Name: Induite par laser transfert vers lavant pour Flip-chip emballage de Dies simples (Vidéo) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-03-20T14:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 21 s
Description: Découvrez la technique LIFT pour l'assemblage flip-chip de composants optoélectroniques. Cette méthode simple et économique utilise des impulsions laser pour transférer des micro-bosses métalliques à basse température.

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Ce travail a été réalisé dans le cadre du projet « MIRAGE », financé par la Commission européenne dans le cadre du programme FP7.

1. assisté LIFT-flip-chip Bonding NOTE: Il ya trois étapes impliquées dans la réalisation des assemblages flip-chip assisté LIFT-, à savoir-micro-supplantation des substrats en utilisant la technique de LIFT, fixer les puces optoélectroniques aux substrats tombé utilisant thermo-compression procédé de collage flip-chip, et enfin encapsulation des assemblages collés. Chacune de ces étapes est discutée dans les sections suivantes: <ol><li> Micro-choc utilisant LIFT: <ol><li> Pour la préparation des donateurs, déposer un film mince du matériau donneur sur un substrat de support transparent au laser. Pour cette expérience, évaporer une couche épaisse de 200 nm d&#39;indium métal sur le dessus du verre substrat de support avec les dimensions: 2 pouces de diamètre x 0,05 cm d&#39;épaisseur. REMARQUE: la méthode de préparation des bailleurs de fonds dépend de la phase du matériau donneur, par exemple, utiliser l&#39;évaporation et la pulvérisation des matériaux de donateurs en phase solide et de spin-coating et le médecin à roues alignées pour en phase liquide donateurss. </li><li> Pour la préparation de récepteur, utiliser des substrats de verre avec des dimensions de 5 x 5 x 0,07 cm 3 que les récepteurs. Motif ces substrats avec les plots de contact métalliques pour lier la puce OE et fan-out sonder structures utilisant la photolithographie. Pour cette expérience, épais plots de Ni-Au modèle 4 um et fan-out sonder pistes sur des substrats du récepteur de verre. </li><li> Ensuite, placez le donneur en contact avec le récepteur et monter l&#39;ensemble des donateurs récepteur sur une platine de translation XY contrôlé par ordinateur. NOTE: En fonction de la phase du matériau donneur (par exemple, solide (indium) ou liquide (encre / coller)) et son épaisseur, le donateur et les substrats du récepteur sont placés à une séparation optimale qui peut être facilement contrôlé (par exemple, par utilisant des entretoises métalliques). </li><li> Focaliser le faisceau laser incident à l&#39;interface support-donateurs employant un objectif de 160 mm de focale et de balayer le faisceau (20 um de taille de spot) à travers le Substrat donneure pour transférer donateurs micro-bosses sur le récepteur obligataires tampons. Utilisez une source laser picoseconde de 355 nm de longueur d&#39;onde et 12 durée d&#39;impulsion psec LIFT bosses indium sur le récepteur obligataires tampons à une fluence de 270 mJ / cm 2. REMARQUE: Les propriétés laser tels que l&#39;énergie, non. d&#39;impulsions, la hauteur de l&#39;objectif, les coordonnées de l&#39;emplacement précis sur le substrat du récepteur pour l&#39;impression donateurs micro-chocs et le motif désiré être transférés sont contrôlés avec précision par un programme informatique. Paramètres expérimentaux clés (par exemple, le transfert fluence) doivent être optimisés en cas d&#39;utilisation d&#39;une autre source laser. </li><li> Pour bosses épaisses déplacer le donneur à un endroit frais et répétez l&#39;étape 1.1.4 à plusieurs reprises. Par exemple, répétez l&#39;étape 1.1.4 six fois pour obtenir une pile de 6 billes d&#39;indium imprimés sur le dessus de l&#39;autre pour cette expérience. La dernière levée bosses ont une hauteur moyenne de ~ 1,5 um et un diamètre de 20 pm (Figure 2). NOTE: Pour ces expériments du profil de surface et l&#39;épaisseur des bosses ont été mesurées en utilisant un profilomètre optique. On a examiné ce que les bosses ont une morphologie convexe / dôme avec une épaisseur moyenne de 1,5 pm, en moyenne sur le diamètre de la bosse (comme indiqué sur la figure 3 jaune). La raison de ceci est due au fait que le donneur fondu dans la zone irradiée par laser et la pastille re-transféré ensuite solidifiée après avoir atteint la surface de réception (indium a un point de fusion bas). L&#39;avantage de ceci est que cela se traduit par une bonne adhérence de la bosse imprimé à des plots de contact VCSEL. </li></ol></li><li> Chip au substrat soudage par thermo-compression (figures 4-6): <ol><li> Utilisez un semi-automatique flip-chip colle pour coller les puces optoélectroniques aux substrats tombé. </li><li> Chargez le récepteur heurté et la puce à coller sur leurs plaques à vide respectives de la colle. Placez la puce dans une position inversée, ce est à dire, avec sa zone fac actifVERS LE HAUT. </li><li> Utilisez un outil de pick-up approprié et l&#39;aligner sur le centre de la puce. Utilisez un outil en forme d&#39;aiguille, comme indiqué sur la Figure 5. Ensuite, choisissez la puce en utilisant cet outil de prise en charge. </li><li> Alignez les puces obligataires tampons avec les plots de contact correspondants sur le substrat du récepteur en utilisant un système caméra-alignement. </li><li> Une fois aligné lieu la puce sur le substrat. </li><li> Appliquez de la chaleur (~ 200 ° C) et de pression (12,5 gf / bosse) simultanément de réaliser la puce au substrat interconnexions électriques et mécaniques. </li></ol></li><li> Encapsulation des assemblages collés (figures 4-6): <ol><li> Distribuer un adhésif optiquement transparent sur les bords de l&#39;assemblage collé en utilisant une aiguille de seringue. L&#39;encapsulation augmente la fiabilité mécanique des assemblages collés. Utilisez un seul composant adhésif à durcissement UV tels que NOA 86 pour encapsuler les puces collées. </li><li> Durcir l&#39;adhésif à l&#39;aide d&#39;une lampe UV pendant environ 30 sec. </li></ol></li></ol> 2. La caractérisation des agglomérés à cavité verticale lasers à émission de surface (VCSEL) NOTE: Après la fabrication de la prochaine étape consiste à évaluer la performance électro-optique des assemblages collés. Les courbes courant-tension-lumière (LIV) des appareils sont enregistrées post collage utilisant une station de sonde. Les étapes suivantes sont impliqués pour le test: <ol><li> Placez le flip-chip dispositif collé sur une scène transparente sur mesure. L&#39;étape a un trou percé dans le centre pour un accès facile à la lumière émise par les VCSEL. </li><li> Placer un photodétecteur (PD) au-dessous de l&#39;étage transparent et aligner sa surface active de la puce de stockage au moyen d&#39;un microscope. </li><li> Positionner avec précision les aiguilles de sondage sur le Ni-Au sonder plaquettes en utilisant un microscope. </li><li> Injecter jusqu&#39;à 10 mA de courant et mesurer la chute de tension aux bornes du VCSEL et la lumière émise par celle-ci en utilisant un / tension unité source de courant et un compteur wattmètre restivement. </li></ol>

<ol><li>Davis, E., Harding, W., Schwartz, R., Coring, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Solid+logic+technology%3A+versatile%2C+high+performance+microelectronics%5BTitle%5D)+AND+%22IBM+J.+Res.+Develop%22%5BJournal%5D)">Solid logic technology: versatile, high performance microelectronics.</a> IBM J. Res. Develop. 8, 102-114 (1964).</li>
<li>Bigas, M., Cabruja, E., Lozano, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Bonding+techniques+for+hybrid+active+pixel+sensors+%28HAPS%29%5BTitle%5D)+AND+%22Nucl.+Instrum.+Methods+Phys.+Res.+A%22%5BJournal%5D)">Bonding techniques for hybrid active pixel sensors (HAPS).</a> Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 574 (2), 392-400 (2007).</li>
<li>Bohandy, J., Kim, B. F., Adrian, F. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Metal+deposition+from+a+supported+metal+film+using+an+excimer+laser%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Metal deposition from a supported metal film using an excimer laser.</a> J. Appl. Phys. 60 (4), 1538-1539 (1986).</li>
<li>Kaur, K. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Shadowgraphic+studies+of+triazene+assisted+laser-induced+forward+transfer+of+ceramic+thin+films%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Shadowgraphic studies of triazene assisted laser-induced forward transfer of ceramic thin films.</a> J. Appl. Phys. 105 (11), 113119(2009).</li>
<li>Boutopoulos, C., Pandis, C., Giannakopoulos, K., Pissis, P., Zergioti, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Polymer%2Fcarbon+nanotube+composite+patterns+via+laser+induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Physc.+Lett%22%5BJournal%5D)">Polymer/carbon nanotube composite patterns via laser induced forward transfer.</a> Appl. Physc. Lett. 96, 041104(2010).</li>
<li>Xu, J., Liu, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-assisted+forward+transfer+of+multi-spectral+nanocrystal+quantum+dot+emitters%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Laser-assisted forward transfer of multi-spectral nanocrystal quantum dot emitters.</a> Nanotechnology. 18 (2), 025403(2007).</li>
<li>Doraiswamy, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Excimer+laser+forward+transfer+of+mammalian+cells+using+a+novel+triazene+absorbing+layer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Excimer laser forward transfer of mammalian cells using a novel triazene absorbing layer.</a> Appl. Surf. Sci. 252 (13), 4743-4747 (2006).</li>
<li>Papazoglou, S., Raptis, Y. S., Chatzandroulis, S., Zergioti, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((I.A+study+on+the+pulsed+laser+printing+of+liquid+phase+exfoliated+graphene+for+organic+electronics%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+A%22%5BJournal%5D)">I.A study on the pulsed laser printing of liquid phase exfoliated graphene for organic electronics.</a> Appl. Phys. A. , (2014).</li>
<li>Chatzipetrou, M., Tsekenis, G., Tsouti, V., Chatzandroulis, S., Zergioti, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Biosensors+by+means+of+the+laser+induced+forward+transfer+technique%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Biosensors by means of the laser induced forward transfer technique.</a> Appl. Surf. Sci. 278, 250-254 (2013).</li>
<li>Stewart, J. S., Lippert, T., Nagel, M., Nuesch, F., Wokaun, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Red-green-blue+polymer+light-emitting+diode+pixels+printed+by+optimized+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Red-green-blue polymer light-emitting diode pixels printed by optimized laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 100 (20), 203303(2012).</li>
<li>Kaur, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Waveguide+mode+filters+fabricated+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">Waveguide mode filters fabricated using laser-induced forward transfer.</a> Opt. Express. 19 (10), 9814-9819 (2011).</li>
<li>Kuznetsov, A. I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser+fabrication+of+large-scale+nanoparticle+arrays+for+sensing+applications%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Laser fabrication of large-scale nanoparticle arrays for sensing applications.</a> ACS Nano. 5 (6), 4843-4849 (2011).</li>
<li>Rapp, L., Diallo, A. K., Alloncle, A. P., Videlot-Ackermann, C., Fages, F., Delaporte, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Pulsed-laser+printing+of+organic+thin-film+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Pulsed-laser printing of organic thin-film transistors.</a> Appl. Phys. Lett. 95 (17), 171109(2009).</li>
<li>Assembly of optoelectronics for efficient chip-to-waveguide coupling. Bosman, E., Kaur, K. S., Missinne, J., Van Hoe, B., Van Steenberge, G. 15th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), Dec 11-13, , 630-634 (2013).</li>
<li>Kaur, K. S., Missinne, J., Van Steenberge, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flip-chip+bonding+of+vertical-cavity+surface-emitting+lasers+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Flip-chip bonding of vertical-cavity surface-emitting lasers using laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 104 (6), 061102(2014).</li>
<li>Kaur, K. S., al, et <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-induced+forward+transfer+of+focussed+ion+beam+pre-machined+donors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Laser-induced forward transfer of focussed ion beam pre-machined donors.</a> Appl. Surf. Sci. 257 (15), 6650-6653 (2011).</li>
</ol>

Les auteurs n’ont rien à divulguer.

Dans cet article, nous avons démontré thermo-compression flip-chip collage des puces VCSEL simples en utilisant une technique d&#39;écriture directe basé sur un laser appelé LIFT. Les étapes de fabrication assemblage impliqués impression des micro-bosses d&#39;indium sur les plots de contact de substrat en utilisant la technique de LIFT. Cela a été suivi par thermo-compression flip-chip collage des puces VCSEL aux substrats heurté et enfin leur encapsulation. Électriques, optiques et mécaniq...

Induite par laser transfert vers l&#39;avant (LIFT) est une écriture directe additif procédé de fabrication polyvalent pour la définition du motif en une seule étape et de transfert de matériel avec micron et sub-micronique résolution. Dans cet article, nous présentons l&#39;utilisation de LIFT comme une technique pour cogner flip-chip emballage de cavité verticale émettant surface lasers VCSEL () sur une puce échelle. Flip-puce est une technologie clé dans l&#39;emballage et l&#39;intégration de (OE) composants électroniques et optoélectroniques système. Afin de parvenir à une intégration dense de composants liaison à pas fin est essentiel. Bien que la liaison à pas fin a été démontré par certaines des techniques standard, mais il ya un vide en termes de combiner ensemble les autres caractéristiques importantes telles que la flexibilité, la rentabilité, la vitesse, la précision et à faible température de traitement. Afin de répondre à ces exigences, nous démontrons procédé de collage assisté LIFT-thermo-compression pour bien collage de hauteur des composants OE. En LIFT, un film mince du matériau à imprimer (dénommé donneur) est déposée sur une face d&#39;un substrat de support transparent au laser (dénommé le transporteur). La figure 1 illustre le principe de base de cette technique. Une impulsion laser incident d&#39;une intensité suffisante est alors concentré à l&#39;interface support-donneur qui fournit la force de propulsion requise pour transmettre transférer le pixel de donneur de la zone irradiée sur un autre substrat (dénommé récepteur) placé à proximité immédiate. LIFT a été signalée pour la première en 1986 par Bohandy comme une technique pour imprimer des lignes de cuivre de taille micronique pour réparer endommagés photo-masques 3. Depuis sa première démonstration de cette technique a suscité un intérêt important en tant que technologie de fabrication de micro-nano pour motifs contrôlée et l&#39;impression d&#39;une large gamme de matériaux tels que la céramique 4, 5, NTC QDs 6, 7 cellules vivantes, graphiqueène 8, pour diverses applications telles que les bio-capteurs 9, OLED 10, 11 composants optoélectroniques, capteurs plasmoniques 12, bio-électronique 13 et collage 14,15 flip-chip. LIFT offre plusieurs avantages par rapport aux techniques de supplantation et de liaison flip-chip existants tels que la simplicité, la rapidité, la flexibilité, la rentabilité, de haute résolution et la précision des flip-chip emballage de composants OE.

<table><tbody><tr><td>Source laser</td><td>3D MicroMac (3DMM)</td><td>2912-295</td><td></td></tr><tr><td>Photodétecteur</td><td>Newport&nbsp ;</td><td>Série 818 Unité</td><td></td></tr><tr><td>de mesure de source</td><td>Keithley&nbsp ;</td><td>2401</td><td></td></tr><tr><td>Capteur de puissance</td><td>Newport&nbsp ;</td><td>1930</td><td></td></tr><tr><td>Sous-remplissage</td><td>Norlands</td><td>NOA 86</td><td></td></tr><tr><td>Lampe UV</td><td>Omnicure</td><td>Series 1000</td> Station de sonde UV <td></td></tr><tr><td></td><td>Cascade Microtech</td><td>modèle 42</td><td></td></tr><tr><td>Flip-chip</td><td>bonder Dr. Tresky</td><td>T-320 X</td><td></td></tr></tbody></table>

induite par laser transfert vers l&#39;avant pour flip-chip emballage de dies simples

Laser-induced Forward Transfer for Flip-chip Packaging of Single Dies

Flip-chip (FC) l&#39;emballage est une technologie clé pour la réalisation de haute performance, ultra-circuits miniaturisés et à haute densité dans l&#39;industrie micro-électronique. Dans cette technique, la puce et / ou le substrat est heurté et les deux sont liés par ces bosses conductrices. De nombreuses techniques ont été développées de supplantation et de recherches intensives depuis l&#39;introduction de la technologie FC en 1960 comme une impression au pochoir, stud bumping, l&#39;évaporation et chimique / galvanoplastie 2. Malgré les progrès que ces méthodes ont fait, ils souffrent tous d&#39;un ou plus d&#39;un des inconvénients qui doivent être abordés tels que le coût, les étapes complexes de traitement, les températures élevées de traitement, temps de fabrication et surtout le manque de flexibilité. Dans cet article, nous démontrons une bosse technique basée laser simple et rentable formant connu sous le nom de transfert avant induite par laser (LIFT) 3. En utilisant la technique de LIFT une large gamme de matériaux de bosse peut be imprimés en une seule étape avec une grande flexibilité, haute vitesse et la précision à la température ambiante. En outre, LIFT permet de supplantation et liaison vers le bas la carte à puce à l&#39;échelle, ce qui est essentiel pour la fabrication de circuits ultra-miniature.

La figure 7 montre une courbe typique de LIV qui a été enregistrée à partir de l&#39;un des flip-chip de nombreuses puces collées VCSEL. Un bon match entre la puissance optique mesurée au fournisseur cité valeurs indiquées bon fonctionnement des dispositifs liés post collage. Les courbes ont également été enregistrées priorité et post-encapsulation et sur ​​la comparaison on a vérifié que le produit d&#39;enrobage avait aucun effet sur ​​la fonctionnalité de la puce (comme représenté sur la figu...

Nous démontrons l&#39;utilisation du transfert (LIFT) Forward technique induite par laser pour l&#39;assemblage flip-chip de composants optoélectroniques. Cette approche fournit une, rentable, à basse température simple, solution rapide et flexible pour pas fin de supplantation et de collage sur la puce à l&#39;échelle pour atteindre circuits à haute densité pour des applications optoélectroniques.

Induite par laser transfert vers l&#39;avant pour Flip-chip emballage de Dies simples

Flip-chip (FC) packaging is a key technology for realizing high performance, ultra-miniaturized and high-density circuits in the micro-electronics ...

L'objectif général de cette procédure est de démontrer l'utilisation de la technique de transfert induit par laser dans le sens direct pour l'assemblage en configuration flip chip de composants optoélectroniques. Ceci est réalisé en déposant un film mince de métal, le donneur, sur un substrat en verre transparent, le support. La deuxième étape consiste à structurer un autre substrat en verre, le récepteur, par photolithographie, en y intégrant des plots de contact métalliques et des structures de sondage sur lesquels sont transférés les microbilles donneuses.Ensuite, le donneur et le récepteur sont mis en contact et une impulsion laser est focalisée à l'interface du donneur porteur. L'impulsion transfère vers l'avant le microbus du donneur depuis la zone irradiée vers les pastilles de contact du récepteur. La dernière étape consiste à aligner une puce optoélectronique sur le substrat du récepteur prélevé et à effectuer un assemblage par collage en retournement avec compression thermique, suivi de l'encapsulation de l'ensemble assemblé.En fin de compte, les puces optoélectroniques assemblées sont caractérisées électriquement, optiquement et mécaniquement afin de démontrer le fonctionnement réussi des puces assemblées assistées par soulèvement. Les principaux avantages de la technique de soulèvement par rapport aux méthodes existantes, telles que l'impression par pochoir, l'évaporation, le placage électrolytique et l'électrodéposition, résident dans sa simplicité. Elle est rapide, rentable, s'effectue à basse température et, surtout, elle offre une flexibilité que la plupart de ces techniques standard ne possèdent pas.Les implications de cette technique s'étendent à des applications nécessitant un bumping et un assemblage de haute précision et à pas fin au niveau des puces, pour des interconnexions haute densité. La première étape consiste à préparer les substrats pour l'expérience. Cette vidéo commence par la préparation de substrats en verre de deux pouces et de cinq centimètres sur cinq centimètres, destinés respectivement au donneur et au récepteur.Le substrat donneur possède un film métallique indium de 200 nanomètres d'épaisseur déposé par évaporation sur sa surface. Le substrat récepteur a été structuré par photolithographie. La structure comprend des plots de liaison en nickel et en or de quatre micromètres d'épaisseur, ainsi que des structures de fanout pour le sondage.Une fois les substrats prêts, déplacez-les vers le dispositif de transfert vers l'avant induit par laser ou dispositif LIFT. Le dispositif LIFT comprend un laser de longueur d'onde 355 nanomètres et d'une durée d'impulsion de 12 picosecondes, ainsi qu'un objectif. Tout d'abord, le substrat récepteur est placé sur la table sous vide du dispositif de translation.Ensuite, définir la position d'impression sur le substrat récepteur à l'aide d'un système de vision par caméra, puis placer le donneur au-dessus du substrat récepteur. Le donneur et le récepteur doivent être en contact, le donneur étant placé en premier dans le trajet optique du laser. Utiliser le système de vision par caméra pour régler la mise au point et focaliser le faisceau laser sur l'interface entre le support et le donneur.Dans le logiciel de commande du laser, saisissez le motif souhaité pour le transfert des plots d'indium sur les pastilles de réception et lancez la numérisation. Voici un exemple de pastilles de réception après le transfert des plots. Des plots plus épais peuvent être créés en déplaçant le donneur vers une zone fraîche et en répétant la numérisation.Les bosses imprimées sont inspectées à l’aide du système caméra du logiciel. Après avoir retiré le substrat donneur du haut pour poursuivre, récupérez le récepteur bumpé depuis la plateforme de translation. Transportez un récepteur bumpé vers un assembleur de puces flip chip semi-automatique afin de l’assembler à une puce optoélectronique.Placer le récepteur sur la plaque à vide appropriée. Ensuite, obtenir une puce optoélectronique vixo destinée à être assemblée sur le substrat du récepteur bumpé. Voici une image d'une puce vixo, d'environ 1000 micromètres par 350 micromètres.Chargez le VLE sur une plaque à vide du bondeur en orientant sa zone active vers le bas. Commencez maintenant le processus de collage. Sélectionnez d'abord l'outil de prélèvement en forme d'aiguille et alignez-le au centre de la puce VLE.Prenez la puce et utilisez le système d'alignement par caméra pour aligner les plots de connexion de la puce avec les plots de contact correspondants sur le substrat récepteur. Une fois les plots alignés, placez la puce sur le substrat et effectuez la liaison en appliquant une force de 12,5 gramme par plot à une température d'environ 200 degrés Celsius pendant environ cinq minutes. Une fois la liaison terminée, utilisez une aiguille de seringue pour déposer un adhésif transparent aux ultraviolets autour des bords de l'ensemble.Durcissez l'adhésif avec une lampe UV pendant environ 30 secondes. Ensuite, retirez l'assemblage pour le caractériser. Après la fabrication, l'assemblage collé est prêt à être évalué quant à ses performances électro-optiques. Utilisez une station de mesure par pointes pour enregistrer les courbes courant-tension-lumière.Équipez la station d'un plateau doté d'un trou au centre permettant le passage de la lumière émise par le VLE assemblé, et fixez le substrat inversé sur celui-ci. Veillez à ce que le VLE assemblé soit aligné avec le trou. Placez ensuite un détecteur photo sous le plateau.Utilisez un microscope pour aligner sa zone active avec la puce soudée, puis continuez à positionner précisément les aiguilles de mesure sur les plots de sonde en nickel-or. Voici une image d'une puce correctement alignée avec les sondes en position pour une mesure. Pendant les mesures, injectez un courant allant jusqu'à 10 milliampères et mesurez la chute de tension aux bornes de la vle ainsi que la puissance de la lumière émise.Les lignes bleues continues et rouges en pointillés représentent les données de mesures de courant en fonction de la tension pour la puce optoélectronique avant et après encapsulation. La courbe noire continue et la courbe noire en pointillés correspondent aux données de puissance optique émise par la puce optoélectronique avant et après encapsulation. Ces données confirment le fonctionnement réussi de la VIX Excels après le collage et indiquent que l'ENCAPSULANT n'a eu aucun effet sur la fonctionnalité de la puce.Dans ce graphique, les courbes courant-tension enregistrées pour des assemblages flip chip soudés à l'aide de différentes pressions sont comparées à celles enregistrées à partir d'un die nu. Cela confirme la conclusion selon laquelle la résistance supplémentaire due aux microbilles imprimées par transfert direct induit par laser est négligeable. Les puces de laser à émission par surface à cavité verticale assemblées ont été soumises à un test de vieillissement dans une chambre climatique à 85 degrés Celsius et 85 % d'humidité relative pendant 400 heures.La résistance continue moyenne en rouge ne montre aucune variation dans le temps pour la puissance optique moyenne, une variation de moins de 0,3 décibel ayant été enregistrée en bleu. Une fois que vous avez optimisé les paramètres pour l'impression par soulèvement et le collage thermocompression, vous pouvez effectuer l'assemblage en moins de 10 minutes. Après avoir visionné cette vidéo, vous devriez bien comprendre l'utilisation de la technique de soulèvement pour l'assemblage de composants optiques chroniques uniques, qui peut ensuite être agrandie à l'échelle de la plaquette.

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Multi-étape Hauteur variable photolithographie pour dispositifs microfluidiques à valve Multilayer

Cet article présente une méthodologie de microfabrication pour surfaces pièges à ions, mais aussi une procédure expérimentale détaillée pour les ions de l’ytterbium piégeage dans un environnement à température ambiante.

Méthodes expérimentales de piégeage d’Ions à l’aide de microfabriques pièges à ions de Surface

Le volume est un paramètre important concernant les caractéristiques physiologiques et pathologiques des cellules. Nous décrivons une méthode d’exclusion fluorescent permettant la mesure de plein champ en vitro neuronale volume avec Sub micrométrique résolution axiale requise pour l’analyse des neurites et des structures dynamiques, impliqués dans la croissance neuronale.

Haute résolution Volume Imaging de neurones par l’eXclusion de l’utilisation de la Fluorescence méthode et dédié des dispositifs microfluidiques

La microscopie optique à base de puces est une nouvelle approche de la microscopie à fluorescence et offre des avantages en termes de rentabilité et de débit. Ici, les protocoles de préparation et d'imagerie des puces sont présentés pour la microscopie TIRF et la microscopie super-résolution basée sur la localisation.

Fluorescence interne totale de réflexion à haut débit et microscopie optique stochastique directe de reconstruction utilisant une puce photonique

Un protocole est présenté pour l’irradiation automatisée des feuilles d’or minces avec des impulsions laser de haute intensité. Le protocole comprend une description étape par étape du processus de fabrication de la cible de micromachining et un guide détaillé pour la façon dont les cibles sont portées au point du laser à un taux de 0,2 Hz.

Livraison automatisée de cibles microfabriquées pour des expériences intenses d’irradiation laser

Ce protocole décrit la fabrication d’une fenêtre d’imagerie intégrée implantable à l’aide de l’impression laser 3D. La fenêtre est constituée d’un système de microlentilles couplées à des micro-échafaudages. La méthode implique une polymérisation à deux photons (2PP) de la résine photosensible biocompatible SZ2080 dans une séquence continue, optimisant l’efficacité de la fabrication et l’alignement entre les différents composants.

Microfabrication d’optiques implantables intégrées dans une fenêtre d’imagerie microstructurée pour une imagerie in vivo avancée

Découvrez la technique LIFT pour l'assemblage flip-chip de composants optoélectroniques. Cette méthode simple et économique utilise des impulsions laser pour transférer des micro-bosses métalliques à basse température.

Induite par laser transfert vers l'avant pour Flip-chip emballage de Dies simples

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