Name: DNA 종이 접기 분석 및 실험에 대한 운모와 실리콘 기판의 제조 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-07-23T14:00:00.000+00:00
Duration: 12 min 3 s
Description: 배우세요 DNA 오리가미 실험을 위한 운모와 실리콘 산화물 기판의 재현 가능한 세척 및 기능화 방법. RCA 세척과 마그네슘 이온 처리를 통해 고품질 나노구조를 제작하는 기술을 익히세요.

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저자는 AFM을 사용해 준 Gary Bernstein 박사에게 감사를 표합니다.

1. 실험 계획 및 자재 준비 <ol><li> 실험에 사용되는 DNA 접기의 디자인, 농도, 및 기능을 결정한다. 14-16 여기서는 ㎎ / 2 + 용액 (40 mM 트리스 염기, 20mM의 ​​1X TAE 제조 DNA 접기 직사각형 디자인을 사용 아세트산, 2 mM의 EDTA, 12 mM의 아세트산 마그네슘, pH를 8.0). 17 </li><li> 모든 팁, 튜브, 용기를 압력솥하는 데 사용합니다. 이 자료는 호환되는 모든 오토 클레이브해야합니다. </li><li> 세척을 위해 멸균 물 공급을 준비합니다. 18 MΩ X 센티미터의 물을 약 500 ml의 멸균 항아리 채우기, 열판에 장소, 오프 캡으로 5 분간 끓여하고, 핫 플레이트 떨어져 병을 용기에 배치하지만 강화하지 뚜껑 식지 . 냉장고에 보관하고 새로운 공급을 매월 또는 필요한 경우를 준비합니다. </li></ol> 2. 운모 기판을 준비 <ol><li> 적당한 크기로 잘라 기판 (가위로 1cm X 1cm 사각형). 운모는 얇고 깨지기 쉽다. 또한, 절단이 필요하지 않습니다 디스크 형태의 운모를 구입할 수 있습니다. </li><li> 양면 테이프를 사용 운모 쪼개짐. 양면 테이프에 부착 할 때 운모 이온을 인터로 분리 광물의 층으로 구성되고, 각 층이 박리 될 수있다. (18) <ol><li> 확인이이 테이프에 단단히 부착하고, 테이프 디스펜서에 여전히 양면 테이프에 운모 사각형을 배치합니다. 조심스럽게 운모 테이프 사이의 핀셋을 밀어 최상위 층을 제거하고 테이프에 유지됩니다. 즉시 제거 후, ​​운모 광장 깨끗한면이 아래로 향하게해야합니다. 용기에 보관하기 전에 운모를 뒤집어해야합니다. </li><li> 가장 상위 계층과 적절한 청소의 완전한 제거를 보장하기 위해 3-4 번 반복합니다. </li></ol></li><li> 또한, 양면 테이프의 조각으로 컨테이너 또는 테이블 상단에 운모를 준수하고 두 번째 조각의에를 사용틱 및 최상위 운모 층을 벗겨. 다른 방법은 DNA를 증착 및 세정 의한 지원 제 밀착성 어려운 샘플을 건조하게되지만 운모 적절히, 두 경우 모두에서 세정한다. </li></ol> 운모 3. 입금 DNA 종이 접기 <ol><li> 간단히, 솔루션 나노 구조의 분산도 보장하기 위해 와류 믹서를 사용하여 DNA 종이 접기의 병을 섞는다. </li><li> 피펫 피펫 팁이 기판에 닿지 않도록 보장 운모 위에 솔루션의 4 μL. 적절한 범위를 보장하기 위해 약 10 분 동안 운모의 DNA 종이 접기를 남겨주세요. 증착 시간은 원하는 커버리지뿐만 아니라 사용되는 DNA 접기의 농도 (도 2 및 3)에 따라 달라질 것이다. <ol><li> 싱크 또는 다른 액체 용기를 통해 멸균 수 100 ㎕를 사용하여 운모 기판의 오프 DNA 종이 접기 솔루션을 씻어. 핀셋을 사용하여 운모를 선택합니다. 에 물을 피펫기판, 핀셋의 끝을 향해 강하의 흐름. 여분의 물을 제거하기 위해 날카로운 움직임 아래로 운모를 흔들어. 물이 샘플의 오염을 피하기 위하여 핀셋을 향하여 흐를 수 있도록 직립 핀셋을 잡아. </li></ol></li><li> 1 분 동안 질소를 일정하게 (N 2)와 기판을 건조. 물기가 제거되어 있는지 확인합니다. 멸균의 추가 100 μL와 린스를 반복합니다. 추가로 3 분 동안 N 2 기판을 건조시킨다. 완전히 건조 기판 성공적인 원자력 현미경 (AFM) 분석 (도 4)에 필요하다. </li><li> 밀폐 용기에 AFM 또는 저장소를 사용하여 기판을 분석한다. </li></ol> / 실리콘 청소 셋업 4. CMOS <ol><li> 주의 : CMOS 설정을 사용하는 경우, 항상 개인 보호 장비를 사용합니다. 시약은 강산, 강염기, 불화 수소산 (HF) 및 CA 강한 산화제를 포함시약이 제대로 처리되지 않을 경우 N 폐 용매와 반응. 다음 안전주의 사항을 준수 : <ol><li> 다른 프로세스 나 셋업과 화학 후드 하우스 CMOS 벤치. </li><li> CMOS 벤치를 사용할 때 니트릴 장갑, 실험실 코트, 안전 고글, 큰 산업 니트릴 장갑, 유출 앞치마, 그리고 항상 얼굴 가리개를 착용 할 것. </li><li> 솔루션이 준비 될 때 보조 봉쇄와 같은 플라스틱 통을 사용합니다. </li><li> 농축 된 HF 처리를위한 불활성 불소계 고분자 측정 비커를 사용합니다. </li><li> 어떤 피부 노출에 대한 응급 처치 칼슘 글루코 네이트 연고를 사용할 수 있도록. </li><li> 적절히 훈련 된 사람 만이 프로세스를 수행 할 수있다. </li><li> 항상 랩의 또 다른 멤버가 비상시에 존재 확인. </li><li> 후드에 모든 화학 물질에 대한 물질 안전 보건 자료의 정보를 유지합니다. </li><li> 기관의 또는 회사의 화학 물질 유출 및 노출 정책에 익숙합니다. 참고 : HF 쉽게 피부를 침투노출이 발생하는 경우 뼈와 신경 손상에 영향을 미치는, 칼슘 소제이다. 농축 불화 수소산 몇 밀리리터 피부 노출 위험조차 치명적일 수있다. 발생하지 않습니다 노출을 보장하기 위해 필요한주의 사항을 설정합니다. </li></ol></li><li> 별도의 핫 플레이트에 별도의 250 mL 유리 비커에 RCA1과 RCA2을 수행합니다. 각 비커는 교반 막대를 포함해야합니다. 교반 막대는 전구에 쾅하지 않도록 고정 온도계를 사용하여 용액의 온도를 모니터링합니다. 증발의 영향을 감소하기 위해 시계 접시를 사용하여 비이커 커버. </li><li> RCA1 준비 <ol><li> 측정 비커를 사용하여 지정된 RCA1 비이커에 18 MΩ X 센티미터에 50 ml의 물을 넣습니다. </li><li> 비커에 진한 수산화 암모늄 15 ㎖ (NH 4 OH)를 추가한다. 물 25 mL를 측정 비커를 씻어 RCA1 비커에 세정 수를 추가합니다. </li><li> 열판에 열 교반기를 켜고 70 ° C에 RCA1 목욕을 가지고. </lI&gt; <li> RCA1 비이커에 30 % 과산화수소 (H 2 O 2)의 15 ㎖의 추가. H 2 O 2 후 1 시간 이내에 RCA1 솔루션을 사용하는 추가되었습니다. 과산화수소 15 ㎖를 목욕마다 첨가하면 조 사흘의 범위 내에서 여러 번 사용될 수있다. </li><li> 물로 측정 비커를 씻어 적절한 RCA1 폐기물 병에 린스를 폐기합니다. </li></ol></li><li> RCA2 준비 <ol><li> 철저하게 세척 측정 비커를 사용하여 지정된 RCA2 비커에 18 MΩ X 센티미터 물 70 ML을 추가합니다. </li><li> 진한 염산 (HCL)의 15 ML을 추가합니다. 물 20ml와 측정 비커를 씻어 RCA2 비커에 추가합니다. </li><li> 열을 증가시키고 용액을 70 ° C에 도달 할 때까지의 속도를 열판 교반한다. </li><li> 30 % H 2 O 2의 15 ML을 추가합니다. RCA1 목욕과 마찬가지로, H 2 O 2가 추가 될 때부터 1 시간 내에서이 솔루션을 사용한다; 또한, 욕조H 2 O (2)의 15 ㎖를 각각 사용 전에 첨가하면 사흘 기간 내에 여러 번 재사용 될 수있다. </li></ol></li><li> HF 용액 준비 <ol><li> 불활성 불소 중합체 비커에 물 50 ㎖를 놓습니다. </li><li> 측정 4 플라스틱 측정 비이커에서 농축 불화 수소산 (49 %)의 용액 및 불활성 불소계 고분자 비이커에 추가. </li><li> HF 비이커에 린스 물을 첨가, 50 ml의 물 개의 비이커 측정 플라스틱을 헹군다. 물로 측정 비커를 씻어 내고 지정된 HF 폐기물 용기의 세척을 버린다. </li></ol></li></ol> 5. 준비 및 실리콘 기판을 세정 <ol><li> 칩으로 실리콘 웨이퍼를 절단 <ol><li> 실리콘 웨이퍼의 연마면에 평평한 수직 격자와 평행 한 방향을 식별한다. 이러한 방향은 절단 사각형 더욱 쉽게하기 위해 사용된다. 다음은 cleav에 관련된실리콘 &lt;110&gt; 보내고과 것은 다른 결정 방위에 적합하지 않을 수 있습니다. </li><li> 이러한 냅킨 같은 부드러운 표면에 실리콘 웨이퍼 연마 측 업을 놓습니다. 다이아몬드 팁 스크라이브 펜, 기본 평면 가장자리를 따라 웨이퍼의 부드럽게 닉 바닥을 사용. 닉 아래, 같은 클립 같이 작은 와이어를 놓고 부드럽게 닉의 양쪽에 손가락이나 핀셋을 배치하고 아래로 밀어 웨이퍼에 압력을 적용합니다. 이렇게하면 자연의 절단 방향의 결정 격자 선을 따라 두 부분으로 웨이퍼를 분리합니다. </li><li> 다른 냅킨, 연필 및 통치자로, 상단과 냅킨의 하단 모두에 점을 표시하여 사각형의 원하는 폭을 측정한다. 직선이 점을 연결합니다. 이것은 심지어 정사각형 모양에 대한 가이드 라인이 될 것입니다. </li><li> 장소 웨이퍼의 한 라인에 플러시 냅킨에 측정 선 사이에 에지 최초의 반 단계 5.1.2에서 갓 PIEC 수직 고장을 반복ES는 이제 절단 사각형의 폭이어야한다. 냅킨에 수평으로 웨이퍼를 돌립니다. 수직 라인 사이를 놓고 단계 5.1.2의 과정을 반복한다. </li><li> 긁힘 방지하기 위해 탈 이온수로 가득 깨끗한 유리 병에 갓 절단 웨이퍼 칩을 저장합니다. 실리콘 칩은 무한정 저장 될 수 있지만, 실험을 시작하기 전에 세척되어야한다. </li></ol></li><li> 실리콘의 CMOS 청소 <ol><li> RCA1 용액이 적절한 온도에 도달하면. 산소 기포가 칩 및 비이커 벽에 형성된다.이 &quot;직경 불활성 불소계 고분자 바구니를 사용하여 용액에서 열 1cm X 1cm 실리콘 칩 여덟 잠수함 NO이면 버블 링은 2 O 2가 저하 H, 발생합니다. 서로 붙지 칩을 유지하기 위해 아래로 몇 분 간격으로 10 ~ 20 분 동안 용액에 칩을 남겨 바구니를 교반합니다. </li><li> 최대 실리콘 칩이 들어있는 바구니를 들고 잘 배수. T를 통해 바구니를 이동및 폐기물 비커 O를 18 MΩ X의 형상 물로 깨끗이 헹군다. 세척 비커에 담그고까지 흔들 리기 아래로 20 초 동안. 바구니 배수 및 폐기물 비커에 걸쳐 물로 깨끗이 헹군다. RCA1 지정 폐기물로 폐기 병 비이커를 비우고 물로 리필. </li><li> RCA1 세정이 완료된 후 10 ~ 20 초 동안 1시 50분 HF 비이커에 바구니를 배치했다. 칩 및 HF를 섞어 부드러운 상하 움직임을 사용합니다. HF가 완전히 떨어져 배출 할 수 있도록 덩크 양동이를 들어 올립니다. 참고 :이 칩의 표면은 소수성한다 물이 칩 젖은, 대신 높은 접촉 각도 방울을 형성하지 않습니다. 이것은 실리콘 산화물 에칭되었고 칩은 현재의 Si-H 결합에 의해 종료되는 것을 나타낸다. </li><li> 세척 비커를 놓고 플라스틱 욕조에 비커를 씻어, 린스 비커 위에 바구니를 이동하고 18 MΩ X 센티미터의 물로 씻어. 세척 비커에 바구니 잠수함 20 초 동안 교반. </li><li> 두 번째 드레인과 rins를 완료18 MΩ X 센티미터 물 E주기. 린스 비이커에 세척수를 버리고 물로 세척 비이커 리필. 지정된 플라스틱 HF 폐기물 병에 모든 폐기물을 따르십시오. </li><li> RCA2 용액이 적절한 온도에 도달되면 상기 바스켓을 사용하여 용액에 실리콘 칩 잠수함. 10 ~ 20 분 동안 용액에 둡니다. 이 칩은 지금 인해 얇은 (1-2 ㎚) 산화막의 성장에 친수성 ​​될 것입니다. </li><li> 시간의 적절한 양 후에 제거하고 RCA1와 동일한 세척 절차를 따르십시오. 해당 RCA2 폐기물 용기에 폐기물 폐기하십시오. 플라스틱 핀셋 바구니에서 각각의 칩을 제거 물로 씻어, 질소로 바람을 불어 건조. </li><li> 플라스틱 웨이퍼 상자에 18 MΩ X 센티미터의 물을 유리 병에 보관 칩. 청소 후 약 3 일 동안 물에 저장 될 때 실리콘 깨끗한 유지됩니다. 작업 영역이 제대로 정리되어 있고 CMOS 장갑의 외부를 세척되어 있는지 확인합니다. CM을 남겨주세요후드 OS 장갑 건조. </li></ol></li></ol> APTES 기능화 실리콘 6. 입금 DNA 종이 접기 <ol><li> 실리콘에 자기 조립 단분자막 형성 <ol><li> 열기 전에 실온으로 따뜻한 APTES. 병이 너무 차가운 경우, 응축 보관시 APTES의 가수 분해를 일으키는 원인이 될 수 있습니다. 18 MΩ X 센티미터 물 1,980 μL와 혼합하는 깨끗한 섬광 유리 병 및 소용돌이에 APTES의 20 μl를 추가합니다. 바로이 솔루션을 사용합니다. </li><li> , 섬광 유리 병에 청소 실리콘 칩 반사 측 업을 놓고 그것을 캡, 20 분 동안 앉아 보자. 핀셋을 사용하여 칩을 제거하고 200 물 μL 및 N 2의 흐름과 함께 1 분 동안 건조 씻어. </li></ol></li><li> APTES 기능화 실리콘에 DNA 종이 접기를 입금 주 : 기능화 실리콘에 DNA 종이 접기를 증착하는 단계는 운모에 증착하는 것과 유사합니다. <ol><li> 간단히 DNA 종이 접기 유리 병 및 피펫에게 솔루션의 4 μL를 혼합실리콘 기판 상. 필요한 경우, 관능 규소 운모 기판보다 더 소수성이기 때문에, 전체 기판을 커버하도록 사용되는 DNA 접기 용액의 부피를 증가시킨다. 다운 증착 용액을 누르는지 장기간 동안 증발 증착을 방지하기 위해 유리 커버 슬립을 사용한다. </li><li> 용액의 농도는 사용하기 위해 필요한 시간의 양은 원하는 적용 범위에 대해 스탠드 (표면에 따르면 시간과 농도의 효과를도 2 및도 3 참조)를 보자. 멸균 18 MΩ X 센티미터 물 100 ㎕로 기판을 세척하여 1 분 동안 N 2와 건조. </li><li> 멸균의 추가 100 μL로 세정을 반복하고 3 분 동안 N 2 기판을 건조. </li><li> 추가 실험 또는 이미징을 수행 할 수있을 때까지 깨끗한 용기에 샘플을 저장합니다. 샘플은 어떻게 무에 따라 스토리지의 약 1-2주 후 입자의 축적을 보여주기 시작채널 그들은 처리됩니다. </li></ol></li></ol> 7. AFM 이미징 및 DNA 종이 접기 샘플의 이미지 분석 <ol><li> 영상을 위해 공기 모드를 누르면에서 AFM을 사용합니다. 탭핑 모드하면 최소한의 힘은 접촉 모드에 비해 약해 나노 구조물에 적용되는 것을 보장한다. 참고 : 영상 매개 변수는 악기에 의존 할 것이다. 제시된 모든 이미지는 멀티 모드 나노 스코프 스코프 IIIa를 사용하여 캡처했다. </li><li> 골드 반사 코팅 공기 모드를 눌러 비접촉 선택 AFM 프로브 / 300 kHz의 ~의 공진 주파수 (공칭), 40 N / M 및 팁 반경 &lt;10 나노 미터의 일정한 힘. </li><li> 공정 및 나노 스코프 분석 소프트웨어를 사용하여 AFM 이미지를 분석한다. ImageJ에를 사용하여 커버리지 계산을 수행합니다. (19) </li></ol>

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<li>Song, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Direct+Visualization+of+Transient+Thermal+Response+of+a+DNA%5BTitle%5D)+AND+%22Origami.+J.+Am.+Chem.+Soc%22%5BJournal%5D)">Direct Visualization of Transient Thermal Response of a DNA.</a> Origami. J. Am. Chem. Soc. 134, 9844(2012).</li>
<li>Wei, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mapping+the+thermal+behavior+of+DNA+origami+nanostructures%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Am.+Chem.+Soc%22%5BJournal%5D)">Mapping the thermal behavior of DNA origami nanostructures.</a> J. Am. Chem. Soc. 135 (16), 6165-6176 (2013).</li>
<li>Hyojeong Kim,, et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Stability+of+DNA+Origami+Nanostructures+under+Diverse+Chemical+Environments%5BTitle%5D)+AND+%22Chem.+Mater%22%5BJournal%5D)">Stability of DNA Origami Nanostructures under Diverse Chemical Environments.</a> Chem. Mater. 26, 5265-5273 (2014).</li>
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일관되고 이상적인 결과를 달성하기 위해 강조해야 할 몇 가지 단계가 있습니다. 운모 샘플 엄격한 철저한 세척을 다음과 같이 3.3 및 3.4에서와 같이, 정권 건조 개별 DNA 접기의 고품질 화상이 대표 결과 섹션에서 설명한 다양한 문제없이 AFM을 이용하여 달성 될 수 있다는 것을 보장한다. 실리콘 샘플을위한 가장 중요의 기판의 청결도이다. 철저 꼼꼼하게 단계 5.2에서 설명한 세정 절차에 따라 적절하게 세정하는 것은 실리콘 산화막의 표면이 달성되도록 보장 할 것이다. 또한, 품질​​과 과산화수소, 불산과 같은 화학 약품 APTES의 유효성을 모니터링하는 과정을 원활하게 실행되도록한다. 설명 된 기술들은 APTES의 수용액에 한정되지 않는다. APTES와 trimethylaminopropyltrimethoxysilyl 클로라이드 (TMAC)의 혼합 단층은 우리를 할 수 있습니다조정에 ED 실리콘 표면 전하 및 변수의 DNA 종이 접기 접착력을 촉진한다. 11</su...

먼저 2006 년에 도입 된 DNA 종이 접기의 DNA 올리고 뉴클레오티드의 자기 조립 특성이 설계 가능한 높은 순서 나노 구조를 제조 사용합니다. 구조의 무수한가보고되고있다 1, 웃는 3 차원 상자를 래치하는면에 이르기까지. 2 DNA 종이 접기가 작용 될 수있다 다양한 생체 분자 및 나노 구조와 나노 전자, 의학, 양자 컴퓨팅 연구의 응용 프로그램에 상승을 제공합니다. (3) 그러나, 분석 및 많은 미래의 응용 프로그램뿐만 아니라 구조 설계에 따라, 또한 표면에 DNA 종이 접기 나노 구조의 접착에 있습니다. 운모 관능 규소 산화물 :이 논문에 설명 된 방법은 기판의 두 종류의 DNA 접기 샘플의 제조와 관련된. 이 0.02 nm의 나노 ± 0.37의 층 높이로, 원자 평면이기 때문에 운모는 DNA 종이 접기 연구에 대한 선택의 기판이다. (4) 또한 EAS입니다ILY 샘플 준비 및 원자 힘 현미경 (AFM) 연구는 간단하게 정리. 백운모 각 벽개면 칼륨의 높은 밀도를 포함하고 있지만, 이러한 경우에 물에 이온은 운모 표면에서 멀리 확산. 운모 기판에 DNA 접기의 결합을 중재하는, 마그네슘 2+ 운모 음전하 리버스 정전 기판 (도 1A)에 DNA 포스페이트 골격에 결합하는 데 사용된다. 어닐링 된 DNA의 5 혼합물 대형의 존재하에 마그네슘 2+로 끝나는 표면에 DNA 종이 접기의 부착이 단일 가닥 올리고 뉴클레오티드 (주식 가닥)의 접착력보다 훨씬 강력하기 때문에 주식 가닥의 과잉은 운모에 높은 범위와 좋은 이미지를 제공합니다. 니켈 2+ 2+ 및 Co를 포함하는 다른 양으로 하전 된 이온은 운모에 DNA의 접착력을 제어하기 위해 사용될 수있다. 6,7 adhE 유전자를 매개 할 수있는 용액과 일가 가의 양이온의 농도를 변화DNA 종이 접기의 시온과 표면 확산 속도. 8 그러나, 운모 기판을 준비하고 증착하고 종이 접기를 세정에 대한 프로토콜은 종종 명시 적으로 명확한 프로토콜없이 출판 원고에. 9 설명되지는 재생 가능한 결과를 얻기 어려울 수 있습니다. 운모는 절연체이므로 일부 나노 전자 응용을위한 기판으로서 적합하지 않다. 얇은 자연 산화물과 패시베이션 실리콘 입 / 출력 구조 및 지형지 물을 생성하기에 앞서 무료 금속 산화물 반도체 (CMOS) 공정과의 호환성을 포함한 바람직한 전기적 성질을 갖는다. 공기에 저장된 실리콘 웨이퍼는 두꺼운 열 산화물 또는 높은 입자 개수와 비교적 더러운 얇은 자연 산화막 중 하나와 비활성화된다. 산화 규소 운모보다 훨씬 더 낮은 표면 전하 밀도를 가지며, 전하 밀도는 산화물 준비 및 이력에 크게 의존한다. 마그네슘에 이온 농도는 ABO150 mm로했습니다, 좋은 커버리지 (최대 4 / μm의 2) 직사각형의 DNA 종이 접기의 산소 플라즈마 처리 된 실리콘 기판에 달성 될 수있다; 그러나,이 농도 범위는 사용되는 크기와 나노 구조물의 설계에 따라 달라질 수있다. (10)를 대체 프로토콜을 표면 전하를 튜닝하기에 3- 아미노 프로필 트리에 톡시 실란 (APTES) (도 1b)의 양이온 성 자기 조립 단분자막을 첨부하는 것 산화물. APTES에 일차 아민을 기판의 전하 및 소수성을 수정 9 이하 pH 값에서 양성자 화 될 수있다. APTES의 완전한 단층 11 성공적으로 증착되는, 실리콘 적절 아메리카 라디오 공사 (RCA) 프로토콜을 사용하여 청소해야 . 이러한 프로토콜은 유기 잔류 물 및 입자 오염물을 제거 수산화 암모늄과 과산화수소 용액 (RCA1)의 치료를 포함한다. 수성 플루오르 화 수소산 용액에 짧은 에칭과 함께 자연 산화물 층을 제거산화물을 준수 어떤 이온 성 오염 물질. 마지막으로, 샘플은 얇고 균일 한 산화물 층을 금속 이온 오염 물질을 제거하고 형성하는 염산 및 과산화수소 용액 (RCA2)에 노출되어있다. (12) 대부분의 크린룸가 사용될 수 있는지에 대한 엄격한 규칙으로, CMOS 청소 프로토콜 후드를 지정했다 이 분야에서. 일반적인 문제는 midbandgap 트랩을 생성하여 CMOS 구조의 전자 성질을 방해 할 수 나트륨과 같은 이온의 형태로 제공됩니다. (13) 이온 일반적으로 사용하는 다른 연구자에 대한 문제의 CMOS 화장실을 오염시키고 원인이 될 수 DNA 종이 접기 준비 및 증착 버퍼에 사용 클린 룸. 이러한 이유로, 우리 그룹은 벤치 청소 &#39;더러운&#39;의 CMOS DNA 종이 접기 연구에 사용되는 작은 샘플 용으로 배열 사용합니다. 이 프로세스는 기존의 클린 룸 셋업에 좋은 대안이며, 클린 룸의 CMOS 벤치에 액세스 할 수없는 실험실에 적합 할 수있다.

<table><tbody><tr><td>에펜도르프 epT.I.P.S. 재장전, 용량 2-200&nbsp; &뮤; </td><td>l VWR International, LLC</td><td>22491733</td><td>96개의 팁이 담긴 10개의 재장전 트레이</td></tr><tr><td>Microcentrifuge Tubes, Polypropylene</td><td>VWR International, LLC</td><td>87003-290</td><td>0.65 ml, natural</td></tr><tr><td>Research Plus Pippete - 단일 채널 - 20-200&nbsp; &뮤; 엘</td><td>A. Daigger & 회사, Inc.</td><td>EF8960F-3120000054 각각</td><td>조절 가능한 볼륨</td></tr><tr><td>연구 플러스 피펫 - 단일 채널 - 2-20&nbsp; &뮤; 엘</td><td>A. Daigger & 회사, Inc.</td><td>EF8960D-3120000038 각</td><td>조절 가능한 볼륨</td></tr><tr><td>스카치 237 영구 양면 테이프</td><td>Office Depot, Inc.</td><td>602710</td><td>3/4" x 300", 2개 팩</td></tr><tr><td>Vortex 믹서</td><td>Thermo Scientific</td><td>M37610-33Q</td><td></td></tr><tr><td>웨이퍼 컨테이너 싱글, 2" (50 mm), 60 mm x 11&nbsp; mm</td><td>전자 현미경 과학</td><td>64917-2</td><td>6개/팩</td></tr><tr><td>6" 웨이퍼, P-타입, < 100> 방향, 기본 평면</td><td>Nova Electronic Materials, Ltd.</td> 포함<td></td><td></td>GC49266</tr><tr><td>무분유 니트릴 검사 장갑</td><td>VWR International, LLC</td><td>82062-428</td><td>카탈로그 번호는</td></tr><tr><td>Au 반사 코팅이 된 대형 고정밀 비접촉 프로브</td>입니다<td>.</td><td>HA_NC/15</td><td></td></tr><tr><td>오토클레이브 팬</td><td>A. Daigger & 회사, Inc.</td><td>NAL692-5000 EF25341C</td><td></td></tr><tr><td>Sol-Vex II 공격적인 장갑, 크기: 9-9.5; 15 mil, 13 인치 - 1 dz</td><td>Spectrum Chemical Mfg. Corp.</td><td>106-15055</td><td>사용하기 전에 물로 헹구고 장갑에 거품이 생기지 않을 때까지 함께 문지릅니다.</td></tr><tr><td>핀셋 PTFE 200 mm Square</td><td>Dynalon Corp.</td><td>316504-0002</td><td></td></tr><tr><td>Muscovite Mica Sheets V-5 Quality</td><td>Electron Microscopy Sciences</td><td>71850-01</td><td>10개당</td></tr><tr><td>팩 Mica Disc, 10 mm</td><td>Ted Pella, Inc</td><td>50</td><td>Mica discs는 선택 사항입니다</td></tr>. <tr><td>Glassware용 Scriber Diamon Pen</td><td>VWR International, LLC</td><td>52865-005</td><td></td></tr><tr><td>Scintillation Vials, Borosilicate Glass, with Screw Cap - 20 ml</td><td>VWR International, LLC</td><td>66022-060</td><td>500개/케이스, 폴리프로필렌 캡 및 펄프 호일 라이너 부착</td></tr><tr><td>4 x 5인치 상단 PC-200 핫 플레이트, 120V/60Hz</td><td>Dot Scientific, Inc.</td><td>6759-200</td><td></td></tr><tr><td>직선 유리 항아리, 넓은 입</td><td>VWR International, LLC</td><td>89043-554</td><td>254 케이스, 펄프 / 비닐 라이너가 부착</td></tr><tr><td>된 캡 Standar-Grade Glass Beaker, 250 ml 용량</td><td>VWR International, LLC</td><td>173506</td><td></td></tr><tr><td>비커, PTFE</td><td>VWR International, LLC</td><td>89026-022</td><td>HF</td></tr><tr><td>얕은 형태의 시계 유리, 3 "</td><td>VWR International, LLC</td><td>66112-107</td><td>12</td></tr><tr><td>플라스틱 보관 용기</td> 사례 <td>VWR International, LLC</td><td>470195-354</td><td>보조 용기</td></tr><tr><td>범용 액체 유리 온도계</td><td>VWR International, LLC</td><td>89095-564</td><td></td></tr><tr><td>고정밀 및 초미세 핀셋</td><td>전자 현미경 과학</td><td>78310-0</td><td></td></tr><tr><td>폴리 카보네이트 안면 보호대</td><td>Fisher Scientific주식회사</td><td>18-999-4542</td><td></td></tr><tr><td>네오프렌 앞치마</td><td>피셔 사이언티픽, Inc.</td><td>19-810-609</td><td></td></tr><tr><td>칼슘 글루코네이트, Calgonate</td><td>W.W Grainger, Inc.</td><td>13W861</td><td>튜브, 25g</td></tr><tr><td>과산화수소 30% CR ACS 500ml</td><td>Fisher Scientific, Inc.</td><td>H325 500</td><td>유해하고 독성이 강한</td></tr><tr><td>3-Aminopropyltriethoxysilane</td><td>Gelest Inc.</td><td>SIA0610.0-25GM</td><td>사용하기 전에 실온으로 따뜻하게 하십시오.</td></tr><tr><td>수산화암모늄, 2.5L</td><td>Fisher Scientific, Inc.</td><td>A669-212</td><td>유해하고 독성이 있는</td></tr><tr><td>염산</td><td>Fisher Scientific, Inc.</td><td>A144-212</td><td>유해하고 독성이 있는</td></tr><tr><td>불산</td><td>Fisher Scientific, Inc.</td><td>A147-1LB</td><td>유해하고 독성이 있는</td></tr><tr><td>다중 모드 나노스코프 IIIa</td><td>Veeco Instruments, Inc.</td><td></td><td>태핑 모드가 가능한 모든 AFM은 분석에 적합합니다</td></tr><tr><td>덩크 바구니</td><td>Made in lab</td><td>Made in lab</td><td>덩크 바구니는 구멍이 뚫린 PTFE 병 바닥, PTFE 손잡이 및 모든 PTFE 나사를 사용하여 만들어졌습니다.</td></tr></tbody></table>

dna 종이 접기 분석 및 실험에 대한 운모와 실리콘 기판의 제조

Preparation of Mica and Silicon Substrates for DNA Origami Analysis and Experimentation

DNA 종이접기의 설계된 특성과 제어된 원팟 합성은 많은 분야, 특히 나노 전자 공학에서 흥미로운 기회를 제공합니다. 이러한 응용 분야 중 다수는 DNA 나노 구조와의 상호 작용 및 기판에 대한 접착을 필요로 합니다. 원자가 평평하고 쉽게 세척할 수 있는 특성으로 인해 운모는 DNA 종이접기 실험에 선택되는 기질이었습니다. 그러나 운모의 실제 적용은 반도체 기판에 비해 상대적으로 제한적입니다. 이러한 이유로 유도체화된 산화규소에 대한 DNA 종이접기 접착을 위한 간단하고 안정적이며 반복 가능한 프로세스가 여기에 제시되어 있습니다. DNA 나노 구조가 실리콘 산화물 표면에 접착되는 것을 촉진하기 위해 많은 감광제와 호환되는 수용액에서 3-아미노프로필트리에톡시실란(APTES)의 자체 조립 단층이 증착됩니다. RCA(Radio Corporation of America) 세척 공정을 사용하여 기판을 모든 유기 및 금속 오염 물질로 세척해야 하며, 평평하고 기능할 수 있는 표면을 보장하기 위해 천연 산화물 층을 에칭해야 합니다. 클린룸에는 실리콘 세척을 위한 시설이 갖춰져 있지만 DNA 종이접기 버퍼 및 용액의 많은 구성 요소는 오염 문제로 인해 허용되지 않는 경우가 많습니다. 이 원고는 클린룸을 이용할 수 없거나 클린룸 CMOS 클린 벤치의 오염을 유발할 수 있는 프로세스를 통합하려는 연구원을 위한 실험실 내 소규모 실리콘 세척을 위한 설정 및 프로토콜에 대해 설명합니다. 또한 커버리지를 조절하기 위한 변수에 대해 논의하고 일반적인 샘플 준비 문제를 인식하고 방지하는 방법에 대해 설명합니다.

두 변수는 기판 상에 DNA 접기의 범위를 지시 : 용액의 농도 및 노출 시간. 흡착 운모에 DNA 접기의 특성 및 작용 화 실리콘 산화물을 APTES 이전에보고되어있다. (13)을 증착 용액 및 운모에 최종 커버리지에서 DNA 접기의 농도 간의 관계를 농도 증가의 결과를 나타낸 표 1 및도 2에 나타내었다 증가 범위에서. 바인딩의 시간 의존성은 그림 3. 표면 범위에서 볼 수는 이전에 운모에 DNA 종이 접기의 결합 행동 수정 실리콘 산화물 표면을 정량화하는 연구 하였다. 1X TAE 버퍼에 12 mM의 마그네슘의 DNA 종이 접기는 표면에 30 분 흡수 시간 후 운모에 83.3 %, 3.1 % ± 범위를 가지고있다. APTES의 SAMs 변성 실리콘 산화물에 따르면 최대 운모에 따르면 최대 미만 60 분 후에 관찰되었다.높은 표면 적용 범위는 산화 규소 관능 APTES에 필요한 경우 더 긴 증착 시간이 필요하다. <p class="jov...

벤치탑 RCA 세척 및 산화규소 유도체화를 포함하여 DNA 종이접기 연구에 사용되는 기질에 대한 재현 가능한 세척 공정에 대해 설명합니다. 표면 준비, DNA 종이접기 증착, 건조 매개변수 및 간단한 실험 설정에 대한 프로토콜이 설명되어 있습니다.

DNA 종이 접기 분석 및 실험에 대한 운모와 실리콘 기판의 제조

The designed nature and controlled, one-pot synthesis of DNA origami provides exciting opportunities in many fields, particularly nanoelectronics. Many of ...

다음 실험의 전체적인 목표는 DNA 나노구조 실험을 위해 MICA와 기능화된 산화 실리콘이라는 두 가지 유형의 기판을 준비하는 것입니다. 두 기판에 대해 서로 다른 두 가지 방법으로 이를 수행합니다. MICA의 최상층은 양면 테이프를 사용하여 빠르고 간편한 과정으로 제거합니다.반대로, 실리콘 기판은 산화층의 식각과 금속 및 유기 오염물의 제거를 포함하는 RCA 세정을 통해 세척해야 합니다. 이를 통해 추가적인 기능화가 가능한 깨끗하고 매끄러운 실리콘 산화층이 형성됩니다. 다음으로, MICA에 마그네슘 이온을 충분히 흘려주어 양전하를 띤 표면을 생성합니다.3-아미노프로필트리에톡시실란과 같은 양전하를 띤 자기조립 단분자층의 형성을 통해 실리콘 산화물 기판 위에 유사한 표면을 생성합니다. 다음으로, 음전하를 띤 DNA와 양전하를 띤 기판 사이의 접착을 촉진하기 위해 기판을 DNA 오리가미 용액에 노출시킵니다. 표면 피복도는 기판 유형, 용액 농도 및 증착 시간과 같은 요인에 따라 달라지며, 이는 수행되는 실험에 따라 조정할 수 있습니다.이 기술의 주요 장점은 APT가 단분자층이며 실리콘 표면에 공유 결합으로 부착된다는 점입니다. 이는 ebeam 리소그래피와 분자 리프트오프(molecular liftoff)라고 불리는 기술을 통해 특정 패턴으로 증착될 수 있습니다. 일반적으로 이 방법을 처음 접하는 연구자들은 작은 기판에 필요한 독특한 조작 기술과 증착 및 드로잉 처리를 위한 적절한 프로토콜을 완성하는 데 어려움을 겪을 것입니다.기판 조작, RCA 세척 및 안전 프로토콜 단계는 텍스트로 설명하기 어렵기 때문에 이 방법의 시각적 시연이 매우 중요합니다. 이러한 필수 안전 단계의 시각적 묘사는 안전한 실험실 실습을 장려하는 데 중요합니다. 먼저, 가위로 MICA 기판을 1 cm × 1 cm 정사각형으로 잘라 기판을 준비합니다.양면테이프를 사용하여 MICA를 절단합니다. 테이프 디스펜서에 붙어 있는 양면테이프 위에 MICA 직사각형 조각을 올립니다. 핀셋을 MICA와 테이프 사이에 조심스럽게 밀어 넣어 MICA를 떼어냅니다.최상층을 제거하면 테이프에 남게 됩니다. 그 다음, 충분히 볼텍싱한 DNA origami 용액 4 µL를 마이카 위에 피펫팅하되, 피펫 팁이 기판에 닿지 않도록 주의하십시오. DNA origami를 마이카 위에 약 10분 동안 방치합니다.충분한 세척을 위해, MICA 기판 위의 DNA origami 용액을 100 µL의 멸균수로 헹구어 싱크대나 다른 액체 수거 용기에 흘려보냅니다. 이를 위해 핀셋으로 MICA를 집어 듭니다. 물방울이 핀셋 끝 방향으로 흐르도록 기판 위에 물을 피펫팅합니다.질소 기류를 일정하게 분사하여 1분 동안 기판을 건조시킵니다. 질소로 기판을 3분 더 건조시키기 전, 멸균수를 100 µL 추가하여 RIN 과정을 반복합니다. Radio Corporation of America, RCA 1 용액 조제를 위해, 메저링 비커를 사용하여 지정된 RCA 1 비커에 18 MΩ·cm 초순수 50 mL를 넣은 다음, 비커에 농축 수산화인듐 15 mL를 첨가합니다.측정 비커를 25 milliliters의 물로 헹구고, 헹굼물을 RCA one 비커에 넣습니다. 가열 장치를 켜고 핫플레이트 위에서 교반하며 RCA one 조의 온도를 70 degrees Celsius까지 올립니다. 그다음 RCA one 비커에 30%hydrogen peroxide 15 milliliters를 첨가합니다.과산화수소를 첨가한 후 1시간 이내에 RCA 1 용액을 사용하십시오. 측정 비커를 물로 충분히 헹구고, 헹굼액은 Radio Corporation of America용 적절한 RCA 1 폐액 병에 버리십시오. RCA 2 용액 제조.정확하게 표시된 메스실린더를 사용하여 지정된 RCA 2 비커에 18 MΩ·cm 초순수 70 mL를 넣습니다. 그다음, 진한 염산 15 mL를 추가합니다. 메스실린더를 물 20 mL로 헹구어 그 세척액을 RCA 2 비커에 넣습니다.용액의 온도가 70 °C에 도달할 때까지 핫플레이트의 가열 온도와 교반 속도를 높입니다. 그 후 30% 과산화수소 15 milliliters를 첨가합니다. 이는 RCA single bath 방식과 유사합니다.과산화수소를 첨가한 후 한 시간 이내에 용액을 사용하십시오. 불화수소 용액을 준비하려면, 불활성 불소 중합체 비커에 물 50 milliliters를 넣습니다. 플라스틱 측정 비커로 진한 불산 4 milliliters를 측정한 다음, 이를 불활성 불소 중합체 비커에 첨가합니다.플라스틱 계량 비커를 총 50 milliliters의 물로 헹구고, 이 헹굼물을 불화수소 비커에 넣습니다. 마지막으로, 계량 비커를 물로 깨끗이 세척한 후 세척액을 지정된 불화수소 폐기물 용기에 버립니다. 실리콘 웨이퍼의 연마면이 위로 향하게 하여 냅킨과 같은 부드러운 표면에 놓은 뒤, 실리콘 웨이퍼를 칩 형태로 절단합니다.다이아몬드 팁 스크라이브 펜을 사용하여 웨이퍼 하단의 주 평면 가장자리를 따라 살짝 흠집을 냅니다. 흠집이 난 부분 아래에 종이클립과 같은 작은 와이어를 놓은 다음, 흠집의 양쪽에 손가락이나 핀셋을 대고 연필과 자를 사용하여 다른 냅킨 위를 아래로 누르며 웨이퍼에 부드럽게 압력을 가합니다. 냅킨의 상단과 하단에 점을 표시하여 사각형의 원하는 너비를 측정합니다.웨이퍼 절반 중 하나를 냅킨의 측정선 사이에 모서리가 먼저 닿도록 놓고, 선에 밀착시킨 후 절단 과정을 반복합니다. 새로 부러진 수직 조각들의 너비는 클릿 사각형의 너비와 같아야 합니다. 웨이퍼를 냅킨 위에서 가로 방향으로 돌려 수직선 사이에 놓은 후 절단 과정을 다시 반복합니다.RCA 용액이 적절한 온도에 도달하면 1 cm x 1 cm 크기의 실리콘 칩 8~10개를 용액에 넣고 10~20분 동안 담가 둡니다. 직경 2인치의 뒤집힌 불소 수지 바스켓을 사용하여 실리콘 칩이 들어 있는 바스켓을 들어 올려 배수합니다. 그런 다음 바스켓을 폐액 비커로 옮기고 18 MΩ·cm 초순수로 충분히 헹굽니다. 세척 비커에 담근 상태에서 20초 동안 위아래로 흔들어 줍니다.바스켓의 액체를 비우고 폐액 비커 위에서 물로 충분히 헹굽니다. RCA 1 세척이 완료되면, 바스켓을 불화수소 용액이 들어 있는 비커에 10~20초 동안 담급니다. 칩과 불화수소가 섞이도록 바스켓을 위아래로 부드럽게 움직여 줍니다.그런 다음 덩크 버킷을 들어 올려 불산이 완전히 배수되도록 합니다. 세척 비커와 헹굼 비커를 플라스틱 조에 배치합니다. 바스켓을 헹굼 비커 위로 옮겨 18 mega ohm centimeter 물로 헹굽니다.바스켓을 세척 비커에 담그고 20초 동안 흔들어 줍니다. 다음으로, 18 mega ohm centimeter 물을 사용하여 두 번째 배수 및 헹굼 사이클을 완료합니다. 세척수를 헹굼 비커에 버리고 세척 비커에 물을 다시 채웁니다.RCA 2 용액이 적절한 온도에 도달하면, 바스켓을 사용하여 실리콘 칩을 용액에 담급니다. 칩을 용액에 10분에서 20분 동안 둡니다. 적절한 시간이 지난 후 칩을 꺼내고 동일한 세척 절차를 따릅니다.RCA 세척 후, 실리콘 위의 자기조립 단분자층 형성을 위해 세척된 칩을 깨끗한 바이알에 담아 고순도수 상태로 최대 3일간 보관하십시오. 깨끗한 신틸레이션 바이알에 18 MΩ·cm 초순수 1,980 µL와 APTE 20 µL를 넣고 소용돌이 모양으로 흔들어 섞어준 뒤, 해당 용액을 즉시 사용하십시오. 깨끗한 실리콘 칩의 반사면이 위로 향하게 하여 신틸레이션 바이알에 넣고 뚜껑을 닫은 후 20분 동안 그대로 둡니다.핀셋을 사용하여 칩을 제거하고 200 µL의 물로 헹군 후, 질소 가스 스트림으로 1분 동안 건조합니다. APT 테스트 기능화 실리콘 위에 DNA origami를 증착하려면, DNA origami 바이알을 가볍게 혼합하고 4 µL의 용액을 실리콘 기판 위에 피펫팅합니다. 사용한 농도와 원하는 커버리지에 필요한 시간 동안 용액을 그대로 둡니다.그다음 기판을 100 µL의 멸균된 18 MΩ·cm 초순수로 헹구고 질소 흐름으로 건조합니다. 1분 동안 100 µL의 멸균된 물로 추가로 헹구는 과정을 반복하고, 기판을 질소로 3분 동안 건조합니다. DNA origami 농도 변화에 따른 기판 피복도의 대표적인 결과가 여기에 제시되어 있습니다.농도가 증가함에 따라 MICA 기판 상의 피복률이 증가하며, MICA 및 실리콘 상의 DNA origami 피복은 초기에 높은 흡착을 보이다가 약 1시간 후에 포화 상태에 도달합니다. MICA의 퍼센트 피복률은 동일한 농도와 시간 조건의 기능화된 실리콘 시료보다 일관되게 높게 나타납니다. DNA origami 시료의 성공적인 준비를 위해서는 세척 및 건조 프로토콜이 필수적입니다.세척과 건조가 제대로 이루어지지 않으면 고밀도 시료에서 DNA origami의 용매 응집 아일랜드가 형성되거나 나노구조체 간의 브릿징 현상이 발생할 수 있습니다. Micah 기판 준비 기술을 숙달하면 20분 이내에 완료할 수 있습니다. 실리콘 시료의 경우 적절하게 수행한다면 2시간 이내에 준비가 가능합니다.전자빔 리소그래피와 분자 리프트오프를 이 공정과 통합하여 향후 실험을 위한 새로운 패턴과 소자를 제작할 수 있습니다. 불산(hydrofluoric acid)을 사용하는 작업은 매우 위험할 수 있으므로, 이 절차를 수행하는 동안 개인 보호 장구를 착용하고 글루콘산 칼슘(calcium gluconate) 응급 처치 용품을 준비하는 등 적절한 예방 조치를 취해야 함을 잊지 마십시오.

preparation-mica-silicon-substrates-for-dna-origami-analysis

Research

연구

JoVE Journal

Chemistry

화학

이 프로토콜은 실시간으로 개인 replisomes하여 DNA 복제를 시각화하기위한 간단한 단일 분자 형광 현미경 기술을 보여줍니다.

형광 현미경과 함께 머릿속으로 단일 분자의 DNA 복제

이 연구의 목적은 계층 별 nanocellulose 원 섬유의 조립 및 묽은 수성 현탁액을 조립 절연 리그닌을 사용하여 합성 식물 세포벽 조직을 형성하는 것이었다. 수정 진동자 마이크로 밸런스 및 원자 힘 현미경의 표면 측정 기술은 중합체 - 고분자 나노 복합 재료의 형성을 모니터링하는 데 사용 하였다.

Nanocellulose, 리그닌의 날조 된 자립형 필름, 및 합성 폴리 양이온 : Biomimicking 나무를 향하여

우리는 고해상도 현미경 운모지지 지질 이중층을 제조하는 방법을 제시한다. 운모는 원자 규모에서 투명하고 평면이지만, 거의 때문에 어려움을 처리하는 영상에서 사용되지; 우리의 준비는 운모 시트도 증착 결과 및 이중층의 제조에 사용되는 물질을 감소시킨다.

운모의 준비 고해상도 광학 현미경 이미징 지질 이중층 지원

DNA 타일링은 프로그래밍 가능한 나노 구조를 만드는 효과적인 접근 방식입니다. 우리는 단일 가닥 DNA 타일의 자체 조립에 의해 복잡한 2차원 모양을 구성하는 프로토콜을 설명합니다.

단일 가닥 DNA 타일에서 단지 두 차원 모양의 자기 조립 (self-assembly)

이 논문에서는 희생 기판에서 공액 미세다공성 고분자(CMP)의 계면 합성과 독립형 CMP 나노멤브레인 준비를 위한 기판의 용해에 대해 설명합니다. 또한 깨지기 쉬운 나노막이 다른 기질로 전달될 수 있는 방법을 설명합니다.

레이어로 레이어 합성 및 독립 구조로 서있는 공역 미세 다공성 고분자 Nanomembranes의 전송

문서 미래의 낮은 차원 일렉트로닉스의 개발에 대 한 표준 및 신뢰할 수 있는 제조 절차를 소개 하는 것을 목표로.

2 차원 일렉트로닉스를 조작 하는 표준 및 신뢰할 수 있는 방법

우리는 봄에는에 셀 무료 유전자 식 실험을 수행 하기 위해 사용 될 수 있는 표면에 유전자 길이 DNA 분자의 동원 정지에 대 한 간단한 석판 절차를 설명 합니다.

다단계 가닥 변위 리소 그래피를 사용 하 여 유전자의 기능 표면-동원 정지

여기, 우리는 프로토콜 nucleosome 정적 및 시간 경과 원자 힘 현미경 (AFM) 이미징 기술을 사용 하 여 단일 분자 수준에서 입자의 특성을 제시. 설명 된 표면 기능화 방법 구조의 캡처 및에 nucleosomes의 역학에 대 한 수는 nanoscale에 고해상도.

구조와 원자 힘 현미경 이미징 사용 하 여 Nucleosomes의 역학 조사

여기서, 우리는 DNA 종이 접기 모양을 안내 템플릿으로 사용하여 기판에 이산적이고 정확한 무기 나노 구조를 만드는 프로토콜을 설명합니다. 이 방법은 투명 기판 (사파이어)에 플라스모닉 골드 나비 넥타이 모양의 안테나를 만들어 입증된다.

감지 응용 을 위한 무기 구조물의 DNA 종이접기 중재기 나노patterning

이 프로토콜은 공국소화 원자력 현미경(AFM) 및 라만 측정과 결합된 DNA 종이접기 나노안테나(DONA)를 사용한 단일 분자 표면 강화 라만 산란(SERS) 측정을 보여줍니다.

플라즈몬 DNA 종이접기 나노안테나로 구현되는 단일 분자 표면 강화 라만 산란 측정

배우세요 DNA 오리가미 실험을 위한 운모와 실리콘 산화물 기판의 재현 가능한 세척 및 기능화 방법. RCA 세척과 마그네슘 이온 처리를 통해 고품질 나노구조를 제작하는 기술을 익히세요.

DNA 종이 접기 분석 및 실험에 대한 운모와 실리콘 기판의 제조

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