集束イオンビーム

1. 腎臓の内皮細胞質に匹敵する300nm厚い酸化ケイ素膜からの穿極フィルタの作製

1. 準備した膜をFIBチャンバーにロードします。膜は、多くの場合、専門家によって調製され(ホイートストーンブリッジを作成する場合)、半導体製造部位で取得することができます。自分で準備するには、フォトリソグラフィーを使用する必要があります。このプロセスの詳細は、JoVEウェブサイトの「バイオエンジニアリングコレクション」のフォトリソグラフィービデオで見ることができます。メモ:サンプルを取り扱う場合、またはFIB/SEMの内部コンポーネントに接触する際には、ニトリル手袋を着用してください。環境は非常に清潔で、任意のスキンオイルを含まない状態に保たなければなりません。
2. 集束イオンビームと電子ガンをオンにし、一致するユーセントリックポイントを達成するためにサンプルを調整します。これは、目的の領域(膜)が0〜54度の傾斜角の電子とイオンの線にある点です。

3. FIBのイオンビーム電流と加速電圧を30kVおよび100pAに調整し、粉砕する領域に近い領域に焦点を当てます。中心から中心距離150nmの直径50nm前後のFIBフライスプログラムを通して円のマトリックスを描画します(図1を参照)。
4. 電子線に変更し、5kVの加速電圧で領域を画像化します。

図1:粒子フィルターを作成するシリコン酸化物膜中のFIB粉砕孔

2. 髪にロゴを切り取る

1. カーボンテープを使用して顕微鏡スタブに毛ストランドを置く
2. スパッタコーターを使用してヘアストランドをゴールド/カーボンコート。このツールは、最小限の充電アーティファクトで画像化/スパッタリングできるように、導電性材料の数ナノメートルでサンプルをコーティングします。
3. 焦点を合ったイオンビームと電子銃をオンにし、一致するユーセントリックポイントに合わせて調整します。
4. イオンビーム電流と加速電圧をそれぞれ100pA絞りで30kVに調整し、粉砕する領域に近い約15um x 15umの領域に焦点を当てます。
5. ビットマップとして粉砕するパターン/ロゴをロードし、ビーム電流と加速電圧を調整し、フライス加工を開始します。
6. 電子ビームに変更し、領域を画像化します。これを図 2に示します。

図2:FIBでクモの巣に粉砕された「ハッピーホリデー」。