Name: 흐름 기반 Dielectrophoresis: 고성능 솔루션 처리 나노와이어 소자의 제조에 대 한 낮은 비용 방법 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2017-12-07T14:00:00.000+00:00
Duration: 9 min 14 s
Description: 배우세요 흐름 보조 유전영동을 이용한 나노와이어 소자의 자기조립 방법을. 실리콘 나노와이어 전계효과 트랜지스터 제작을 통해 고품질 반도체 나노와이어의 선택과 배열을 효율적으로 수행하는 기술입니다.

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저자는 재정 지원과 교수 브라이언 A. Korgel ESPRC 및 배 시스템 및이 작업에 사용 되는 실리콘 나노 와이어를 성장 하는 SFLS의 공급에 대 한 그의 그룹을 감사 하 고 싶습니다.

주의: 모든 절차 하지 않는 한 달리 명시 된 일어나는 클린 룸 환경 및 위험 평가에 안전을 보장 하기 위해 나노 와이어 및 화학 처리 하는 동안 완료 되었습니다. 나노 소재 건강 영향으로는 아직 알 수 있고 적절 한 처리 되어야 한다 그래서21돌 수 있습니다.
참고: 프로세스 DEP 연락처를 정의 하는 첫 번째 평판과 금속 증 착 단계 다음 기판의 준비로 시작 합니다. 나노 와이어 다음 DEP를 통해 조립 되 고 입금 나노 와이어 최고 연락처 추가 옵션 photolithographic 및 금속 증 착 단계를 수행할 수 있습니다. 나노와이어 트랜지스터 소자 전류-전압 특성 다음 반도체 특성화 키트를 사용 하 여 측정 됩니다.
1입니다. 기판의 준비
<ol><li>적당 한 크기, 예를 들어, 2.5 c m2으로 핑된 n 형 실리콘/실리콘 이산화 웨이퍼를 잘라.</li>
	<li>절단, 동안 웨이퍼의 위쪽 표면 하지만 진 또는 긁힌 확인 합니다.</li>
	<li>다이아몬드 선 침 한 컷을 만들기 위해 하나의 연속 동작에 표면에 걸쳐 실행 합니다.</li>
	<li>컷에 따라 웨이퍼를 분할.</li>
	<li>기판 홀더에 샘플을 놓고 5 분 이온된 물, 아세톤, 그리고 소 프로 파 놀 (IPA)에서 100% 전력 (450 W)에서 초음파 목욕, 먼저 sonicate. 주: CAS 번호 및 공급 업체 테이블의 자료 를 참조 하십시오.</li>
	<li>모든 나머지 IPA 또는 먼지 표면에서 제거 하려면 질소 총 기판 건조.</li>
	<li>플라즈마 재 100 W 5 분에 대 한 모든 나머지 유기 잔류물 제거를 산소 플라즈마에서 샘플.</li>
</ol>2. 사진 평판 Bilayer 과정 연락처
참고: bilayer 사진 평판 과정 전극을 만드는 데 사용 됩니다. 포토 리소 그래피 과정은 감광 재료의 부패를 방지 하기 위해 노란색 방에 실시 됩니다.
<ol><li>나머지 물 표면에서 제거 하는 열판을 사용 하 여 15 분 동안 150 ° C에서 샘플을 열. 참고: 이것은 감광;의 접착 되도록 그러나 HMDS와 같은 화학 뇌관도 사용할 수 있습니다.</li>
	<li>핫 플레이트에서 샘플을 제거 하 고 스핀 coater에 배치.</li>
	<li>전체 샘플은 균일 하 게 덮여 때까지 약 1 mL 감광 A의 표면에 드롭를 피 펫을 사용 하 여. 주: 사용 하는 정확한 포토 레지스트에 대 한 테이블의 자료 를 참조 하십시오.</li>
	<li>회전 45 4000 rpm에서 샘플 s, 대략 250의 필름 두께 생산 하기 위해 nm. 경우 전극은 150 보다 두꺼운 nm 입금,이 제조 법을 변경 하는.</li>
	<li>Spin coater에서 샘플을 제거 하 고 5 분 동안 150 ° C에서 열판에 배치.</li>
	<li>열판에서 샘플을 제거 하 고 샘플 50% 습도 상자에서 5 분 휴식을 두고. 이 감광 제22재입니다. 참고: 실험실의 습도 50% 보다 큰 경우, 샘플이 공기에 남아 수 있습니다.</li>
	<li>Spin coater에 다시 샘플 놓고 플라스틱 기판의 표면에 감광 B의 약 1 mL.</li>
	<li>45 3500 rpm에서 샘플을 회전 약 500의 필름 두께 주는 s nm.</li>
	<li>2 분 동안 120 ° C에서 열판에 샘플을 놓습니다.</li>
	<li>열판 및 5 분 동안 50% 습도 상자에 나머지를 두고에서 샘플을 제거 합니다.</li>
	<li>6.7에 대 한 마스크 aligner 및 UV 빛을 포토 마스크를 사용 하 여 샘플을 노출 노출의 180 mJ의 총에 대 한 s. 참고: 정확한 노출 복용량 마스크 aligner의 특정 모델에 따라 조정 해야 합니다.</li>
	<li>마스크-aligner에서 샘플을 제거 하 고 30에 대 한 감광 개발자에 그것을 immersing에 의해 개발 s. 주: 정확한 개발자에 대 한 테이블의 자료 를 참조 하십시오.</li>
	<li>개발자에서 샘플을 제거, 이온된 수로 샘플을 담가 그리고 개발 프로세스를 중지 하려면 그것을 씻어.</li>
	<li>광학 현미경을 사용 하 여 사진 평판을 확인 합니다. 편광판은 bilayer 언더컷 채널 주위 희미 한 선으로 나타납니다을 확인을 사용할 수 있습니다. 너무 많은 경우 시간을 조정할 수 있습니다 또는 두 약간 약화 이루어집니다.</li>
</ol>3입니다. 금속 접촉의 증 착
참고: 전자 빔 (전자 빔) 증 착 전극 준비 포토 레지스트에 입금 하는 데 사용 됩니다. 이 프로세스는 열 증발 또는 다른 종류의 금속 박막 증 착 기술 사용할 수도 있습니다.
<ol><li>전자 빔 챔버;에서 샘플을 배치 높은 진공에이 때까지 그것을 아래로 펌프. 이 경우에, 약 1 x 10-6 mTorr의 진공 도달 된다.</li>
	<li>2-6 nm 티타늄 접착 층의 역할의 뒤에 30 예금 DEP 연락처에 대 한 골드의 nm.</li>
	<li>전자 빔 상공에서 샘플을 제거 합니다.</li>
	<li>대부분의 포토 레지스트 및 과잉 금속을 제거 하 여 이륙 절차를 수행 합니다. 이것은 포토 레지스트 리무버 15 분의 비 커에 샘플을 배치 하 여 이루어집니다.</li>
	<li>포토 레지스트 리무버 A의 비 커에서 샘플을 제거 하 고 추가 15 분 포토 레지스트 리무버의 다른 깨끗 한 비 커에 배치. 이것은 샘플에 정착에서 어떤 큰 금속 입자를 방지입니다.</li>
	<li>Sonicating 50% 전력에서 5 분에 대 한 비 커에 의해 완전 한 이륙.</li>
	<li>목욕 한--하나, 전극 사이 정착에서 원치 않는 금속 입자를 방지 하기 위해 IPA와 자료를 씻어을 보장에서 샘플을 제거 합니다. 참고: 전극 지금 나노 와이어의 DEP 정렬에 대 한 준비가 되어있습니다.</li>
</ol>4입니다. 나노 와이어의 DEP
<ol><li>실리콘 또는 약 1 µ g/mL 농도의 anisole에 다른 나노 와이어의 솔루션을 준비 합니다. 이 실험에서 솔루션은 15 짧게 sonicated 어떤 응집 제거할 수 설정 최저 전력에서 s. 톨루엔, N, N-dimethylformamide (DMF)1등 다른 용 매를 사용할 수 있습니다.</li>
	<li>드롭 희생 기판에 나노와이어 배합의 10 µ L를 주조 하 여 솔루션을 확인 하십시오.</li>
	<li>편광된 광학 현미경 (POM)를 사용 하 여 입금된 나노 와이어로 기판을 검사 합니다. 실리콘 나노 와이어 birefringent 되며 따라서 쉽게 볼 수 있습니다 폼에. 경우 볼 수 없습니다 나노와이어 덩어리는 나노 와이어의 대부분 기판에 분산 잘 그리고 단계를 시작할 수 있습니다, 그렇지 않으면 솔루션은 다시 sonicated 나노와이어 농도 조정 해야 할 수 있습니다. 그것은 올바른 나노와이어 분산을 달성 하기 위해 몇 가지 시도 걸릴 수 있습니다.</li>
	<li>수평 정렬 장치 채널 경사 30 ° (수평선) 대에 전극 가진 준비 된 샘플 플랫폼을 배치 합니다. 분산 흐름 방향으로 더 효율적인 나노와이어 정렬 있도록 전극 가장자리에 수직 해야 합니다.</li>
	<li>주파수 발생기1에 연결 된 마이크로 프로브를 사용 하 여 전극에 문의.</li>
	<li>원하는 주파수 및 전압 주파수 발생기에는 설정 합니다. 이 실험에서 10 V 피크-피크의 DEP 신호 전압 및 1 MHz sinewave를 사용 합니다. 참고: 증가 주파수 최대 20 MHz 높은 전도도와 낮은 트랩 밀도1,2나노 와이어를 수집 도울 수 있다. 자세한 내용은 참조1 참조 하십시오. 여기에 표시 된 DEP 신호 주파수 범위 참조1에 설명 된 대로 SFLS Si 나노 와이어 임피던스 분광학 및 수집 시간 분석을 실시 하 여 얻은 했다. 다른 종류의 더 높은 또는 낮은 충전 캐리어 이동성 나노 와이어, 나노 와이어, 실수로 또는 나노 와이어 다른 성장 방법으로 얻은 결과 고품질 나노 와이어의 컬렉션에 다른 DEP 신호 주파수 범위를 가질 수 있습니다.</li>
	<li>스위치-주파수 생성기 고 장치 영역에는 micropipette를 사용 하 여 나노와이어 솔루션의 대략 10 µ L을 드롭. 참고: 각도 (30 °)에서 샘플을 배치는 액체의 중력 지원 느린 흐름을 만드는 데 도움이 됩니다. 또는, 유리 슬라이드를 사용 하 여 모 세관 작업 사용된6수 있습니다.</li>
	<li>DEP 적용 30 s와 다음 스위치-오프 주파수 생성기에 대 한 신호.</li>
	<li>샘플을 제거 하 고 매우 부드럽게 IPA로 씻어.</li>
	<li>매우 부드럽게 질소 총을 사용 하 여 샘플의 드라이 오프. 편광된 광학 현미경 샘플을 검사 하 고 매개 변수를 조정 하는 데 사용할 수 있습니다. 참고: DEP 신호 전압, 주파수, 그리고 나노와이어 분산 밀도 장치1,2당 몇 백에 몇 나노 와이어에서 나노 와이어의 재현 원하는 밀도 달성 하기 위해 조정할 수 있습니다.</li>
</ol>5입니다. 보조 금속 층의 증 착
<ol><li>NW Fet에서 향상 된 현재 분사를 달성 하는 나노와이어 위에 두 번째 금속 접촉을 적용 합니다. 참고:이 연락처 증 착 과정만 골드 레이어 입금을 제외 하 고 정확한 동일한 단계 섹션 2, 3, 사진 평판에 금속 증 착을 다음과 같습니다.</li>
</ol>6. I-v 특성화의 나노와이어 장치
참고: 샘플 지금 완료 되 고 후속 실험에서 사용할 수 있습니다 또는 나노와이어 FET 전기 속성을 설정 하 그들의 i-v 특성을 측정할 수 있다. 조작된 장치는 다시 문이 Fet도 핑된 실리콘 웨이퍼 일반적인 게이트 역할 및 SiO2 층 게이트 유 전체 역할을 한다.
<ol><li>문와 전기 접촉을 설정 하기 위해 다이아몬드 선 침을 사용 하 여 샘플의 가장자리에 실리콘 산화물의 작은 영역을 제거 합니다.</li>
	<li>모든 원치 않는 실리콘 산화물 입자를 제거 하는 질소 총을 사용 합니다.</li>
	<li>제거한 SiO2지역에 게이트 프로브 골드 소스-드레인 전극 연락처에 3 microprobes (소스, 드레인 및 게이트)를 배치 합니다.</li>
	<li>반도체 특성 분석 시스템을 사용 하 여-V 측정.</li>
	<li>게는 소자의 성능 및 나노 와이어1,,1723의 전기적 특성에 대 한 정보를 제공 NW Fet의 전송 및 출력 검사를 측정 합니다. Note 전송 측정 스테핑 소스-드레인 전압 및 연소 게이트 전압을 포함 한다. 출력 특성은 소스-드레인 전압을 공중 소탕 하 고 게이트 전압을 스텝에 의해 측정 됩니다.</li>
</ol>

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</ol>

저자는 관심의 없습니다 충돌을 확인 합니다.

성공적인 제조 및 소자의 성능을 여러 가지 요인에 따라 달라 집니다. 이러한 배합, 용 매, DEP, 주파수 및 장치 전극1에 현재 나노 와이어의 수의 제어의 선택에 나노와이어 밀도 및 유통 포함 됩니다.
반복 작업 장치 달성 중요 한 단계 중 하나는 클러스터 또는 덩어리 없이 나노와이어 정립의 준비 합니다. 정립은 DEP 덩어리의 수를 줄이기 위해 및 나노와이어 분산을 유지 하기 전에 sonicated 수 있습니다. 한번 솔루션의 밀도 만든 수 있습니다 제어 하기 어려운 경우에 특히 나노 와이어 응고 덜 빽빽한 공식으로 이어질 수 있는 것. 그러나 계면 활성 제는 더를 만드는 데 사용할 수 있는 계면 활성 제 장치 성능의 부정적인 영향을 미칠 수 있습니다 배합, 분산.
그림 2A 덩어리의 상당수와 드롭 캐스트 입금 나노 와이어의 예가...

미리 정의 된 기판 위치에 나노 입자의 제어 및 재현성 어셈블리 솔루션 처리 전자 및 광학 장치에서 반도체 또는 실시 나노 입자를 활용 하 여 주요 과제 중 하나입니다. 고성능 장치에 대 한 그것은 또한 매우 도움이 우선 크기, 그리고 특정 전자 속성을 포함 하 여, 예를 들어, 높은 전도도 및 표면 트랩의 낮은 밀도와 나노 입자를 선택할 수 있습니다. 포함 한 나노와이어, 나노튜브, 나노 성장에 있는 뜻깊은 진도도 불구 하 고 일부 유사 나노 속성은 항상 존재, 그리고 선택 단계 크게1 나노 기반 장치 성능 향상 ,2.
이 작품에서 보여준 흐름 기반 DEP 방법의 목적은 고성능 나노와이어 필드 효과 트랜지스터 금속 접촉에 제어 반도체 나노 와이어 어셈블리를 표시 하 여 위의 문제를 해결 하기. DEP의 나노와이어 장치 제조 나노 와이어, 나노 와이어의 정렬/방향 및 원하는 속성을 통해 DEP 신호 주파수 선택1나노 와이어의 선택의 위치를 포함 하 여 한 번에 여러 가지 문제를 해결 합니다. 가스 센서3, 트랜지스터1에서 배열 하는 수많은 다른 장치에 대 한 DEP를 사용 하 고 RF 스위치4,5, 분석7에 대 한 박테리아의 위치를.
DEP 전극8에서 자기 조립 나노 와이어 결과 균일 하지 않은 전기 분야의 응용을 통해 polarizable 입자의 조작 이다. 방법은 박테리아9,10 의 조작을 위해 원래 개발 되었다 하지만 이후 나노 와이어 및 나노 재료의 조작에 확장 되었습니다.
나노 입자의 DEP 솔루션 처리 크게 여러 photomasking, 이온 주입, 높은 온도14, 어 닐 링 및 에칭에 따라 전통적인 하향식 기술을 다른 반도체 장치 제작 가능 단계입니다. DEP는 이미 합성 된 나노 입자를 조작, 낮은 온도, 상향식 제조 기술11이 합니다. 이 방법은 온도 민감한, 유연한 플라스틱 기판6,,1213를 포함 하 여 거의 모든 기판에 대규모 나노와이어 장치를 수 있습니다.
이 작품에서 고성능 p-타입 실리콘 나노와이어 필드 효과 트랜지스터 흐름 기반 DEP를 사용 하 여 조작 하 고 FET 전류-전압 특성을 실시. 이 작품에 사용 된 실리콘 나노 와이어 슈퍼 액체 액체 고체 (SFLS) 방법15,16통해 성장 된다. 나노 와이어 의도적으로 첨가 되 고 길이 약 10-50 µ m 직경에서 30-40 nm 이다. SFLS 성장 방법은 매우 매력적인 이후 업계의 나노와이어 재료15확장 가능한 금액을 제공할 수 있습니다. 제안 된 나노와이어 어셈블리 방법론 InAs13, SnO23, GaN18등 다른 반도체 나노와이어 재료에 직접 적용 됩니다. 전도성 나노 와이어19 를 정렬 하 고 나노 입자 전극 간격20에 걸쳐 위치 하는 기술 또한 확장할 수 있습니다.

<table><tbody><tr><td>실리콘/이산화규소 웨이퍼, CZ 법 성장, 직경 100mm,&nbsp; 300nm 산화물 열 성장,&nbsp; n-도핑된 인</td><td>Si-Mat(실리콘 재료)</td><td>-</td><td>http://si-mat.com/</td></tr> <tr><td>아세톤(200ml)</td><td>시그마 알드리치</td><td>W332615</td><td>-</td></tr><tr><td>이소프로판올(200ml)</td><td>시그마 알드리치</td><td>W292907</td><td>-</td></tr><tr><td>탈이온수(150ml)</td><td>현장 공급</td><td>-</td><td>-</td></tr><tr><td>포토레지스트 (A) SF6 PMGI 언더 에치 포토레싯 (샘플당 약 1 ml)</td><td>Microchem&nbsp;</td><td>-</td><td>http://microchem.com/pdf/PMGI-Resists-data-sheetV-rhcedit-102206.pdf</td></tr><tr><td>포토레지스트 (B) S1805 포토레시트) (샘플당 약 1 ml)</td><td>Microchem&nbsp;</td><td>-</td><td>http://www.microchem.com/PDFs_Dow/S1800.pdf</td></tr><tr><td>포토레지스트 개발자 Microposit&nbsp; MF319&nbsp; (100ml)</td><td>마이크로켐&nbsp;</td><td>-</td><td>http://microchem.com/products/images/uploads/MF_319_Data_Sheet.pdf</td></tr><tr><td>포토레지스트 제거제 Microposit 제거제 1165 (300ml (2 baths 각 150개))Microchem</td><td>&nbsp;</td><td>-</td><td>http://micromaterialstech.com/wp-content/dow_electronic_materials/datasheets/1165_Remover.pdf</td></tr></tbody></table>

흐름 기반 dielectrophoresis: 고성능 솔루션 처리 나노와이어 소자의 제조에 대 한 낮은 비용 방법

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

흐름 기반 dielectrophoresis (DEP)는 효율적인 자기 조립 방법에서 제어 하 고 재현할 수 위치, 맞춤 및 나노 와이어의 선택 이다. DEP은 나노와이어 분석, 특성, 그리고 솔루션 기반 반도체 소자의 제조에 사용 됩니다. 방법은 금속 전극 사이 교체 전기 분야를 적용 하 여 작동 합니다. 나노와이어 배합 중력을 사용 하 여 배합의 흐름을 만드는 경사 표면에 있는 전극에 다음 삭제 됩니다. 나노 와이어 다음 그라데이션 전기 분야 그리고 액체 흐름의 방향에 따라 정렬합니다. 낮은 트랩 밀도와 우수한 전도성 나노 와이어를 선택 하는 필드의 주파수를 조정할 수 있습니다.
이 작품에서 흐름 기반 DEP 나노와이어 필드 효과 트랜지스터를 만드는 데 사용 됩니다. 흐름 기반 DEP는 여러 가지 이점이 있다: 그것은 허용 한다 나노와이어의 전기적 특성; 나노와이어 길이;의 제어 특정 지역; 나노 와이어의 배치 나노 와이어;의 방향 제어 및 제어 장치에 나노와이어 밀도 의입니다.
기술 가스 센서 및 전자 레인지 스위치와 같은 다른 많은 응용 프로그램을 확장할 수 있습니다. 기술은 효율적, 빠르고, 재현성, 이며 소설 nanomaterials의 테스트에 이상적 묽 게 한 해결책의 최소 금액을 사용 하 여. 나노와이어 소자의 웨이퍼 규모 조립 또한 얻을 수 있습니다이 기술을 사용 하 여 테스트용 샘플의 많은 수를 수 있도록 큰 지역 전자 응용 프로그램.

깨끗 한에서 bilayer 사진 평판 결과 급격히 전극 정의. 예제 (그림 1A)에서 간 digitated 손가락 구조는 10 µ m의 채널 길이 함께 사용 되었다. 이러한 구조는 DEP 힘이 적용 될 때 나노 와이어의 최대 수를 큰 영역을 수 있습니다. 그림 1B 하단 게이트 나노와이어 FET 소자의 회로도 보여준다.
잘못 된 나노와이어 분산 농도 뿐만 아니라 부족 쥡니다 그림 2A에 표시 된 나노 와이어의 캐스팅 드롭 예제와 함께 품질이 분산에 발생할 수 있습니다 및 그림 2B, 상당한 양의 나노와이어 묶습니다. 또한...

이 종이, 흐름 보조 dielectrophoresis에 대 한 설명에 자기 조립의 나노와이어 장치. 실리콘 나노와이어 필드 효과 트랜지스터의 제조는 예를 들어 표시 됩니다.

흐름 기반 Dielectrophoresis: 고성능 솔루션 처리 나노와이어 소자의 제조에 대 한 낮은 비용 방법

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...

이 절차의 전반적인 목표는 전기 전계 보조 조립 및 금속 전극 제조 및 흐름 보조 전기 영동에서 이러한 전극을 사용하여 용액 처리 가능한 나노 와이어 전계 효과 트랜지스터를 만드는 것을 포함하여 고품질 반도체 나노 와이어의 선택을 시연하는 것입니다. 이 방법은 반도체 전도성 나노 물질의 배치, 수행된 필레이션 제어 및 우수한 품질의 나노와이어의 필드 트레인과 같은 솔루션 처리 가능한 전자 장치 분야의 주요 과제 중 하나를 해결하는 데 도움이 될 수 있습니다. 이 기술의 주요 기능은 나노 물질 기반 장치의 제어 가능한 제조를 확장할 수 있는 빠르고 재현 가능한 방법이라는 것입니다. 이 방법은 나노 와이어의 정렬 및 선택에 대한 통찰력을 제공 할 수 있지만 나노 튜브, 나노 플레이크 및 블레이드와 같은 나노 물질의 정렬에도 적용 할 수 있습니다. 이 프로토콜의 대부분의 단계는 클린룸 환경에서 수행됩니다. 농도가 높은 4인치 N형 실리콘/이산화규소 웨이퍼로 시작하십시오. 다이아몬드 스크라이브를 사용하여 웨이퍼를 절단하여 적절한 크기의 샘플을 생성합니다. 윗면을 만지지 않도록 주의하십시오. 절단을 따라 웨이퍼를 분할하여 여러 샘플을 생성합니다. 이 실험의 샘플은 2.5 x 2.5cm입니다. 완료되면 샘플을 초음파 수조로 가져갑니다. 샘플을 기판 홀더에 놓고 탈이온수 비이커에 담그십시오. 비커의 샘플을 최대 전력으로 5분 동안 초음파 처리합니다. 그런 다음 샘플을 아세톤이 있는 비커로 옮기고 다시 최대 전력으로 5분 동안 초음파 처리합니다. 마지막으로, 이소프로판올이 포함된 비커에 샘플을 옮기고 최대 전력으로 5분 동안 추가로 초음파 처리합니다. 초음파 수조에서 샘플을 제거하고 질소 건으로 건조시킵니다. 다음으로, 샘플을 플라즈마 애셔로 옮겨 남아 있는 유기 잔류물을 제거합니다. 포토리소그래피의 경우 샘플을 노란색 방으로 옮깁니다. 150도의 핫플레이트가 있는 흄 찬장에서 작업

flow-assisted-dielectrophoresis-low-cost-method-for-fabrication-high

Research

연구

JoVE Journal

Engineering

공학

Dielectrophoresis (DEP)는 세포를 조작하는 효과적인 방법입니다. 인쇄 회로 기판 (PCB)은 microfluidic 장치 이내에 연락이없는 세포 조작을위한, 재사용 가능한 저렴하고 효과적인 전극을 제공할 수 있습니다. PCBs에 coverslips와 PDMS 기반 microfluidic 채널을 결합하여, 우리는 다채널 microfluidic 장치 내에서 구슬과 세포 조작과 분리를 보여줍니다.

멀티 채널 Microfluidic 장치에서 분리 비즈와 세포 Dielectrophoresis와 층류를 사용하여

우리는 제조 장치 및 탄소 나노 튜브 기반의 고주파 바이오 센서를위한 측정 프로토콜을 설명합니다. 높은 주파수 감지 기술은 근본적인 이온 (의 Debye) 선별 효과를 완화하고 기존의 전자 바이오 센서가 실패 높은 이온 강도 솔루션을 운영 할 나노 튜브 바이오 센서 수 있습니다. 우리의 기술은 점의 배려 (POC) 생리학 관련 조건에서 작동하는 전자 바이오 센서의 고유 한 플랫폼을 제공합니다.

높은 이온 강도 솔루션에 감지하기위한 탄소 나노 튜브 고주파 나노 바이오 센서의 제작

비접촉 유전 (cDEP)는 자신의 고유 유전 특성을 통해 정렬 및 입자의 농축 달성한다. 유체 전극 채널 살균 특성을 비 손상 및 생물학적 입자의 정렬에 cDEP 양복지, DEP에 대한 기존의 금속 전극을 교체합니다. 우리는 cDEP의 마이크로 디바이스를 준비하고 세포의 특성 및 정렬 실험을 수행하는 방법을 보여줍니다.

비접촉식 유전을 통해 라벨이없는 분리 및 세포의 농축

우리는 수직으로 정렬 작은 분자 유기 나노 와이어의 초고 밀도 배열을 제조하기위한 간단한 방법을보고합니다. 이 방법은 저렴 임의의 기판에 성장 할 수있는 복잡한 heterostructured 하이브리드 나노 와이어 형상의 합성 수 있습니다. 이러한 구조는 유기 전자 공학, 광전자 공학, 화학 감지, 태양 전지 및 스핀 트로닉스의 잠재적 인 응용 프로그램이 있습니다.

임의 기판에 수직으로 정렬 작은 분자 유기 나노 와이어의 초 밀도 배열

은 나노 와이어는 표면 플라즈몬 형태로 전자와 광학 정보를 동시에 전송할 수 있습니다. 이러한 공유 회로를 실현하기 위한 절차가 여기에 설명되어 있으며, 두 정보 캐리어를 전파하는 데 있어서의 한계가 평가됩니다.

전류 운반은 나노와이어의 플라즈몬 수송 평가

이 프로토콜은 30분 이내에 10μL의 전혈에서 단백질의 펨토 어금니 감지 감도를 달성하는 방법을 보여줍니다. 이는 랩온-어-디스크(lab-on-a-disc)에 통합된 전기방사 나노섬유질 매트를 사용하여 달성할 수 있으며, 이는 높은 표면적과 향상된 신호 대 잡음비를 위한 효과적인 혼합 및 세척을 제공합니다.

전혈에서 고감도 단백질 검출을위한 완전 자동화 된 원심 미세 유체 장치

우리는 폴리디메틸실록산(PDMS)에서 두 마이크로채널 사이에 나노유체 접합을 생성하기 위해 실리카 콜로이드 나노입자의 간단한 자기 조립 기술을 제안합니다. 이 기술을 사용하여 기공 크기가 ~45nm인 나노다공성 비드 멤브레인을 마이크로채널 내부에 구축하고 DNA 샘플의 동전기 사전 농축에 적용했습니다.

콜로이드 입자의 자기 조립 과정을 통해 PDMS 미세 유체 칩의 하위 50 Nm의 나노 유체 접합 만들기

이 프로토콜은 완벽하게 내장 된 두꺼운 금속 메쉬를 사용하여 고성능의 유연한 투명 전극을위한 솔루션 기반 제조 전략을 설명합니다. 이 공정으로 제조 된 유연한 투명 전극은 초저 시트 저항, 높은 광 투과율, 굴곡시의 기계적 안정성, 강한 기판 접착력, 표면 평활성 및 환경 안정성을 포함하여보고 된 최고 성능을 입증합니다.

임베디드 메탈 망을 이용한 고성능의 유연하고 투명한 전극을위한 확장 가능한 솔루션 공정 제조 전략

문서 미래의 낮은 차원 일렉트로닉스의 개발에 대 한 표준 및 신뢰할 수 있는 제조 절차를 소개 하는 것을 목표로.

2 차원 일렉트로닉스를 조작 하는 표준 및 신뢰할 수 있는 방법

이 작품에서, 우리는 템플릿으로 사용되는 다공성 알루미나 멤브레인의 형성, 전해질 용액을 사용하여 템플릿으로의 전착, 용액으로 나노 와이어의 방출을 포함하여 철 나노 와이어를 제조하는 프로토콜을 설명합니다.

나노 다공성 양극 산화 알루미늄및 그 특성화에 의한 철 나노 와이어 제조

이 프로토콜은 간단한 마이크로 엠보싱 작업을 위해 편리한 플라스틱 마이크로 몰드를 사용하여 나노 피브릴화 셀룰로오스 종이에 마이크로 채널을 제작하여 최소 너비 200μm를 달성하는 간단한 프로세스를 설명합니다.

마이크로엠보싱: 나노셀룰로오스 종이 기반 미세유체역학에서 마이크로채널을 제작하기 위한 편리한 공정

배우세요 흐름 보조 유전영동을 이용한 나노와이어 소자의 자기조립 방법을. 실리콘 나노와이어 전계효과 트랜지스터 제작을 통해 고품질 반도체 나노와이어의 선택과 배열을 효율적으로 수행하는 기술입니다.

흐름 기반 Dielectrophoresis: 고성능 솔루션 처리 나노와이어 소자의 제조에 대 한 낮은 비용 방법

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