집속 이온 빔

1. 신장의 내피 세포질에 비해 300nm 두께의 실리콘 산화막에서 천포화 된 필터의 제조

1. 준비된 멤브레인을 FIB 챔버에 적재합니다. 멤브레인은 종종 전문가 (휘트스톤 다리를 만들 때)에 의해 제조되며 반도체 제조 현장에서 획득 할 수 있습니다. 직접 준비하려면 포토리소그래피를 사용해야 합니다. 이 과정의 세부 사항은 JoVE 웹 사이트의 "생명 공학 컬렉션"의 포토리소그래피 비디오에서 볼 수 있습니다. 참고: 샘플을 처리하거나 FIB/SEM의 내부 구성 요소와 접촉할 때 니트릴 장갑을 착용해야 합니다. 환경은 피부 오일이 없는 매우 깨끗하고 무료유지되어야 합니다.
2. 집중된 이온 빔과 전자 총을 켜고 시료를 조정하여 일치-유중심점을 달성합니다. 이것은 관심 영역 (멤브레인)이 0-54도에 이르는 기울기 각도용 전자 및 이온 라인에있는 지점입니다.

3. 이온 빔 전류를 조정하고 FIB의 가속 전압을 30kV 및 100pA로 조정하고 밀링할 영역 과 가까운 영역에 집중합니다. 직경 50nm 의 FIB 밀링 프로그램을 통해 원의 매트릭스를 그리며 중심에서 중심 거리 150nm를 그립니다(그림 1참조).
4. 전자 빔으로 변경하고 5kV의 가속 전압에서 영역을 이미지합니다.

그림 1: 실리콘 산화물 멤브레인에 FIB 밀링 구멍이 입자 필터를 생성합니다.

2. 머리에 로고 밀링

1. 카본 테이프를 사용하여 현미경 스텁에 머리 가닥을 넣어
2. 금/카본 코팅 스퍼터 코트를 사용 하 여 머리 가닥. 이 도구는 샘플을 전도성 재료의 몇 나노미터로 코팅하여 최소한의 충전 아티팩트로 이미지/스퍼터드할 수 있도록 합니다.
3. 집중된 이온 빔과 전자 총을 켜고 일치-유중심점에 맞게 조정합니다.
4. 이온 빔 전류를 조정하고 전압을 각각 100pA 조리개로 30kV로 조정하고, 분쇄할 영역에 가까운 약 15um x 15um의 영역에 초점을 맞춥니다.
5. 패턴/로고를 비트맵으로 분쇄하고 빔 전류를 조정하고 전압을 가속화하고 밀링을 시작합니다.
6. 전자 빔으로 변경하고 영역을 이미지합니다. 그림 2에표시됩니다.

그림 2: "해피 홀리데이"FIB와 거미줄에 밀링.