흐름 기반 Dielectrophoresis: 고성능 솔루션 처리 나노와이어 소자의 제조에 대 한 낮은 비용 방법

이 종이, 흐름 보조 dielectrophoresis에 대 한 설명에 자기 조립의 나노와이어 장치. 실리콘 나노와이어 필드 효과 트랜지스터의 제조는 예를 들어 표시 됩니다.

이 절차의 전반적인 목표는 전기 전계 보조 조립 및 금속 전극 제조 및 흐름 보조 전기 영동에서 이러한 전극을 사용하여 용액 처리 가능한 나노 와이어 전계 효과 트랜지스터를 만드는 것을 포함하여 고품질 반도체 나노 와이어의 선택을 시연하는 것입니다. 이 방법은 반도체 전도성 나노 물질의 배치, 수행된 필레이션 제어 및 우수한 품질의 나노와이어의 필드 트레인과 같은 솔루션 처리 가능한 전자 장치 분야의 주요 과제 중 하나를 해결하는 데 도움이 될 수 있습니다. 이 기술의 주요 기능은 나노 물질 기반 장치의 제어 가능한 제조를 확장할 수 있는 빠르고 재현 가능한 방법이라는 것입니다. 이 방법은 나노 와이어의 정렬 및 선택에 대한 통찰력을 제공 할 수 있지만 나노 튜브, 나노 플레이크 및 블레이드와 같은 나노 물질의 정렬에도 적용 할 수 있습니다. 이 프로토콜의 대부분의 단계는 클린룸 환경에서 수행됩니다. 농도가 높은 4인치 N형 실리콘/이산화규소 웨이퍼로 시작하십시오. 다이아몬드 스크라이브를 사용하여 웨이퍼를 절단하여 적절한 크기의 샘플을 생성합니다. 윗면을 만지지 않도록 주의하십시오. 절단을 따라 웨이퍼를 분할하여 여러 샘플을 생성합니다. 이 실험의 샘플은 2.5 x 2.5cm입니다. 완료되면 샘플을 초음파 수조로 가져갑니다. 샘플을 기판 홀더에 놓고 탈이온수 비이커에 담그십시오. 비커의 샘플을 최대 전력으로 5분 동안 초음파 처리합니다. 그런 다음 샘플을 아세톤이 있는 비커로 옮기고 다시 최대 전력으로 5분 동안 초음파 처리합니다. 마지막으로, 이소프로판올이 포함된 비커에 샘플을 옮기고 최대 전력으로 5분 동안 추가로 초음파 처리합니다. 초음파 수조에서 샘플을 제거하고 질소 건으로 건조시킵니다. 다음으로, 샘플을 플라즈마 애셔로 옮겨 남아 있는 유기 잔류물을 제거합니다. 포토리소그래피의 경우 샘플을 노란색 방으로 옮깁니다. 150도의 핫플레이트가 있는 흄 찬장에서 작업