènedioxythiophène) polystyrène sulfonate (communément appelée PEDOT : PSS) a été prise comme HIL. La couche de transport de trous (HTL) a été revêtue par centrifugation sur le dessus de HIL. Cette couche aide à la migration des trous vers la couche émissive. Le poly(9-vinylcarbazole) (PVK), ayant un niveau d’énergie HOMO similaire à celui de PEDOT : PSS, a été utilisé comme HTL. De plus, la couche émissive (EML) a été recouverte d’un revêtement par centrifugation sur HTL. Pour éviter l’extinction de la concentration dans la plupart des dispositifs basés sur TADF, la molécule émettrice est dispersée dans une matrice hôte. Dans cette étude, 10 % en poids de 2BPy-oTC ont été prélevés dans l’hôte N,N'-dicarbazolyl-4,4′-biphényle (CBP), qui est un hôte bien connu pour l’émetteur vert 32,33,34. Ensuite, ces substrats fabriqués ont été chargés dans l’évaporateur thermique. La couche de transport d’électrons (ETL) et la couche d’injection d’électrons (EIL) ont été déposées par évaporation thermique. Cette évaporation thermique exige un contrôle précis du taux de dépôt dans un environnement de vide poussé. Le 2,2′,2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phényl-1 H-benzimidazole) (TPBi) a été déposé en tant qu’ETL, ce qui aide à transférer les électrons de l’EIL à l’EML, et le 8-hydroxyquinolinolato-lithium (Liq) a été utilisé en tant qu’EIL, qui injecte les électrons dans l’architecture du dispositif par effet tunnel. Enfin, 100 nm d’aluminium ont été déposés à l’aide d’un masque cathodique. Ainsi, la structure globale du dispositif est la suivante : ITO/ PEDOT :PSS (30 nm)/ PVK (30 nm)/ 10 wt % 2BPy-oTCz in CBP (30 nm)/ TPBi (50 nm)/ Liq (2 nm)/ Al (100 nm).

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Protocole

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REMARQUE : Les appareils sont très sensibles à la poussière et aux particules étrangères ; Tout type d’impureté peut altérer les performances réelles de l’émetteur et peut potentiellement entraîner un dysfonctionnement ou des courts-circuits dans l’appareil. Ceux-ci doivent donc être fabriqués dans un endroit propre avec les plus grandes précautions. Il est conseillé de préparer les appareils à l’intérieur de la boîte à gants avec un environnement contrôlé d’humidité et d’oxygène (oxygène et niveau d’humidité 0,1 ppm).

1. Stratégie synthétique de l’émetteur

  1. Trouvez une conception appropriée pour une molécule TADF à base d’accepteur donneur à l’aide d’une étude de la littérature. Examiner la structure proposée à l’aide de calculs théoriques ; S’il satisfait aux exigences, procédez à la synthèse. Généralement, si la molécule a ΔEST < 0,2 eV, alors elle peut présenter la propriété TADF 35,36,37.
    REMARQUE : Pour cette étude, la molécule 2BPy-oTCz a été prise comme émetteur28. Ici, le 3,6-di-tert-butyl-9H-carbazole (TC), riche en électrons, agit comme l’unité donneuse d’électrons, tandis que la phényl(pyridine-2-yl)méthanone (2BPy), ayant un groupe carbonyle électronégatif attaché, agit comme l’unité accepteuse. La voie de synthèse est illustrée à la figure 1, et les caractérisations détaillées sont fournies dans une publication précédente28.

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Figure 1 : Processus de synthèse de l’émetteur 2BPy-oTC. Veuillez cliquer ici pour voir une version agrandie de cette figure.

2. Purification de l’émetteur

  1. Purifier le composé synthétisé par chromatographie sur colonne. Utilisez un mélange d’acétate d’éthyle/n-hexane comme éluant.
  2. Obtenez un composé de haute pureté (>99,9 %) en sublimant le composé à l’aide d’une configuration de sublimation thermique à gradient de température et sous vide poussé. Cela sépare l’impureté du composé en fonction de leur température de sublimation.

3. Fabrication de dispositifs traités en solution

REMARQUE : Ici, dans ce document, les étapes de fabrication d’un dispositif traité en solution avec l’émetteur 2BPy-oTC sont démontrées. L’image schématique de l’architecture du dispositif et des structures moléculaires est donnée à la figure 2.

figure-protocol-2
Figure 2 : Couches moléculaires utilisées pour la fabrication du dispositif. (A) Architecture du dispositif montrant l’épaisseur et les niveaux d’énergie HOMO-LUMO de toutes les couches. (B) Structure moléculaire du PVK, du CBP, du Liq et du TPBi. Veuillez cliquer ici pour voir une version agrandie de cette figure.

  1. Nettoyage du substrat
    1. Pour fabriquer de bons appareils, les substrats doivent être nettoyés en profondeur. Prenez les substrats en verre ITO à motifs.
      REMARQUE : Ces substrats ITO à motifs peuvent être de différents types ; Il peut contenir 2/4/6/8 pixels et la taille des pixels peut également varier. Dans cet article, des substrats contenant 6 pixels ont été prélevés, et après la fabrication du dispositif, la zone de 1 pixel est d’environ 4,5 mm2.
    2. Conservez les supports dans un support de support pour le nettoyage. Ensuite, immergez-le dans de l’acétone (dans un bécher) et faites-le sonicate dans un bain à ultrasons pendant 10 minutes (maintenez la température autour de 40 °C).
    3. Sonicez les substrats dans de l’alcool isopropylique, suivi de 1 % (v/v) d’eau savonneuse Helmanex III, d’eau ultra-pure, d’acétone et d’alcool isopropylique en séquence pendant 10 minutes chacun. Maintenez la température autour de 40 °C et un nettoyage approprié est nécessaire pour éliminer la poussière et les résidus organiques des supports.
    4. Retirez les supports puis séchez-les avec un pistolet à azote. Après cela, identifiez le côté ITO sur le substrat en vérifiant la conductivité à l’aide d’un multimètre, puis nettoyez la surface ITO à l’aide d’un nettoyant à l’ozone UV.
  2. Revêtement par centrifugation de HIL, HTL et EML
    1. Pour appliquer une couche d’injection de trous (HIL) sur la surface de l’ITO, filtrez d’abord le PEDOT :PSS disponible dans le commerce à travers un filtre de seringue en PTFE (polytétrafluoroéthylène) de 0,45 μm38 dans un flacon. Couvrez la surface supérieure conductrice des substrats avec le PEDOT : PSS filtré.
    2. PEDOT :PSS contient de l’eau ; Enduisez-le à l’extérieur de la boîte à gants, sinon le niveau d’humidité augmentera à l’intérieur de la boîte à gants.
      REMARQUE : Pour ce travail, une couche de 30 nm d’épaisseur a été revêtue par centrifugation avec un régime de 5000 tr/min et une accélération de 2000 rotation/s, durée 60 s. Optimisez l’épaisseur de cette couche HIL en fonction du besoin.
    3. Maintenez le substrat revêtu sur une plaque chauffante à 140 °C pendant environ 20 min pour le recuit. Essuyez les côtés et le dessous du substrat à l’aide d’un coton-tige humide ou d’un mouchoir non pelucheux. Mettez les substrats à l’intérieur de la boîte à gants après le recuit.
    4. À l’intérieur de la boîte à gants, appliquez une couche de 30 nm de PVK (solution de 10 mg/mL dans du chlorobenzène) en tant que couche de transport de trous (HTL), au-dessus de HIL39 avec un régime de 4000 tr/min et une accélération de 2000 rotation/s, durée 60s.
    5. Encore une fois, conservez-le sur une plaque chauffante à 140 °C pendant environ 20 min pour le recuit.
      REMARQUE : Comme les températures d’ébullition de l’eau et du chlorobenzène sont respectivement de 100 °C et 132 °C, la température de recuit a été maintenue à 140 °C, ce qui est supérieur à ces valeurs de température d’ébullition.
    6. Pour faire tourner l’EML, filtrez la solution hôte intégrée à l’émetteur à travers un filtre à seringue en PVDF de 0,45 μm dans un flacon en verre. Revêtement par rotation d’une couche de 30 nm avec un régime de 3000 tr/min et une accélération de 1500 rotation/s, durée 60 s.
      REMARQUE : Dans ce travail, 10 % en poids de 2BPy-oTC dans l’hôte CBP ont été pris comme EML (9 mg de l’hôte et 1 mg de l’émetteur dans 1 mL de toluène).
      1. Pour produire 10 % en poids de l’émetteur, préparez d’abord des solutions mères de 10 mg/mL dans du toluène de l’émetteur et de l’hôte dans des flacons en verre séparés. Sonicer le flacon émetteur et chauffer le flacon hôte à 70 °C pour obtenir des solutions homogènes. Ajoutez maintenant hôte : émetteur dans un rapport de 9:1 pour obtenir une solution d’émetteur de 10 % en poids.
    7. Essuyez les côtés et le fond du substrat à motif ITO avec du toluène et transférez-le dans l’évaporateur thermique sur un support de substrat métallique (image ci-jointe en SI).
  3. Préparation de la chambre d’évaporation et évaporation des couches organiques.
    Déposez l’ETL, l’IIL et la couche cathodique par dépôt thermique sous vide. Déposez l’épaisseur requise des couches en contrôlant les taux et le temps d’évaporation. Évaporez 50 nm de TPBi, 2 nm de Liq et 100 nm d’aluminium pour terminer la fabrication du dispositif.
    1. Allumez l’évaporateur et le refroidisseur (pour la circulation de l’eau).
    2. Conservez les matériaux ETL, AIL et Cathode de qualité sublimée dans les creusets en quartz respectifs pour l’évaporation thermique.
      REMARQUE : Le 2,2′,2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phényl-1 H-benzimidazole) (TPBi) a été pris comme ETL, le 8-hydroxyquinolinolato-lithium (Liq) a été pris comme EIL et l’aluminium a été pris comme matériau de cathode dans cette étude. La figure 3 montre qu’un maximum de 10 matériaux peuvent être chargés dans l’évaporateur thermique pour le dépôt de différents matériaux.
    3. Vérifiez la durée de vie de tous les capteurs avant de commencer l’évaporation. Après avoir placé les substrats à l’intérieur de la chambre à vide, verrouillez la porte et allumez la pompe à vide. Il faudra environ 1 heure pour atteindre le vide. Lorsque le vide atteint 10-6 mbar, démarrez le processus d’évaporation.
      REMARQUE : Vérifiez la durée de vie des cristaux ; Ils doivent être supérieurs à 80, sinon changez le cristal du capteur. Le temps nécessaire pour atteindre le vide peut varier en fonction de la capacité de la pompe.
    4. Pour assurer un dépôt homogène, démarrez la rotation dans le plan de la plaque de substrat.
    5. Préchauffez le creuset TPBi en mettant le creuset TPBi sous tension. Contrôlez le taux d’évaporation en contrôlant le flux de courant. Une fois que le taux se stabilise autour de 1-1,5 Å/s, ouvrez l’obturateur pour le dépôt.
    6. Après évaporation 50 nm TPBi, fermez l’obturateur pour arrêter le dépôt. Réduire le chauffage en réduisant le flux de courant. Attendez que le creuset refroidisse.
    7. De la même manière, pour EIL, préchauffez le creuset Liq en allumant le creuset Liq. Une fois que le taux d’évaporation se stabilise autour de 0,2 Å/s, ouvrez l’obturateur pour le dépôt.
    8. Après avoir évaporé 2 nm de Liq, fermez l’obturateur pour arrêter le dépôt. Réduire le chauffage en réduisant le flux de courant. Attendez que le creuset refroidisse.
    9. Arrêtez la rotation de la plaque de substrat.
    10. Comme les deux couches organiques se déposent, il est temps pour l’évaporation de l’aluminium (pour la cathode). Changez le masque pour déposer de l’aluminium.
      REMARQUE : Généralement, deux masques différents sont conservés dans toutes les configurations, l’un pour déposer des couches organiques et l’autre pour déposer des matériaux de cathode.
    11. Activez la rotation de la plaque de substrat pour un dépôt homogène et réglez-la sur 18 tr/min.
    12. Préchauffez le bateau en aluminium en allumant le bateau en aluminium. Une fois que le taux d’évaporation se stabilise autour de 2-3 Å/s, ouvrez l’obturateur pour le dépôt.
    13. Après avoir évaporé 100 nm Al, fermez l’obturateur pour arrêter le dépôt. Réduire le chauffage en réduisant le flux de courant. Attendez que le bateau refroidisse. La lueur de l’aluminium chaud est donnée en SI.
    14. Désactivez la rotation.
    15. Attendez 45 à 60 min, afin que les particules à l’intérieur de la chambre se déposent. Retirez les appareils de l’évaporateur par la boîte à gants.
  4. Mesure des paramètres de l’appareil
    1. Étalonnez la configuration de mesure OLED.
    2. Gardez l’appareil sur une configuration de mesure. Assurez-vous que les connexions entre la cathode et l’anode sont correctes.
    3. Mesurez les tracés caractéristiques de l’appareil en changeant la tension de 0 à 20 V, par incréments de 0,5 V, dans un environnement sombre à l’aide d’un compteur de source et d’un multimètre. Utilisez un photodétecteur au silicium pour détecter le signal.
    4. D’autre part, pour obtenir l’émission EL, mesurez la luminescence à différentes tensions dans un environnement sombre à l’aide d’un spectrophotomètre de fluorescence. Choisissez la fenêtre d’émission de 300 à 800 nm.
    5. À l’aide du logiciel de mesure OLED, avec les valeurs d’entrée de la surface de pixel connue, de la distance entre l’appareil et le photodétecteur et du gain du photodétecteur, les paramètres corrects de l’appareil peuvent être obtenus. La densité de courant (J), l’efficacité quantique externe (EQE), l’efficacité lumineuse (ƞP), l’efficacité du courant (ƞL) et la luminance (L) peuvent être calculées.

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Résultats

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La figure 3A montre la disposition de tous les creusets (ou bateaux) à l’intérieur de l’évaporateur thermique et les matériaux utilisés dans leurs positions respectives. L’installation contient 10 bateaux, ce qui signifie qu’il est possible de charger au maximum 10 matériaux différents. La figure 3B montre la position des six capteurs. Ces capteurs de microbalance à cristal de quartz (QCM) aident à déterminer les valeurs d’épais...

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Discussion

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La procédure ci-dessus sert de guide complet pour la stratégie de synthèse d’une molécule TADF, la purification, la fabrication de dispositifs traités en solution et la caractérisation des OLED. Le dispositif OLED a été fabriquépar traitement facile de la couche émissive. Il en résulte un faible coût et un contrôle facile du pourcentage de poids de l’hôte dans la couche émissive. Cette méthode permet également une évolutivité facile de l’appareil et une intégratio...

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Déclarations de divulgation

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Les auteurs ne divulguent aucun conflit d’intérêts.

Remerciements

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

La bourse de recherche du Premier ministre (FRPM) est heureusement reconnue par la S.I.C. et la S.C. pour la bourse de doctorat. S.B. grâce à la bourse postdoctorale IISc-Institute of Eminence (IoE). La Commission des subventions universitaires (UGC) et le ministère de l’Éducation (MoE) sont reconnus par S.H.N. et N.Y., respectivement, pour leur bourse de doctorat. P.R. remercie le Conseil de la recherche scientifique et industrielle (CSIR) [Code de subvention - 01WS(031)/2023-24/EMR-II/ASPIRE].

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Matériaux

Liste des matériaux utilisés dans cet article
NomEntrepriseNuméro de catalogueCommentaires
13 mm X 0,22 & mu ; m  ; Filtre à seringue PVDFBSB PharmaBSBPTF1345
13 mm X 0,45 & mu ; m  ; Filtre à seringue PTFEBSB PharmaBSBPV1345
2,2&prime ;,2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phényl-1H-benzimidazole) (TPBi)BLD PharmaBD234896Sublimé
8-Hydroxyquinolinolato-lithium (Liq)BLD PharmaBD446731Sublimé
AcétonePurechemutilisé comme tel
Granulés d’aluminium & nbsp ;Kurt J. LeskerEVMAL50EXQD99,999 % de pureté
ChlorobenzèneSpectrochem10342> 99 % puriss AR
Solution de savon Hellmanex IIISigma - AldrichZ805939Solution de savon à 1 % (v/v) utilisée
Alcool isopropyliquePurechemutilisé comme tel
Substrat en verre à motif ITOZhuhai Kaivo Optoelectronic Technology Co., Ltd.Article n° 004-1520-SKRésistance de la feuille < 17 ohm/pi², taille = 15*20 * 1,1 mm, Transmittance >82 %
N,N&prime ;-Dicarbazolyl-4,4&prime ;-biphényl (CBP)BLD PharmaBD21599Sublimé
PÉDOT : PSSOssila (acheté)Clevios P VP AI 4083  ;
Poly (9-vinylcarbazole) (PVK)Sigma - Aldrich182605Mw moyen ~1 100 000, utilisé comme tel
ToluèneSpectrochem52035Grade de spectroscopie

Références

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