Name: Fabbricazione di ossidi complessi spazialmente confinati (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2013-07-01T13:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 45 s
Description: Scopri la fabbricazione di film sottili di ossidi complessi confinati spazialmente per misure di trasporto elettronico. Questo metodo utilizza deposizione laser pulsata e tecniche fotolitografiche per isolare domini elettronici.

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Questo sforzo è stato interamente sostenuto dal DOE statunitense, Ufficio di Scienze energia di base, Scienze dei Materiali e Divisione Engineering.

1. Fabrication Crescita campione <ol><li> Pulire da 5 mm x 5 mm x 0,5 mm singolo substrato di cristallo con un angolo tagliati irregolarmente &lt;0.1 gradi, come SrTiO 3 o LaAlO 3 con acetone e poi l&#39;acqua in un bagno ad ultrasuoni per 10 minuti ciascuno. Per ottenere una terminazione TiO 2 sul SrTiO 3, etch il substrato in 10% di fluoruro di idrogeno per 30 sec e risciacquo in acqua per 1 min, seguito da una ricottura a 1100 ° C per 10 hr. Dopo la pulizia, montare il substrato su una stufa adatta a condizioni di ultra-alto vuoto. </li><li> Montare il riscaldatore nella camera a vuoto PLD e aprire la sorgente di ossigeno camera a riempire la camera con 2 x ossigeno 10E-5 Torr. Alzare la temperatura del riscaldamento a 800 ° C e lasciare ricottura per 20 min. Temperatura può essere controllata mediante un pirometro controllato computer o una termocoppia. </li><li> Per iniziare la deposizione di film, avviare il eccimeri laser pulsato con una fluenza laser di 1 a 2 J / cm 2 e la frequenza del laser di 1o 2 Hz. Gli impulsi laser colpiranno il materiale target e generare un flusso pennacchio. Il flusso penetrerà attraverso l&#39;ambiente di ossigeno e depositare sul substrato. </li><li> Riflessione di alto diffrazione elettronica Energia (RHEED) può essere utilizzato per monitorare la crescita delle cellule dell&#39;unità e confermare la qualità della superficie 7. Questa tecnica consente il monitoraggio dello spessore molto chiaro. </li><li> Quando la pellicola è di spessore desiderato, spegnere il laser e diminuire la temperatura del riscaldatore a 5 ° C / min. Una volta che il riscaldatore viene raffreddato a temperatura ambiente, spegnere la fonte di ossigeno e rimuovere il campione. </li><li> Ex situ ricottura può essere utilizzato su materiali di ossido di rimuovere la carenza di ossigeno che può essere presente dopo la crescita o dopo lunghi periodi nel vuoto. Porre il campione in un forno tubolare sotto 1 atm di ossigeno che scorre. Aumentare la temperatura da 20 ° C a 700 ° C a 5 ° C / min, ricottura per 2 h, e quindi diminuire la temperatura da 700 ° C a 20 ° C a 2 ° C / min. Un importante note è quello di non postare-ricottura a temperature più elevate di quelle utilizzate durante la crescita del film quando si riempie vacanze di ossigeno in quanto questo può influire negativamente sulla qualità della superficie e può influenzare negativamente la qualità di cristallo. </li></ol> 2. Fotolitografia Fabrication <ol><li> Ultrasuoni pulire il campione in acetone e poi acqua per 10 min. Un microscopio ottico può essere utilizzato per verificare che la superficie del campione è pulita di grandi particelle. (Figura 2a) </li><li> Spin cappotto uno strato di 1 micron di spessore photoresist. Velocità di centrifuga tipica e durata sono circa 6,000 rpm e 80 sec se questi numeri dipendono photoresist specifico utilizzato. Porre il campione su una piastra di calore a 115 ° C per 2 min per indurire il fotoresist. Controllare la qualità del photoresist al microscopio ottico. Il rivestimento deve apparire uniforme senza bolle. </li><li> Utilizzare un allineatore maschera per esporre il campione sotto una maschera litografia predefinito con la luce UV per 9 sec con una dose di esposizionecirca 90 mJ / cm 2. Ancora una volta questi numeri saranno specifici per il fotoresist utilizzato. Quando si utilizza photoresist positivo, la parte del fotoresist che è coperta dalla maschera non cambierà la sua struttura chimica, mentre la parte del PR che viene scoperta dalla maschera cambierà la sua proprietà e può essere dissolto nello sviluppatore chimico. Riscaldare il photoresist e campione a 110 ° C per 80 sec per curare ulteriormente il photoresist esposto. </li><li> Lavare il campione in una soluzione di sviluppo per 25-35 sec. Estrarre il campione immediatamente e sciacquare in acqua per 30 sec. Se si utilizza photoresist positivo, la parte di photoresist che viene scoperta dalla maschera sarà lavato via mentre la parte che è coperta rimarrà. Notare che la durata della fase di sviluppo è fondamentale per controllare con precisione le dimensioni e qualità photoresist (Figura 2b). </li><li> Preparare una soluzione di ioduro di potassio, acido cloridrico e acqua di rapporto 1:1:1. Utilizzare le pinzette di plastica per sciacquare tegli campione in acido per circa 10 sec. La parte non protetta del film sottile viene incisa via. Sciacquare immediatamente il campione in acqua pura per 60 sec. Verificare con un microscopio ottico per vedere se il film sottile è stato totalmente inciso. In caso contrario, aggiungere 2 o 3 più secondi di acido etch e risciacquare immediatamente con acqua pura, poi prova di nuovo con un microscopio ottico. Ripetere questa procedura fino a quando tutta la pellicola non protetto è inciso via. Questo processo è governato dalla forza mordenzante e spessore del film. Tassi tipici etch per molti manganiti sono circa 1-4 nm / secondo per il rapporto 1:1:1 soluzione sopra descritta. </li><li> Risciacquare il campione in acetone per 20 secondi per rimuovere il fotoresist rimanente. Controllare la qualità del campione con microscopio (Figura 2c e 2d). </li></ol> 3. Collegamento wire-bonding <ol><li> Utilizzando una foto-maschera, ripetere i passaggi 2,1-2,3 sopra utilizzando una maschera litografia che lasceranno le regioni aperte sui fili adatti al contattopad. Far evaporare 5 nm Ti e 100 nm di Au sul campione e sciacquarlo in acetone. Questo rimuoverà il photoresist e lasciare solo il contatto di geometria di pad desiderato (Figura 3a). </li><li> Utilizzare GE vernice per montare il campione attraverso il disco campione. Lasciare 15 minuti per curare. </li><li> Fissare la posizione del campione sul palco bonder filo e utilizzare il bonder filo per collegare i fili di Al dal disco campione di Ti / Au contatti (Figura 3b). Quindi eseguire le misurazioni elettriche. </li></ol>

<ol><li>Ahn, C. H., Triscone, J. -M., Mannhart, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electric+field+effect+in+correlated+oxide+systems%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Electric field effect in correlated oxide systems.</a> Nature. 424, 1015-1018 (2003).</li>
<li>Basov, D. N., Averitt, R. D., Van der Marel, D., Dressel, M., Haule, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrodynamics+of+correlated+electron+materials%5BTitle%5D)+AND+%22Reviews+of+Modern+Physics%22%5BJournal%5D)">Electrodynamics of correlated electron materials.</a> Reviews of Modern Physics. 83, 471-541 (2011).</li>
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</ol>

Nessun conflitto di interessi dichiarati.

Diversamente elemento singolo materiali semiconduttori quali Si, la fabbricazione di materiali complessi può essere più difficile per il fatto che la struttura complessa e più elementi devono essere presi in considerazione. L&#39;uso di fotolitografia per fabbricare dispositivi di ossidi complessi è relativamente basso costo e veloce per creare prototipi a differenza di altre tecniche di confinamento. Ci sono però alcune importanti limitazioni per capire. Fotolitografia ha una limitazione spaziale per creare strutture d...

Il primo e uno dei passi più importanti verso dispositivi di alta qualità è la crescita epitassiale di film sottili di ossido. Un singolo substrato cristallino è utilizzato come &quot;template&quot; per depositare i materiali bersaglio. Tra i diversi metodi di deposizione, deposizione laser pulsata (PLD) è uno dei modi migliori per acquisire buona qualità film sottili di 4,5. I processi di crescita implicano riscaldare il substrato di circa 800 ° C in assenza di ossigeno e utilizzando impulsi laser per colpire il materiale target e generare un flusso da depositare sul substrato. Il sistema tipico è mostrato in Figura 1. Mentre i film nanostrutturata hanno dimostrato di rivelare nuovi fisica esotica 6, riducendo dimensione pellicola fornisce più opportunità per esplorare nuovi fenomeni e di fabbricazione del dispositivo. Fotolitografia può essere usato per ridurre la dimensione del campione in piano fino all&#39;ordine di 1 pm. Il protocollo dettagliato del processo di fotolitografia volontàessere discusso sotto. Questa tecnica è compatibile con i supporti più utilizzati, che consente per le indagini di effetti di confinamento sul film epitassiali detenuti in vari stati di deformazione. Poiché molti ossidi complessi hanno caratteristiche interessanti a basse temperature e / o campi magnetici elevati, il collegamento tra il dispositivo elettronico e di misura è molto importante. Contatti di alta qualità possono essere formati per evaporazione di Au piazzole di contatto in una geometria a 4 sonda e con l&#39;uso di un bonder filo per creare connessioni tra le pastiglie e dispositivo di misurazione. Se fatto correttamente, questi collegamenti possono facilmente resistere ad ambienti di misura estremi entro ampi intervalli di temperatura di 4 K a 400 K e gli intervalli di campo magnetico fino a ± 9 T.

<table><tbody><tr><td colspan="4">Reagent/Material</td></tr><tr><td>SrTiO3(001) & Substrati LaAlO3(100)</td><td>CrysTec GmbH</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Microposit S1813 Photoresist </td><td>Shipley</td><td></td><td></td></tr><tr><td>CD-26 Sviluppatore</td><td>Shipley</td><td>38490</td><td></td></tr><tr><td>GE vernice</td><td>Lakeshore</td><td>VGE-7031</td><td></td></tr><tr><td colspan="4">Equipment</td></tr><tr><td>Reflected High Energy Electron Diffraction (RHEED)</td><td>Staib Instruments</td><td></td><td>35kV TorrRHEED</td></tr><tr><td>Allineatore per maschere</td><td>ABM</td><td>Modello 85-3 (350W) Sorgente</td><td></td>luminosa</tr><tr><td>Resistività Puck</td><td>Quantum Design</td><td>P102</td><td></td></tr><tr><td>Wire</td><td>Bonder Kulicke Soffa</td><td>04524-0XDA-000-00</td><td></td></tr></tbody></table>

fabbricazione di ossidi complessi spazialmente confinati

Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides

Materiali complessi come i superconduttori ad alta Tc, multiferroics e Magnetoresistori colossali hanno proprietà elettroniche e magnetiche che nascono dalle forti correlazioni elettroniche intrinseche che si trovano al loro interno. Questi materiali possono anche avere una separazione di fase elettronico in cui le regioni di molto diverso comportamento resistivo e magnetici possono coesistere all&#39;interno di un unico materiale in lega di cristallo. Riducendo la portata di questi materiali per le scale di lunghezza e al di sotto della dimensione intrinseca dei domini elettronici, nuovi comportamenti possono essere esposti. A causa di questo e del fatto che-orbitale spin-carica-reticolo parametri d&#39;ordine ogni coinvolgono lunghezze di correlazione, spazialmente riducendo questi materiali per misure di trasporto è un passo fondamentale nella comprensione della fisica fondamentale che guida comportamenti complessi. Questi materiali offrono anche un grande potenziale per diventare la prossima generazione di dispositivi elettronici 1-3. Così, la fabbricazione di nano-dimensionale bassa omicro-strutture è estremamente importante per ottenere nuove funzionalità. Questo comporta diversi processi controllabili da crescita di film sottili di alta qualità per la caratterizzazione proprietà elettroniche accurate. Qui vi presentiamo i protocolli di fabbricazione di microstrutture di alta qualità per i dispositivi complessi manganite ossido. Descrizioni dettagliate e le attrezzature necessarie di crescita del film sottile, foto-litografia e wire-bonding sono presentati.

Questo documento si concentra principalmente sugli aspetti fotolitografia e wire-bonding di preparazione del campione. Maggiori dettagli sulle procedure di crescita del film si possono trovare in altre nostre pubblicazioni recenti 8. Fotolitografia è un metodo importante per controllare dimensionalità in ossidi complessi per fini di indagine lunghezze correlazione elettronica e la separazione di fase elettronico 9-13. Figura 2 mostra immagini ottiche di...

Descriviamo l&#39;uso di deposizione a laser pulsato (PLD), fotolitografia e tecniche di wire-bonding per creare micrometro scala complessi dispositivi di ossidi. La PLD è utilizzato per crescere film sottili epitassiali. Tecniche di fotolitografia e wire-bonding vengono introdotti per creare dispositivi pratici per scopi di misurazione.

Fabbricazione di ossidi complessi spazialmente confinati

Complex materials such as high Tc superconductors, multiferroics, and colossal magnetoresistors have electronic and magnetic properties that arise from ...

L'obiettivo generale di questa procedura è costruire film sottili di ossidi complessi confinati spazialmente per misurazioni del trasporto elettronico. Questo risultato si ottiene innanzitutto facendo crescere film sottili di menonite monocristallina mediante deposizione con laser a impulsi. Il secondo passaggio consiste nell'utilizzare tecniche di litografia ottica per incidere i film cresciuti alle dimensioni e geometrie desiderate.Successivamente, preparare i dispositivi per le misurazioni di trasporto creando un contatto a bassa resistenza con le sonde ed attaccandoli al sistema di misura. L'ultimo passaggio consiste nell'effettuare misurazioni della resistività da 300 a cinque kelvin utilizzando diversi campi magnetici applicati. In definitiva, i dispositivi confinati litograficamente vengono utilizzati per dimostrare che il trasporto può essere dominato isolando un singolo dominio elettronico o pochi domini, costringendo così gli elettroni di prova a interagire con più regioni, piuttosto che seguire un semplice percorso a minima resistenza come nei dispositivi non confinati.Il principale vantaggio di questa tecnica rispetto ai metodi esistenti come la litografia con fascio di elettroni e le tecniche basate su fasci focalizzati, è che un campione può essere trattato rapidamente e senza danni da impiantazione ionica. Questo metodo può contribuire a rispondere a domande fondamentali, come ad esempio in che modo la competizione tra fasi elettroniche e le lunghezze di correlazione elettronica determinano fenomeni emergenti in materiali fortemente correlati. Per iniziare, pulire un substrato monocristallino di titanato di stronzio di dimensioni cinque millimetri per cinque millimetri per 0,5 millimetri e con un angolo di deviazione inferiore a 0,1 gradi, utilizzando acetone e successivamente acqua in un pulitore ad ultrasuoni per 10 minuti.Successivamente, formare una terminazione di biossido di titanio sul titanato di stronzio mediante incisione del substrato in fluoruro di idrogeno al 10% per 30 secondi. Risciacquare quindi il substrato in acqua per un minuto e sottoporlo ad annealing a 1100 gradi Celsius per 10 ore. Al termine dell'annealing e dopo che il substrato si è raffreddato alla temperatura ambiente, montarlo su un riscaldatore adatto a condizioni di ultra alto vuoto e posizionarlo all'interno di una camera a vuoto.Successivamente, aprire la fonte di ossigeno della camera per riempire la camera con 1×10⁻⁴ tor di ossigeno. Aumentare la temperatura del forno a 800 gradi Celsius e lasciare in anilisi il substrato per 20 minuti. Monitorare la temperatura utilizzando un parametro di controllo computerizzato o una coppia termoelettrica.Per iniziare il deposito del film, avviare un laser a impulsi utilizzando una densità di energia del laser compresa tra uno e due joule per centimetro quadrato e una frequenza del laser di uno o due hertz. Gli impulsi laser colpiranno il materiale bersaglio e genereranno un flusso a pennacchio.Il flusso penetrerà attraverso l'ambiente ossidante e si depositerà sul substrato. Durante la deposizione del film, utilizzare la diffrazione di retroazione di elettroni ad alta energia come descritto da HME e altri per monitorare la crescita della cella unitaria e confermare la qualità della superficie.Questa tecnica consente un monitoraggio molto accurato dello spessore; quando il film raggiunge lo spessore desiderato, spegnere il laser e ridurre la temperatura del riscaldatore a un ritmo di cinque gradi Celsius al minuto. Una volta che il riscaldatore si è raffreddato alla temperatura ambiente, spegnere la sorgente di ossigeno ed estrarre il campione. Successivamente, eseguire la XC two A in posizione inginocchiata per rimuovere eventuali carenze di ossigeno che si potrebbero essere accumulate.Per raggiungere questo obiettivo, collocare il campione in un fornetto tubolare sotto flusso di ossigeno in atmosfera. Successivamente, aumentare la temperatura da 20 gradi Celsius a 700 gradi Celsius a una velocità di cinque gradi Celsius al minuto, mantenere per due ore, quindi ridurre la temperatura da 700 gradi Celsius a 20 gradi Celsius a una velocità di due gradi Celsius al minuto.È importante non esporre mai un campione a temperature superiori a quelle utilizzate durante la crescita del film. Per riempire le vacanze di ossigeno, pulire innanzitutto il campione in acetone mediante ultrasuoni e successivamente in acqua, per 10 minuti ciascuno. Utilizzare un microscopio ottico per verificare che la superficie del campione sia priva di particelle di grandi dimensioni.Successivamente, si ottiene uno strato sottile di AZ 180 di spessore pari a un micron. Si applica un rivestimento da tre piedi utilizzando un'unica goccia centrifugata a 6.000 giri al minuto per 80 secondi, quindi si posiziona il campione su una piastra riscaldante a 115 gradi Celsius per due minuti al fine di indurire il fotoresist. Una volta raffreddato il fotoresist, si verifica la qualità del rivestimento mediante microscopio ottico.Se il rivestimento è uniforme e non presenta bolle, posizionare un campione in un allineatore MAs ed esporlo sotto una maschera litografica predefinita utilizzando luce UV per nove secondi con una dose di esposizione di 90 millijoule per centimetro quadrato, quindi riscaldare il campione di fotoresistenza su una piastra riscaldante a 115 gradi Celsius per 80 secondi. Per polimerizzare ulteriormente la fotoresistenza esposta, trasferire successivamente il campione nella soluzione sviluppatrice per 25-35 secondi, quindi risciacquarlo in acqua per 30 secondi. La parte di fotoresistenza non coperta dalla maschera viene rimossa, mentre la parte che era coperta permane.Quindi utilizzare pinzette di plastica per risciacquare il campione in una soluzione incisiva per circa 10 secondi. In questo passaggio, la parte non protetta del film sottile viene rimossa per incisione. Dopo 10 secondi, risciacquare immediatamente il campione in acqua pura per 60 secondi.Quindi utilizzare un microscopio ottico per verificare se il film sottile è stato correttamente inciso. In caso contrario, procedere con l'incisione per altri due o tre secondi e risciacquare immediatamente nuovamente con acqua pura. Una volta ottenuta un'incisione adeguata, risciacquare il campione in acetone per 20 secondi.Per rimuovere il fotoresist residuo, verificare nuovamente la qualità del campione mediante microscopio ottico. Utilizzando una maschera fotolitografica appropriata, evaporare cinque nanometri di titanio e 100 nanometri di oro sul campione. Utilizzando un evaporatore a fascio elettronico a pressione residua di 1 × 10⁻⁵, adottare una velocità di evaporazione di 2 Å/s per il titanio e di 15 Å/s per l'oro.Successivamente, rimuovere il photoresist lavando il campione con acetone per un minuto. Quindi esaminare i pad al microscopio per confermare la qualità del lavaggio. L'acetone lascerà soltanto la geometria desiderata del pad di contatto.Utilizzare la vernice GE per montare il campione sul disco del campione. Attendere 15 minuti per consentire al campione di indurirsi, quindi montare il disco sullo stadio del saldatore a filo. Infine, utilizzare il saldatore a filo per collegare i fili di alluminio al campione.Ora sei pronto per eseguire le misurazioni elettriche. Durante questa procedura, i film possono essere facilmente sovra-incisi, distruggendo il campione in pochi secondi. A sinistra è mostrato un campione correttamente inciso, inciso per 15 secondi.A 21 secondi, la struttura desiderata è danneggiata e a 25 secondi è per la maggior parte rimossa. Il processo mostrato qui produrrà un campione con contatti elettrici per il trasporto a quattro sonde. Ciò rende semplice creare collegamenti filari dal campione risultante a elementi come il puck di resistività.Lo sviluppo di questa tecnica ha permesso ai ricercatori di correlare fortemente i materiali per esplorare la separazione di fase elettronica. Dopo aver visto questo video, dovremmo avere una buona comprensione di come confinare film di ossidi complessi per lo studio delle fasi elettroniche competitive presenti al loro interno.

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Ingegneria

Descriviamo il metodo sperimentale per depositare film sottili di ossidi nanostrutturati da Pulsed Laser Deposition nanosecondi (PLD) in presenza di un gas di fondo. Utilizzando questo metodo di Al-ZnO drogato (AZO) film, dalla compatta alla gerarchicamente strutturata come nano-alberi delle foreste, possono essere depositati.

Fabbricazione di nano-ingegneria trasparenti Ossidi Conducting da Pulsed Laser Deposition

Viene descritto un metodo per legare permanentemente due wafer di silicio in modo da realizzare un involucro uniforme. Ciò include i processi di preparazione, pulizia, incollaggio RT e ricottura del wafer. I wafer legati risultanti (cellule) hanno uniformità di involucro ~1%1,2. La geometria risultante consente di misurazioni di liquidi e gas confinati.

Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding

Le nanostrutture di ossido offrono nuove opportunità per la scienza e la tecnologia.  La conducibilità interfacciale tra LaAlO3 e SrTiO3 può essere controllata con precisione quasi atomica utilizzando una tecnica di microscopia a forza atomica conduttiva.  Viene dimostrato il protocollo per la creazione e la misurazione di nanostrutture conduttive alle interfacce LaAlO3/SrTiO3.

Scrittura e bassa temperatura Caratterizzazione di nanostrutture di ossido

Varie procedure sono descritte per preparare modelli atomicamente definiti per la crescita epitassiale di film sottili di ossidi complessi. Trattamenti chimici unici SrTiO cristallina 3 (001) e DyScO 3 (110) substrati sono stati eseguiti per ottenere atomicamente lisce superfici singole terminati. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanosheets sono stati usati per creare modelli atomicamente definiti su substrati arbitrari.

Modelli atomicamente definiti per epitassiale crescita di ossido Complex Thin Films

Qui vi presentiamo un protocollo per la sintesi di Zn 1-x mg x O / Cu 2 O eterogiunzioni in open-air a bassa temperatura tramite pressione atmosferica spaziale Atomic Layer Deposition (AP-SALD) di Zn 1-x mg x O su ossido rameoso. Tali ossidi metallici conformazionale alta qualità possono essere coltivate su una varietà di substrati compresi plastiche di questo metodo economico e scalabile.

Qualità Heterojunction migliorata in Cu<sub&gt; 2</sub&gt; O basati su celle solari attraverso l&#39;ottimizzazione della pressione atmosferica spaziale atomica strato depositato<br /&gt; Zn<sub&gt; 1-x</sub&gt; Mg<sub&gt; x</sub&gt; O

Strutture colonnari ossido di zinco in forma di barre sono sintetizzati tramite deposizione di vapore chimico assistita da aerosol senza l'uso di particelle di catalizzatore-seme pre-depositate. Questo metodo è scalabile e compatibile con i vari substrati basati su silicio, quarzo o polimeri.

Aerosol-assisted Chemical Vapor Deposition di strutture in ossido di metallo: aste di ossido di zinco

Quadri di metallo-organici sono efficaci nel deposito di gas e catalisi eterogenea, ma il risultato di metodi di sintesi tipico in polveri sfuse che sono difficili da incorporare materiali intelligenti. Dimostriamo un metodo dei primi tessuti di rivestimento con ossidi metallici di ALD, conseguente film conformal di MOF sui tessuti durante la sintesi di solvothermal.

Sintesi di Solvothermal di MIL-96 e UiO-66-NH2 su strato atomico depositato rivestimenti in ossido di metallo su stuoie di fibra

La sintesi di alta qualità all'ingrosso e a film sottile (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O e (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x)CuxZn0.25(1-x )) Ossidi di entropia-stabilizzato O è presentato.

Massa e sintesi di Film sottile di ossidi compositivamente varianti entropia-stabilizzato

Qui, noi dimostrare un metodo di sintesi unica, relativamente a bassa temperatura, sale fuso per la preparazione di nanoparticelle di ossido di metallo complesso uniforme lantanio hafnate.

Sali fusi sintesi di nanoparticelle di ossido di metallo complesso

I materiali ossidi mostrano molte proprietà esotiche che possono essere controllate regolando il contenuto di ossigeno. Qui, dimostriamo la regolazione del contenuto di ossigeno negli ossidi variando i parametri di deposizione laser pulsata ed eseguendo la postannealing. Ad esempio, le proprietà elettroniche delle eterostrutture basate su SrTiO3 sono regolate da modifiche di crescita e ricottura.

Regolazione delle proprietà dell'ossido mediante il controllo del vuoto di ossigeno durante la crescita e la ricottura

Scopri la fabbricazione di film sottili di ossidi complessi confinati spazialmente per misure di trasporto elettronico. Questo metodo utilizza deposizione laser pulsata e tecniche fotolitografiche per isolare domini elettronici.

Fabbricazione di ossidi complessi spazialmente confinati

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