שתי טכניקות הייצור, ההמראה והחריטה רטוב, מתוארים בהפקת מתמרים האלקטרודות interdigital על מצע פיזואלקטריים, ליתיום niobate, המשמש באופן נרחב כדי ליצור גלי משטח אקוסטי כעת מציאת כלי שירות רחב מיקרו כדי fluidics ננו-היקף. אלקטרודות כפי המיוצר מוצגים ביעילות לגרום מגהרץ לסדר משטח ריילי גלים אקוסטיים.
הרשמה ל-JoVE נדרשת לצפייה בתוכן זה. התחברו או התחילו בגרסת ניסיון בחינם.
מאמר שיטה
הייצור של התקנים גל אקוסטי לפני השטח על ליתיום Niobate
במאמר זה
סיכום
תקציר
מניפולציה של נוזלים וחלקיקים על ידי הגשמה אקוסטית בקנה מידה קטן הוא לסייע לצמיחה מהירה של יישומי מעבדה על שבב. מכשירי מגה-הרץ-הזמנה גל אקוסטי (מסור) התקנים לייצר האצות עצומות על פני השטח שלהם, עד 108 מ מ 2, בתורו אחראי רבים של ההשפעות שנצפו שבאו להגדיר אתהשני: הזרמת אקוסטית וכוחות קרינה אקוסטית. השפעות אלה שימשו עבור הטיפול בחלקיקים, תא, ונוזלים במיקרו-סקאלה – ואפילו בסולם הננו. במאמר זה אנו מדגימים במפורש שתי שיטות הייצור הגדולות של התקנים מראה על ליתיום niobate: פרטים של טכניקות ההמראה והחריטה רטוב מתוארים צעד אחר צעד. תוצאות הנציג עבור דפוס האלקטרודה הופקד על המצע, כמו גם את הביצועים של המסור שנוצר על פני השטח מוצגים בפרוטרוט. הייצור טריקים ופתרון בעיות מכוסים גם. הליך זה מציע פרוטוקול מעשי עבור בתדר גבוה מראה ייצור המכשיר ואינטגרציה עבור יישומים מיקרופלואידיקה עתידיים.
מבוא
בהסתמך על אפקט פיזואלקטריים ההופכית הידוע, כאשר דיפולים האטומי ליצור זן המתאים ליישום של שדה חשמלי, הקריסטלים פיזואלקטריים כגון ליתיום niobate linbo3 (in), ליתיום טנטליט litao3 (LT), ניתן להשתמש כמו מתמרים אלקטרומכניים כדי ליצור מסור ליישומים microscale1,2,3,4,5,6. על ידי הפעלת הדור של displacements עד 1 ננומטר ב 10-1000 MHz, הרטט מונחה מראה גוברת על מכשולים טיפוסיים של אולטרסאונד מסורתי: האצה קטנה, אורכי גל גדולים, גודל המכשיר גדול. מחקר לטיפול בנוזלים וחלקיקים מושעה האיץ לאחרונה, עם מספר רב של ביקורות אחרונות ונגישים7,8,9,10.
הייצור של התקנים מיקרופלואידים משולבים משולב דורש הייצור של אלקטרודות- מתמר interdigital (IDT)11— על המצע פיזואלקטריים כדי ליצור את המסור. האצבעות צורה מסרק ליצור דחיסה ומתח במצע כאשר מחובר קלט חשמלי לסירוגין. הייצור של התקני המסור הוצג בפרסומים רבים, בין אם באמצעות להוריד את הפוטוגרפיה אולטרה סגולה לצד מתכת או תהליכי חריטה רטוב10. עם זאת, חוסר הידע והכישורים בבדיית המכשירים הללו הוא מחסום מפתח לכניסה לתוך החוגים של קבוצות מחקר רבות, אפילו היום. עבור טכניקת ההמראה12,13,14, שכבת הקרבה (photoresist) עם תבנית הופכי נוצרת על פני השטח, כך שכאשר חומר היעד (מתכת) מופקד על וופל כולו, הוא יכול להגיע למצע באזורים הרצויים, ואחריו צעד "ההמראה" כדי להסיר את הphotoresist הנותרים. לעומת זאת, בתהליך התחריט הרטוב15,16,17,18, המתכת מופקד לראשונה על הופל ולאחר מכן photoresist נוצרת בתבנית ישירה על המתכת, כדי להגן על האזור הרצוי מתוך "תצריב" על-ידי מזמור מתכת.
בעיצוב הנפוץ ביותר, IDT ישר, אורך הגל של תדירות התהודה של המכשיר המסור מוגדר על ידי התקופתיות של זוגות אצבע, שבו רוחב האצבע ואת המרווח בין האצבעות הם שניהם 
/419. כדי לאזן את יעילות השידור הנוכחי חשמלי ואת ההשפעה המסה הטעינה על המצע, את עובי המתכת הופקד על החומר פיזואלקטריים ממוטב להיות כ 1% של הגל המסור20. הסקה מקומית מאבידות Ohmic21, עלול לגרום לכשל באצבע מוקדמת, יכול להתרחש אם לא מספיק מתכת מופקד. מצד שני, סרט מתכת עבה מוגזמת יכול לגרום לירידה בתדירות התהודה של IDT בשל אפקט העמסה המסה והוא יכול ליצור חללים אקוסטיים בשוגג מן IDTs, בידוד הגלים האקוסטיים שהם מייצרים מן המצע המקיף. כתוצאה מכך, הפרמטרים הphotoresist והחשיפה של UV שנבחרו משתנים בטכניקת ההמראה, בהתאם לעיצובים שונים של התקני מסור, במיוחד בתדר. כאן, אנו מתארים בפרוטרוט את תהליך ההמראה כדי לייצר מכשיר מסור 100 מגה-הרץ מראה מלוטש על-ידי כפולה 0.5 mm-עבה 128 ° Y מסובבת לחתוך בבית וופל, כמו גם את תהליך התחריט רטוב כדי להפיק את ההתקן 100 MHz של עיצוב זהה. הגישה שלנו מציעה מערכת מיקרופלואידיסי המאפשרת חקירה של מגוון בעיות פיזיות ויישומים ביולוגיים.
הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.
פרוטוקול
1. התקן מסור דרך שיטת ההמראה
- לבצע ניקוי הממס וופל במתקן 100 מחלקה בחדר נקי על ידי הרחבת 4 "(101.6 מ"מ), וופל לאצטון לאחר מכן האלכוהול איזופרופיל (IPA), ולאחר מכן מים מוכי (די מים), כל אחד באמבטיה sonication עבור 5 דקות. להרים את וופל ולפוצץ את פני השטח יבש עם חנקן (N2) זרימת גז כדי להסיר את המים הנותרים DI מן הפרוסת.
התראה: בצע את האיטריאצטון והIPA במכסה המנוע. הימנע מאינהלציה וממגע העור עם IPA. להימנע ממגע עם העור והעיניים עם אצטון. . אל תבלע
הערה: אל תאפשר לנוזל כלשהו להתאדות על הפרוסת; אם יש אבק או פסולת על פני השטח, התחילו את השלב הזה. - מניחים את הפרוסת וופל על פלטה ב 100 ° c כדי לאפות במשך 3 דקות.
הערה: בשל המאפיין פירואלקטריים של LN, הוא יפיק חיובים סטטיים והלחץ הקשור בתוך וופל בזמן החימום והקירור. מומלץ לשים את הפרוסת וופל על פיסת אלומיניום (אל) לאחר הסרתו מהפלטה החמה כדי לשחרר את החיובים הסטטיים ולהימנע משבירת הנייר. - מניחים את הפרוסת וופל על מרובע מסתובב. באמצעות טפטפת, כיסוי על 75% של המשטח של וופל עם photoresist שלילית (NR9-1500). התוכנית מהירות 500 rpm עם האצה של 3,000 rpm/s עבור 5 שניות ולאחר מכן מהירות של 3,500 rpm עם האצה של 3,000 rpm/s עבור 40 שניות, כדי לייצר שכבה של photoresist סביב 1.3 μm.
התראה: בצע ציפוי מהדורה במכסה המנוע. שאיפת אדי הphotoresist. עלולה לגרום לכאבי ראש
הערה: העובי עשוי להשתנות בהתאם למצב הphotoresist ולהגדרת הטווח שבשימוש, אפילו באותה הגדרות טווח. ניתן לסובב את הphotoresist מעבר לקצה ולתוך הקצה האחורי של הרקיק; יש להסיר את הדבר הזה באמצעות שימוש בספוגית אצטון. בהווה השמאלי, photoresist את הפרוסת וופל לפלטת האפייה בזמן האפיה הרכה. - לאפייה רכה, הניחו את הרקיק על פלטה ב100 ° c, העלו את הטמפרטורה עד 150 ° c, החזיקו אותו ב-150 ° c במשך 1 דקות. ואז להזיז את הפרוסת מפלטת הפלטה, ולאפשר לפרוסת הסיליקון להתקרר באוויר לטמפרטורת החדר (RT).
הערה: בשל האפקט הפירואלקטרי , אם הטמפרטורה של ה-ln הופל השתנה לפתע, למשל, על ידי העברת באופן ישיר וופל על פלטת הפלטה או על גבי רדיד אלומיניום ב 150 ° c, ההלם התרמי בתוך הופל עלול לנפץ אותו. הימצאות מתכת לא אחידה על פני השטח, כגון אלקטרודות, מגביר באופן משמעותי את הסיכון הזה. ביישומים שבהם השקיפות של ה-LN אינה חשובה, שקול להשתמש ב-LN "שחור" או יותר מופחת באופן מדויק יותר ב-ln, שהוא חום כהה ושקוף, אך יש לו פירומן זניח. - העבר את הפרוסת וופל אל מסכת התנינים (MLA150) לחשיפה אולטרה סגולה. לחשוף את photoresist עם מינון אנרגיה של 400 mJ/cm2 ב 375 nm. המינון הנדרש עשוי להשתנות בהתאם לעיצוב המסיכה ולגיל ולמצב הphotoresist.
הערה: כיוון הפצת הגל שנגרם על ידי IDTs צריך להיות לאורך הכיוון הפצת X כדי ליצור ביעילות מסור. במילים אחרות, זה מרמז על "אצבעות" של IDT צריך להיות בניצב לכיוון ציר ה-X. אופייני היצרנים בתוך וופל מניחים את הראשי (גדול) וופל שטוח (הקצה הישר לצד וופל) בניצב לציר ה-X, כך אצבעותיך IDT צריך להיות מקביל לדירה זו. יצרנים מסוימים מציגים שדירה שנייה (קטנה) וופל כדי לסייע בציון ההנחיות לציר Y ו-Z, אך פרט זה אינו חשוב ליצירת מסור. יצרנים מבקשים לעתים קרובות מפרטים עבור גימור המשטח של וופל; אם אתם זקוקים לפרוסת וופל שקוף, בקשו ופלים מלוטשים בצורה דו צדדית. עם זאת, זכור כי LN הוא שבירה, כך כל אובייקט מואר עם אור מעבדה סטנדרטית ולראות דרך החומר יפיק לא אחד אלא שתי תמונות. התגברות על בעיה זו נדונה מאוחר יותר. מלוטש צד אחד LN היא בחירה טובה יותר עבור הדור המסור אם אתה לא צריך לראות דרך וופל, כי גלי אקוסטי מלאכותי מתפזרת על ידי משטח הגב מחוספס. - מניחים את הפרוסת וופל על פלטה ב 100 ° c עבור 3 דקות עבור אופים לאחר החשיפה. לאחר מכן להעביר אותו אל רדיד אלומיניום ולאפשר לו להתקרר כדי RT.
הערה: הדפוסים צריכים להיות גלויים לאחר האופים שלאחר החשיפה. אם לא, שקול להפשיט את photoresist ולהפעיל מחדש את התהליך משלב 1.1 לעיל. - לפתח את הפרוסת על ידי הצבת אותו בגביע מלא מפתח RD6 טהור עבור 15 שניות. לנער בעדינות את הגביע במהלך הפיתוח. לטבול את הופל לתוך מים DI 1 דקות, ולאחר מכן לשטוף את וופל תחת זרימת המים DI. לבסוף, להשתמש יבש N2 זרימה כדי להסיר את המים הנותרים די מן הפרוסת. לעולם אל תיתן לנוזל להתאדות. על משטח הרקיק
התראה: לפתח את הפרוסת בתוך מכסה המנוע. הימנע לנשום באדים או ליצור קשר עם המפתח עם העיניים והעור.
הערה: הפוטוגרפיה הושלמה לאחר שלב זה. הפרוטוקול יכול להיות מושהה כאן. - לאפות את הפרוסת וופל על פלטה ב 100 ° c עבור 3 דקות. לאחר מכן להעביר אותו אל רדיד אלומיניום ולאפשר לו להתקרר כדי RT.
הערה: שלב זה הוא להסיר כל לחות מהפרוסת וופל הphotoresist כדי למנוע הוצאת מאוחר יותר במהלך התזה. - הניחו את הופל. לתוך מערכת תצהיר מוחלטת ואקום החדר כדי 5 x 10-6 mTorr. השתמש mTorr זרימת הארגון 2.5, כרום התיז (Cr) עם כוח של 200 W עבור 5 ננומטר כשכבת הדבקה, ואחריו התזה אל עם כוח של 300 W עבור 400 nm כדי ליצור את האלקטרודות מוליך.
הערה: יש לחשב זמן התצהיר מהעובי הצפוי ושיעור התצהיר. טיטניום (Ti) ניתן להשתמש במקום כרום, אם כי תהליך ההסרה קשה יותר, כי Ti קשה יותר. זהב (Au) גם מופקד בדרך כלל כאלקטרודות. עם זאת, עבור התקנים מראה בתדר גבוה יותר, אל צריך להחליף Au כדי למנוע את השפעות הטעינה ההמוני של האצבעות Au IDT, אשר להפחית את תדירות מראה מקומי התהודה תחת IDT, להרכיב חלל אקוסטי שממנו המסור יכול רק להימלט עם אובדן משמעותי. - עבור תהליך ההמראה, להעביר את הפרוסת לתוך גביע ולטבול באצטון. Sonicate בעוצמה בינונית עבור 5 דקות. לשטוף עם מים DI ויבש וופל עם N2 זרימה.
התראה: השתמש באצטון בתוך מכסה המנוע. הימנע משאיפת עור או קשר עין עם אצטון. . אל תבלע
הערה: ניתן להשהות את הפרוטוקול כאן. - השתמש מסור המכונה לקוביות את כל וופל לחתיכות קטנות של צ'יפס כמכשירי מסור עבור יישומים נוספים.
הערה: התהליך הושלם. הפרוטוקול יכול להיות מושהה כאן.
הערה: במקום מסור, ניתן להשתמש באבן וופל-על-ידי יהלום (או אפילו חותך זכוכית) כדי לקוביות בתוך הבית וופל באופן מסוים, למרות שבגלל האנאיזוטרופיית של ln חשוב לסופר ולשבור את הופל הראשון לאורך קווי הסופר בניצב לצירה-x, ואחריו קווים אלה ל
2. הייצור המכשיר באמצעות שיטת התחריט הרטוב
- ניקוי הממס וופל: במתקן 100 חדר נקי מחלקה על ידי הרחבת 4 "(101.6 מ"מ) בתוך וופל באצטון, ואחריו IPA, ולאחר מכן המים DI, כל אחד באמבטיה sonication עבור 5 דקות. להרים את הופל ולייבש את פני השטח באמצעות N2 כדי להסיר את המים הנותרים DI וופל.
התראה: השתמש באצטון ו-IPA במכסה המנוע. הימנע מאינהלציה וממגע העור עם IPA. הימנע המגע אצטון עם העור והעיניים. . אל תבלע - הניחו את הרקיק על פלטת הפלטה ב-100 ° c לטיפול תרמי במשך 3 דקות. לאחר מכן להעביר אותו אל רדיד אלומיניום כדי להתקרר כדי RT.
- מניחים את הופל. לתוך מערכת תצהיר מוחלטת ואקום החדר כדי 5 x 10-6 mTorr. השתמש בזרימת הארגון ב 2.5 mTorr, שליטת Cr עם כוח של 200 W עבור 5 ננומטר כמו שכבת הדבקה, ואחריו בריסוס Au עם כוח של 300 W עבור 400 nm כדי ליצור את האלקטרודות המוליך.
הערה: ניתן להשהות את הפרוטוקול כאן. - מניחים את הפרוסת וופל על מרובע מסתובב. באמצעות טפטפת, לכסות על 75% של המשטח של וופל עם photoresist חיובי (AZ1512). התוכנית מהירות 500 rpm עם האצה של 3,000 rpm/s עבור 10 שניות ולאחר מכן מהירות של 4,000 rpm עם האצה של 3,000 rpm/s עבור 30 שניות, בסופו של דבר הפקת שכבה של photoresist סביב 1.2 μm.
התראה: בצע ציפוי מהדורה במכסה המנוע. שאיפת אדי הphotoresist. עלולה לגרום לכאבי ראש - לאפייה רכה, הניחו את הרקיק על פלטה ב100 מעלות צלזיוס במשך 1 דקות. לאחר מכן להעביר אותו אל רדיד אלומיניום ולאפשר לו להתקרר כדי RT.
- העבר את הפרוסת וופל אל מסכת התנינים (MLA150) לחשיפה אולטרה סגולה. לחשוף את photoresist עם מינון אנרגיה של 150 mJ/cm2 ב 375 nm. המינון הנדרש עשוי להשתנות בהתאם לעיצוב המסיכה ולגיל ולמצב הphotoresist.
- מניחים את הופל לתוך גביע מלא במפתח AZ300MIF טהור עבור 30 שניות. לנער בעדינות את הגביע במהלך הפיתוח. הישאב וופל לתוך מים DI 1 דקות, ואז לשטוף את וופל תחת זרימת המים DI. לבסוף, להשתמש יבש N2 זרימה כדי להסיר את המים הנותרים די מן הפרוסת. לעולם אל תיתן לנוזל להתאדות. על משטח הרקיק
התראה: הימנע מפנייה AZ300MIF באמצעות העור או העיניים. . אל תבלע - לטבול את הפרוסת לתוך גביע מלא ב-Au etchant עבור 90 שניות, לטלטל בעדינות את הגביע. לאחר לשטוף את וופל תחת זרימת מים DI, יבש עם N2 זרימה כדי להסיר את המים הנותרים די מן הפרוסת. לעולם אל תיתן לנוזל להתאדות. על משטח הרקיק
התראה: מזמור זהב יכול להיות מסוכן לעיניים ולעור, ויגרום לגירוי נשימתי. שלב זה דורש יותר ציוד הגנה אישי (PPE), כגון זכוכית בטיחות, כפפות שחור אטומה, סינר, וכו '. - לטבול את הפרוסת לתוך גביע מלא Cr etchant עבור 20 שניות, מטלטל בעדינות את הגביע. לאחר לשטוף את וופל תחת זרימת מים DI, יבש עם N2 זרימה כדי להסיר את המים הנותרים די מן הפרוסת. לעולם אל תיתן לנוזל להתאדות. על משטח הרקיק
התראה: etchant כרום יכול לגרום לעין, עור, גירוי בנשימה. שלב זה דורש גם יותר PPE. - נקה את (המדגם) וופל, על ידי הכנסתו לאצטון, ואחריו IPA, ו-DI מים באמבט sonication עבור 5 דקות כל אחד. הרם את הופל ויבש עם זרימת גז N2 על פני השטח של וופל כדי להסיר את המים הנותרים די מן הפרוסת.
התראה: השתמש באצטון בתוך מכסה המנוע. הימנע מאינהלציה וממגע העור אצטון עם העור והעיניים. . אל תבלע
הערה: שלב זה הוא להסיר את הphotoresist הבלתי רצוי על הפרוסת. הפרוטוקול יכול להיות מושהה כאן. - השתמש במסור מסור כדי לקוביות את כל הופל לתוך התקנים מסור דיסקרטית לשימוש נוסף.
הערה: התהליך הושלם. הפרוטוקול יכול להיות מושהה כאן.
3. התקנה ובדיקה ניסויית
- שימו לב להתקן המסור שמתחת למיקרוסקופ אופטי בשדה בהיר.
הערה: ייתכן ששריטות על פני שכבות המתכת ב-LN. בדרך כלל הם לא יגרמו להשפעה בולטת של ביצועי המכשיר, כל עוד השריטות אינן עמוקות מספיק כדי לגרום למעגל פתוח. - לקראת הופעה, לצרף בולמי בשני הקצוות לאורך כיוון התפשטות של המכשיר מסור כדי למנוע גלים אקוסטיים משתקף מהקצוות.
- השתמש במחולל אותות כדי להחיל שדה חשמלי sinusoidal על IDT בתדירות התהודה של סביב 100 MHz. מגבר צריך להיות מחובר. כדי להגביר את האות
- השתמש באולוסקופ כדי למדוד את המתח הממשי, הזרם והכוח שהוחלו על ההתקן. משרעת ותגובת התדר של המסור נמדדים על ידי מדידת לייזר דופלר (LDV); תנועת ה-droplet המסור מוקלטת באמצעות מצלמה במהירות גבוהה המצורפת למיקרוסקופ.
הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.
תוצאות
IDT להיות נמדד מיועד להיות תדר תהודה ב 100 MHz, כמו רוחב האצבע ואת המרווח ביניהם הם 10 μm, הפקת אורך הגל של 40 μm. איור 1 מציג את המכשיר מסור ו IDT מפוברק באמצעות שיטה זו.
שימוש באות חשמלי מותאם לתדר התהודה של IDT, מסור ניתן ליצור על פני פני השטח של חומר פיזואלקטריים. LDV מודד את הרטט דרך אפקט דופלר על פני השטח, ובאמצעות עיבוד אותות, מידע כגון משרעת, מהירות, האצה, ושלב יכול להיות רכשה ומוצגת באמצעות התוכנה. אנו ממחישים את תגובת התדר תחת ניקוי תדר מ 90 עד 105 MHz, עם כוח קלט של...
הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.
דיון
מכשירי ראה מפוברק מכל אחת מהשיטות הם מסוגלים לייצר גלי נסיעה שימושיים על פני השטח, ושיטות אלה התחתון תהליכים מורכבים יותר לייצר עיצובים אחרים. תדירות התהודה היא בדרך כלל נמוכה יותר מהערך המעוצב, בשל השפעת הטעינה ההמונית של המתכת המפקדת על החלק העליון. עם זאת, יש עדיין כמה נקודות שווה לדון כדי למנוע בעיות.
שיטת ההמראה
. הבחירה של photoresist חשובה ניתן להשתמש בphotoresist חיובית לייצור, שבכל זאת יהיה קשה יותר. מכיוון שphotoresist הבלתי חשוף מומס, החלק שנותר על המצע יצור צורה...
הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.
גילויים
. למחברים אין מה לגלות
תודות
המחברים אסירי תודה לאוניברסיטת קליפורניה ולמתקן NANO3 ב-UC בסן דייגו לאספקת כספים ומתקנים לתמיכה בעבודה זו. העבודה הזאת בוצעה בחלקו בתשתית הננו-טכנולוגיה של סן דייגו (SDNI) של UCSD, חברה של התשתיות הלאומיות ננוטכנולוגיה מתואמת, אשר נתמכת על ידי הקרן הלאומית למדעים (גרנט ECCS-1542148). העבודה המוצגת כאן נתמכת בנדיבות על ידי מלגת מחקר מקרן W.M. קק. המחברים גם אסירי תודה על התמיכה של העבודה הזאת על ידי משרד המחקר הימי (דרך גרנט 12368098).
הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.
חומרים
| שם | חברה | מספר קטלוג | הערות |
|---|---|---|---|
| Absorber | Dragon Skin, Smooth-On, Inc., Macungie, PA, ארה"ב | Dragon Skin 10 MEDIUM | |
| Ampliifier | Mini-Circuits, ברוקלין, ניו יורק, ארה"ב | ZHL – 1– 2W– S+ | |
| מצלמה | ניקון, מינאטו, טוקיו, יפן | D5300 | |
| כרום תחריט | Transene Company, INC, דנברס, MA, ארה"ב | 1020 | |
| מפתח | Futurrex, ניו ג'רזי, ארה"ב | מפתח RD6 | |
| EMD Performance Materials Corp., Philidaphia, PA, ארה"ב | AZ300MIF | ||
| מסור חיתוך | דיסקו, טוקיו, יפן | דיסקו אוטומטי מסור חיתוך 3220 | |
| תחריט זהב | חברת טרנסן, INC, דנברס, MA, ארה"ב | מקדח חורים TFA | |
| דרמל, הר פרוספקט, אילינוי | דגם #4000 | 4000 ביצועים גבוהים במהירות משתנה סיבובי | |
| מיקרוסקופ הפוך | , אירווין, קליפורניה, ארה"ב | IN480TC-FL-MF603 | |
| ויברומטר דופלר לייזר (LDV) | פוליטק, וולדברון, גרמניה | UHF-120 | 4 אינץ' צד כפול מלוטש 0.5 מ"מ עובי 128° מצע ליתיום ניובט חתוך Y-סיבוב |
| מצע ליתיום ניובט | PMOptics, ברלינגטון, MA, ארה"ב | PWLN-431232 | |
| יישור מסכות | היידלברג מכשירים, היידלברג, גרמניה | תהליך ייצור MLA150 | מתבצע בו. |
| מתקן חדר נקי Nano3 | UCSD, לה ג'ולה, קליפורניה, ארה"ב | ||
| פוטו-רזיסט שלילי | Futurrex, ניו ג'רזי, ארה"ב | NR9-1500PY | |
| אוסילוסקופ | Keysight Technologies, סנטה רוזה, קליפורניה, ארה"ב | InfiniiVision 2000 X-Series | |
| פוטו-התנגדות | AZ1512 | דנטון דיסקברי 18 | |
| מחולל אותות מערכת מקרטע | NF Corporation, יוקוהמה, יפן | WF1967 גנרטור רב תכליתי | רקיק דיפר 4 אינץ' |
| תצהיר מקרטע | דנטון ואקום, ניו ג'רזי, ארה"ב | דנטון 18 | |
| מטבל רקיק טפלון | ShapeMaster, אוגדן, אילינוי, ארה"ב | SM4WD1 |
מקורות
- Ding, X., et al. Standing surface acoustic wave (SSAW) based multichannel cell sorting. Lab on a Chip. 12 (21), 4228-4231 (2012).
- Langelier, S. M., Yeo, L. Y., Friend, J. UV epoxy bonding for enhanced SAW transmission and microscale acoustofluidic integration. Lab on a Chip. 12 (16), 2970-2976 (2012).
- Rezk, A. R., Qi, A., Friend, J. R., Li, W. H., Yeo, L. Y. Uniform mixing in paper-based microfluidic systems using surface acoustic waves. Lab on a Chip. 12 (4), 773-779 (2012).
- Schmid, L., Weitz, D. A., Franke, T. Sorting drops and cells with acoustics: acoustic microfluidic fluorescence-activated cell sorter. Lab on a Chip. 14 (19), 3710-3718 (2014).
- Schmid, L., Wixforth, A., Weitz, D. A., Franke, T. Novel surface acoustic wave (SAW)-driven closed PDMS flow chamber. Microfluidics and Nanofluidics. 12 (1-4), 229-235 (2012).
- Shi, J., Mao, X., Ahmed, D., Colletti, A., Huang, T. J. Focusing microparticles in a microfluidic channel with standing surface acoustic waves (SSAW). Lab on a Chip. 8 (2), 221-223 (2008).
- Friend, J., Yeo, L. Y. Microscale acoustofluidics: Microfluidics driven via acoustics and ultrasonics. Reviews of Modern Physics. 83 (2), 647(2011).
- Ding, X., et al. Surface acoustic wave microfluidics. Lab on a Chip. 13 (18), 3626-3649 (2013).
- Destgeer, G., Sung, H. J. Recent advances in microfluidic actuation and micro-object manipulation via surface acoustic waves. Lab on a Chip. 15 (13), 2722-2738 (2015).
- Connacher, W., et al. Micro/nano acoustofluidics: materials, phenomena, design, devices, and applications. Lab on a Chip. 18 (14), 1952-1996 (2018).
- White, R. M., Voltmer, F. W. Direct piezoelectric coupling to surface elastic waves. Applied Physics Letters. 7 (12), 314-316 (1965).
- Smith, H. I., Bachner, F. J., Efremow, N. A High-Yield Photolithographic Technique for Surface Wave Devices. Journal of the Electrochemical Society. 118 (5), 821-825 (1971).
- Bahr, A. Fabrication techniques for surface-acoustic-wave devices. Proc. Int. Specialists Seminar on Component Performance and Systems Applications of Surface Acoustic Wave Devices. , (1973).
- Smith, H. I. Fabrication techniques for surface-acoustic-wave and thin-film optical devices. Proceedings of the IEEE. 62 (10), 1361-1387 (1974).
- Wilke, N., Mulcahy, A., Ye, S. R., Morrissey, A. Process optimization and characterization of silicon microneedles fabricated by wet etch technology. Microelectronics Journal. 36 (7), 650-656 (2005).
- Madou, M. J. Fundamentals of microfabrication: the science of miniaturization. , CRC press. (2002).
- Köhler, M. Etching in Microsystem Technology. , Wiley. (1999).
- Brodie, I., Muray, J. J. The physics of micro/nano-fabrication. , Springer Science & Business Media. (2013).
- Dentry, M. B., Yeo, L. Y., Friend, J. R. Frequency effects on the scale and behavior of acoustic streaming. Physical Review E. 89 (1), 013203(2014).
- Morgan, D. Surface acoustic wave filters: With applications to electronic communications and signal processing. , Academic Press. (2010).
- Pekarcikova, M., et al. Investigation of high power effects on Ti/Al and Ta-Si-N/Cu/Ta-Si-N electrodes for SAW devices. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. 52 (5), 911-917 (2005).
הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.
הדפסות חוזרות והרשאות
