ナノ秒パルス電場技術を使用したin vitroでのシュワン細胞増殖の調節

要約

出典: Han, J., et.al.in vitroでの末梢神経再生のためのナノ秒パルス電場によるSchwann細胞増殖の調節J. Vis. 経験。(2024年)

このビデオでは、シュワン細胞(SC)の成長を調節するためのナノ秒パルス電場(nsPEF)技術の応用を示します。急速な電気パルスは、SC 膜に一過性のナノ細孔を誘導し、SC の増殖、脱分化、および神経栄養因子分泌を促進するシグナル伝達経路を活性化するカルシウムの流入を促進します。これらの細胞応答は、軸索サポート、ニューロンの生存、および潜在的な髄鞘形成を強化し、nsPEF が神経修復の有望なツールであることを強調しています。

プロトコル

1.凍結保存されたRSC96細胞の解凍

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1. mLの細胞懸濁液を含むクライオバイアルを37°Cのウォーターバスで急速に振とうして解凍し、4〜6 mLの完全培地を含む遠心分離管に加え、よく混合します。
2. 1000 x g で3〜5分間遠心分離し、上清を廃棄し、細胞を3 mLの完全培地に再懸濁します。
3. 細胞懸濁液を6〜8 mLの完全培地を含む培養フラスコ(または皿)に加え、37°Cで一晩インキュベートします。
4. 翌日、顕微鏡で細胞の成長と密度を観察します。

2.細胞継代:

注:細胞密度が80%〜90%に達すると、継代の準備が整います。

1. 培地を廃棄し、カルシウムイオンとマグネシウムイオンを含まないリン酸緩衝生理食塩水(PBS)で細胞を1〜2回すすぎます。
2. 0.25%(w / v)トリプシン-0.53 mM EDTAを培養フラスコ(T25フラスコの場合は1〜2 mL、T75フラスコの場合は2〜3 mL)に加え、37°Cで1〜2分間インキュベートします。
3. 細胞の剥離を顕微鏡で観察します。ほとんどの細胞が丸くなって剥がれた場合は、フラスコをすばやく作業領域に戻し、フラスコを軽くたたき、10%FBSを含む培地を3〜4 mL加えて消化を停止します。
4. 内容物を混合し、溶液を吸引し、1000 x g で 5 分間遠心分離します。次に、上清を廃棄し、1〜2 mLの新鮮な培地を加え、穏やかにピペッティングして細胞を再懸
濁します。
5. 細胞懸濁液を新しいT25フラスコに1:2の比率で移し、7 mLの培地を加えます。

3. nsPEF装置の操作

1. RSC96細胞を1mLのDMEM培地に再懸濁し、両面に電極のある比色皿に移します。
2. 電源スイッチをオンにします。
3. 楽器のノブを回してパラメータを調整し、電界の強度を変更します。この研究で設定された強度は、5 kV/cm、10 kV/cm、20 kV/cm、および 40 kV/cm です。
4. 火花が現れるまで電極を慎重に回転させ、セルが事前に設定された電界強度に従って nsPEF の 5 パルスを受け取るようにしてから、すぐに 2 つの電極を分離します。

材料

この記事で使用された材料の一覧

名前	会社	カタログ番号	コメント
nsPEF用高圧電源	田精密株式会社	AU-60P1.6-L
ピペット	武漢 ザビエル バイオテクノロジー株式会社
RSC96 シュワン細胞	武漢 ザビエル バイオテクノロジー株式会社	STCC30007G-1
スカニスター	3DHISTECH	パノラミック MIDI
nsPEF	タイムズ マイクロ波システム	M17/78-RG217

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