JoVE 실험 백과사전
암 연구
0 조회수 • 5:54 분 • April 30th, 2023
종양 치료 필드(TTFields)는 교류 전기장을 사용하여 암세포 증식을 방해합니다. 시험관 내에서 암세포에 대한 TTFields의 효과를 연구하려면 베이스 플레이트 위에 TTFields 호환 접시를 조립하는 것부터 시작하십시오. 접시 벽에 배치된 한 쌍의 전극은 내부적으로 전기장을 전달하는 데 도움이 됩니다.
조립된 접시 안에 유리 커버슬립을 놓습니다. 커버슬립에 암세포 현탁액 한 방울을 뿌립니다. 세포가 침전되고 커버슬립 표면에 부착되도록 배양합니다. 사용한 미디어를 버립니다. 암세포의 성장과 확장을 지원하기 위해 신선한 성장 배지로 보충하십시오.
전기장 적용 중 접시 가열을 보상하기 위해 어셈블리를 냉장 환경으로 옮깁니다. 그런 다음 어셈블리를 전원 공급 장치에 연결합니다. 원하는 시간 동안 셀에 적절한 전기장을 노출시킵니다.
빠르게 분열하는 세포 내에서 적용된 필드는 튜불린 이량체 및 셉틴과 같은 하전 분자가 해당 방향으로 강제로 정렬되도록 합니다. 이 메커니즘은 미세소관 중합 및 격막 섬유 국소화와 같은 주요 유사분열 사건을 방해합니다. 결과적인 유사분열 정지는 세포사멸을 유발하여 종양 세포 사멸로 이어집니다.
시작하려면 커버가 있는 TTFields 접시를 베이스 플레이트에 설치하고 대조군 세포 성장에 사용할 접시 8개를 추가로 준비합니다. 각 접시의 바닥에 멸균 2mm 커버슬립을 놓습니다. 다음으로, DMEM 배지 1밀리리터에 4 번째 U-87 MG 세포를 5 회 10 회 현탁합니다.
각 접시에 도금된 세포의 적절한 수는 사용 중인 세포주의 특성에 따라 다릅니다. 세포 과증식을 방지하기 위해 실험 전에 보정하는 것이 중요합니다.
200마이크로리터의 세포 현탁액을 각 커버슬립에 피펫팅하여 표면에 방울이 형성되고 접시를 뚜껑으로 덮습니다. 모든 접시를 섭씨 37도, 이산화탄소 5%에서 밤새 배양하여 세포가 부착되도록 합니다.
세포가 부착되면 200마이크로리터 피펫을 사용하여 커버슬립에서 배지를 흡인합니다. 그런 다음 각 접시에 2밀리리터의 완전 성장 배지를 조심스럽게 피펫팅합니다. 멸균 피펫 팁으로 커버슬립 가장자리를 가볍게 두드려 슬라이드 아래에 끼인 기포를 제거합니다.
그런 다음 TTFields 처리가 시작될 때까지 세포를 섭씨 37도, 이산화탄소 5%에서 배양합니다. TTFields 치료를 시작하려면 섭씨 37도 인큐베이터에서 베이스 플레이트를 제거하고 냉장 이산화탄소 인큐베이터에 넣습니다.
냉장
전체 스크립트를 보고 수천 개의 과학 동영상에 액세스하세요