Name: 광자 크리스탈 느린 경 Waveguides 그리고 안의 공간의 제조 및 특성 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2012-11-30T13:00:00.000+00:00
Duration: 11 min 8 s
Description: 배우세요 광자 크리스탈 느린 빛 파형도 및 공동의 제조 및 광학 특성화 방법을 전자빔 리소그래피와 플라즈마 식각을 활용하여. 이 기술은 광자 소자 연구에 필수적인 신뢰할 수 있는 프로토콜을 제공합니다.

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저자는 굉장히 RS 기법 및 측정의 실행에 관한 유용한 토론을 파비아 대학에서 박사 마테오 Galli, 박사 시몬 L. Portalupi과 교수 루치 C. Andreani을 인정합니다.

면책 조항 : 다음 프로토콜 광자 크리스탈 waveguides와 충치의 제조 및 특성 기술을 다루는 일반적인 프로세스 흐름을 제공합니다. 프로세스 흐름은 우리의 실험실에서 사용할 수있는 특정 장비에 최적화되어 있습니다, 다른 시약이나 장비를 사용하는 경우 매개 변수가 다를 수 있습니다. 1. 샘플 준비 <ol><li> 샘플 Cleaving은 - 실리콘 - 온 - 절연체 (SOI) 웨이퍼를 타고 실리콘 표면의 가장자리에서 약 1-2mm 긴 줄을 긁어하기 위해 다이아몬드 서기를 사용 스크래치는 웨이퍼의 가장자리를 통해 확장하도록해야합니다. 직선 모서리에 스크래치를 정렬 (예 : 현미경 슬라이드의)과 스크래치의 양면에 더 긍정적 인 압력을 적용 스크래치 위치에있는 크리스탈 비행기를 따라 웨이퍼 의지 다니엘. 전체 칩을 정의하는이 절차를 반복합니다. </li><li> 샘플 청소 -주의 아세톤에 장소 샘플을 핀셋에게를 사용하는차 1-2 분을위한 초음파 욕조에 청소. 아세톤에서 샘플을 제거,주의 이소프로판올을 (30 초) (아세톤 및 이소프로판올 모두 가연성입니다 좋은 환기를 사용하여 모든 점화 소스를 방지)를 사용하여 샘​​플에서 남아있는 아세톤을 씻어. 깨끗한 건조 질소 총을 사용하여 샘​​플을 말린다. </li><li> 저항 스핀 - 스핀 coater에 샘플을 배치합니다. 민감한 피펫 전자는 샘플에주의 ZEP520A을 (ZEP520A는 가연성이며, 피부와 눈 흡입 및 접촉에 의해 피해를 피해야한다) 저항 - 나가는 저항없이 완전히 샘플을 충당하기 위해 저항 충분히 사용합니다. 약을 제공 할만큼 샘플을 봐. 10 분에 180 ° C에서 열판에 350 nm의 두께 필름을 구워. 우리는 (참조 이상) 해상도와 에칭 저항의 균형을 최적의 두께로이 두께를 찾았습니다. </li></ol> 2. 패턴 정의 <ol><li> 디자인 - 적절한 소프트웨어를 사용하여이 필요한 광자 결정 패턴을 시뮬레이션. 마비유용한 소프트웨어 패키지의 어이 포함 가능하지만 이에 국한되지 : 광자 밴드 (MPB)를 MIT FullWAVE (RSoft), MIT 전자기 수식 전파 (MEEP). </li><li> 패턴 생성 - 적절한 소프트웨어를 사용하여 노출 파일 (일반적으로 GDS 형식) 및 근접 오류 수정을 만들 30. </li><li> 패턴 노출 - 전자 빔 리소그래피 시스템 (LEO 1530 / Raith Elphy)의 챔버에 샘플을로드하고 아래로 펌프. 일단 진공이 달성되었습니다 EHT 공급에 전환 30 KV로 설정합니다. 샘플, 무대와 챔버가 평형 온도에 도달 할 수 있도록 1 시간이 상태에서 시스템을 둡니다. 특정 전자 빔 리소그래피 시스템의 사용자 설명서에 표시된대로 노출을 설정합니다. 적절한 기본 단계 크기 (예 : 2 nm 정도) (이 시스템이 노출 할 수있는 최소 픽셀 크기 임), 최소 1 밀리의 정착 시간 (사용 샘플을 노출이 시스템이 빔을 이동하고 노출 사이에 대기하는 시간이되는패턴의 특정 부분), 55 μAcm -2의 지역 복용. </li><li> 샘플 개발 - 23의 온도에서주의 크실렌을 (크실렌 떨어져 점화 소스에서 환기가 잘되는 지역의 가연성과 높은 독성 작업을 모두하고 피부와 눈과의 접촉을 피)를 사용하여 ° C 45 초에 샘플을 개발합니다. 이소프로판올에 씻어. </li></ol> 3. 무늬 전송 <ol><li> RIE 방 청소 - 흐름 아르곤의 속도와 200 sccm으로 수소를 설정합니다. 1 챔버 압력 × 10 -1 mBar을 달성하기 위해, 나비 밸브를 통해 펌프를 스로틀. RF 전력 100 W로 설정 플라즈마를 점화하고 적어도 10 분 동안 실행 - 약 700 V가 관찰되어야하는 DC 바이어스. 아르곤 / H 2 플라즈마를 전환 한 후 챔버는 ​​약 1 분 동안 펌프 할 수 있습니다. 200 sccm의 챔버에 산소의 흐름 속도를 설정하고 다시 1 × 10 -1 mBar에 챔버 압력을 스로틀. 두 번째 플라즈마를 점화100 W의 전력과 산소와 5 분에 실행합니다. 이러한 절차 후, 챔버는 이전 드라이 에칭에서, 이러한 폴리머 잔류 물과 같은 오염 물질의 무료입니다. 우리는 최대 재현성을 보장하기 위해 에칭 요리법의 모든 변경하기 전에이 절차를 수행합니다. 이 절차는 병렬 판, 음극로드, RIE로 구성되어 시스템에 최적화되어 있습니다, 스로틀 밸브 부착 터보 분자 펌프 모두 12 인치 포트를 포함 높이 14 인치의 직경 메인 챔버 12인치을 갖추고 있습니다. </li><li> 광자 크리스탈 에칭 - RIE 메인 챔버로 샘플을로드하고 다운 × 10 -6 mBar 챔버 수증기 무료입니다 보장하기 &lt;3의 배경 압력 시스템을 펌프. 미리 에어컨하여 식각 가스 (즉 CHF 3 SF 6)와 챔버를 에칭을 시작합니다 : 100 sccm (즉 1시 1분의 가스 비율을 설정)에 두 가스의 흐름 속도를 설정하고 스로틀을 사용하여 챔버를 가져 5 × 10 압력 <s&gt; -2 mBar 백업, 가스가 적어도 10 분 동안 흐를 수 있습니다. 의 챔버 압력을 확보하면서 약 2 분 (이 에칭 매개 변수에 대한 실리콘의 에칭 속도가 약 150 nm의 / 분)을위한 에칭 샘플, 미리 에어컨 후, 약 20 W에 RF 전력을 설정하고 플라즈마를 점화 5 × 10 -2 mBar가 유지됩니다. 200-220 V 사이의 DC 바이어스는 에칭 기간 동안 달성해야합니다. </li><li> 남은 제거하는 청소 샘플 전자에 민감한 저항 - 드라이 에칭 후, 아세톤에 이어, 1-2 분 동안 초음파 교반과 함께주의에 1,165 리무버 (1165는 가연성이며, 눈에 자극을 일으킬 수, 코, 호흡기)를 린스로 샘플을 청소 그리고 이소프로판올은 (단계 1.2) 위의 설명. </li><li> 막 절연 - 스핀 - 코트 UV 민감한 사진과 샘플주의 Microposit S1818 G2 (S1818 G2는, 코, 호흡기 가연성 모두하고 눈에 자극을 유발)을 (단계 1.3 참조) 저항. appropriat를 사용하여전자 photomask는 UV 마스크 aligner를 사용하여 광자 결정 패턴 위에 저항에서 창을 정의합니다. 약 30-45 초에 대한 샘플을 쉽게받을 수 있습니다. 개발 30-45 초 동안 Microposit 개발자 MF-319 (MF-319은 알칼리성 액체이며, 눈 자극, 코, 호흡기을 일으킬 수있는)가, 드 ionised 물에 나중에 린스주의에 저항. 드 ionised에주의 1시 5분 불화 수소산 (1.1499 g / ML 48-51% HF) (처리가 HF에 대한 평가 전체 개인 보호 장비를 사용할 때 HF는 매우 부식성하고 쉽게 조직을 파괴)의 혼합물 플라스틱 비커를 준비 물. 안전상의 이유로 만 플라스틱 비커와 핀셋은 불화 수소산과 함께 사용되어야합니다. 15 분의 불화 산성 혼합물 잠기 샘플을. 에칭 후, 드 ionised 물에 철저하게 샘플을 씻어. 이 단계에서와 이후 초음파 교반하여 사용하실 수 없습니다 - 남은 아세톤 및 이소프로판올을 (단계 1.2 참조)를 사용하여 사진 저항을 제거합니다. 샘플을 보장하기 위해가능한 한 깨끗하고,이주의 피라냐 솔루션 (피라냐 솔루션은 잠재적으로 폭발성이 매우 활기찬하고 처리가 전체 개인 보호 장비를 사용하는 경우, 유기 물질을 공격) (3시 1분주의 황산 산 (황산에서 헹굼과 아세톤 및 이소프로판올 빨래를 따르십시오 처리 개인 보호 장비를 사용하여 증기 또는 안개의 흡입을 피할 때 산 5 분 동안 (과산화수소가 처리 개인 보호 장비를 사용 피부와 눈 접촉의 경우)에 매우 유해합니다) 과산화수소주의), 부식성 매우 독성 다음 드 ionised 물, 아세톤 및 이소프로판올의 샘플을 씻어. 안전상의 이유로 만 유리 비커와 금속 핀셋은 피라냐 솔루션과 함께 사용되어야합니다. 피라냐 솔루션은 아세톤이나 이소프로판올와 접촉 폭발 할 수 있기 때문에, 이러한 시약 멀리 취급해야합니다. </li><li> 패싯 Cleaving - 광자 크리스탈 천천히 빛 도파관을 준비하는 경우, 샘플 패싯 cleaving이 필요합니다. 다니엘 SA단계 1.1에서 설명한대로 가능한 한 그와 같은 작은 스크래치를 제외하고, 동일한 절차에 따라 mple를 사용해야합니다. ~ 700 μm 두께의 기판과 SOI 칩은 안정적으로 4-5mm 긴 샘플을 아래로 흘리고 할 수 있습니다. </li></ol> 4. 광자 크리스탈 느린 빛 도파관 특성 <ol><li> 3dB 섬유 스플리터와에 출력을 각각 사용 : - 설치의 사전 준비가 자연 방출 (ASE) 광원 (빔 경로 가능한 경우를 커버 불필요한 높은 힘을 방지 눈에 보이지 않는 IR 방사선) 증폭주의 광대역의 출력에 연결 그림 9와 같이 자유 공간 마하 - Zehnder interferometeter (MZI)의 두 팔에 몇 가지 빛. 섬유의 광 출력을 collimate하기 위해 비구면 렌즈를 사용합니다. 간섭계의 팔 중 하나에, 부부와 샘플 칩의에서 빛 광선을에 두 개의 추가 비구면 렌즈를 사용합니다. TE-극성 ligh에 샘플 팔에 편광 빔 스플리터 (PBS)를 배치t는 샘플을 입력. 그들은 재결합되는 두 번째 3dB 광섬유 분배기로 다시 두 팔에서​​ 몇 조준 출력 빔을에 비구면 렌즈를 사용합니다. 적외선 검출기에 출력 중 하나를 연결하고 샘플에 빛을 커플 링을 최대화하기 위해 검출기의 읽기를 사용하여, 광 스펙트럼 분석기 (OSA)에 다른 출력을 연결합니다. MZI의 두 팔에 있던 섬유가 동일한 공칭 길이를 가지고 수 있도록 참조 팔에 조정할 수있는 지연 단계를 포함해야합니다 : 샘플의 면전에서 때 MZI의 두 팔은 약 같은 광학 길이가 있어야합니다 의 길이의 미세한 조절하십시오. 샘플 팔에서 샘플로 최고의 커플 링을 얻기 위해 XYZ 정밀 단계로 비구면 렌즈를 탑재합니다. </li><li> 참조 팔 길이를 조정 - 부부 빛 빔을 빈 (광자 크리스탈없이 IE) 리지 도파관에 무선 인터넷 접속 (같은 종류의 액세스가 해당 광자 결정 내부에 피드 빛 waveguides으로)샘플 팔에 동일한 칩을 막을. OSA에 대한 지속적인 검사를 실행하고 측정 파장 스펙트럼을 관찰합니다. MZI의 무기가 매우 다른 광학 길이를 (&gt; ~ cm)이있는 경우 이러한 가장자리가 게재되지 않습니다,. MZI의 두 팔은 거의 같은 광학 길이, 건설 및 파괴 간섭으로 인해 스펙트럼 전시 가장자리가있는 경우 프린지 간격은 두 팔 사이에 광학 경로 길이의 차이에 반비례합니다. 참조 팔이 짧은하고 OSA의 가장자리를 관찰하는 지연 단계를 이동 : 그들이 밀도 (sparser)이되면, 참조 팔 샘플 암보다 (더) 짧습니다. 참조 팔이 10 nm의 파장 범위에서 10-5에 대한 가장자리 (그림 10A 참조) 부가 간격에서 샘플 팔과 결과를보다 짧은 있는지 확인하기 위해 지연 단계를 설정합니다. 마지막으로, 최대 지연 시간을 제공하는 장치에서이 최적화를 수행하고 다음 측정을 통해 고정 지연을 유지전체 샘플의. </li><li> 교정 실행 - 아직도 빈 도파관에 정렬하는 동안 OSA에 세 검사를 실행 간섭 스펙트럼과 별도로 두 팔의 각 (다른 팔을 차단하여 얻은)에 대해 하나의 스캔 한 스캔합니다. 0.05-0.1 nm의 해상도를 사용합니다. 각 측정 스펙트럼을 기록합니다. </li><li> 느린 빛 데이터 수집은 - 실행 칩의 각 광자 결정 도파관을위한 단계 4.3 3 개 스펙트럼을 기록합니다. </li><li> 푸리에 데이터 분석 - 간섭 스펙트럼 (interferogram)는 I (ω)는 수학적으로 표현된다 : I (ω) = S (ω) + R (ω) + sqrt [S (ω) R (ω)] {EXP [iΦ (ω) - iωτ] + CC} 어디에서 S (ω)와 R은 (ω) 각각 샘플 및 참조 팔에서 별도로 측정 스펙트럼 밀도입니다. 지연 τ는 참조 팔에 지연 단계의 위치가 설정되어 있습니다. 광자 결정 도파관의 분산에 대한 정보는 단계에 포함되어 있습니다우리가 측정 된 데이터를 추출해야 용어. 빼기 비 방해 만 방해 용어를 분리하기 위해 interferogram에서 배경 S (ω) + R을 (ω).에게 용어 sqrt (SR) EXP [I (Φ-ωτ)]와 복잡한 켤레가 t 중심 봉우리에 해당 = τ와 t =-τ 각각 :. 푸리에 방해 용어 변환을 계산 수치의 두 조건 중 하나를 필터링하고 주파수 도메인으로 변환 할 수 있습니다. ωτ Δτ g, 두 팔 사이의 그룹 지연의 차이를 얻을 ω와 관련하여 발생하는 데이터의 - 위상 Φ을 (ω) 차별화. 그룹 인덱스 N g V g와 = C / V g, 그룹 속도는 주어집니다 : N g = (Δτ g PhC - Δτ g CAL) C / L + N 칼, Δτ g CAL이 FR를 취 보정 데이터에서 얻은 곳톰 빈 도파관, L은 광자 결정 도파관의 길이이며, N 칼 = 2.7 참조 리지 도파관의 효과적인 색인입니다. 설치의 다양한 광학 요소에서 지연에 대한 기여는 보정 실행에 고려되고, 따라서이 단계에서 차감됩니다. </li></ol><ol start="6"><li> 전송 곡선은 - 빈 도파관의에 광자 결정 도파관의 샘플 스펙트럼을 정규화하여 전송 곡선을 계산합니다. </li></ol> 5. 광자 크리스탈 구멍 특성 <ol><li> 설정 - RS에 대한 설정 (그림 14)의 준비에는 다음이 포함됩니다 편광 빔 스플리터에 교환 엘리먼트의 전환, 입력 팔에 polariser를 삽입뿐만 아니라 출력 팔에 분석기, 프로브 암에 거울을 뒤집기 가까운 적외선 소스의 사용을 허용하고, 샘플의 조명을 할 수 있습니다. 축에 45 ° 방향으로 수직으로 샘플을 마운트XYZ는 샘플 초점에 있으며 캐비티대로 그림 15 (왼쪽)에, 카메라와 함께 볼 수 있도록 마이크로 차단 및 마이크로 블록을 조정 구동 차동에 편광판 (그림 18)의. 증폭 자연 방출 (ASE) 소스를 사용하면 캐비티 그림 15 (오른쪽)의 중심으로 빔을 맞 춥니 다. 조명 거울을 멀리 이동하다가 출력 팔이 분광계 (첨부 배열 검출기와 단색화)를 입력 할 수 있습니다. 캐비티 봉우리를 식별하기 위해 해상도를 검토 할 낮은과 광범위한 스캔을 시작합니다. 1 nm의 정밀도와 ASE 스캔 (그림 16A)에서 공명의 광범위한 파장을 가져옵니다. 이주의 조정할 레이저 소스 (TLS) (그림 16b) (: 불필요한 높은 힘을 피하고, 빔 경로 가능한 경우를 커버 눈에 보이지 않는 IR 방사선)와 광범위한 스캔을 취득하는 것도 가능합니다. 하나는 해상도가하기 위해 높은 값으로 설정되어 있는지주의해야합니다모든 피크의 라인 폭을 드셔보세요. </li><li> 확인 봉우리에 고해상도 스캔을 수행 - 입력 암에 TLS를 연결 MW 수준으로 빔을 감쇠. 출력 팔은 광 검출기에 의해 수집 할 수 있도록하고 이전에 발견 공명 파장 중심 2 nm의 범위 1 PM의 해상도로 연속 스윕 검사를 설정하여 고해상도 스캔을 준비. SNR을 최대화 할 때까지 마이크로 블록의 XYZ 위치를 변경하고 다시 실행 검사 :이 단계의 중요성은 Lorentzian 라인 형태 공명을 얻기 위해 목표로 신호 대 잡음 비율 (SNR)를 향상시키는 것입니다 대표 결과 섹션에 표시된 것과 같이 및 라인 형태는, Lorentzian의 가까운 거리에 있습니다. </li></ol>

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<li>Labilloy, D., Benisty, H., Weisbuch, C., Smith, C. J. M., Krauss, T. F., Houdré, R., Oesterle, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Finely+resolved+transmission+spectra+and+band+structure+of+two-dimensional+photonic+crystals+using+emission+from+InAs+quantum+dots%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Finely resolved transmission spectra and band structure of two-dimensional photonic crystals using emission from InAs quantum dots.</a> Phys. Rev. B. 59 (3), 1649-1652 (1999).</li>
<li>Inanç Tarhan, I., Zinkin, M. P., Watson, G. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Interferometric+technique+for+the+measurement+of+photonic+band+structure+in+colloidal+crystals%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Lett%22%5BJournal%5D)">Interferometric technique for the measurement of photonic band structure in colloidal crystals.</a> Opt. Lett. 20 (14), 1571-1573 (1995).</li>
<li>Galli, M., Marabelli, F., Guizzetti, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Direct+measurement+of+refractive-index+dispersion+of+transparent+media+by+white-light+interferometry%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Opt%22%5BJournal%5D)">Direct measurement of refractive-index dispersion of transparent media by white-light interferometry.</a> Appl. Opt. 42 (19), 3910-3914 (1364).</li>
<li>Galli, M., Bajoni, D., Marabelli, F., Andreani, L. C., Pavesi, L., Pucker, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Photonic+bands+and+group-velocity+dispersion+in+Si%2FSiO2+photonic+crystals+from+white-light+interferometry%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Photonic bands and group-velocity dispersion in Si/SiO2 photonic crystals from white-light interferometry.</a> Phys. Rev. B. 69 (11), 115107(2004).</li>
<li>Vlasov, Y. A., O'Boyle, M., Hamann, H. F., McNab, S. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Active+control+of+slow+light+on+a+chip+with+photonic+crystal+waveguides%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Active control of slow light on a chip with photonic crystal waveguides.</a> Nature. 438, 65-69 (2005).</li>
<li>Gomez-Iglesias, A., O'Brien, D., O'Faolain, L., Miller, A., Krauss, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Direct+measurement+of+the+group+index+of+photonic+crystal+waveguide+via+Fourier+transform+spectral+interferometry%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Direct measurement of the group index of photonic crystal waveguide via Fourier transform spectral interferometry.</a> Appl. Phys. Lett. 90 (26), 261107(2007).</li>
<li>Akahane, Y., Asano, T., Song, B. -S., Noda, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((High-Q+photonic+nanocavity+in+a+two-dimensional+photonic+crystal%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">High-Q photonic nanocavity in a two-dimensional photonic crystal.</a> Nature. 425, 944-947 (2003).</li>
<li>McCutcheon, M. W., Rieger, G. W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Resonant+scattering+and+second-harmonic+spectroscopy+of+planar+photonic+crystal+microcavities%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Resonant scattering and second-harmonic spectroscopy of planar photonic crystal microcavities.</a> Appl. Phys. Lett. 87 (22), 221110(2005).</li>
<li>Galli, M., Portalupi, S. L., Belotti, M., Andreani, L. C., O'Faolain, L., Krauss, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Light+scattering+and+Fano+resonances+in+high-Q+photonic+crystal+nanocavities%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Light scattering and Fano resonances in high-Q photonic crystal nanocavities.</a> Appl. Phys. Lett. 94 (7), 71101(2009).</li>
<li>WÃest, R., Strasser, P., Jungo, M., Robin, F., Erni, D., Jückel, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((An+efficient+proximity-effect+correction+method+for+electron-beam+patterning+of+photonic-crystal+devices%5BTitle%5D)+AND+%22Microelectron+Eng%22%5BJournal%5D)">An efficient proximity-effect correction method for electron-beam patterning of photonic-crystal devices.</a> Microelectron Eng. 67-68, 182-188 (2003).</li>
<li>Tanaka, Y., Asano, T., Akahane, Y., Song, B. -S., Noda, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Theoretical+investigation+of+a+two-dimensional+photonic+crystal+slab+with+truncated+cone+air+holes%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Theoretical investigation of a two-dimensional photonic crystal slab with truncated cone air holes.</a> Appl. Phys. Lett. 82 (11), 1661(2003).</li>
<li>Asano, T., Song, B. -S., Noda, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Analysis+of+the+experimental+Q+factors+%28%7E+1+million%29+of+photonic+crystal+nanocavities%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">Analysis of the experimental Q factors (~ 1 million) of photonic crystal nanocavities.</a> Opt. Express. 14 (5), 1996-2002 (2006).</li>
<li>O'Faolain, L., Schulz, S. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Loss+engineered+slow+light+waveguides%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">Loss engineered slow light waveguides.</a> Opt. Express. 18 (26), 27627-27638 (2010).</li>
<li>Joannopoulos, J. D., Johnson, S. G., Winn, J. N., Meade, R. D. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aJoannopoulos%2C+JD+%22Photonic+crystals%2C+molding+the+flow+of+light%22">Photonic crystals, molding the flow of light</a>. , 2nd ed, Princeton University Press. (2008).</li>
<li>Li, J., White, T. P., O'Faolain, L., Gomez-Iglesias, A., Krauss, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Systematic+design+of+flat+band+slow+light+in+photonic+crystal+waveguides%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">Systematic design of flat band slow light in photonic crystal waveguides.</a> Opt. Express. 16 (9), 6227-6232 (2008).</li>
<li>Takeda, M., Ina, H., Kobayashi, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fourier-transform+method+of+fringe-pattern+analysis+for+computer-based+topography+and+interferometry%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Opt.+Soc.+Am%22%5BJournal%5D)">Fourier-transform method of fringe-pattern analysis for computer-based topography and interferometry.</a> J. Opt. Soc. Am. 72 (1), 156-160 (1982).</li>
</ol>

관심 없음 충돌이 선언 없습니다.

샘플 제조 전자 - 빔 (예 : ZEP 520A) 저항 우리의 선택은 동시에 고해상도 및 에칭 저항 때문입니다. 우리는 ZEP의 520A는 오버 헤드 연구소 등으로부터 방출 된 UV 빛에 의해 영향을받을 수 있습니다 생각, 같은 우리가 한 실험실에서 다른로 이동하는 동안 UV 불투명 한 용기에 스핀 코팅 샘플을 놓는 것이 좋습니다. 이 샘플 단계로 인해이며, 진공 챔버 없습니다 - 광자 크리스탈 패턴을 정의로 이동, 샘플을 노출하기 전에 우리는 로딩이 글 중에 잘못된 정렬 오류를 감소 후 전자 빔 리소그래피 시스템은 적어도 한 시간 동안 정착 할 수 있도록하는 것으로 확인되었습니다 즉시로드 한 후 같은 온도에서 존재. (심지어 광자 크리스탈 홀 당 나노 미터에서), 로그인 결과를 챔버에 상대적으로 무대에 작은 드리프트를 작성하는 광자 크리스탈 패턴으로, 액세스 waveguides과 함께 몇 시간이 걸릴 수 있습니다...

<table><tbody><tr><td>Acetone</td><td>Fisher Scientific</td><td>A/0520/17</td><td>주의: 가연성이므로 환기가 잘 되고 모든 발화원을 피하십시오.</td></tr><tr><td>Isopropanol</td><td>Fisher Scientific</td><td>P/7500/15</td><td>주의: 가연성이므로 통풍이 잘되고 모든 발화원을 피하십시오.</td></tr><tr><td>Electron Beam resist</td><td>Marubeni Europe plc.</td><td>ZEP520A</td><td>주의: 가연성, 흡입으로 유해함, 피부와 눈과의 접촉을 피하십시오.</td></tr><tr><td>Xylene</td><td>Fisher Scientific</td><td>X/0100/17</td><td>주의: 가연성 및 독성이 강하고, 환기가 잘되고, 모든 발화원을 피하고, 피부와 눈과의 접촉을 피하십시오.</td></tr><tr><td>Microposit S1818 G2</td><td>Chestech Ltd.</td><td>10277866</td><td>주의: 가연성이며 눈, 코 및 호흡기에 자극을 일으킵니다.</td></tr><tr><td>Microposit 개발자 MF-319</td><td>Chestech Ltd.</td><td>10058721</td><td><강한>주의: 알칼리성 액체이며 눈, 코 및 호흡기에 자극을 일으킬 수 있습니다. </td></tr><tr><td>Hydrofluoric Acid</td><td>Fisher Scientific</td><td>22333-5000<</td><td>strong>주의: 매우 부식성이 있으며, 조직을 쉽게 파괴합니다; HF.</td></tr><tr><td>Microposit 1165 Remover</td><td>Chestech Ltd.</td> 등급의 완전한 개인 보호 장비로 핸들링하십시오.<td>10058734</td><td>주의: 가연성이며 눈, 코 및 호흡기에 자극을 일으킵니다.</td></tr><tr><td>Sulphuric Acid</td><td>Fisher Scientific</td><td>S/9120/PB17</td><td>주의: 부식성이 있으며 매우 독성이 있습니다; 개인 보호 장비로 다루고 증기나 미스트의 흡입을 피하십시오.</td></tr><tr><td>Hydrogen Peroxide</td><td>Fisher Scientific</td><td>BPE2633-500</td><td>CAUTION: 피부와 눈 접촉의 경우에 아주 위험합니다; 개인 보호 장비로 처리합니다.</td></tr><tr><td colspan="4">Equipment</strong</td></tr><tr><td>>silicon-on-Insulator 웨이퍼</td><td>Soitec</td><td>G8P-110-01</td><td></td></tr><tr><td>Diamond Scribe</td><td>J M Diamond Tool Inc.</td><td>HS-415</td><td></td></tr><tr><td>현미경 슬라이드</td><td>Fisher Scientific</td><td>FB58622</td><td></td></tr><tr><td>비커</td><td>Fisher Scientific</td><td>FB33109</td><td></td></tr><tr><td>핀셋</td><td>SPI 공급</td><td>PT006-AB</td><td></td></tr><tr><td>초음파 수조</td><td>Camlab</td><td>1161436</td><td></td></tr><tr><td>Spin-Coater</td><td>Electronic Micro Systems Ltd.</td><td>EMS 4000</td><td></td></tr><tr><td>피펫</td><td>Fisher Scientific</td><td>FB55343</td><td></td></tr><tr><td>E-beam Lithography System</td><td>Raith Gmbh</td><td>Raith 150</td><td></td></tr><tr><td>반응성 이온 에칭 시스템</td><td>독점 사내 설계</td><td>--</td><td></td></tr><tr><td>UV 마스크 정렬기</td><td>Karl Suss</td><td>MJB-3</td><td></td></tr><tr><td>ASE 소스</td><td>Amonics</td><td>ALS-CL-15-B-FA</td><<td>strong>주의: 보이지 않는 IR 방사선.</강></td></tr><tr><td>단일 모드 광섬유</td><td>Thorlabs</td><td>P1-SMF28E-FC-2</td><td></td></tr><tr><td>3dB 광섬유 분배기</td><td>Thorlabs</td><td>C-WD-AL-50-H-2210-35-FC/FC</td><td></td></tr><tr><td>비구면 렌즈</td><td>New Focus</td><td>5720-C</td><td></td></tr><tr><td>XYZ 스테이지</td><td>Melles Griot</td><td>17AMB003/MD</td><td></td></tr><tr><td>편광 빔스플리터 큐브</td><td>Thorlabs</td><td>PBS104</td><td></td></tr><tr><td>IR 검출기</td><td>New Focus</td><td>2033</td><td></td></tr><tr><td>100&#215; 객관적인</td><td>Nikon</td><td>BD Plan 100x</td><td></td></tr><tr><td>오실로스코프</td><td>Tektronix</td><td>TDS1001B</td><td></td></tr><tr><td>광 스펙트럼 분석기</td><td>Advantest</td><td>Q8384</td><td></td></tr><tr><td>IR 센서 카드</td><td>Newport</td><td>F-IRC2</td><td></td></tr><tr><td>TLS 소스</td><td>Agilent</td><td>81940A</td><td>CAUTION: invisible IR radiation.</td></tr><tr><td>IR Camera</td><td>전기 물리학</td><td>7290A</td><td></td></tr><tr><td>IR 검출기</td><td>New Focus</td><td>2153</td><td></td></tr><tr><td>디지털 멀티 미터</td><td>애질런트</td><td>34401A</td><td></td></tr><tr><td>조명</td><td>스토커 Yale</td><td>Lite 진드기</td><td></td></tr><tr><td>모노 크로 메이터</td><td>스펙트럼 제품</td><td>DK480</td><td></td></tr><tr><td>어레이 검출기</td><td>Andor</td><td>DU490A-1.7</td><td></td></tr><tr><td>GIF 파이버</td><td>Thorlabs</td><td>31패02</td><td></td></tr></tbody></table>

광자 크리스탈 느린 경 waveguides 그리고 안의 공간의 제조 및 특성

Fabrication And Characterization Of Photonic Crystal Slow Light Waveguides And Cavities

느린 빛은보기의 기본 시점에서하고 실용적인 응용 프로그램을위한 상당한 잠재력이 모두에 큰 관심을 생성, 지난 10 년 동안 포토닉스 커뮤니티에서 뜨거운 주제 중 하나입니다. 느린 빛을 광자 크리스탈 waveguides는 특히 주요 부분을 연주하고 성공적으로 광 신호를 1-4 지연 고용하고 있으며 모두 선형 5-7과 비선형 장치의 강화. 8-11 광자 크리스탈 충치가 느린 빛 waveguides의와 유사한 효과를 얻을 수 있지만, 밴드 폭 감소 이상. 이러한 충치는 광학 12의 실현을 위해, 높은 Q-factor/volume 비율을 제공하며, 전기적으로 13 초저 임계 레이저와 비선형 효과의 향상을 펌프. 14-16을 또한 수동 필터 17 변조기 18-19 입증 된을 매우 좁은 라인 폭, 높은 자유 스펙트럼 R을 전시낮은 에너지 소비의 엔지 및 레코드 값입니다. 이러한 흥미로운 결과를 달성하기 위해 강력한 반복적 인 제조 프로토콜 개발해야합니다. 이 논문에서 우리는 광자 크리스탈 패턴의 정의에 대해 전자 - 빔 리소그래피 직원을 고용하고 있으며 습식 및 건식 에칭 기술을 사용하여 우리의 제조 프로토콜에서 심층적 인을 살펴보십시오. 수직으로 고생하지 않는 광자 결정에서의 최적화 된 제조 레시피 결과는 비대칭와 아주 좋은 가장자리 벽 거칠기를 나타냅니다. 우리는 유사한 문제를 파악하고 제거하기 위해 촬영 할 수있는 진단 경로로 이어지는, 에칭 매개 변수와 그 장치에 미칠 수있는 해로운 효과를 다양한 결과를 논의합니다. 느린 빛 waveguides을 평가하기위한 핵심은 전송 및 그룹 인덱스 스펙트럼의 수동적 특성입니다. 다양한 방법 특히 전송 스펙트럼 20-21의 파브리 · 페로 가장자리를 해결,보고되었습니다D 간섭 기술. 여기 22-25, 우리는 푸리에 변환 분석과 스펙트럼 간섭 측정법을 결합 직접, 광대역 측정 기술을 설명합니다. 우리가 액세스 waveguides와 노출 된 광자 크리스탈을 특징 수 있기 때문에 26 우리의 방법은 그 단순성과 능력에 띄는 필요없이 온칩 간섭 구성 요소 및 설치에 대해서만 부품 및 지연 검사를 이동 필요가 없습니다, 마하 - Zehnder 간섭계로 구성되어 있습니다. 언제 특성화 광자 크리스탈 충치, 직접 캐비티 자체의 성능에 구멍 27 미치는 영향에 연결된 내부 소스 21 외부 waveguides을 포함한 기술,이를 왜곡 측정. 여기, 우리는 간 양극화 프로브 빔의 사용을하고 프로브가 비행기 -의 목적을 통해 캐비티로 연결된다 공진 산란 (RS)로 알려져 소설 및 비 관입 기법을 설명합니다. 이 기술은 먼저 demonstra했습니다테드 McCutcheon 외. (28)에 의해 추가로 Galli 외에 의해 개발. 29

제작된 시료
그림 1은 전자빔 레지스트에서 노광 및 현상된 패턴의 주사전자현미경(SEM) 이미지를 보여줍니다. 레지스트와 실리콘 기판 사이의 "깨끗한" 경계면을 통해 완전한 노광 및 현상이 이루어졌음을 알 수 있습니다. 각각 서로 다른 기본 선량을 가진 단순 반복 도형(본 실험의 경우 50 × 50 μm 정사각형)으로 구성된 선량 테스트 패턴의 노광을 통해, 이후의 박막에 적용할 정확한 선량 계수와 현상 시간을 결정합니다.
전자빔 리소그래피를 사용하여 고해상도 패턴을 생성할 때는 레지스트 막을 최대한 얇게 사용하는 것이 유리하지만, 실리콘에 패턴을 식각할 때는 가능한 한 두꺼운 막을 사용하는 것이 권장됩니다. 이러한 상충하는 조건들의 균형을 맞추는 것이 공정 레시피 최적화의 목표입니다. 본 연구에서는 약 350 nm 두께의 ZEP 520A 층이 식각 공정을 견디면서도 필요한 고해상도를 구현한다는 것을 ...

광자 크리스탈 느린 빛 waveguides와 충치의 사용하는 것은 널리 많은 서로 다른 응용 프로그램에서 포토닉스 커뮤니티에 의해 채택되었습니다. 이러한 장치의 따라서 제조 및 특성 좋은 관심입니다. 간섭 (waveguides)와 공진 산란 (충치) :이 논문은 즉 우리의 제조 기술과 두 광 특성화 방법을 설명합니다.

광자 크리스탈 느린 경 Waveguides 그리고 안의 공간의 제조 및 특성

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view ...

이 절차의 전반적인 목표는 광자 결정, 느린 광파, 가이드 또는 캐비티를 제작하고 특성화하는 것입니다. 이것은 먼저 전자빔 리소그래피를 위해 절연체 칩에 실리콘을 준비하여 칩을 ZEP five 20 a 레지스트로 세척하고 스핀 코팅함으로써 수행됩니다. 두 번째 단계는 패턴 정의를 위해 전자빔 리소그래피를 사용하고 개발을 위해 크실렌을 사용하여 광자 결정 패턴을 노출하고 개발하는 것입니다.다음으로, 반응성 이온 에칭기에서 샘플을 플라즈마 에칭하여 광자 결정 패턴을 칩의 상단 실리콘 층으로 옮깁니다. 마지막 단계는 불산에서 실리카를 에칭하여 매몰된 산화물 층을 제거하는 것입니다. 이것은 멤브레인 광자 결정 장치, 즉 실리콘 광자 결정 층의 위와 아래에 공기가 있는 장치를 만듭니다.궁극적으로, 이 장치는 샘플이 광자 결정 캐비티로 구성된 경우 간섭계 기반 저광 실험 중 광자 결정 도파관이 포함되어 있는지 광학적으로 특성화됩니다. 대신, 공명 산란 기법이 특성화를 위해 사용됩니다. 우리 작업의 목표는 광자 나노 구조에서 빛 물질 상호 작용을 연구하고 새로운 장치를 만들고 이러한 구조에서 흥미로운 개념을 탐구하는 것입니다.따라서 이 작업의 물리학에 집중하고 실제로 집중할 수 있으려면 신뢰할 수 있는 제작 프로토콜이 필요합니다. 우리는 매우 신뢰할 수 있고 편리한 실리콘 온 절연체를 기반으로 하는 프로토콜을 개발했으며, 이 프로토콜을 더 많은 사용자와 다른 연구자들이 사용할 수 있도록 함으로써 이 분야에서 더 많은 활동을 촉진하기를 희망합니다. Tory 수정 웨이브 가이드의 느린 수명의 특성화에 관해서는, 우리의 기술은 온칩 간섭계 구성 요소나 가동 부품이 필요하지 않기 때문에 단순성과 강력함이 두드러집니다.기존 방법에 비해 이 공진 산란 기술의 주요 장점은 광자 결정 공동의 특성화와 평면 외 배열을 허용한다는 것인데, 이는 일반적으로 내부 광원이 필요합니다.절연 웨이퍼의 실리콘을 1-2분 동안 아세톤의 초음파 수조에 넣어 실리콘을 청소하기 시작합니다. 그런 다음 샘플을 이소프로판올에 30초 동안 옮겨 잔류 아세톤을 제거하고 깨끗하고 건조한 질소 건을 사용하여 건조시킵니다. 다음으로, 웨이퍼를 스핀 코더에 넣고 샘플을 완전히 덮을 수 있을 만큼 충분한 CEP 5 28 포토레지스트에 피펫을 넣습니다.60초 동안 3, 200RPM으로 샘플을 회전시켜 350나노미터 두께의 필름을 생성합니다. 스핀 코더에서 웨이퍼를 제거하고 섭씨 180도의 핫 플레이트에서 10분 동안 굽습니다. 칩이 냉각되면 전자빔 리소그래피 시스템의 패턴 노출 챔버에 칩을 놓고 완전 진공에 도달하면 펌프를 뻗습니다.가속 전압을 30kV로 설정하고 시스템을 1시간 동안 평형 상태로 둡니다. 그런 다음 센티미터 제곱당 55마이크로 암페어의 면적 용량으로 샘플을 노출시킵니다. 2 나노 미터의 단계 크기를 사용합니다.샘플을 섭씨 23도의 자일렌에 넣고 45초 동안 현상합니다. 그런 다음 이소프로판올로 잔류 자일렌을 헹굽니다. 반응성 이온 에칭 챔버를 세척한 후 샘플을 로드하고 시스템을 10의 3배 미만에서 음의 6까지 펌프다운합니다.Millibar 그런 다음 100 SECM에서 Fluor와 황 헥사 플루오라이드를 1:1 비율로 흐르게 하여 챔버를 전처리하고 가스가 최소 10분 동안 흐르도록 합니다. 그런 다음 RF 전력을 20와트로 설정하고 플라즈마를 점화합니다. 약 2분 동안 샘플을 에칭하면서 챔버 압력이 5배 10에서 음의 2밀리 bar로 유지되도록 합니다.그런 다음 샘플을 제거하고 헹궈서 청소합니다. 1165에서 1-2 분 동안 초음파 교반으로 제거한 다음 아세톤과 이소프로판올을 제거합니다. 멤브레인 분리를 시작하려면 UV 민감성 감광액 micros S S 1818 G two로 시료를 스핀 코팅합니다.적절한 포토 마스크 사용. UV 마스크 정렬기를 사용하여 광자 결정 패턴 위의 레지스트 내에서 창을 정의합니다. 샘플을 약 30-45초 동안 노출시킵니다.마이크로 posit 현상액 MF 3 1 9에서 30-45 초 동안 포토 레지스트를 현상합니다. 그 후에 헹구고 이온을 제거한 물. 다음으로, 불산 1부에 샘플을 탈이온수 5부에 15분 동안 에칭합니다.에칭 후 샘플을 철저히 헹구고 탈이온수를 사용하십시오. 아세톤을 사용하여 5분 동안 또는 샘플이 깨끗해 보일 때까지 남아 있는 감광액을 제거합니다. 그런 다음 헹구고 이소프로판올을 뺀 다음 질소로 건조시킵니다.다음으로, 황산 3:1과 과산화수소의 피아나 수조에서 5분 동안 샘플을 세척합니다. 그런 다음 샘플을 탈이온수 아세톤과 이소프로판올로 헹굽니다. 마지막으로, 칩의 각 측면에 작은 흠집을 만들고 긁힌 자국을 유리 슬라이드의 가장자리로 라이닝하고 긁힌 선을 따라 절단하도록 압력을 가하여 샘플을 절단합니다.slow light photonic crystal wave guides의 투과 및 그룹 인덱스 곡선을 측정하려면 함께 제공되는 프로토콜에 자세히 설명된 대로 여기에 표시된 모의 zender 간섭계 검출 시스템을 설정합니다. 다음으로, 칩을 제자리에 삽입하고 빈 능선 도파관에 광을 결합합니다. 기준 암 길이가 샘플 암보다 짧아질 때까지 지연 스테이지를 조정합니다.지연 단계를 계속 조정하고 광 스펙트럼 분석기의 연속 스킨을 통해 전송된 전력을 관찰합니다. 10나노미터 파장 범위에서 4개에서 10개의 줄무늬가 관찰될 때까지 조정합니다. 조정이 완료되면 측정 내내 지연선을 고정된 상태로 유지하십시오.다음으로, 0.05 - 0.1 나노미터의 해상도를 사용하여 광 스펙트럼 분석기에서 블랭크 웨이브 가이드를 세 번 스캔하여 설정을 보정합니다. 간섭 스펙트럼에 대한 한 번의 스캔과 두 암 각각에 대한 한 번의 스캔을 개별적으로 수행합니다. 측정된 각 스펙트럼을 기록합니다.그런 다음 칩의 각 광자 결정 도파관에 대해 동일한 세 개의 스캔을 실행합니다. 마지막으로, photonic crystal wave guide의 샘플 스펙트럼을 blank wave guide의 샘플 스펙트럼으로 정규화하여 투과 곡선을 계산합니다. 또한 프로토콜에 설명된 대로 간섭 스펙트럼에서 그룹 인덱스 곡선을 계산합니다.먼저 차동 구동 XY, Z 마이크로 블록에서 편광판 축에 대해 45도 방향으로 샘플을 수직으로 장착하고 샘플에 초점이 맞춰지고 증폭된 자연 방출원을 사용하여 카메라에서 캐비티를 볼 수 있도록 마이크로 블록을 조정합니다. 빔을 캐비티의 중심에 정렬합니다. 다음으로, 중간 해상도의 부하로 광범위한 스캔을 시작합니다.캐비티 피크를 식별하려면 증폭된 자발적 방출 스캔에서 플러스 또는 마이너스 1나노미터의 정확도로 공진의 경로 파장을 얻습니다. 캐비티 피크가 확인되면 조정 가능한 레이저 소스를 마이크로 와트 수준으로 감쇠하여 고해상도 스캔을 수행합니다. 이전에 발견된 공진 파장을 중심으로 하는 2나노미터 범위에 대해 1피코미터의 해상도로 스캔합니다.마이크로 블록의 XY, Z 위치를 변경하고 신호 대 잡음비가 최대화되고 선 모양이 여기에 표시된 lian의 모양에 가까워질 때까지 스캔을 다시 실행합니다. 반응성 이온 에칭 시스템을 사용한 성공적인 에칭은 수직 측벽이 있고 실리콘의 어느 한 표면에서 구멍이 넓어지지 않은 샘플을 생성합니다. 압력, 전력 및 시간 설정은 모두 이상적인 구조 생성을 위해 최적화되었습니다.반응성 이온 에칭 압력이 최적 이상일 때 압력의 증가로 인해 광자 결정 벽에 각도가 발생합니다. RF 전력의 증가는 또한 오른쪽에 표시된 광자 결정 구멍의 확장과 같은 결정의 불규칙성을 유발할 수 있습니다. 노출 시간이 너무 길면 포토레지스트의 파괴로 인해 여러 가지 효과가 발생하여 포토닉 크리스탈 홀과 각진 측벽이 넓어집니다.블랭크 도파관은 전체 파장 범위에 걸쳐 균일하게 분포된 무늬를 생성합니다. 블랭크를 80마이크로미터 길이의 엔지니어링 저광 포토닉 크리스탈 웨이브 가이드로 교체하면 1, 575나노미터 이상의 파장에서 무늬가 더 조밀해지며, 이는 빠른 광에서 저광 영역으로의 전환을 표시합니다. 이 방법은 80 마이크로미터 길이의 파동 가이드에 대해 과도한 100, 300 마이크로미터 길이의 가이드에 대해 거의 90으로 측정된 그룹 인덱스를 제공합니다.T Noble 레이저 소스를 사용한 고해상도 스캔은 약 1, 562나노미터의 파장에서 43, 855의 정확한 Q 인자 분석을 위한 Lian 선 모양을 이상적으로 생성합니다. 방금 설명한 프로토콜은 1550나노미터의 중요한 통신 파장 범위에서 광자 결정 웨이브 가이드 및 캐비티에 최적화되었습니다. 분명히, 우리는 똑같이 까다로운 다른 유형의 도파관을 만들 수도 있습니다.우리는 또한 다른 파장에서 그것을 할 수 있으며, 이 모든 세부 사항을 커뮤니티에 제공함으로써 다른 사람들도 다른 재료와 다른 응용 프로그램에서 이것을 시도하도록 영감을 받기를 바랍니다. 스펙트럼 간섭계(spectral interferometry) 및 포어 변환(foer transform) 분석을 기반으로 하는 당사의 측정 기법을 사용하면 매우 간단한 광학 설정으로 100이 넘는 그룹 지수를 측정할 수 있습니다. 캐비티 특성화 기술을 사용하면 공진 MOS의 품질 계수 결정과 같은 광자 결정 나노 캐비티의 스펙트럼 특성을 빠르고 간단하며 방해가 되지 않는 특성화를 수행할 수 있습니다.

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Research

연구

JoVE Journal

Engineering

공학

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