מאמר שיטה

תרסיס בסיוע בתצהיר אדים כימיים של תחמוצת מתכת מבנים: תחמוצת אבץ מוטות

14.1K צפיות

⸱

DOI:

10.3791/56127

⸱

14 בספטמבר 2017

 ,  ,  ,  , 
1Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC), 2SIX Research Centre, Brno University of Technology, 3Institute of Physics of Material, Academy of Science of Czech Republic, 4Institute of Physical Engineering and Central European Institute of Technology, Brno University of Technology

במאמר זה

סיכום

תחמוצת אבץ טורי מבנים בצורת מוטות הם מסונתז דרך בתצהיר אדים כימיים בסיוע תרסיס ללא השימוש של חלקיקי הזרז-זרע הפקיד מראש. שיטה זו היא מדרגית ותואמת סובסטרטים שונים על בסיס סיליקון, קוורץ או פולימרים.

תקציר

בעוד תחמוצת אבץ טורי (ZnO) מבנים בצורת מוטות או חוטים. יש כבר מסונתז בעבר על ידי מסלולים שונים נוזלי או אדי-פאזי, שלהם גבוה עלות הייצור ו/או לאי-תאימות עם טכנולוגיות מיקרו-מלאכותית, עקב השימוש catalyst הפקיד מראש-זרעים ו/או עיבוד גבוהה בטמפרטורה גבוהה מ- 900 ° C, מייצגים חיסרון לשימוש הנרחב של שיטות אלה. כאן, לעומת זאת, אנחנו מדווחים הסינתזה של ZnO מוטות באמצעות מנגנון אדי מוצק מזורז שאינו מופעל באמצעות שיטת התצהיר (CVD) בסיוע תרסיס אדים כימיים ב 400 מעלות צלזיוס עם אבץ כלוריד (ZnCl2) וגם קודמן אתנול כמו מנשא הממס. שיטה זו מספקת היווצרות צעד אחר צעד של מוטות ZnO והן את האפשרות של שילוב ישיר שלהם עם סוגי מצע שונים, כולל סיליקון, פלטפורמות מבוססי סיליקון micromachined, קוורץ או פולימרים עמידים בחום גבוה. זה פוטנציאל מקלה את השימוש בשיטה זו-רחבת היקף, עקב התאימות שלו עם המדינה-of-the-art מיקרו-מלאכותית תהליכים לייצור מכשיר. דוח זה גם מתאר את המאפיינים של מבנים אלה (למשל, מורפולוגיה, הגבישי, הפער הלהקה אופטי, ההרכב הכימי, ההתנגדות החשמלית) והוא מאמת גז קטלני חישה פונקציונליות לכיוון פחמן חד-חמצני.

מבוא

ZnO הוא II - מוליכים למחצה השישי עם פער רחב ישירה הלהקה (3.37 eV), גדול אקסיטון מחייב אנרגיה (תהליך 60), קיטוב ספונטנית, פיזואלקטריים קבועים שהופכות אותו חומר אטרקטיבי אלקטרוניקה, אלקטרואופטיקה, גנרטורים אנרגיה, photocatalysis הקבלה, חישה כימית. רוב פונקציות מעניינות של ZnO קשורים שלה מבנה גבישי wurtzite, שלה לא קוטביים (למשל, {100}, {110}) והם קוטבי (למשל, {001}, {111}) משטחים משוייך ספציפי צורות מורפולוגיות מובנית (למשל , מוטות, פירמידות, לוחות). השליטה של צורות מורפולוגיות אלה דורש שיטות סינתטי מסוגל לייצר גבישים מוגדרים היטב, עם גודל אחיד, צורה, מבנה השטח1,2,3,4. זה ההקשר, תוסף חדש (סינתזה מלמטה למעלה) ייצור אסטרטגיות, מבוסס בעיקר על אדי-שלב מסלולים יפים תעשייתי ומובנית שעשויות להיות יתרון כפי שהם מספקים את היכולת להפיק סרטים רציפה למדי מאשר במצב אצווה עם טוהר גבוהה, תפוקות גבוהות. המסלולים הדגימו היווצרות ZnO מובנה סרטים בעבר, אבל בדרך כלל העסקת זרז-זרעים כגון זהב ו/או עיבוד גבוה טמפרטורות של 900-1300 ° C2 {וואנג, 2008 #491} (זה יכול להיות לא נוח בוודאות ייצור תהליכי בצורך של שלבי עיבוד נוסף ו/או אי-תאימויות טמפרטורה לשילוב בבית-צ'יפס).

לאחרונה, השתמשנו בשיטה אדי-פאזי בהתבסס על תרסיס בסיוע CVD של סימנים מקדימים מתכת-אורגניות או אי-להשגת בתצהיר סלקטיבי של תחמוצת מתכת מבנים (למשל, טונגסטן תחמוצת5או פח תחמוצת6), ללא הצורך של זרז-זרעים בטמפרטורות נמוכות יותר מאלה שדווחו עבור CVD מסורתיים. שיטה זו עובדת בלחץ אטמוספירי יכולים להשתמש פחות נדיף מבשרי בהשוואה ל- CVD מסורתי; מסיסות היא הדרישה קודמן מפתח, כמו הפתרון קודמן מועבר לאזור התגובה ב- טופס7תרסיס. ב- CVD בסיוע תרסיס, קינטיקה התגרענות וצמיחה של חומרים מובנה סרטים רזה מושפעים סינתזה טמפרטורה, ריכוז של תגובתי מינים, אשר משפיעים על הצורה המורפולוגית של הסרט8. לאחרונה, יש למד את התלות מורפולוגיה של ZnO לתנאים שונים באמצעות תרסיס CVD (כולל סימנים מקדימים, טמפרטורות, מנשא ממיסים, קודמן ריכוזים) ואנו נמצאו מסלולים להיווצרות ZnO מובנית עם מוטות, פתיתים-, או הפוך-למטה-קונוס-כמו מורפולוגיות, בין היתר9.

במסמך זה, אנו מציגים את הפרוטוקול עבור CVD בסיוע תרסיס של טורי ZnO מבנים בצורת מוטות שהלחין הרוב {100} משטחים. פרוטוקול זה הוא תואם סובסטרטים שונים כולל סיליקון, פלטפורמות מבוססי סיליקון micromachined, קוורץ או foils פוליאימיד עמידים בחום גבוה. בדו ח זה, אנו מתמקדים הציפוי של פרוסות סיליקון חשופות ופלטפורמות מבוססי סיליקון micromachined מועסק הזיוף של חיישנים גז. CVD בסיוע תרסיס של ZnO בנויות משלושה שלבים עיבוד הכוללים: הכנת מצעים, הגדרת לטמפרטורה התצהיר, ההכנה של הפתרון עבור הדור תרסיס, ותהליך CVD. שלבים אלה מתוארים בפירוט להלן ונוף סכמטית מציג הרכיבים העיקריים של המערכת מוצג באיור 1.

פרוטוקול

הערות: מטעמי בטיחות, תגובת התא לבין הגנרטור תרסיס ממוקמים בתוך ברדס fume. מעסיקים פינצטה בכדי להתמודד עם הדגימות ללבוש כפפות, חלוק מעבדה, משקפי מגן, בצע נפוצות נוהלי בטיחות מעבדה.

1. הכנת מצעים, הקמה של התצהיר טמפרטורה

  1. לחתוך 10 מ"מ x 10 מ"מ סובסטרטים סיליקון באמצעות פקיד עצה היהלומים (הממדים המצע הותאמו בהתאם לגודל התא התגובה שלנו). עבור ניסוי זה, השתמש תא תגובת גלילי פלדה אל חלד תוצרת בית עם אמצעי אחסון פנימי של ~ 7,000 מ מ 3 (קוטר: 30 מ מ, גובה: 10 מ מ) המותאמים למידות של פלטפורמות מבוססי סיליקון micromachined מועסק הזיוף של חיישנים גז-
  2. נקיים מצעים בשנת אלכוהול איזופרופיל, לשטוף עם מים יונים, מייבשת את מצעים עם חנקן כדי להבטיח הדבקות טובה של הסרטים כיסוי אחיד של המצע.
  3. למקם את המצע תא התגובה. בעת שימוש micromachined מבוססי סיליקון פלטפורמות, במקום סיליקון חשופות סובסטרטים להרכבת חיישנים גז, למקם את פלטפורמות micromachined לתוך התא התגובה וליישר ואז עם מסיכה צל כדי להגביל את הצמיחה של החומר לאזור של עניין.
  4. לסגור את תגובת התא. ודא כי המכסה של תגובת התא אטום כראוי כדי למנוע דליפת מינים תגובתי.
  5. מתג-על מערכת בקרת טמפרטורה, המורכב מחממי resistive משולב עם תגובת התא, צמד תרמי לחוש את הטמפרטורה של המצע לבין הבקר פרופורציונלי-אינטגרל-נגזרת (PID).
  6. לקבוע את הטמפרטורה עד 400 מעלות צלזיוס. וניתן לה לייצב (תהליך זה נמשך כ 30 דקות, אבל זה עשוי להשתנות בהתאם את ממדי תא התגובה ואת המאפיינים של מערכת בקרת טמפרטורה).

2. הכנה של פתרון תרסיס הדור

  1. להוסיף 50 מ"ג של ZnCl 2 בקבוקון זכוכית 100 מ ל מצויד מלכודת ואקום (29/32 משותף, 200 מ מ אורך, ווים צינור 5 מ"מ).
  2. לפזר את ZnCl 2 ב 5 מ של אתנול, ואז וחוץ את המבחנה עם המלכודת ואקום. ודא שהקצה למטה-צינור יושב 60 מ מ מעל החלק התחתון של המיכל וללא השוקע בפתרון. אם יש צורך, מעסיקים זכוכית קליפים משותפת כדי לאבטח את המבחנה, המלכודת ואקום יחד במהלך תהליך CVD.
  3. תהדק את המבחנה לתמיכה אוניברסאלית. להתאים את הגובה לפגוש את תחתית המבחנה ואת מוקד אופטימלית atomizer ב קולי אשר פועלת בתדר 1.6 מגה-הרץ מספק של גודל ממוצע של תרסיס טיפות ∼ 3 מיקרומטר.
  4. להתחבר לים ואת הפליטה של המלכודת ואקום הצינור חנקן ואת תגובת התא, בהתאמה, כפי שמוצג בתוכנית פשוטה של מערכת CVD בסיוע תרסיס באיור 1.
  5. להשתמש פתרון טריים של ריאגנטים עבור כל תצהיר.

3. תהליך CVD

  1. לפני התחלת תהליך CVD, ודא כי הטמפרטורה בתא התגובה הגיעה המדינה יציב.
  2. להתאים את זרימת חנקן 200 ס מ 3 / min ולאפשר לו לזרום דרך המערכת (קצב הזרימה מכוון על-פי ממדי התא התגובה נעשה שימוש בניסויים שלנו). השימוש של בקר זרימת מסה מומלץ להבטיח שוטף במהלך התצהיר.
    3. גנרטור
  3. מתג-און בתרסיס ולשמור הקבוע תרסיס במהלך התהליך עד הפתרון המכיל אבץ מבשר לחלוטין מועברת לתא התגובה (תהליך זה לוקח כ 120 דקות בהתחשב נפח פתרון של 5 מ"ל ו- a קצב הזרימה של 200 ס מ 3 / min).
  4. ברגע הפתרון מלא נמסרה תגובת התא, מתג את הגנרטור תרסיס ומערכת טמפרטורה להתקרר התא התגובה. בינתיים לשמור את החנקן הזורמים במערכת כולה.
  5. כאשר הטמפרטורה ירדה לטמפרטורת החדר, לסגור את זרימת חנקן, פתח את התא התגובה, ולהסיר את הדגימות. המצע יראה צבע מאט אפרפר על פני השטח, שונה כשהפחד סיליקון חשופות מבריק (פלטפורמות מבוססי סיליקון micromachined להציג מראה דומה לאחר השלב CVD). זה צבע מאט מזוהה עם הנוכחות של טורי ZnO מבנים בצורת מוטות כמו אלה שנצפה על ידי סריקת מיקרוסקופ אלקטרונים ( איור 2).

תוצאות

בסיוע תרסיס CVD של ZnCl2 מומס באתנול שמוביל היווצרות של סרטים אפרפר אחיד, חסיד על שבבי סיליקון חשופות (בקלות יחסית שפשף בכוח מכני). אפיון של הסרטים באמצעות מיקרוסקופיית אלקטרונים סריקה (SEM) מעל 8,000 X הגדלה מציג מעין מסודרים משושה בצורת ZnO מוטות באורכים של ∼1, 600 ו קטרים של ∼380 ננומטר (איור 2). שגיאות גדולות הטמפרטורה קבע-נקודה או הנוכחות של מעברי צבע חום לאורך המצע במהלך CVD עלול לגרום בתצהיר של אחרים מורפולוגיות ZnO (איור 3) או סרטים עם מבנים לא אחידה. בנוסף, ציפוי לא אחיד או שאינם מחסידי עשויה להיות קשורה בין השאר בקרת טמפרטורה המסכן, התאמה שגויה של הזרם, ו/או השימוש הממס נושא שונה מזה שצוין בפרוטוקול זה.

רנטגן עקיפה (XRD) ניתוח של המוטות מראה תבניות עקיפה המשויך שלב ZnO משושה (P63mc חבורת סימטריות מרחבית, = 3.2490, b = 3.2490, ו- c = 5.2050; ICCD כרטיס מס ' 5-0664). הדפוסים הללו להציג לשיא עקיפה בעוצמה גבוהה 34.34° 2θ, המקביל למישור (002) שלב ZnO משושה, יחד עם פסגות עקיפה שבע אחרות בעצימות נמוכה ב 31.75 36.25, 47.54, 56.55, 62.87, 67.92, ו 2θ ° 72,61, המקביל (100) (101) (102) (110) (103) (201) ו- (004) מטוסים של שלב ZnO משושה, בהתאמה. אפיון של המוטות על ידי מיקרוסקופ אלקטרונים שידור ברזולוציה גבוהה (TEM) מראה מסומן מרווח בין מישורי (0.26 ננומטר) עקבי עם השבכה פנימי של המטוס (002) (d = 0.26025 ננומטר) השלב ZnO משושה המזוהה על-ידי XRD. אנרגיה-ואנליזת ספקטרוסקופיית קרני רנטגן (EDX) מציגה הנוכחות של Zn עם זיהום כלור נמוך יחסית (שנמצאו עבור at.% Cl:Zn 0.05).

ההערכה של bandgap אופטי המוטות באמצעות מדידות ' מאטום לשקוף ' השתקפות של סרטים מציין bandgap אופטי של 3.2 eV, בקנה אחד עם הערכים ספרות עבור ZnO10. ניתוח הסרטים באמצעות photoelectron הספקטרומטריה (XPS) מאופיין Zn-p 2-1/-2 ו- Zn 2, p3/2 ליבה רמת פסגות ספקטרה-1,045 ו 1,022 eV, בהתאמה, עקבית עם אלה נצפו בעבר עבור ZnO11,12.

השימוש בפרוטוקול זה בפלטפורמות מבוססי סיליקון micromachined מיועד גז חישה להוביל שילוב ישיר של טורי מוטות ZnO מוגבל על האזור חישה-פעיל (400 x 400 מיקרומטר2), אשר מוגדרת ע י מסכה צל. ההתנגדות החשמלית של הסרטים לפי סדר kΩ (∼ 100 kΩ) נמדד בטמפרטורת החדר באמצעות האלקטרודות interdigitated משולב לתוך פלטפורמות מבוססי סיליקון micromachined. איור 4 מציג את התמונה של מערך של 4 חיישנים גז micromachined, בהתבסס על מוטות CVD בסיוע תרסיס. המאפיינים ואת תהליך ייצור micromachined היה פלטפורמות שתוארה לעיל13. אלה מיקרוסיסטמס רגישים יחסית ריכוזים נמוכים של פחמן חד חמצני, עם התגובות המרבי הקליטה (באמצעות של הגז רציף זרימה מבחן קאמרית13) כאשר הפעילה את החיישנים ב 360 ° C באמצעות את microheaters resistive משולב במערכת (איור 5).

figure-results-1
איור 1: הצג סכימתי של המערכת באמצעות תרסיס CVD.

figure-results-2
איור 2: העליון (א) וחתך הרוחב (B) תמונות SEM של המוטות ZnO להפקיד באמצעות תרסיס בסיוע CVD. אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.

figure-results-3
איור 3: תמונות SEM חתך הרוחב של ZnO להפקיד באמצעות תרסיס בסיוע CVD-300 (א), 400 (B), 500 (ג) ו- 600 מעלות צלזיוס (D). אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.

figure-results-4
איור 4: פלטפורמה Micromachined מבוססי סיליקון עם 4 רחוקים רכוב על חבילת TO8 (א), תצוגה מפורטת של Microsensor (B), המוטות ZnO שהופקדו על הקצה של אלקטרודה (C). אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.

figure-results-5
איור 5 : שינויי ההתנגדות החשמלית של המוטות ZnO לכיוון (25, 20, 10, 5 ppm) ריכוזים שונים של פחמן חד-חמצני. אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.

דיון

ההליך CVD בסיוע תרסיס מפורט כאן שמוביל היווצרות של מוטות ZnO על אריחים הסיליקון של 10 מ"מ x 10 מ"מ. הליך זה יכול להיות קנה המידה עד מעיל משטחים גדולים יותר; עם זאת, שים לב כי עלייה נפח התאים התגובה ידרוש רק הערכות מחודשת של פרמטרים, כגון קצב הזרימה הספק ונפח של פתרון. עבור תאים התגובה גדול יותר, מומלץ גם לשלוט מעברי הצבע החום במצע, עקב מעברי צבע עדין של פחות מ 10 ° C יכול להיות בעל השפעה חזקה על המורפולוגיה וכתוצאה מכך של הסרט, כפי שמתואר בעבר עבור CVD בסיוע תרסיס של טונגסטן תחמוצת8. כדי לשחזר את התוצאות דיווחו כאן, אנו ממליצים על השימוש atomizer ב קולי עם תדר ההפעלה דומה מזה המתואר הפרוטוקול, בגודל ממוצעת droplet בתרסיס בתורו וכתוצאה מכך המורפולוגיה של הסרט מושפעים פרמטר זה7.

התצהיר סלקטיבי של אחרים ZnO מורפולוגיות, ולא מוטות, גם יכולה להיות מושגת על ידי שינוי קודמן, טמפרטורות התצהיר, או מנשא ממיסים. למשל, השימוש של סימנים מקדימים כגון diethyl אבץ14 או אבץ אצטט15 הוכיחה להוביל להיווצרותם של אחרים צורות מורפולוגיות ולא מוטות משושה. יש לנו גם לב כי השימוש של טמפרטורות לעדות שונות במהלך CVD בסיוע תרסיס מייצרת שינויים המורפולוגיה של הסרטים, ומאפשרת היווצרות של סרטים polycrystalline בטמפרטורה שמתחת 400 ° C, עבה משושה מבנים ב בטמפרטורה גבוהה מ- 400 מעלות צלזיוס, או מפורק ומבני פחות צפוף על המצע כשמגיעים 600 מעלות צלזיוס. בדומה לכך, השימוש בממיסים שונים משפיע על המורפולוגיה של הסרטים, למשל, הוכחנו לאחרונה כי השימוש במתנול בטמפרטורה התצהיר של 400 מעלות צלזיוס מעודד היווצרות מבנים עם מורפולוגיה כמו פתית, ואילו השימוש של אצטון בטמפרטורה אותו מעודד היווצרות מבנים דמויי חרוט הפוך9.

היה התפקיד של ממיסים הטמפרטורה, המוביל גם לב בעבר על CVD בסיוע תרסיס של מבנים תחמוצות מתכת אחרים (למשל, טונגסטן תחמוצת5 , פח תחמוצת6), בדרך כלל הוא יוחס: ההשפעות הכימיות נגרמת על ידי intermediates הממוגן, אשר הופכים מינים פעילים עבור התצהיר או מגיבים homogeneously בצורת חלקיקים מוצקים בטמפרטורות עיבוד (זה יותר סביר עבור ממיסים כגון מתנול, אצטון, אשר יכול לפרק בטמפרטורות נמוכות למשל, < 500 ° C); אפנון של שיעור של התצהיר (השטף) ו- droplet אידוי (זה סביר יותר דומיננטי עבור ממיסים כמו אתנול, אשר לא עושים בצורת תגובתי מינים קיצוניים בטמפרטורות שימוש בניסויים שלנו).

פרוטוקול דיווח על תואם תהליכים מיקרו-המדינה-of-the-art מלאכותית עבור מכשירים אלקטרוניים מבוססי סיליקון ויש לו פוטנציאל להיות שולבו תהליכים מעורבים חומרים גמישים עמידים בחום גבוה עקב נמוך יחסית טמפרטורות CVD בסיוע תרסיס של מבנים. עם זאת, חשוב להזכיר כי השימוש של צל מסכות צמיחה סלקטיבית של מבנים, כגון שיטות הזריעה בהתבסס על אדי-נוזל נוזל מוצק מנגנון ה-16, ייתכן אילוצים מסוימים תהליכי ייצור. מצד שני, האפשרות לצמוח המבנים באמצעות השיטה שאינם מזורז המובאת כאן אולי יש את היתרון של פחות ליטוגרפית והשלבים metallization לשילוב, שבב של מבנים. בנוסף, הטמפרטורות נמוכות יחסית לסינתזה של מוטות ZnO עשויים גם כן לאפשר השימוש בשיטה זו עם חימום מקומי, טכניקה המועסקים להגבלת הסביבה התרמי הנדרשת עבור שניהם פירוק של אדי-שלב שני המגיבים ו קינטיקה גידול של מבנים לאזור microscale, להפחית באופן משמעותי את צריכת החשמל של כורים בטמפרטורה גבוהה (חם-קיר)17. השימוש של חימום מקומי, למשל, הוכח ריאלי קודם לכן עבור שאינם מזורז בסיוע תרסיס CVD. מוטות טונגסטן תחמוצת18. הצמיחה של טורי המבנים ZnO עם מורפולוגיה מבוקרת, לאפשר את השתלבותם קל סובסטרט שונים ותהליכים מיקרו-מלאכותית, הוא עניין משותף בתחומים כגון photocatalysis הקבלה חישה, כימי, פוטוניקה ואנרגיה קציר, בין השאר.

גילויים

המחברים אין לחשוף

תודות

עבודה זו בתמיכתם בחלקו ספרדית משרד המדע וחדשנות דרך גרנט TEC2015-74329-JIN-(AEI/FEDER,EU), TEC2016-79898-C6-1-R (AEI/פדר, האיחוד האירופי), ו- TEC-2013-48147-C6-6R (AEI/פדר, האיחוד האירופי). SV מאשר את התמיכה של התכנית השנייה SoMoPro, co-financed על-ידי האיחוד האירופי והאזור מדרום מורביה, באמצעות מענק 4SGA8678. JČ מכיר את המימון הניתנים על ידי MEYS, פרויקט מס LQ1601 (CEITEC 2020). חלק מהמחקר הזה עשה שימוש התשתיות המרכז לחקר שש, השרותים הליבה של CEITEC תחת CEITEC-פתח פרוייקט access באמצעות מענק LM2011020 ממומן על ידי משרד החינוך, נוער וספורט של הרפובליקה הצ'כית, את ICTS ספרדית רשת MICRONANOFABS נתמכת באופן חלקי על-ידי MINECO.

חומרים

רשימת החומרים שנעשה בהם שימוש במאמר זה
שםחברהמספר קטלוגהערות
ZnCl2 99,999% בסיס קורט מתכתSigma-Aldrich 229997משמש כפי שנרכש מהיצרן
אתנול ≥ 96%Penta71430בשימוש כפי שנרכש מהיצרן
תא תגובה מנירוסטה תוצרת(7000 מ"מ3, קוטר: 30 מ"מ, גובה: 10 מ"מ) עם תנורי חימום משולבים כדי להגיע לטמפרטורת התצהיר ומסופק עם בקר PID
מרסס נוזלי אולטראסוניג'ונסון מת'יתדר הפעלה ∼ מד זרימה של 1,6 מגה-הרץ
כדי לקבל שליטה טובה יותר בשלב זה, מומלץ להשתמש בבקר זרימת מסה. 
חנקןלינדה A.S.
פרוסות סיליקון   מיקרוכימיקלים< 100>, סוג p, 525 ומיקרו; עובי מ ', חתוך לחתיכות (10 מ"מ ופעמים; 10 מ"מ
בקבוקון זכוכית - 100 מ"למפרק 29/32, אורך 200 מ"מ
מלכודתמפרק 29/32, דוקרני צינור 5 מ"מ 
צילינדר בוגר - 10 מ"ל
תמיכה אוניברסלית 
מיקרוסקופ אלקטרונים סריקת
מעבדה חכמה 3kWCu Kα
ספקטרוסקופיה פוטואלקטרון קרינה רנטגן (XPS)KratosAXIS SupraMonochromatic  Kα רדיאטיו, הספק פליטה של 300 וואט, עדשה מגנטית ופיצוי טעינה 
מיקרוסקופ אלקטרונים שידור (TEM)JeolJEM 2100Fהופעל ב-200kV באמצעות קתודה שוטקי ומצויד ב-EDX 
תא תגובה גלילי בית גז ) ואקום איזון (SEM)Tescan Mira II LMU עקיפה של קרני רנטגן (XRD)Rigaku 

מקורות

  1. Kozuka, Y., Tsukazaki, A., Kawasaki, M. Challenges and opportunities of ZnO-related single crystalline heterostructures. Appl Phys Rev. 1 (1), 011303(2014).
  2. Wang, Z. L. Splendid One-Dimensional Nanostructures of Zinc Oxide: A New Nanomaterial Family for Nanotechnology. ACS Nano. 2 (10), 1987-1992 (2008).
  3. Pal, J., Pal, T. Faceted metal and metal oxide nanoparticles: design, fabrication and catalysis. Nanoscale. 7 (34), 14159-14190 (2015).
  4. Sun, Y., et al. The Applications of Morphology Controlled ZnO in Catalysis. Catalysts. 6 (12), 188(2016).
  5. Vallejos, S., Umek, P., Blackman, C. AACVD Control parameters for selective deposition of tungsten oxide nanostrucutres. J Nanosci Nanotechnol. 11, 8214-8220 (2011).
  6. Vallejos, S., et al. Aerosol assisted chemical vapour deposition of gas sensitive SnO2and Au-functionalised SnO2nanorods via a non-catalysed vapour solid (VS) mechanism. Sci Rep. 6, 28464(2016).
  7. Hou, X., Choy, K. L. Processing and Applications of Aerosol-Assisted Chemical Vapor Deposition. Chem Vap Deposition. 12 (10), 583-596 (2006).
  8. Ling, M., Blackman, C. Growth mechanism of planar or nanorod structured tungsten oxide thin films deposited via aerosol assisted chemical vapour deposition (AACVD). Phys Status Solidi C. 12 (7), 869-877 (2015).
  9. Vallejos, S., et al. ZnO Rods with Exposed {100} Facets Grown via a Self-Catalyzed Vapor-Solid Mechanism and Their Photocatalytic and Gas Sensing Properties. ACS Appl Mater Inter. 8 (48), 33335-33342 (2016).
  10. Srikant, V., Clarke, D. R. On the optical band gap of zinc oxide. J Appl Phys. 83 (10), 5447-5451 (1998).
  11. Gogurla, N., Sinha, A. K., Santra, S., Manna, S., Ray, S. K. Multifunctional Au-ZnO Plasmonic Nanostructures for Enhanced UV Photodetector and Room Temperature NO Sensing Devices. Sci Rep. 4, 6481-6489 (2014).
  12. Sutka, A., et al. A straightforward and "green" solvothermal synthesis of Al doped zinc oxide plasmonic nanocrystals and piezoresistive elastomer nanocomposite. RSC Advances. 5 (78), 63846-63852 (2015).
  13. Vallejos, S., et al. Chemoresistive micromachined gas sensors based on functionalized metal oxide nanowires: Performance and reliability. Sens Actuator B. 235, 525-534 (2016).
  14. Bhachu, D. S., Sankar, G., Parkin, I. P. Aerosol Assisted Chemical Vapor Deposition of Transparent Conductive Zinc Oxide Films. Chem Mater. 24 (24), 4704-4710 (2012).
  15. Chen, S., Wilson, R. M., Binions, R. Synthesis of highly surface-textured ZnO thin films by aerosol assisted chemical vapour deposition. J Mater Chem. A. 3 (11), 5794-5797 (2015).
  16. Murillo, G., Rodríguez-Ruiz, I., Esteve, J. Selective Area Growth of High-Quality ZnO Nanosheets Assisted by Patternable AlN Seed Layer for Wafer-Level Integration. Cryst Growth Des. 16 (9), 5059-5066 (2016).
  17. Sosnowchik, B. D., Lin, L., Englander, O. Localized heating induced chemical vapor deposition for one-dimensional nanostructure synthesis. J Appl Phys. 107 (5), (2010).
  18. Annanouch, F. E., et al. Localized aerosol-assisted CVD of nanomaterials for the fabrication of monolithic gas sensor microarrays. Sens Actuators, B. 216, 374-383 (2015).

הדפסות חוזרות והרשאות

גלה מאמרים נוספים

מנגנון אידוי-מוצקחומר מוצא של כלוריד אבץאתנול כממס נשאימצע סיליקוןמיקרוסקופיה אלקטרונית סורקתאנליזת עקיפת קרני רנטגןספקטרוסקופיית קרני רנטגן עם פיזור אנרגיהפונקציונליות של חישוש גזים
תרסיס בסיוע בתצהיר אדים כימיים של תחמוצת מתכת מבנים: תחמוצת אבץ מוטות
צרו קשר
המליצו לספרייה

פרטיות

תנאי שימוש

מדיניות

זכויות יוצרים © 2026 MyJoVE Corporation. כל הזכויות שמורות.