Name: Développement d’OLED efficaces à partir du dépôt de solution (Vidéo) | JoVE Journal
Uploaded: 2022-11-04T12:30:00.000+00:00
Duration: 7 min 9 s
Description: Apprenez à fabriquer des OLED efficaces par dépôt de solution pour l'électronique organique imprimable. Ce protocole optimise les paramètres de spin-coating et l'équilibre des charges électriques.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

Les auteurs tiennent à remercier le projet « EXCILIGHT » du programme de recherche et d’innovation Horizon 2020 de l’Union européenne dans le cadre de la convention de subvention Marie Sklodowska-Curie n° 674990. Ce travail a également été développé dans le cadre du projet i3N, UIDB/50025/2020 & UIDP/50025/2020, financé par des fonds nationaux à travers le FCT/MEC.

ATTENTION: Les étapes suivantes impliquent l’utilisation de différents solvants et matières organiques, il faut donc prendre soin lors de la manipulation. Utilisez la hotte et l’équipement de protection comme les lunettes de laboratoire, les masques faciaux, les gants et les sarraus de laboratoire. Le pesage des matériaux doit être effectué avec précision à l’aide d’une machine à bascule de haute précision. Pour assurer la propreté des substrats, le dépôt en solution de films minces et l’évaporation, il est recommandé d’effectuer toutes les procédures dans un environnement contrôlé ou une boîte à gants. Avant l’utilisation d’un spin-coater, de micropipettes, d’évaporateurs thermiques, de matières organiques et de solvants, toutes les fiches de données de sécurité doivent être consultées.
1. Préparation de la solution hôte-invité
<ol><li>Dans deux petits flacons (volume compris entre 4 et 6 mL, nettoyés à l’isopropanol et séchés à l’azote), peser la matrice hôte composée de 12 mg de PVK et de 8 mg d’OXD-7. Commencez par peser l’OXD-7. Compenser tout écart de poids à l’aide de PVK pour obtenir un rapport final de 6:4 (PVK:OXD-7). Dans le deuxième flacon, peser 10 mg d’émetteur 2PXZ-OXD TADF.</li>
	<li>Ajouter 2 mL de chlorobenzène dans le flacon avec matrice hôte et 1 mL dans le flacon avec le matériau TADF. Si le poids des flacons n’est pas exactement celui décrit ci-dessus, ajuster le volume de chlorobenzène dans les deux flacons pour obtenir une solution à concentration finale de 10 mg/mL.</li>
	<li>Laisser les solutions agitées avec de petites barres d’agitation magnétiques nettoyées pendant au moins 3 heures pour assurer la dissolution complète des matériaux. Assurez-vous que les flacons sont recouverts en toute sécurité avec les bouchons respectifs et hermétiquement scellés avec un film chimique organique sans danger pour éviter toute évaporation des solvants.</li>
</ol>2. Nettoyage du substrat
REMARQUE: Pour manipuler les substrats, utilisez une pince à épiler, en ne touchant que dans un coin (ne touchez jamais le milieu des substrats). Les substrats utilisés ici ont six pixels ITO pré-motifs (Figure 1A).
<ol><li>Procurez-vous des substrats ITO pré-modelés. Nettoyez les substrats dans un bain à ultrasons contenant une solution d’Hellmanex à 1 % v/v dans de l’eau, de l’acétone et du 2-propanol (IPA), séquentiellement, pendant 15 minutes dans chaque bain. Effectuer le premier bain à environ 95 °C et le reste à température ambiante (RT). Enfin, sécher les substrats en utilisant un flux d’azote pour éliminer tout résidu de solvant de nettoyage.</li>
	<li>Avant la fabrication, exposer les substrats (film ITO orienté vers le haut) au traitement à l’ozone UV pendant 5 min. Extraire soigneusement les gaz et s’assurer que la face à motifs ITO est exposée aux UV. Ici, utilisez un nettoyant à l’ozone (100 W, 40 kHz). Réglez la longueur d’onde d’émission des lampes UV sur 185 nm et 254 nm avec une lampe à décharge de vapeur de mercure à haute intensité et basse pression.</li>
</ol>3. Revêtement d’essorage
C’est l’étape la plus importante de ce protocole. Pour assurer l’uniformité, l’homogénéité et l’absence de trous d’épingle dans les films minces, tous les solvants doivent être filtrés avec leurs papiers filtres respectifs. L’élimination complète de l’excès de solvants des substrats doit être assurée afin d’éviter tout court-circuit dans le dispositif final. Pour les substrats utilisés ici, l’élimination des matériaux en excès de l’ITO à motifs et de la cathode est également importante pour fixer le pixel final, et cela doit être effectué avec une grande précision, sans perturber la zone active du pixel. Les étapes décrites ci-dessous doivent être suivies pour le revêtement par centrifugation des films minces. L’épaisseur finale du film mince variera si vous utilisez un enrobage différent de celui utilisé ici.
<ol><li>Préparez l’équipement d’essorage. NOTE: Avant d’utiliser le spin coater, il est nécessaire de faire un étalonnage de courbe avec les paramètres de dépôt et l’épaisseur finale obtenus pour les films. Cela devrait être fait pour chaque solution employée. La procédure consiste à effectuer plusieurs dépôts pour la même solution mais avec des paramètres différents, et l’épaisseur finale est mesurée avec un profilomètre. La figure 2 montre une courbe d’étalonnage typique pour une couche active.</li>
	<li>Déposez PEDOT:PSS comme première couche au-dessus de l’ITO. Filtrer le PEDOT:PSS avec un filtre au fluorure de polyvinylidène (PVDF) de 0,45 μm. Remplir une micropipette avec 100 μL de PEDOT:PSS.</li>
	<li>Placez délicatement le substrat sur le mandrin d’enrobage et activez le système de vide pour fixer le substrat (Figure 1B,C). Faites pivoter l’ITO face vers le haut et ajustez-le pour centrer la zone du substrat autant que possible. Réglez les paramètres du revêtement par centrifugation à 5 000 tr/min pendant 30 s. Définissez un pas initial à l’aide de l’enrobage de ~2–3 s à faible rotation (200–500 tr/min). Une épaisseur de 30 nm est attendue.</li>
	<li>En maintenant la micropipette perpendiculaire au substrat (Figure 1D), déposer la solution (100 μL) au milieu du substrat (Figure 1D) et démarrer l’enrobage (Figure 1E). REMARQUE: Ne pas laisser tomber la solution trop rapidement ou trop lentement pour éviter le risque de propagation non homogène de la solution (selon la viscosité, l’angle de contact peut être non idéal). Habituellement, laisser tomber la solution en ~1 s est idéal. Ne touchez pas le substrat avec la micropipette et essayez de synchroniser entre le démarrage de l’enrobage et la chute de la solution. Si un réglage de dépôt en deux étapes (comme expliqué à l’étape 3.3) n’est pas disponible, envisager un dépôt statique : laissez d’abord tomber la solution, puis démarrez l’enrobage d’essorage immédiatement après. La chute de la solution doit être faite avec soin. Toutes les solutions doivent être déposées au centre de l’axe de rotation et former un point uniforme pour éviter les non-uniformités pendant le processus. Sachez que, bien que ces règles soient idéales pour un bon dépôt de film, la technique de revêtement par centrifugation est difficile à optimiser (c.-à-d. nécessite plusieurs étapes de préoptimisation). De plus, cela dépend de la viscosité de la solution, de la zone de dépôt souhaitée, de la façon dont la solution tombe sur le substrat et du début de la filature. Un exemple de bonne formation de film à l’échelle microscopique peut être vu à la figure 3 sous la forme d’une image AFM.</li>
	<li>Terminez l’étape de l’enrobage (Figure 1F). Éteignez l’aspirateur et, à l’aide d’une pince à épiler, retirez le substrat. À l’aide d’un petit coton-tige imbibé d’eau (c.-à-d. le solvant PEDOT:PSS; Figure 1G), retirez le film déposé en excès autour de la cathode et des coins du substrat, en gardant intacte la zone pixellisée centrale.</li>
	<li>Maintenir le substrat dans une étuve ou sur une plaque chauffante à 120 °C pendant 15 min pour éliminer le solvant PEDOT:PSS (eau). Retirer du four ou de la plaque chauffante, passer à une boîte à gants et laisser refroidir à TA (Figure 1H).</li>
	<li>Préparez la solution pour la LME. Dans un nouveau flacon propre (voir étape 1.1), préparer à l’aide d’une micropipette une nouvelle solution composée de 1,8 mL de solution hôte et de 0,2 mL de solution TADF. Avant d’utiliser la solution, filtrez-la avec un filtre PTFE de 0,1 μm.</li>
	<li>Laisser la nouvelle solution agiter pendant 15 min à TA.</li>
	<li>Après les étapes 3.3 à 3.5, effectuez le dépôt de cette deuxième solution dans un enrobage dans la boîte à gants. Rotation à 2 000 tr/min pendant 60 s. L’épaisseur de film prévue doit être de 50 nm. Pour éliminer tout excès du deuxième film, utilisez des cotons-tiges imbibés de chlorobenzène.</li>
	<li>Laisser les substrats sur une plaque chauffante à l’intérieur de la boîte à gants à 70 °C pendant 30 min pour éliminer complètement l’excès de chlorobenzène.</li>
	<li>Retirer les substrats de la plaque chauffante et laisser refroidir à TA.</li>
	<li>Pour des précautions supplémentaires, envisager des essais de température/temps (indirectement, taux d’évaporation) pour différents solvants. La morphologie du film final dépend fortement de ces paramètres. Un simple test AFM peut être utile pour confirmer que le taux d’évaporation du solvant est adéquat. La structure finale des couches minces déposées doit être plus ou moins similaire au schéma de la figure 1I.</li>
</ol>4. Évaporation des matériaux
REMARQUE: Pour une meilleure évaporation, le vide minimum requis est généralement une pression inférieure à 5 x 10-5 mbar. Pour toutes les matières organiques, le taux d’évaporation doit être maintenu en dessous de 2 Å/s afin de réduire la rugosité et l’uniformité des couches. Pour le LiF, le taux d’évaporation doit être inférieur à 0,2 Å/s. Le non-respect de cette règle peut entraîner des émissions non uniformes. Si ce n’est pas déjà fait, programmez le système de capteur piézoélectrique (qui mesure l’épaisseur de dépôt et le taux d’évaporation) avec les paramètres requis, tels que 1) la densité du matériau, 2) le facteur Z: un couplage acoustique du matériau au capteur et 3) le facteur d’outillage: étalonnage géométrique du creuset d’évaporation par rapport au porte-échantillon. Avant d’utiliser l’évaporateur, reportez-vous aux spécifications de l’équipement pour savoir comment effectuer de tels étalonnages et consultez la fiche technique des matériaux pour connaître les valeurs de densité et de facteur Z pour un matériau spécifique. Une fois programmées, et sans aucun changement de géométrie de la chambre d’évaporation (facteur d’outillage), les données peuvent être stockées pour une utilisation ultérieure avec les mêmes matériaux.
<ol><li>Insérez les substrats (films face vers le bas et après l’étape 3.11) dans le porte-échantillon à l’aide du masque d’évaporation souhaité (Figure 4A).</li>
	<li>Inclure les creusets nécessaires (la géométrie dépend du système d’évaporateur spécifique) et remplir chacun avec les matériaux nécessaires (LiF, TmPyPb et Al). Une explication détaillée du processus d’évaporation thermique dans le développement des OLED peut être trouvée dans la littérature43 et est discutée plus en détail dans ce rapport.</li>
	<li>Placez le support de substrat avec les échantillons dans le porte-échantillon de l’évaporateur (Figure 4B). Fermez la chambre et pompez la chambre de l’évaporateur. Suivez les instructions correspondantes pour le système d’évaporateur.</li>
	<li>Évaporer un film de TmPyPb d’une épaisseur de 40 nm. Évaporer 2 nm de LiF et 100 nm d’Al, séquentiellement. Pour l’évaporation, suivre la procédure publiée43. REMARQUE : La structure finale est représentée à la figure 4C. Dans le travail actuel, les périphériques ne sont pas encapsulés. Pour les expériences à long terme, l’encapsulation doit être effectuée, ce qui n’est pas l’objectif ici.</li>
</ol>5. Caractérisation de l’instrument
REMARQUE: Pour caractériser le dispositif final, utilisez un voltmètre, un luminancemètre et un spectromètre très sensibles. S’il existe une sphère intégratrice, utilisez-la. Sinon, placez le luminancemètre perpendiculairement à l’émission de surface OLED à une distance indiquée par le fabricant et dépendant de la lentille de mise au point. Si vous n’utilisez pas de sphère d’intégration, on peut supposer que l’émission du dispositif OLED suit un profil lambertien pour le calcul de l’efficacité. Ici, la luminosité tracée ne correspond pas à celle mesurée sous une sphère intégratrice (ainsi, elle sera au moins π fois inférieure).
<ol><li>Insérez le dispositif OLED fabriqué dans le support de test et établissez les contacts électriques pour le pixel souhaité. Mesurez le courant (I), la tension appliquée (V) et la luminosité (L). Les détails complets sur la configuration expérimentale ont été expliqués précédemment43.</li>
	<li>Avec un spectromètre, mesurer les spectres d’électroluminescence (EL) à différentes tensions appliquées dans une plage correspondant à la plage dynamique du fonctionnement OLED44. Prenez au moins trois ou quatre spectres. Ici, les tensions appliquées de 5 V, 10 V et 15 V sont utilisées.</li>
	<li>À l’aide du logiciel nécessaire, calculez la densité de courant (J), l’efficacité du courant (μc candela/ampère), l’efficacité énergétique (ηp, lumen/watt) et l’efficacité externe (EEQ). Avec les spectres d’électroluminescence, déterminez les coordonnées de couleur CIE. Des informations appropriées sur la façon de calculer tous ces chiffres de mérite ont été décrites précédemment44.</li>
	<li>Tracez les données indiquées. Effectuer une analyse critique des résultats en termes d’efficacité et de luminosité. Voir les spectres d’électroluminescence et tenter d’établir un modèle pour comprendre les résultats.</li>
</ol>

Les auteurs n’ont rien à divulguer.

Le protocole utilisé ici pour fabriquer une OLED efficace dans une structure de périphérique simple est relativement simple. La mobilité électrique n’est pas seulement modulée par la composition matérielle d’une couche d’appareil, mais dépend également de manière critique de la morphologie du film. La préparation des solutions et un choix approprié du solvant et de la concentration sont importants. Aucune agrégation de matériaux ne peut se produire, ce qui implique une solubilité complète à l’échelle nanométrique. Il est...

L’augmentation de l’électronique organique utilisée dans la vie quotidienne est devenue une réalité inégalée. Parmi plusieurs applications électroniques organiques, les OLED sont peut-être les plus attrayantes. Leur qualité d’image, leur résolution et leur pureté des couleurs ont fait des OLED un choix primordial pour les écrans. De plus, la possibilité d’obtenir une émission de grande surface dans des OLED extrêmement minces, flexibles, légères et faciles à accorder aux couleurs a des applications dans l’éclairage. Cependant, certains problèmes technologiques associés au processus de fabrication dans les grands émetteurs ont retardé l’application ultérieure.
Avec le premier OLED fonctionnant à basse tension appliquée1, de nouveaux paradigmes pour l’éclairage à semi-conducteurs ont été conçus, mais avec une faible efficacité quantique externe (EEQ). L’EEQ OLED est obtenu par le rapport des photons émis (lumière) aux supports électriques injectés (courant électrique). Une estimation théorique simple de l’EEQ maximale attendue est égale à ηsur x ηint 2. L’efficacité interne (ηint) peut être approchée par ηint = γ x x <img alt="Equation 1" src="/files/ftp_upload/61071/61071eq01.jpg" style="margin: auto;"> Φ PL, où γ correspond au facteur d’équilibre de charge, ΦPL est le rendement quantique de photoluminescence (PLQY), et <img alt="Equation 1" src="/files/ftp_upload/61071/61071eq01.jpg" style="margin: auto;"> est l’efficacité de la génération d’excitons émissifs (paires de trous d’électrons). Enfin, ηest l’efficacité de couplage2. Si l’outcouplage n’est pas envisagé, l’attention se concentre sur trois sujets: (1) l’efficacité du matériau dans la création d’excitons qui se recombinent radiativement, (2) l’efficacité des couches émissives et (3) l’efficacité de la structure de l’appareil dans la promotion d’un système électrique bien équilibré3.
Un émetteur organique purement fluorescent n’a qu’une efficacité quantique interne (IQE) de 25%. Selon les règles de spin, la transition radiative d’un triplet à un singulet (T→S) est interdite4. Par conséquent, 75% des transporteurs électriques excités ne contribuent pas à l’émission de photons5. Ce problème a d’abord été surmonté en utilisant des métaux de transition dans les OLED 6,7,8,9,10 phosphorescence des émetteurs organiques, où l’IQE serait proche de 100,12,13,14,15,16 . Cela est dû au couplage spin-orbite entre le composé organique et le métal de transition lourd. L’inconvénient de ces émetteurs est leur coût élevé et leur faible stabilité. Récemment, des rapports sur la synthèse chimique d’un composé organique pur avec une séparation de basse énergie entre les états triplet excité et singulet (∆EST) par Adachi17,18 ont donné lieu à un nouveau cadre. Bien qu’il ne s’agisse pas d’un nouveau19, l’utilisation réussie du procédé TADF dans les OLED a permis d’obtenir des rendements élevés sans utiliser de complexes de métaux de transition.
Dans de tels émetteurs organiques sans métal, il y a une forte probabilité que les porteurs excités dans un état triplet se peuplent à l’état singulet; par conséquent, l’IQE peut atteindre une limite théorique de 100%5,20,21,22. Ces matériaux TADF fournissent des excitons qui peuvent se recombiner radiativement. Cependant, ces émetteurs nécessitent une dispersion dans un hôte matriciel pour éviter l’extinction des émissions 3,20,21,23,24 dans un concept hôte-invité. De plus, son efficacité dépend de la façon dont l’hôte (matrice organique) est approprié au matériau invité (TADF)25. En outre, il est nécessaire d’idéaliser la structure du dispositif (c.-à-d. couches minces, matériaux et épaisseur) pour obtenir un dispositif électriquement équilibré (équilibre entre les trous et les électrons pour éviter les pertes)26. La réalisation du meilleur système hôte-invité pour un dispositif électriquement équilibré est fondamentale pour augmenter l’EEQ. Dans les systèmes basés sur TADF, ce n’est pas simple, en raison des changements dans les mobilités des porteurs électriques dans EML qui ne sont pas facilement réglés.
Avec les émetteurs TADF, les valeurs EQE supérieures à 20% sont faciles à obtenir26,27,28,29. Cependant, la structure du dispositif est généralement composée de trois à cinq couches organiques (couches de transport/blocage de trous et de transport/blocage d’électrons, HTL/HBL et ETL/EBL, respectivement). De plus, il est fabriqué à l’aide d’un procédé d’évaporation thermique coûteux, technologiquement complexe et presque uniquement pour les applications d’affichage. En fonction des niveaux HOMO (orbitale moléculaire occupée la plus élevée) et LUMO (orbitale moléculaire inoccupée la plus basse), de la mobilité électrique des porteurs et de l’épaisseur, chaque couche peut injecter, transporter et bloquer les porteurs électriques et garantir la recombinaison dans la couche émissive (EML).
La réduction de la complexité de l’appareil (p. ex., une structure simple à deux couches) entraîne généralement une diminution notable de l’EEQ, parfois à moins de 5 %. Cela se produit en raison de la mobilité différente des électrons et des trous dans la LME, et le dispositif devient électriquement déséquilibré. Ainsi, au lieu de l’efficacité élevée de la création d’excitons, l’efficacité de l’émission dans la LME devient faible. De plus, un roulis notable se produit avec une forte diminution de l’EEQ à mesure que la luminosité augmente, en raison de la forte concentration d’excitons à une tension appliquée élevée et de longues durées de vie excitées 24,30,31. Surmonter de tels problèmes nécessite une forte capacité à manipuler les propriétés électriques de la couche émissive. Pour une architecture OLED simple utilisant des méthodes de dépôt de solution, les propriétés électriques de la LME peuvent être réglées par les paramètres de préparation et de dépôt de la solution32.
Des méthodes de dépôt en solution pour les dispositifs organiques ont déjà été utilisées31. La fabrication OLED, par rapport au processus d’évaporation thermique, présente un grand intérêt en raison de leur structure simplifiée, de leur faible coût et de leur production à grande surface. Avec un grand succès dans les complexes de métaux de transition OLED, l’objectif principal est d’augmenter la zone émettrice tout en gardant la structure de l’appareil aussi simple que possible33. Des méthodes telles que le rouleau à rouleau (R2R)34,35,36, l’impression à jet d’encre37,38,39 et la matrice à fente 40 ont été appliquées avec succès dans la fabrication multicouche d’OLED, ce qui constitue une approche industrielle possible.
Bien que les méthodes de dépôt en solution pour les couches organiques constituent un bon choix pour la simplification de l’architecture des dispositifs, tous les matériaux souhaités ne peuvent pas être facilement déposés. Deux types de matériaux sont utilisés : les petites molécules et les polymères. Dans les méthodes de dépôt en solution, les petites molécules présentent certains inconvénients, tels qu’une mauvaise uniformité, cristallisation et stabilité des couches minces. Ainsi, les polymères sont principalement utilisés en raison de leur capacité à former des films minces uniformes avec une faible rugosité de surface et sur de grands substrats flexibles. De plus, les matériaux doivent avoir une bonne solubilité dans le solvant approprié (principalement des solvants organiques comme le chloroforme, le chlorobenzène, le dichlorobenzène, etc.), l’eau ou les dérivés de l’alcool.
Outre le problème de solubilité, il est nécessaire de garantir qu’un solvant utilisé dans une couche ne doit pas agir comme un solvant pour la couche précédente. Cela permet une structure multicouche déposée par le processus humide; Cependant, il y a des limites41. La structure de dispositif la plus typique utilise des couches déposées en solution (c’est-à-dire l’émissive) et une couche évaporée thermiquement (ETL). De plus, l’homogénéité et la morphologie des couches minces dépendent fortement des méthodes et des paramètres de dépôt. Le transport de charge électrique à travers ces couches est entièrement régi par une telle morphologie. Néanmoins, un compromis entre le dispositif final souhaité et les compatibilités du procédé de fabrication doit être judicieusement établi. L’ajustement des paramètres de dépôt est la clé du succès, même s’il s’agit d’un travail fastidieux. Par exemple, le revêtement par centrifugation n’est pas une technique simple. Bien que cela semble simple, il existe plusieurs aspects de la formation de couches minces à partir d’une solution sur un substrat en rotation qui nécessitent une attention particulière.
Outre l’optimisation de l’épaisseur du film, la manipulation de la vitesse de rotation et le temps (l’épaisseur est une décroissance exponentielle des deux paramètres), les actions de l’expérimentateur doivent également être ajustées pour obtenir de bons résultats. Les paramètres corrects dépendent également de la viscosité de la solution, de la zone de dépôt et de l’angle de mouillabilité / contact de la solution sur le substrat. Il n’existe pas d’ensembles uniques de paramètres. Seules les hypothèses de base avec des ajustements spécifiques à la solution/substrat donnent les résultats souhaités. De plus, les propriétés électriques qui dépendent de la conformation moléculaire et de la morphologie de la couche peuvent être optimisées pour obtenir les résultats souhaités, en suivant le protocole décrit ici. Une fois terminé, le processus est simple et réalisable.
Néanmoins, la diminution de la complexité de la structure du dispositif entraîne une diminution maximale de l’EEQ; Cependant, un compromis peut être atteint en termes d’efficacité par rapport à la luminosité. Comme un tel compromis permet des applications pratiques, le surplus d’un processus simple, compatible avec les grandes surfaces et à faible coût peut devenir une réalité. Cet article décrit ces exigences et explique comment développer une recette pour gérer les problèmes requis.
Le protocole se concentre sur un émetteur vert de TADF 2PXZ-OXD [2,5-bis(4-(10H-phenoxazin-10-yl)phenyl)-1,3,4-oxadiazole]42 en tant qu’invité dans une matrice hôte composée de PVK [poly(N-vinylcarbazole)] et OXD-7 [1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzène], qui correspond à la LME. Une couche de transport d’électrons (ETL) de TmPyPb [1,3,5-Tri(m-pyridin-3-ylphényl)benzène] est utilisée. Les fonctions de travail de l’anode et de la cathode sont optimisées. L’anode est composée d’ITO (oxyde d’indium-étain) avec un polymère hautement conducteur PEDOT:PSS [poly(3,4-éthylènedioxythiophène)-poly(styrènesulfonate)], et la cathode est composée d’une double couche d’aluminium et de LiF (fluorure de lithium).
Enfin, le PEDOT:PSS et l’EML (PVK: OXD-7: 2PXZ-OXD) sont déposés par spin coating, tandis que TmPyPb, LiF et Al sont évaporés thermiquement. Compte tenu de la nature métallique conductrice de PEDOT:PSS, le dispositif est une « couche organique à deux niveaux » typique dans la structure la plus simple possible. Dans la LME, l’invité TADF (10% en poids) est dispersé dans l’hôte (90% en poids) composé de PVK0,6 + OXD-70,4.

<table><tbody><tr><td>2PXZ-OXD (2,5-bis(4-(10H-phenoxazin-10-yl)phenyl)-1,3,4-oxadiazole)</td><td>Lumtec ltd</td><td>1447998-13-1</td><td></td></tr><tr><td>Aluminium (99.999 %)</td><td>Alfa Aesar</td><td>7429-90-5</td><td></td></tr><tr><td>Acétone (99.9 %)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>67-64-1</td><td></td></tr><tr><td>Hellmanex</td><td>Ossila</td><td>7778-53-2</td><td></td></tr><tr><td>Alcool isopropylique</td><td>Sigma Aldrich</td><td>67-63-0</td><td></td></tr><tr><td>Substrats à motifs ITO</td><td>Ossila</td><td>65997-17-3</td><td></td></tr><tr><td>Fluorure de lithium (99,99 %)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>7789-24-4</td><td></td></tr><tr><td>OXD-7 (1,3-Bis[2-(4-tert-butylphényl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzène)</td><td>Ossila</td><td>138372-67-5</td><td></td></tr><tr><td>PEDOT : PSS (poly(3,4-éthylènedioxythiophène)polystyrène sulfonate)</td><td>Ossila</td><td>155090-83-8</td><td></td></tr><tr><td>PVK ( Polyvinlycarbazole) (moyenne Mn 25 000-50 000)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>25067-59-8</td><td></td></tr><tr><td>TmPyPb (1,3,5-Tri(m-pyridin-3-ylphényl)benzène)</td><td>Ossila</td><td>138372-67-5</td><td></td></tr></tbody></table>

développement d’oled efficaces à partir du dépôt de solution

Development of Efficient OLEDs from Solution Deposition

L’utilisation d’émetteurs organiques hautement efficaces basés sur le concept de fluorescence retardée activée thermiquement (TADF) est intéressante en raison de leur efficacité quantique interne à 100%. Présenté ici est une méthode de dépôt en solution pour la fabrication de diodes électroluminescentes organiques (OLED) efficaces basées sur un émetteur TADF dans une structure de dispositif simple. Ce processus rapide, peu coûteux et efficace peut être utilisé pour toutes les couches émissives OLED qui suivent le concept hôte-invité. Les étapes fondamentales sont décrites ainsi que les informations nécessaires pour une reproduction ultérieure. L’objectif est d’établir un protocole général facilement adaptable pour les principaux émetteurs organiques actuellement à l’étude et au développement.

La figure 5 montre les principaux résultats pour le dispositif fabriqué. La tension d’allumage était extrêmement faible (~3 V), ce qui est un résultat intéressant pour un appareil à deux couches organiques. La luminosité maximale était d’environ 8 000 cd/m2 sans utiliser de sphère intégratrice. Les valeurs maximales pour ηc, ηp et EQE étaient d’environ 16 cd/A, 10 lm/W et 8 %, respectivement. Bien que les résultats ne soient pas les meilleurs chiffres de méri...

Un protocole pour la fabrication de diodes électroluminescentes organiques efficaces, simples, déposées en solution, à faible roll-off.

Développement d’OLED efficaces à partir du dépôt de solution

The use of highly efficient organic emitters based on the thermally activated delayed fluorescence (TADF) concept is interesting due to their 100% ...

Concentrez-vous de manière efficace, sur le nouveau domaine important de l’électronique d’impression, en particulier pour le système d’exploitation, ouvrant des possibilités pour vraiment Le processus est optimisé pour le concept de machine à boulons. La simplicité de la lubrification du système d’exploitation dans un bon compromis entre une architecture de périphérique simple et des efficacités utiles qui est, et maintenant, un énorme problème technologique. Outre le choix correct des métriques de saisie de l’hôte, de la composition, de la concentration, du solvant, etc., les principaux problèmes peuvent être concentrés sur trois aspects, le codage de spin de la position, la préparation du solvant et l’équilibre électrique de la charge électrique.La lubrification, via un processus persistant en solution, semble être simple, car elle est riche en fibres de l’appareil de valeur. Certains aspects critiques lors de la fabrication doivent être 35. Commencez par préparer la matrice hôte.Ajouter 15 milligrammes d’OXD7 dans un petit flacon. Ajoutez ensuite cinq milligrammes de PVK. Ajoutez ensuite 10 milligrammes d’émetteur 2PXZOXDTADF à un autre petit flacon.Ajouter deux millilitres de chlorobenzène au flacon avec la matrice hôte et un millilitre au flacon avec le matériau TADF. La concentration finale de chlorobenzène dans les deux flacons devrait être de 10 milligrammes par millilitre. Remuer les solutions avec de petites barres d’agitation magnétiques nettoyées pendant au moins trois heures jusqu’à dissolution complète des matériaux.Assurez-vous que les flacons sont recouverts en toute sécurité avec les bouchons respectifs et hermétiquement scellés avec un film organique sans danger pour les produits chimiques afin d’éviter toute évaporation des solvants. Nettoyez séquentiellement les substrats d’oxyde d’étain indien ou d’ITO pré-modelés dans un bain à ultrasons contenant une solution de 1% d’hellmanex dans de l’eau à 95 degrés Celsius, puis de l’acétone à température ambiante, puis du propanol à température ambiante pendant 15 minutes par bain. Manipulez les substrats avec une pince à épiler en ne les touchant qu’au coin.Essayez le substrat avec un flux d’azote pour éliminer tout résidu de solvant de nettoyage. Ensuite, exposez les substrats au traitement à l’ozone UV pendant cinq minutes avec le film ITO tourné vers le haut. Filtrer le PEDOT:PSS avec un filtre en fluorure de polyvinylidène de 0,45 micromètre et remplir une micropipette avec 100 microlitres de la solution.Placez soigneusement le substrat sur le camion de spin coder et activez le système de vide pour le fixer. Faites pivoter l’ITO vers le haut et centrez la zone du substrat autant que possible. Réglez les paramètres du revêtement par centrifugation sur 3 000 tr/min pendant 30 secondes.Définissez un pas initial de deux à trois secondes à faible rotation. En gardant la micro-pipette perpendiculaire au substrat, déposez le PEDOT:PSS au milieu du substrat et démarrez le codeur de spin. Une fois le codage de spin terminé, éteignez l’aspirateur et retirez le substrat avec une pince à épiler.Utilisez le petit coton-tige imbibé d’eau pour enlever l’excès de film déposé autour de la cathode et des coins du substrat en gardant intacte la zone pixellisée centrale. Incuber le substrat dans un four ou sur une plaque chauffante à 120 degrés Celsius pendant 15 minutes pour retirer le solvant PEDOT:PSS, puis transférez-le dans une boîte à gants et laissez-le refroidir à température ambiante. Pour préparer la solution pour la couche immersive, combinez 1,8 millilitre de solution hôte et 0,2 millilitre de solution TADF dans un flacon propre.Filtrer la solution avec un filtre PTFE de 0,1 micromètre, puis laisser remuer pendant 15 minutes à température ambiante. Suivez la procédure décrite précédemment pour déposer la deuxième solution avec le codeur de spin tournant à 2 000 tr / min pendant 60 secondes. Utilisez un coton-tige imbibé de chlorobenzène pour enlever tout excès du deuxième film.Laissez le substrat sur une plaque chauffante à l’intérieur de la boîte à gants à 70 degrés Celsius pendant 30 minutes pour éliminer complètement l’excès de chlorobenzène. Ensuite, laissez-le refroidir à température ambiante. Insérez le substrat dans le porte-échantillon avec le masque d’évaporation souhaité en vous assurant que les films sont orientés vers le bas.Inclure les creusets nécessaires et les remplir avec les matériaux appropriés. Placez le support de substrat avec les échantillons dans le porte-échantillon de l’évaporateur. Fermez la chambre et pompez-la en vous assurant de suivre les instructions du fabricant pour le système d’évaporateur spécifique.Évaporer un film de 40 nanomètres de TNPYPB, puis un film de deux nanomètres de fluorure de lithium et enfin, un film de 100 nanomètres d’aluminium. Les caractéristiques des LED fabriquées sont présentées ici. La tension d’allumage était extrêmement faible, autour de 3 volts, un résultat intéressant pour un appareil à deux couches organiques.La luminosité maximale était d’environ 8 000 candelas par mètre carré sans utiliser de sphère intégratrice. Les valeurs maximales pour l’efficacité actuelle, l’efficacité énergétique et l’efficacité quantique externe étaient respectivement d’environ 16 candelas par ampère, 10 lumens par watt et 8%. Le bon compromis entre la simplicité de la structure de l’appareil et la fiabilité efficace doit être affirmé la meilleure information possible sans défauts dans tous les Particulièrement important, le concept de métaux peut être étendu à différents types de paramètres, par exemple, les matériaux organiques et inorganiques.Bien que nous ayons des spécificités particulières, l’idée principale est

development-of-efficient-oleds-from-solution-deposition

Research

Recherche

JoVE Journal

Engineering

Ingénierie

Nous décrivons la méthode expérimentale pour déposer des films minces nanostructurés oxyde par dépôt laser nanoseconde pulsé (PLD) en présence d'un gaz de fond. En utilisant cette méthode d'Al-dopés ZnO (AZO) des films, de la compacte à hiérarchiquement structuré comme nano-arbres des forêts, peuvent être déposés.

Fabrication de nano-oxydes conducteurs transparents conçus par ablation laser

Le sulfure d’étain (SnS) est un matériau candidat pour les cellules solaires non toxiques abondantes sur Terre. Ici, nous démontrons le processus de fabrication des cellules solaires SnS en utilisant le dépôt de couche atomique, qui donne un rendement de conversion de puissance certifié de 4,36 %, et l’évaporation thermique qui donne un rendement de 3,88 %.

Faire Enregistrez-efficacité SnS cellules solaires par évaporation thermique et Atomic Layer Deposition

Nous présentons ici un protocole de synthèse de Zn 1-x Mg x O / Cu 2 O hétérojonctions en plein air à basse température par l' intermédiaire de la pression atmosphérique spatiale dépôt de couche atomique (AP-SALD) de Zn 1-x Mg x O sur l' oxyde cuivreux. Ces tropicalisation oxydes métalliques de haute qualité peuvent être cultivées sur une variété de substrats, y compris les matières plastiques par cette méthode pas cher et évolutive.

Amélioration de la qualité de hétérojonction en Cu<sub&gt; 2</sub&gt; O à base de cellules solaires Grâce à l&#39;optimisation de la pression atmosphérique couche spatiale atomique Déposée<br /&gt; Zn<sub&gt; 1-x</sub&gt; Mg<sub&gt; x</sub&gt; O

Cet article étudie l’adéquation de l’impression à jet d’encre pour la fabrication de cellules solaires sensibilisées aux colorants. Une encre nanoparticulaire TiO2 sans liant a été formulée et imprimée sur un substrat de verre FTO. La couche imprimée a été transformée en une cellule d’une surface active de 0,25cm2 et d’une efficacité de 3,5 %.

Impression numérique de dioxyde de titane pour les cellules solaires à colorant

Les auteurs présentent une méthode de fabrication de cellules électrochimiques stables émettrices de lumière blanche en utilisant l’émission d’exciplexes formés entre un polymère fluorène émettant du bleu et des amines aromatiques.

Fabrication de lumière blanche émettant des cellules électrochimiques avec des émissions de Stable exciplexes

Nous présentons un protocole pour la fabrication d'une diode de chandelles bleu danger lumière électroluminescente organique (OLED) pour la protection des yeux et de la sécrétion de mélatonine.

Blue-risque sans Candlelight OLED

Synthèse d’intensification des émetteurs très efficace thermiquement activées fluorescence retardée est décrite dans l’article présenté.

Synthèse chimique intensification des émetteurs de Fluorescence retardée thermiquement activées basé sur le Core dibenzothiophène-S, S-dioxyde

Un protocole pour la production de simples structurés organique des diodes électroluminescentes (OLED) est présenté.

Production et caractérisation du vide a déposé des Diodes électroluminescentes organiques

Un protocole est présenté pour la fabrication de haute performance, pures bleu ZnCdS/ZnS-base quantique points diodes émettrices de lumière en utilisant une cathode en aluminium d’autoxydée.

Injection électronique améliorée et le Confinement d’Exciton de Quantum-point bleu Pure Light - Emitting Diodes en introduisant partiellement oxydés Cathode en aluminium

Les dispositifs à diodes électroluminescentes organiques (OLED) offrent une qualité d’affichage supérieure avec un meilleur contraste tout en proposant des avantages environnementaux en réduisant la consommation d’énergie. Ici, une stratégie simple pour la fabrication de dispositifs OLED traités en solution est présentée de manière séquentielle.

Guide étape par étape pour l’exploitation de diodes électroluminescentes organiques par dispositif traité en solution Fabrication d’un émetteur TADF

Un protocole de base pour la fabrication de transistors électrochimiques organiques (OECT) à haute transconductance de mélanine/PEDOT :PSS à l’aide d’un revêtement par pulvérisation est décrit. La méthode permet un contrôle précis du dépôt, de l’épaisseur et de la morphologie du film, fournissant des dispositifs reproductibles pour des applications bioélectroniques durables et évolutives.

Films mélanine/PEDOT :PSS enrobés par pulvérisation pour transistors électrochimiques organiques durables

Apprenez à fabriquer des OLED efficaces par dépôt de solution pour l'électronique organique imprimable. Ce protocole optimise les paramètres de spin-coating et l'équilibre des charges électriques.

Développement d’OLED efficaces à partir du dépôt de solution

Explorer plus de vidéos