Name: 短絡電流密度と光発光を高めるクローズスペース昇華堆積超薄型CdSeTe/CdTe太陽電池 (動画) | JoVE Journal
Uploaded: 2020-03-06T15:00:00.000+00:00
Duration: 12 min 21 s
Description: 学ぶクローズスペース昇華堆積法による超薄型CdSeTe/CdTe太陽電池の製造プロセス。自動化されたインラインバキュームシステムを用いて、光電変換効率の向上と再現性のある大量生産を実現する革新的な手法です。

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著者らは、W.S.サンパス教授が堆積システムを使用してくれたことに感謝し、ケバン・キャメロンはシステムサポートに、アミット・ムンシ博士は、より厚い二層細胞とインライン自動CSS真空堆積システムの補足映像、および博士との研究に感謝したいと考えています。TRPL測定の援助のためのダリウス・クシアウスカス。この資料は、米国エネルギー省エネルギー省エネルギー省(EERE)が太陽エネルギー技術局(SETO)協定番号DE-EE0007543の支援を受けた作業に基づいています。

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<li>Munshi, A. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Doping+CdSexTe1-x%2FCdTe+graded+absorber+films+with+arsenic+for+thin+film+photovoltaics%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+46th+IEEE+PVSC%22%5BJournal%5D)">Doping CdSexTe1-x/CdTe graded absorber films with arsenic for thin film photovoltaics.</a> Proceedings of 46th IEEE PVSC. , Chicago, IL. (2019).</li>
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<li>Wendt, R., Fischer, A., Grecu, D., Compaan, A. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Improvement+of+CdTe+solar+cell+performance+with+discharge+control+during+film+deposition+by+magnetron+sputtering%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Improvement of CdTe solar cell performance with discharge control during film deposition by magnetron sputtering.</a> Journal of Applied Physics. 84 (5), 2920-2925 (1998).</li>
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</ol>

著者らは開示するものは何もない。

薄二層CdSeTe/CdTe太陽光発電デバイスは、材料品質が向上し、現在のコレクションが増加しているため、CdTeの対応機器と比較して効率が向上しています。このような高効率化は、3μm5,7を超える二層吸収剤で実証されており、現在では製造条件が最適化されており、より薄い1.5μmの二層吸収剤についても高い効率が達成できることが実証されています。
薄二重層吸収剤の製造プロセスの最適化は、基質予熱温度、CdSeTe:CdTe厚さ比、およびCdCl2パッシベーションの3つの主要な変更に根ざしています。適切なCdSeTe昇華のために、基板の予熱温度は、プレヒート源で基板の内添い時間を変化させることによって達成されるCdTe昇華のための〜480°Cと比較して〜540°Cでなければなりません。良好なオープン回路電圧(VOC)を維持しながらデバイスの接触障壁を防ぐために、図6に...

世界のエネルギー需要は急速に加速しており、2018年は最速(2.3%)を示した。過去10年間の成長率1.気候変動や化石燃料の燃焼の影響に対する意識の高まりと組み合わせることで、コスト競争力、クリーン、再生可能エネルギーの必要性が豊富に明らかになりました。再生可能エネルギーの多いエネルギー源の中で、地球に到達する太陽エネルギーの量は世界のエネルギー消費量2をはるかに上回るため、太陽エネルギーは、その潜在力の大きい点が特徴である。
太陽光発電(PV)デバイスは、太陽エネルギーを直接電力に変換し、拡張性(個人的な使用ミニモジュールやグリッド統合ソーラーアレイなど)や材料技術に汎用性があります。多結合および単結晶ガリウム砒素(GaAs)太陽電池などの技術は、それぞれ39.2%と35.5%に達する効率を有する。しかし、これらの高効率太陽電池の製造は、コストと時間がかかる。薄膜用材料として多結晶カドミウムテルル化物(CdTe)は、低コスト、高スループットの製造、様々な堆積技術、および良好な吸収係数に有利である。これらの属性は、大規模な製造のためにCdTeを有望にし、効率の改善は、Pv市場優勢シリコンと化石燃料4とのコスト競争力を作ったCdTeを作りました。
CdTeデバイスの効率向上を牽引した最近の進歩の1つは、吸収体層へのセレンテルル化カドミウム(CdSeTe)合金材料の取り込みである。低い~1.4 eVバンドギャップのCdSeTe材料を1.5 eV CdTeアブソーバに統合すると、二重層吸収剤のフロントバンドギャップが減少します。これにより、バンド ギャップの上のフォトン分数が増加し、現在のコレクションが向上します。CdSeTeを3μm以上の吸収剤に組み込むことで電流密度を高め、様々な加工技術(すなわち、近接空間昇華、蒸気輸送堆積、および電気めっき)5、6、7で実証されている。室温光発光分光法(PL)、時間分解光発光(TRPL)、および二層吸収装置からの電気発光信号5,8は、電流収集の増加に加えて、CdSeTeは放射効率および少数キャリア寿命が優れているように見え、CdSeTe/CdTeデバイスはCdTeとのみの場合よりも理想的に比べて電圧が大きいことを示している。これは主にバルク欠陥9のセレンパッシベーションに起因している。
CdSeTeをシンナー(≤1.5 μm)CdTeアブソーバに組み込むことに関する研究はほとんど報告されていません。そこで、薄い0.5 μmのCdSeTe/1.0 μm CdTe二層吸収装置の特性を近空間昇華(CSS)で作製し、厚い二層吸収剤に見られる利点が薄い二層吸収剤でも得られるかどうかを調べた。このようなCdSeTe /CdTeアブソーバーは、厚い相手の2倍以上の薄さで、堆積時間と材料の著しい減少と製造コストの削減を提供します。最後に、それらは2μm未満の吸収材の厚さを必要とする将来のデバイスアーキテクチャの開発のための可能性を保持する。
単一の自動化されたインライン真空システムにおける吸収体のCSS堆積は、他の製造方法10、11よりも多くの利点を提供する。CSS 製造により、より高速な堆積速度は、デバイスのスループットを向上させ、より大きな実験データセットを促進します。さらに、この作業におけるCSSシステムの単一の真空環境は、吸収インターフェイスで潜在的な課題を制限します。薄膜PVデバイスには多くのインターフェースがあり、それぞれが電子と正孔の組み換えセンターとして機能するため、デバイス全体の効率が低下します。CdSeTe、CdTe、および塩化カドミウム(CdCl2)の単一の真空システムの使用(良い吸収体品質12、13、14、15、16)に対して、より良い界面を生成し、界面欠陥を低減することができます。
コロラド州立大学10で開発されたインライン自動真空システムは、スケーラビリティと再現性にも有利です。例えば、堆積パラメータはユーザセットであり、ユーザが吸収物製造中に調整を行う必要がないように堆積プロセスが自動化される。このシステムでは小さな領域の研究機器が製造されていますが、より大きな面積堆積のためにシステム設計をスケールアップすることができ、研究規模の実験とモジュール規模の実装との間のリンクを可能にします。
このプロトコルは、0.5-μm CdSeTe/1.0-μm CdTe薄膜PVデバイスの製造に使用される製造方法を示します。比較のために、1.5 μmのCdTeデバイスのセットが製造されています。単一および二層吸収体構造は、CdSeTe堆積を除くすべてのプロセスステップにおいて名目上同一の堆積条件を有する。薄いCdSeTe/CdTeアブソーバが、より厚い相手方、電流密度電圧(J-V)、量子効率(QE)、およびPL測定が薄い単層および二層吸収装置で実証されたのと同じ利点を保持しているかどうかを特徴付けます。J-VおよびQEで測定される短絡電流密度(JSC)の増加、およびCdSeTe/CdTeのPL信号の増加に加えて。CdTeデバイスは、CSSによって製造された薄いCdSeTe/CdTeデバイスが、現在の収集、材料品質、およびデバイス効率において顕著な改善を示していることを示す。
この研究はCdSeTe合金をCdTe PVデバイス構造に組み込むことに伴う利点に焦点を当てていますが、CdTeおよびCdSeTe/CdTeデバイスの完全な製造プロセスについては、その後完全に説明されています。図1,Bは、CdTeおよびCdSeTe/CdTeデバイス用の完成したデバイス構造を示しており、透明導電性酸化物(TCO)コーティングガラス基板、n型酸化マグネシウム(MgZnO)エミッタ層、P型CdTeまたはCdETe/CdTe吸収剤(CdCl2処理および銅ドーピング処理、薄い、ニッケル、ニッケル)で構成されています。CSS吸収体堆積を除くと、製造条件は単層構造と二層構造の間で同一である。したがって、特に記載がない限り、各ステップはCdTeとCdSeTe/CdTeの両方の構造で実行されます。

<table><tbody><tr><td>アルファステップ表面形状測定装置</td><td>テンコーインスツルメンツ</td><td>10-00020</td><td>膜厚測定装置</td></tr><tr><td>CdCl2 材料</td><td>5N Plus</td><td>N/A</td><td>吸収剤パッシベーション処理用材料</td></tr><tr><td>CdSeTe半導体材料</td><td>5N</td><td>Plus N/A</td><td>吸収層用P型半導体材料</td></tr><tr><td>CdTe半導体材料</td><td>5Nプラス</td><td>N/A</td><td>吸収層用P型半導体材料</td></tr><tr><td>CESAR RF発電機</td><td>先進エネルギー</td><td>61300050</td><td>MgZnOスパッタ堆積用発電機</td></tr><tr><td>CuCl材料 Sigma</td><td>Aldrich</td><td>N/A</td><td>吸収体ドーピング用材料</td></tr><tr><td>描写材料</td><td>Kramer Industries, Inc.</td><td>メラミンタイプ3 60-80メッシュ</td><td>フィルム描写用プラスチックビーズ材料</td></tr><tr><td>グローブボックスエンクロージャ</td><td>ーVaniman Manufacturing Co.</td><td>Problast 3</td><td>フィルム描写用グローブボックス筐体</td></tr><tr><td>ゴールドクリスタル</td><td>Kurt J. Lesker Company</td><td>KJLCRYSTAL6-G10</td><td>Te 蒸発膜厚モニター用クリスタル</td></tr><tr><td>HVLP および標準重力供給スプレーガンキット</td><td>ハスキー</td><td>HDK00600SG</td><td>アプリケーター Ni 塗料バックコンタクト用スプレーガン</td></tr><tr><td>MgZnO スパッタターゲット</td><td>Plasmaterials, Inc.</td><td>PLA285287489</td><td>N型エミッタ層材料</td></tr><tr><td>マイクロ90ガラス洗浄液</td><td>コールパーマー</td><td>EW-18100-05</td><td>初期ガラス洗浄液</td></tr><tr><td>NSG Tec10 基板</td><td>ピルキントン</td><td>N/A</td><td>前面電気接点用透明導電酸化物ガラス</td></tr><tr><td>スーパーシールド Ni導電性コーティング</td><td>MGケミカル</td>ズ <td>841AR-3.78L</td><td>背面接点層用導電性塗料</td></tr><tr><td>Te Material</td><td>Sigma Aldrich</td><td>MKBZ5843V</td><td>バックコンタクト層用材料</td></tr><tr><td>厚さモニター</td><td>R.D. Mathis Company</td><td>TM-100</td><td>プログラミングとモニタリング用機器 Te 蒸発条件</td></tr><tr><td>シンナー 1</td><td>MG ケミカル</td>ズ <td>4351-1L</td><td>バックコンタクト層用 Ni と混合するシンナー</td></tr><tr><td>超音波洗浄機 1</td><td>L &R Electronics</td><td>Q28OH</td><td>ガラス洗浄用超音波洗浄機</td></tr><tr><td>超音波洗浄機 2</td><td>超音波洗浄</td><td>100S</td><td>ガラス洗浄用超音波洗浄</td></tr>器 <tr><td>UV/VIS ラムダ 2 分光計</td><td>PerkinElmer</td><td>166351</td><td>CdSeTeフィルムの透過測定に使用される分光計</td></tr></tbody></table>

短絡電流密度と光発光を高めるクローズスペース昇華堆積超薄型cdsete/cdte太陽電池

Close-Space Sublimation-Deposited Ultra-Thin CdSeTe/CdTe Solar Cells for Enhanced Short-Circuit Current Density and Photoluminescence

太陽光発電装置アーキテクチャの開発は、世界的なエネルギー需要と気候変動の高まりの中で、太陽エネルギーを費用対効果の高い信頼性の高い再生可能エネルギー源にするために必要です。薄膜CdTe技術は、製造時間の短縮、材料使用量の最小化、およびCdSeTe合金の吸収層の導入により、コスト競争力と効率の向上を実証しています。この作品は、自動インライン真空堆積システムを使用して、薄い1.5 μmのCdSeTe/CdTe二重層デバイスの近接昇華加工を示します。薄い二重層構造と製造技術により、堆積時間を最小限に抑え、デバイスの効率を向上させ、将来の薄吸収装置ベースのデバイスアーキテクチャ開発を促進します。3 つの製造パラメーターは、薄い CdSeTe/CdTe 吸収デバイスを最適化するための最も影響を与えるようです: 基板予熱温度、 CdSeTe:CdTe 厚さ比、および CdCl2パッシベーション。CdSeTeの適切な昇華のために、堆積前の基板温度は、予熱源でのドウェル時間によって制御されるように〜540°C(CdTeの場合はそれよりも高い)でなければなりません。CdSeTe:CdTe の厚み比の変動は、この比率に対するデバイスの性能の強い依存性を明らかにします。最適な吸収材の厚さは0.5 μmのCdSeTe/1.0 μm CdTeであり、最適化されていない厚さ比はバックバリア効果により効率を低下させます。シンアブソーバはCdCl2パッシベーションの変動に敏感です。温度と時間の両方に関して(厚い吸収剤と比較して)はるかに少ない積極的なCdCl2処理は最適な装置の性能を生み出す。CdSeTe/CdTeは、最適化された製造条件により、単一吸収剤CdTeと比較して、デバイスの短絡電流密度と光発光強度を向上させます。さらに、インライン近接スペース昇華真空蒸着システムは、材料と時間の削減、スケーラビリティ、将来の超薄型吸収アーキテクチャの達成可能性を提供します。

薄いCdTe吸収剤にCdSeTeを添加することにより、優れた吸収材の品質と短絡電流密度(JSC)を通じてデバイスの効率が向上します。図3Aおよび図3Bは、(Bothwellらら8から適応)は、それぞれ、単一のCdTe吸収剤およびCdSeTe/CdSeTe/CdTe二重層吸収装置に対するPLおよびTRPLを示す。PLおよびTRPLの両方の測定は明確にCdSeTe/CdTe二重層吸収剤と改善された光発光を示す。PL強度は6倍に改善し、TRPLテール寿命は、減衰の遅い部分に単一指数でフィットし、二重層構造(単層構造の1.6 ±0.02nsと比較して)の12.6±0.1nsであり、CdSeTe材料品質が優れている。PL測定はCdSeTe層の正常な組み込みも確認します。ピークPL強度のシフトは、吸収バンドギャップに対応し、1.50から1.42eVに、低バンドギャップCdSeTe材料が吸収体層において作動していることを確認する。
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この研究は、効率を高める薄吸収体カドミウムセレンテルル化物/カドミウムテルル化物の完全な製造プロセスを説明する。このプロセスでは、小規模領域研究デバイスの製造や大規模モジュールの製造など、スケーラブルな近接スペース昇華堆積のための自動インライン真空システムを利用しています。

短絡電流密度と光発光を高めるクローズスペース昇華堆積超薄型CdSeTe/CdTe太陽電池

Developments in photovoltaic device architectures are necessary to make solar energy a cost-effective and reliable source of renewable energy amidst ...

テルル化カドミウム吸収剤へのセレンカドミウムテルライドの添加は、太陽光発電効率の改善に大きく役立ちます。超薄型層による効率の向上と材料の節約により、太陽光発電と再生可能エネルギーの開発が進みます。インラインクローズスペース昇華堆積またはCSSの主な利点は、近接スペース昇華が高速であり、自動堆積がデバイス間で再現性を保証することです。密空間昇華は太陽電池のためのフィルム吸収剤の沈着の問題の1つに対処する。課題は、薄膜を堆積させるのがかなり遅くなる可能性があるため、近接スペース昇華により、より速い速度でそれを行い、1日でより多くの太陽電池を製造することができます。この蒸着法は、大気暴露が望ましくないという点で他の薄膜堆積にも非常に有用である。他の製造システムと同様に、経験豊富なユーザーからの初期の監視は非常に推奨されます。これらの二層吸収体の太陽光発電装置の製造には多くのステップが必要となるため、各段階後のサンプルの可視化は、どの視覚膜の品質が必要かを理解するために重要である。ハンドヘルドエアブロアを使用して、永久的なマーカーでマークされたきれいな透明な導電性酸化物被覆基板からほこり粒子を穏やかに除去し、一対のゴム製チップピンセットを使用して、きれいな基板をサンプルホルダーに透明な導電性酸化物側にロードします。ロードロックドアを閉じた状態で、ロードロック圧力計が5倍以下の10未満を負の2トルに読み込み、ロードロックポンプをオフにするまで、ロードロックをポンプダウンします。負荷ロックゲートを開き、サンプルがシャッター付きのカソードの上に座るように、手動で転送アームを挿入する前に圧力が平準化されるのを待ちます。タイマーに必要なデポジション時間を設定し、シャッターを手動で開くとタイミングを開始します。タイマーがオフになるとすぐにシャッターを閉じ、ロードロックゲートを閉じてサンプルをアンロードする前に転送アームを完全に引き込みます。酸化マグネシウムの蒸着率を得るには、メタノールに浸した綿製のチップアプリケータを使用して、検証サンプルからマーカーを取り除き、プロフィロメーターで厚さを測定します。吸収体層の接近空間昇華のために、適切な材料昇華のための温度差を付けて、堆積システムの上と下のソースを設定します。ハンドヘルドエアブロアを使用して、きれいな酸化亜鉛マグネシウムと透明な導電性酸化物被覆基板からほこり粒子を静かに取り除き、クリーンな基板をサンプルホルダーの酸化亜鉛マグネシウム側にロードします。ロードロックドアを閉めた後、ロードロックを開き、ロードロックを下ろします。ポンピングダウンしながら、カドミウムテルライドの証人サンプルの堆積レシピを予熱源で110秒のドウェルタイムに設定し、ガラスを摂氏約480度に上げます。 テルル化カドミウムのテルル化カドミウム源で110秒、多結晶カドミウムテルル化物のパッシベーション用塩化カドミウム源で180秒、アニール源で240秒を吸収剤に駆動する、冷却源で300秒。ロードロックが40ミリトール以下にポンプで送られたら、ゲートバルブを開き、ソフトウェアで堆積レシピを開始します。転送アームは、完了時にホームポジションに戻るプリセット位置に自動的に移動します。堆積が完了したら、負荷ロックを大気に通し、ロードロックドアを開けます。サンプルが冷たく取り扱えるまで冷めたら、糸くずのない布で取り出します。脱イオン水を使用して、フィルム表面から目に見える塩化カドミウム残渣を段階的なビーカーにリンスし、圧縮窒素でフィルムを乾燥させます。次に、カミソリの刃を使用して、カドミウムテルル化物材料の小さな領域を基板から削り取り、表面プロフィルメータを使用してテルル化カドミウム膜の厚さを測定して堆積速度を決定します。負荷ロック圧が40ミリトール以下の場合は、ソフトウェアでbakeoffレシピを実行します。ベイクオフが完了したら、カドミウムセレンテルル化物のサンプルの堆積レシピを設定して厚さを確立します。予熱源で140秒のデュエルタイムを設定し、ガラスを約540度に上げ、セレンテルライドカドシウムの300秒をテルル酸カドミウムの堆積源で300秒、冷却源で300秒にします。負荷ロック圧力が40ミリトール以下に達したら、堆積レシピを実行します。カドミウムセレンテルライドフィルムの堆積が完了したら、冷却したサンプルをリントフリークロスでアンロードし、材料の小さな部分を掻き落とし、前述のようにプロフィロメーターでセレンテルライド堆積率を決定します。1.5ミクロンの単一のカドミウムテルル化物吸収剤を製造するために、テルル化カドミウム堆積速度と、超薄吸収剤用に最適化された塩化カドミウム処理に基づいて堆積レシピを設定します。110秒の予熱ドウェル時間、60秒のカドミウムテルライドドウェル時間、150秒の塩化カドミウムドウェルタイム、240秒のアニール時間、および300秒の冷却時間を使用してください。負荷ロック圧が40ミリトール以下になったら、ロードロックゲートバルブを開いて開始を選択します。プログラムは、冷却ステップの完了時に、選択した堆積レシピをホームポジションに戻して自動的に実行します。0.5ミクロンのカドミウムセレンテルル化物と1.0ミクロンのカドミウム二重層吸収剤を製造するには、 140秒の予熱ドウェル時間、231秒のカドミウムセレンテルルドウェル時間、50秒のカドミウムテルライドドウェル時間、150秒の塩化カドミウムドウェル時間、240秒のアニール時間で吸収体堆積率に基づいて堆積レシピを設定します。、および300秒の冷却時間。負荷ロック圧力が40ミリトール以下に達したら、堆積レシピを実行します。次に、サンプルをレシピの完了時にアンロードし、サンプル冷却を実例どおりに行います。上下のソースが動作温度に達したら、サンプルホルダーにサンプルをロードし、各位置の堆積時間に設定されたタイマーに応じて、転送アームを予熱塩化銅およびアニール位置に順次移動します。このプロトコルの銅のレシピは、1.5ミクロンデバイス用に最適化されています。最終タイマが消えたら、手動で転写アームをホームポジションに戻し、ロードロックゲートバルブを閉じます。薄いテルルの蒸発堆積のために、サンプルフィルム側をサンプルホルダーに下にロードし、チャンバートップを閉じます。レバーを手動で粗い位置に移動します。圧力が10ミリトールを下回ったら、レバーを前通の位置に戻し、圧力の瞬間的なスパイクが解決されるまで約30秒待ってから高真空バルブを開きます。チャンバー圧力リーダーが基づいているとき、10倍の正しい堆積圧力にマイナス5トルに達している。電源スイッチをオンにし、シャッターを開き、現在のコントロールを上げてデポジションを開始します。水晶クリスタルモニタディスプレイに希望するテルルの厚さが表示されたら、電流を素早く同時にゼロにし、電源スイッチをオフにしてシャッターを閉めます。塗料バックコンタクトを適用する前に、バックコンタクト溶液を振って完全な混合を確実にします。サンプルに溶液をスプレーして、ゆっくりと横運動をして、均一なニッケルの背の接触をサンプルに塗布します。バックコンタクトを少し乾燥させた後、完全なカバレッジのために必要な回数だけアプリケーションを繰り返します。薄膜構造を電気的に接触可能な装置に仕上げるには、金属マスクに装填されたサンプルをグローブボックスに入れ、サイフォンホースを使用して、ガラスビーズの媒体をサンプルのマスクされていない部分に塗布します。2 番目のマスクでアプリケーションを繰り返し、線引きが完了すると、サンプル上に 5 % 5 パターンで 25 個の小面積の正方形のデバイスが表示されるようにします。次に、脱イオン水に浸した綿の先端アプリケータでサンプルのフィルム側を洗浄します。完成したデバイスの電気的測定における横抵抗を最小限に抑えるために、インジウムはんだ付きのデバイス間のグリッドパターンをはんだ付けします。テルルライドの薄いカドミウム吸収剤にテルルライドカドミウムを添加することで、光発光度の向上と長い時間の分解光発光減衰寿命によって実証される優れた吸収材品質を通じてデバイスの効率が向上します。また、短絡電流密度が高いほど、効率が向上します。電流密度軸に沿った光電流密度電圧曲線の下方シフトは、最もパフォーマンスの高い単一テルル化物吸収装置に比べて最もパフォーマンスの高い二層吸収装置のための短絡電流密度の増加に対応する。テルル化カドミウムおよびカドミウム・セレンテルル化物デバイスの量子効率測定は、二層デバイスの長波長範囲における追加の光子変換を示し、そのデバイスの短絡電流密度の増加を裏付ける。テルル化カドミウムの厚さ比に対するセレンカドミウムの最適化の重要性は、電流密度電圧結果の比較によって実証されています。0.5~1.0ミクロン比と1.25~0.25ミクロン比のデータは、後者の非最適なデバイスの有意なキンクを示し、その結果、太陽光発電効率の低下を示しています。覚えておくべき最も重要なことは、カドミウムセレンテルルライドとテルル酸カドミウムの間の厚さ比は、立派なデバイスの性能のために不可欠であり、各二重層吸収剤の厚さのために最適化されるべきであるということです。この手順に従って、追加の材料層を二重層の後に堆積し、電子反射器として作用させることができる。この層を導入することで、カドミウムテルル化物ベースのデバイスにおける電圧欠損障害を最小限に抑えることができます。二重太陽電池にセレンテルライドカドミウム合金を組み込むことは、太陽電池だけでなく、その合金の特性を他の太陽光発電用途に開発するのに役立っています。カドミウム化合物は危険な場合があります。このような化合物を使用する場合、フィルムの残留物をすすいす使用する場合は、手袋、ラボコートを着用し、適切な手順を使用して有害廃棄物を処分することが重要です。

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化学

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