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DOI: 10.3791/50770-v
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Viene fornita una procedura dettagliata per il drogaggio superficiale delle interfacce in silicio. Il drogaggio superficiale ultra-superficiale è dimostrato dall'utilizzo di monostrati contenenti fosforo e da un rapido processo di ricottura. Il metodo può essere utilizzato per il drogaggio di superfici macroscopiche e di nanostrutture.
L'obiettivo generale del seguente esperimento è dimostrare il drogaggio superficiale di deroghe al silicio e nanofili utilizzando il metodo di drogaggio a contatto monostrato. Ciò si ottiene facendo reagire un substrato donatore con una soluzione precursore per la formazione di un monostrato autoassemblato. Il monostrato contiene potenziali atomi droganti e funge da fonte di drogante ben definita e limitata.
Come seconda fase, il substrato donatore viene messo in contatto con il substrato bersaglio ed entrambi sono inginocchiati in un sistema anale termico rapido. Durante il processo anale, le molecole del monostrato si decompongono e il doin in atomi viene diffuso e attivato sia sul substrato donatore che su quello bersaglio. Successivamente, i due substrati vengono separati e viene utilizzata una sonda a quattro punti per misurare la resistenza del foglio.
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