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Fabbricazione di chip a doppio strato PDMS
Il chip a doppio strato fabbricato è raffigurato nella Figura 2A, con canali del gas colorati (rosso) e canali del fluido (blu) per la visualizzazione. Il chip ha tre canali del fluido identici e canali del gas sovrapposti per consentire esperimenti paralleli. Il canale del fluido ha un'area di coltivazione con una serie di camere di coltivazione (Figura 2A(i)). Le cellule vengono intrappolate all'interno delle camere di coltivazione e lasciate crescere in un formato monostrato, che consente l'imaging time-lapse ad alta risoluzione con un'elevata velocità di acquisizione delle immagini. La sezione trasversale del chip illustra uno strato superiore di 3 mm di spessore e uno strato inferiore di 65 μm, che consente una rapida diffusione del gas dal canale del gas al canale del fluido attraverso la membrana PDMS intermedia (Figura 2A (ii-ii')).
Controllo dell'ossigeno su chip
La capacità di scambio gassoso del chip sviluppato è stata testata utilizzando FLIM e il colorante15 sensibile all'ossigeno. Come mostrato nella Figura 2B, la concentrazione di ossigeno nel canale del fluido ha mostrato una corrispondente diminuzione o aumento entro decine di secondi quando la concentrazione di ossigeno è stata spostata tra il 21% e lo 0%. Questi risultati della misurazione dell'ossigeno dimostrano che la rapida oscillazione dell'ossigeno in decine di secondi può essere replicata nel chip microfluidico a doppio strato sviluppato.
Coltivazione microbica in condizioni di ossigeno costante
Il chip è stato impiegato per la prima volta per caratterizzare la crescita facoltativa di E. coli anaerobi in condizioni gassose costanti con varie concentrazioni di ossigeno. L'anidride carbonica è sempre stata aggiunta al gas di alimentazione poiché abbiamo osservato una crescita limitata di E. coli in condizioni di esaurimento dell'anidride carbonica negli esperimenti preliminari (dati non mostrati). La Figura 3A e la Figura 3B illustrano immagini rappresentative a contrasto di fase di E. coli in condizioni aerobiche (21% di ossigeno) e anaerobiche (0% di ossigeno), rispettivamente. Dopo 3 ore di coltivazione, E. coli coltivato in condizioni aerobiche ha portato a colonie più grandi rispetto alle condizioni anaerobiche. L'analisi quantitativa mostra anche diversi tassi di aumento delle dimensioni della colonia (colonia A) a seconda della disponibilità di ossigeno, come mostrato nelle curve di crescita nella Figura 3C. Si noti che unacolonia è normalizzata in base all'area iniziale per consentire il confronto tra diverse colonie e condizioni. Il tasso di crescita esponenziale μ può essere determinato dalla curva di crescita come segue e riassunto nella Figura 3D.

I risultati convalidano la capacità del dispositivo di controllare l'ossigeno alle concentrazioni mirate e di analizzare efficacemente la crescita microbica corrispondente dalle immagini time-lapse acquisite.
Coltivazione microbica in condizioni di ossigeno oscillante
Infine, E. coli è stato coltivato in condizioni di ossigeno oscillante, passando dalla fase di gassificazione aerobica a quella anaerobica con un intervallo di commutazione T'. Sono stati esaminati vari T' tra 60 minuti e 1 minuto per testare la capacità di analisi della crescita risolta nel tempo in correlazione alle condizioni di ossigeno oscillante. La Figura 4 mostra la crescita quantificata di E. coli in condizioni di ossigeno oscillante con T' = 60, 30, 10, 5, 2 e 1 min. Oltre alla curva di crescita basata sulla colonia A, anche il tasso di crescita istantaneo μΔt è determinato per acquisire informazioni risolte nel tempo come segue.

I tassi di crescita in condizioni aerobiche e anaerobiche costanti sono mostrati anche con linee tratteggiate (μ21%, μ0%) nella Figura 4 come riferimenti di crescita. La crescita di E. coli ha presentato dinamiche distinte in risposta a condizioni gassose oscillanti. Ad esempio, dopo che la fase di gassificazione è stata commutata da condizioni aerobiche ad anaerobiche (T' = 60 min), la crescita ha mostrato (i) fase di risposta: improvvisa diminuzione del tasso di crescita, seguita da (ii) fase di recupero: aumento graduale del tasso di crescita, e (iii) fase di stabilizzazione: stabilizzazione della crescita intorno al μ0%. Le dinamiche di crescita di E. coli sono state risolte temporalmente con successo in vari T' di appena 1 minuto, dove E. coli ha mostrato un tasso di crescita monotono su e giù a causa del tempo limitato per adattare la crescita alle mutevoli condizioni gassose. Inoltre, il comportamento di crescita può essere analizzato non solo a livello di colonia, ma anche a livello di singola cellula. La Figura 5 illustra lo sviluppo dell'area di una singola cellula sotto oscillazioni di ossigeno a vari intervalli di commutazione T'. La crescita di una singola cellula può essere dedotta seguendo i grafici vicini, senza tracciare l'analisi. Il comportamento di crescita a livello di singola cellula assomiglia a quello osservato a livello di colonia nella Figura 4; un aumento più rapido dell'area durante la fase di gassificazione aerobica e un chiaro cambiamento della velocità di crescita all'evento di commutazione del gas. I risultati dimostrano la capacità di coltivare microbi in condizioni gassose oscillanti e di analizzare la crescita microbica in correlazione con la disponibilità di ossigeno in modo risolto nel tempo.

Figura 1: Procedura di fabbricazione del chip a doppio strato. La procedura inizia con la progettazione dello stampo (A, C), la fabbricazione dello stampo (B, D), lo stampaggio PDMS (E-G) e l'assemblaggio del chip (H). Questa cifra è stata modificata da15. Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.

Figura 2: Chip a doppio strato fabbricato e la sua capacità di controllo dell'ossigeno. (A) Viene presentata l'immagine rappresentativa del chip fabbricato, con canali del gas colorati (rosso) e canali del fluido (blu) per la visualizzazione. L'immagine SEM è mostrata in (i), raffigurante una serie di camere di coltivazione collegate a canali del fluido su entrambi i lati (barra di scala 100 μm). La sezione trasversale del chip è mostrata in (ii-ii'), raffigurante lo strato superiore di 3 mm di spessore e lo strato inferiore di 65 μm di spessore. (B) La concentrazione di ossigeno misurata nel canale del fluido dopo il passaggio tra le condizioni aerobiche (21% di ossigeno) e anaerobiche (0% di ossigeno). Questa cifra è stata modificata da15. Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.

Figura 3: Coltivazione di E. coli in condizioni di ossigeno costante. (A) Le cellule vengono coltivate aerobicamente (apporto di ossigeno al 21%) per 3 ore e le immagini time-lapse vengono acquisite utilizzando la microscopia a contrasto di fase. (B) Le cellule vengono coltivate in modo anaerobico (0% di apporto di ossigeno) e vengono acquisite immagini time-lapse per 3 ore. (C) La crescita cellulare in varie condizioni di ossigeno costante viene tracciata sulla base della colonia A. (D) Il tasso di crescita esponenziale è calcolato e riassunto. Tutte le barre della scala = 5 μm. I dati sono espressi come media ± S.D. n = 35 colonie (0%), 27 (0,1%), 21 (0,5%), 16 (1%), 13 (5%), 13 (10%), 29 (21%). Questa cifra è stata modificata da15. Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.

Figura 4: Coltivazione di E. coli in condizioni di ossigeno oscillante. Viene esaminata la crescita cellulare in varie condizioni di ossigeno oscillante (T', intervallo di commutazione tra condizioni aerobiche e anaerobiche). La crescita cellulare basata sulla colonia A viene tracciata nel tempo (in alto) e μΔt viene tracciato nel tempo per consentire l'interpretazione dei dati risolta nel tempo (in basso). I dati sono espressi come media ± S.D. n = 5 colonie (60 min), 3 (30 min), 4 (10 min), 4 (5 min), 4 (2 min), 5 (1 min). Questa cifra è stata modificata da15. Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.

Figura 5: Area di una singola cellula (una singola cellula ) di E. coli coltivata in condizioni di ossigeno oscillante. I dati provengono da una colonia rappresentativa di ciascun intervallo di commutazione T'. Questa cifra è stata modificata da15. Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.