誘電泳動の流れ支援: 高性能低温硬化型ナノワイヤ デバイス作製のための低コストの方法

本稿のアシストの誘電泳動を示したフローで、自己組織化ナノワイヤ デバイス。シリコン ナノワイヤ電界効果トランジスタの作製は、例として表示されます。

この手順の全体的な目標は、金属電極の作製と、これらの電極をフローアシスト誘電泳動で使用することを含む、高品質の半導体ナノワイヤの電界支援アセンブリと選択を実証し、溶液処理可能なナノワイヤ電界効果トランジスタを作成することです。この方法は、半導体ナノ材料の配置、行われたピレーションの制御、優れた品質のナノワイヤのフィールドトレインなど、溶液処理可能なエレクトロニクスの分野における主要な課題の1つを解決するのに役立ちます。この技術の主な機能は、ナノ材料ベースのデバイスの制御可能な製造をスケールオフできる、高速で再現可能な方法であることです。この方法は、ナノワイヤの配向と選択に関する洞察を得ることができますが、ナノチューブ、ナノフレーク、およびブレード状ナノ材料の配向にも適用できます。このプロトコルのほとんどのステップは、クリーンルーム環境で行われます。高濃度にドープされた4インチN型シリコン/二酸化ケイ素ウェーハから始めます。ダイヤモンドスクライブを使用してウェーハを切断し、適切なサイズのサンプルを作成します。上面に触れないように注意してください。カットに沿ってウェーハを分割して、いくつかのサンプルを生成します。この実験のサンプルは2.5 x 2.5センチメートルです。完了したら、サンプルを超音波浴に持って行きます。サンプルを基板ホルダーに置き、脱イオン水のビーカーに浸します。ビーカーでサンプルをフルパワーで5分間超音波処理します。次に、サンプルをアセトンの入ったビーカーに移してから、再びフルパワーで5分間超音波処理します。最後に、サンプルをイソプロパノールを入れたビーカーに移し、フルパワーでさらに5分間超音波処理します。超音波浴からサンプルを取り出し、窒素ガンで乾燥させます。次に、サンプルをプラズマアッシャーに移して、残っている有機残留物をすべて除去します。フォトリソグラフィーの場合は、サンプルを黄色の部屋に移動します。150のホットプレートを備えたヒュームキャビネットで作業する