Name: Bis(thiourea) 카드뮴 염화 물 결정 및 후속 Cd Obtention의 화학 목욕 공 술 서에 자외선의 효과 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-08-30T14:00:00.000+00:00
Duration: 5 min 21 s
Description: 학습하세요 화학 욕조 증착법을 이용한 bis(thiourea) 카드뮴 염화물 결정 합성 방법과 자외선이 결정 형태에 미치는 영향을 탐색하세요. 이 재현 가능한 프로토콜은 재료 과학 연구에 활용됩니다.

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르 트루 히 요와 F.J. Willars 로드리게스 CONACYT 그들의 장학금에 감사. E.A. 차베스 Urbiola CONACYT을 "Catedras CONACYT" 프로그램 감사합니다. 저자는 또한 C.A. 아 빌라 레 라, M. A. 에르난데스 Landaverde, J.E. Urbina Alvárez, A. 히 메네스 Nieto의 기술 지원을 인정 한다.

주의:이 프로토콜에 사용 되는 화학 물질은 독성과 발암 성; 따라서, 안전 권장 사항 및 절차 뒤 야 합니다 신중 하 게. 적절 한 보호 장비를 착용 하 고 모든 관련 재료 안전 데이터 시트 (MSDS)를 참조 하십시오.
1입니다. Bis(thiourea) 카드뮴 염화의 합성
<ol><li>
선구자 솔루션의 준비
	<ol>
<li>일정 한 동요;와 1 리터 비 커에 이온 물 500ml를 부 어 솔루션의 pH가 3, pH 미터를 사용 하 여 가능한 한 가까이 36.5% 농도에서 염 산 0.3 mL를 추가 합니다. 주의: 어떤 건강을 피하기 위해 증기 두건 안쪽이 작업을 수행 하는 효과 좋습니다.</li>
		<li>1.1.1 두 100 mL 비 커의 각 단계에 표시 된 대로 준비 하는 선구자 솔루션 50 mL를 붓고 (이 하, 이러한 비 커 A 라는 것입니다 b). 참고: 두 개의 실험 (A와 B, 사용 비 커에 의존) 수행 됩니다 동시에. 만 실험 B 자외선에 노출 될 것입니다.</li>
	</ol>
</li>
	<li>2.29 g CdCl2 (A 및 B) 각 비 커에 대 한 무게. 주의: 사용 되는 재료는으로 위험 식별로 증기 두건 안쪽이 작업을 수행 합니다. 카드뮴은 매우 유독 하 고 흡입; 발암으로 확인 된 그것은 신중 하 게 처리 되어야 합니다.</li>
	<li>무게 1.33 g (A 및 B) 각 비 커에 대 한 CS (NH2)2 . 주의: 사용 되는 재료는 위험 건강 한 증기 두건 안쪽이 작업을 수행 합니다. Thiourea은 매우 독성 흡입 하 고 신중 하 게 처리 해야 합니다.</li>
	<li>(A 및 B) 각 비 커에 2.29 g CdCl2 와 CS (NH2)2 의 1.33 g 추가 전조 솔루션 50 mL를 포함 하.</li>
</ol>2. 비교 합성 Bis(thiourea) 카드뮴 염화
<ol><li>
UV 빛 (A) 없이 실험 배치.
	<ol>
<li>(A) 비 커를 감동적인 뜨거운 접시에 놓고 343 K. 세트 접시는 보통 교 반 속도에 그것을 열. 주의: 증기 두건 안쪽이 작업을 수행 합니다.</li>
		<li>(A) 적당히 저 어 343 공화국에서 접시에 2 h에 대 한 비 커에 솔루션을 계속</li>
	</ol>
</li>
	<li>
UV 빛 (B) 실험 배치입니다.
	<ol>
<li>비 커 B에 및 적당 한 수준에 교 반 속도 343 K. 세트 열 놓고 UV 광원에 스위치. 참고: 실험 배치는 그림 1에 표시 됩니다. 주의: 증기 두건 안쪽이 작업을 수행 합니다.</li>
		<li>2 h 단계 2.2.1에서에서 설명한 온도 교 반 상태를 유지.</li>
	</ol>
</li>
</ol>3. 취득 Bis(thiourea) 카드뮴 염화 물 결정
<ol><li>필터 종이 2 유리 퍼 널을 탑재 (No. 40, Ø = 125 m m), 100 mL 부피 플라스 크, a를 통해 각자와 b. 이 단계;에서 크리스탈 형성을 방지 하려면 필터링 하기 전에 솔루션 멋진을 게 하지 마십시오.</li>
	<li>그들의 자신의 100 mL 플라스 크에 각각 종이 통해 솔루션 A와 B를 필터링 합니다. 주의: 증기 두건 안쪽이 작업을 수행 합니다.</li>
	<li>두 솔루션 모두 부피 플라스 크 내부 실내 온도에 냉각 하자. 참고: 크리스탈 부피 플라스 크 안에 첫 번째 분에서 성장 하기 시작 합니다.</li>
	<li>필터링 어셈블리 다시 (3.1 단계) 새로운 필터 종이 준비 합니다.</li>
	<li>별도 부피 플라스 크에 필터 종이 통해 크리스탈과 솔루션을 필터링 합니다. 주의: 증기 두건 안쪽이 작업을 수행 합니다.</li>
	<li>필터 종이에 각각 시계 유리 크리스탈을 전송. 참고:이 시점에서, 있다 2 시계 안경, a 1과 b 1</li>
	<li>트루 히 요 그 외 에 보고 된 분말 x 선 회절 (XRD)과 라만 분광학에 의해 bis(thiourea) 카드뮴 염화 물 결정의 존재를 확인 12.</li>
</ol>4. Cd를 결정의 calcination
<ol><li>2 다른 도가니에 3.7, a 1과 b 1 단계에서 얻은 결정을 배치</li>
	<li>전기 연구소로 예 열 하 고 773 K 이상 온도 안정화.</li>
	<li>미리 데워 진된 보일 러 내부 단계 4.1의 도가니를 놓습니다. 주의: calcination 동안 나온된 증기 독성이 있다. 보일 러 증기 두건 소진 될 것 이다 하는 유독 가스 때문에 있는지 확인 합니다.</li>
	<li>773 공화국에서 1 h로 내부 소재 스탠드를 하자 다음, 보일 러 끄고 실 온에 식힙니다. 그 후, 오븐에서는 도가니를 제거 합니다.</li>
</ol>

<ol><li>Venkataramanan, V., Maheswaran, S., Sherwood, J. N., Bhat, H. L. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024897001371">Crystal growth and physical characterization of the semiorganic bis(thiourea) cadmium chloride.</a> Journal of Crystal Growth. 179 (3-4), 605-610 (1997).</li>
<li>Ushasree, P. M., Muralidharan, R., Jayavel, R., Ramasamy, P. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024800005935">Growth of bis(thiourea) cadmium chloride single crystals a potential NLO material of organometallic complex.</a> Journal of Crystal Growth. 218 (2-4), 365-371 (2000).</li>
<li>Ushasree, P. M., Jayavel, R. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346702002082">Growth and micromorphology of as-grown and etched bis(thiourea) cadmium chloride (BTCC) single crystals.</a> Optical Materials. 21 (1-3), 569-604 (2002).</li>
<li>Pawar, S. M., Pawar, B. S., Kim, J. H., Joo, O., Lokhande, C. D. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1567173910002178">Recent status of chemical bath deposited metal chalcogenide and metal oxide thin films.</a> Current Applied Physics. 11 (2), 117-161 (2011).</li>
<li>Suriakarthick, R., Kumar, V. N., Shyju, T. S., Gopalakrishnan, R. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800114002200">Investigation on post annealed copper sulfide thin films from photochemical deposition technique.</a> Materials Science in Semiconductor Processing. 26 (1), 155-161 (2014).</li>
<li>Podder, J., Kobayashi, R., Ichimura, M. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609004008934">Photochemical deposition of Cu x S thin films from aqueous solutions.</a> Thin Solid Films. 472 (1-2), 71-75 (2005).</li>
<li>Gunasekaran, M., Gopalakrishnan, R., Ramasamy, P. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167577X03004166">Deposition of ZnS thin films by photochemical deposition technique.</a> Materials Letters. 58 (1-2), 67-70 (2004).</li>
<li>Ichimura, M., Goto, F., Ono, Y., Arai, E. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024898009853">Deposition of CdS and ZnS from aqueous solutions by a new photochemical technique.</a> Journal of Crystal Growth. 198 (1), 308-312 (1999).</li>
<li>Kumaresan, R., Ichimura, M., Sato, N., Ramasamy, P. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510702003227">Application of novel photochemical deposition technique for the deposition of indium sulfide.</a> Materials Science Engineering: B. 96 (1), 37-42 (2002).</li>
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<li>Trujillo, L. E., et al. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024817305353">Di-thiourea cadmium chloride crystals synthesis under UV radiation influence.</a> Journal of Crystal Growth. 478 (1), 140-145 (2017).</li>
<li>Elilarassi, R., Maheshwari, S., Chandrasekaran, G. <a target="_blank" href="https://www.researchgate.net/publication/268365456_Structural_and_optical_characterization_of_CdS_nanoparticles_synthesized_using_a_simple_chemical_reaction_route">Structural and optical characterization of CdS nanoparticles synthesized using a simple chemical reaction route.</a> Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications. 4 (3), 309-312 (2010).</li>
<li>Selvasekarapandian, S., Vivekanandan, K., Kolandaivel, P., Gundurao, T. K. <a target="_blank" href="https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/crat.2170320214">Vibrational Studies of Bis(thiourea) Cadmium Chloride and Tris(thiourea) Zinc Sulphate Semiorganic Non-linear Optical Crystals.</a> Crystal Research & Technology. 32 (2), 299-309 (1997).</li>
</ol>

저자는 공개 없다.

이 섹션에 제시 하는 토론에는 프로토콜에 대해서만 그리고 이미 대표 결과에 표시 된 결과에 초점을 맞추고.
프로토콜의 가장 중요 한 부분 중 하나는 전조 솔루션의 준비 합니다. Cd(OH)2 형성을 피하기 위해 산 성 pH를 유지 하기 위해 기본적 이다. PH는 산 성, 경우 그것은 thiourea 분리로 인해 Cd의 직접 형성 및 Cd(OH)2 대형에 리드. 2 차로 가장 중요 한 단계는 단계 3.2, 그렇지 않으면, 냉각을 시작 하는 결정의 형성 원인이 있기 때문에 솔루션을 진정 하기 전에 수행 해야 하는 솔루션의 필터링.
이 프로토콜, CdCl2-의 급속 한 성장에서에서 [CS (NH2)2] 2 보고는 한 번에 발생 10 분 미만. 다른 연구자 (Ushasree 외를 참조 하십시오.<su...

연구의 중요 한 분야는 단일 결정; 다른 응용 프로그램 그들의 성장은 위한 것 이다. 이러한 비선형 광학 재료 분야 레이저 기술, 광전자, 고 정보1, 그들의 조사에 대 한 기회의 영역을 제공 합니다 스토리지 분야에서의 적용으로 사용할 수 있습니다. Bis(thiourea) 카드뮴 염화 금속-유기 소재 이며 두 선구자에서 종합 될 수 thiourea 및 카드뮴 염화, 순종 하는 다음 화학식: 2CS (NH2)2 + CdCl2 CdCl2-[CS (NH2) 2] 2.이 금속-유기 물질 다른 반응 조건, 온도, pH, 등 하지만 결코 자외선 (UV)의 원조로 준비 되었습니다.
크리스탈의 구조에 pH의 영향이 보고 되었다; pH < 6, monocrystals의 형성을 얻을 수 있다. 이들은, 차례 차례로, pH 범위에 따라 수정 됩니다. 6 4의 간격, pH는 < 4 하는 경우에 대 한 6 각형 구조를 얻을 수, orthorhombic 결정 구조2얻은 것입니다. 카드뮴 수 산화물 형성 [Cd(OH)2] 방지 이후 이온 분리 산 성 pH Cd2 + 그리고 Cl- 의해 추진 된다. 이 카드뮴 안정화: 카드뮴 원자 두 황 자유 래 디 칼와 두 개의 chlorines 조인.
여기, 합성 화학 목욕 증 착 기술 (CBD), 화학 반응3시간에 개입 하는 다른 조건을 제어를 사용 하 여 밖으로 수행 됩니다. 도심, 화학 반응을 제어 하는 요소는 다음과 같은: 솔루션 온도, 선구자 이온, 솔루션 pH, 시 약, 수 및 교 반 속도, 몇 가지 이름을. 다른 한편으로, 여기 사용 비교 기술 UV 빛 원조를 사용 하기 때문에 우리 목욕 증 착 (PCBD) 이라고 합니다. 보고서는 UV 빛 지원 CuSx4,5, ZnS6, Cd7및 기능8, 등의 영화를 합성 하는 데 사용 되었습니다 되었습니다. Ichimura 및 Gunasekaran9 황산 솔루션을 그들의 작품에는 300에 가까운 흡수 가장자리 nm. 이 흡수 범위로 인해 자외선 흡수 솔루션의 결과 유사한 방출 범위에 적용 됩니다.
Bis(thiourea) 카드뮴 염화의 다른 속성은가 열 될 때 그것의 저하. 그것은 형성 하는 카드뮴 황하 물 (CdS) 512 K의 고 위의 온도에서 초기 분해 전시. 저하 반응은 다음과 같이 이다: [Cd (CS [NH2])2] Cl2 → Δ Cd + HNCS + NH3 + NH4SCN. 이 저하는 thiocyanuric 산 및 다양 한 thiocyanates10,11을 생성합니다. 또한, 연구 그룹에서 일부 효과 자외선으로 인 한 공부12했다. 마지막으로,이 작품에서 비교 합성 절차 bis(thiourea) 카드뮴 염화 물 결정은 설명 하는, UV 빛의 효과 뿐만 아니라.

<table><tbody><tr><td>< 강> 시약< / 강></td><td></td><td></td><td></td></tr> <tr><td>카드뮴 클로라이드 Anh. ACS, 99.4 %</td><td>Fermont</td><td>PQ24291</td><td>고독성</td></tr><tr><td>Thiourea 기술 등급, 99.9 %</td><td>Reasol</td><td>R5913</td><td>독성</td></tr><tr><td>염산, 36.5 &ndash; 38.0 %</td><td>J.T.Baker</td><td>MFCD00011324</td><td>고부식성 액체</td></tr><tr><td><강>재료</강></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>여과지</td><td>Whatman</td><td>1440 125</td><td>40, Ashless, Circles, 125 mm</td></tr><tr><td>비커</td><td>Kimax</td><td>1400</td><td>100 mL</td></tr><tr><td>부피 플라스크</td><td>Kimax</td><td>28012-100</td><td>Class A 100</td></tr><tr><td>mL 유리 깔때기</td><td>Kimax</td><td>28980-150</td><td>추가 깔때기, 긴 줄기, 60&deg; 앵글, 와이드 탑. 유형 I, 클래스 B.</td></tr><tr><td>시계 안경</td><td>Pyrex</td><td>9985-150</td><td>Corning, 150&nbsp; mm</td></tr><tr><td>도가니</td><td>Fisherbrand</td><td>FB-965-D</td><td>고형 도자기</td></tr><tr><td><강한>장비</강한></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>용광로</td><td>Briteg Instrumentos Cientificos S.A. de C.V.</td><td>1010</td><td></td></tr><tr><td>흄 후드</td><td>피셔 Alders, S.A. 드 이력서</td><td>F1124</td><td></td></tr><tr><td>라이트 서스</td><td>필립스</td><td>PL-S 9W UV-A/2P 1CT/6X 10 CC</td><td></td></tr><tr><td>pH 측정기</td><td>OAKTON</td><td>WD-35419-10</td><td></td></tr><tr><td>핫플레이트 오순절 교반기</td><td>Cole-Parmer</td><td>JZ-04660-75</td><td></td></tr></tbody></table>

bis(thiourea) 카드뮴 염화 물 결정 및 후속 cd obtention의 화학 목욕 공 술 서에 자외선의 효과

The Effect of Ultraviolet Radiation on the Chemical Bath Deposition of Bis(thiourea) Cadmium Chloride Crystals and the Subsequent CdS Obtention

이 작품에서 자외선 (UV)으로 조명 하는 때 bis(thiourea) 카드뮴 염화 물 결정의 준비에 효과 367 nm를 사용 하 여 화학 목욕 공 술 서 기술은 비교적 공부의 파장에서 빛. 두 실험 비교를 만들기 위해 수행 됩니다: 자외선과 UV 빛의 도움으로 다른 없이 하나. 두 실험은 3.2의 pH와 343 K의 온도에서 동등한 조건 하에서 수행 됩니다. 사용 하는 선구자는 카드뮴 염화 (CdCl2) thiourea [CS (NH2)2], 산 성 ph 이온된 물 50 mL에 녹이. 이 실험에서 전자기 방사선의 상호 작용은 화학 반응을 실시 하는 순간에 전과 있다. 결과 결정 및 자외선; 사이 상호 작용의 존재를 입증 UV 빛 지원 acicular 모양에 크리스탈 종양을 발생합니다. 또한, 얻은 최종 제품 카드뮴 황하 물 이며 합성 또는 UV 빛의 사용 없이 때 분명 차이 보여줍니다.

두 선구자 솔루션, A와 B, UV-마주 확산 반사율 흡수 스펙트럼 복잡 한 bis(thiourea) 카드뮴 염화의 존재를 표시-CdCl2-(CS (NH2)2)2. 이 그림 2c에서 250-500 nm의 범위 내에서 광범위 한 흡수 밴드에 의해 입증 됩니다. 차례 차례로, 그림 2 c 에서처럼 그림 2a 및 2b, 각각 격리 CdCl2 와 CS (NH2)2 솔루션에서의 주요 흡수 밴드의 조합 이다. 또한, 600-700 nm의 범위에서 보조 밴드 두 반응 (그림 2a 와 2b</s...

이 문서 화학 목욕 공 술 서에 의해 카드뮴 염화 크리스탈을 bis(thiourea)의 합성에 대 한 프로토콜을 선물 한다. 두 실험 설명: 하나 하나 없이 자외선에 비해 자외선에 의해도 왔.

Bis(thiourea) 카드뮴 염화 물 결정 및 후속 Cd Obtention의 화학 목욕 공 술 서에 자외선의 효과

In this work, the effects on the preparation of bis(thiourea) cadmium chloride crystals when illuminated with ultraviolet (UV) light at a wavelength of ...

이 방법은 결정 세계 장에 대한 주요 질문에 답하는 데 도움이 될 수 있습니다. 자외선과 bis-thiourea 카드뮴 염화물 결정의 세계와 같은 상호 작용. 이 기술의 주요 장점은 bis-thiourea 카드뮴 염화물 결정의 형태를 수정할 수 있다는 것입니다.MCM Luis Eduardo Trujillo-Villanueva가 절차를 시연합니다. 우리 연구실의 대학원생입니다. 먼저 500ml의 탈이온수를 1리터 비커에 붓고 계속 교반합니다.그런 다음 36.5% 염산 3밀리리터를 첨가합니다. 이 용액의 pH가 가능한 한 3에 가까운지 확인합니다. 다음으로, A와 B로 표시된 두 개의 100 밀리리터 비커에 50 밀리리터의 전구체 용액을 붓고 각 비커에 2.29 그램의 염화 카드뮴과 1.33 그램의 티오 레아를 추가합니다.그런 다음 비커 A를 교반 핫 플레이트에 놓고 334 켈빈으로 가열합니다. 2 시간 동안 적당한 교반 속도로. 비커 B를 교반 핫 플레이트에 놓고 적당히 저어주면서 334켈빈으로 가열합니다. UV 광원을 켜고 2시간 동안 반응이 진행되도록 합니다.여과지가 든 유리 깔때기를 100ml 부피 플라스크 두 개에 놓습니다. 즉시 비커 A와 B의 각 용액을 별도의 플라스크로 여과합니다. 냉각이 결정 성장을 시작하기 때문에 용액을 빠르게 여과하십시오.이제 두 솔루션을 모두 실온으로 냉각시키십시오. 여과지가 든 유리 깔때기를 두 개의 새로운 100ml 부피 플라스크에 놓습니다. 결정이 있는 용액을 별도의 플라스크로 여과합니다.여과지의 결정을 별도의 시계 유리로 옮깁니다. 결정을 A와 B로 표시된 두 개의 별도 도가니에 넣고 전기 실험실 용광로를 예열하고 온도를 773켈빈 이상으로 안정화합니다. 가열로 온도가 안정화되면 결정을 포함하는 도가니를 가열로 내부에 놓습니다.1시간 후 퍼니스를 끄고 실온으로 식히십시오. 그런 다음 용광로에서 결정이 들어있는 도가니를 제거합니다. 두 전구체 용액의 UV-vis 확산 반사율 흡수 스펙트럼은 250-500나노미터의 넓은 흡수 대역으로 입증된 bis-thiourea 카드뮴 염화물 복합체를 보여줍니다.카드뮴 클로라이드(cadmium chloride)와 티오우레아(thiourea) 흡수 띠도 복합체의 스펙트럼에서 관찰됩니다. 결정의 라만 스펙트럼은 카드뮴, 염소, 질소, 탄소 황 및 탄소 황 결합에 해당하는 피크를 표시합니다. 두 실험 모두에서 동일한 결합이 관찰되지만 이러한 강도는 UV 지원 없이는 더 낮습니다.이는 더 적은 수의 채권을 나타냅니다. XRD 패턴은 자외선이 있는 zero two zero 및 zero zero one 평면에서 우선적인 성장을 보여줍니다. 이는 각각 복합체 내의 황 및 카드뮴 원자에 해당합니다. SEM 이미지는 4-6배 더 큰 침상 결정이 자외선으로 형성된다는 것을 보여줍니다.결정의 TGA 분석은 UV 및 비 UV 보조 실험 모두에서 유사한 동작을 나타냅니다. 칼슘 복합체의 DRX는 화학욕 증착과 광화학욕 증착에 의해 얻어진 황화카드뮴에서 차이를 보이지 않습니다. 광화학적 수조 증착에 대한 약간 더 두드러진 평균 입자 크기가 관찰됩니다.자외선이 카드뮴에 황 통합을 촉진한다는 것을 보여줍니다. 자외선은 카드뮴과 황 이온 사이의 화학적 균형을 촉진하여 bis-thiourea 카드뮴 염화물 결정의 결정화된 총계에서 우선적인 성장을 유발합니다. 소성 후 얻은 황화 카드뮴은 뚜렷한 차이를 보이지 않았습니다.

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Research

연구

JoVE Journal

Chemistry

화학

우리는 단일 분자 형광 이미징을위한 최소화 유체 역학적 크기 콜로이드 양자 점의 준비에 대해 설명합니다. 기존의 양자 점에 비해,이 나노 입자는 구형 단백질의 크기와 비슷합니다 및 단일 분자 밝기, photodegradation에 대한 안정성 및 단백질과 세포에 특이 현상 바인딩에 대한 저항에 최적화되어 있습니다.

단일 분자 이미징을위한 소형 양자 점

CdS와 CdSe로 구성된 막대 모양과 테트라포드 모양의 다성분 나노 구조의 시딩 합성을 위한 프로토콜이 제시됩니다.

CdSe/CdS 막대 및 테트라포드 나노결정의 시딩 합성

시드 막대 나노 입자의 표면에서 작은 결정질 이리듐 산화물 나노 입자의 광화학적 산화 성장에 대한 프로토콜CdSe@CdS 제시됩니다.

의 CdSe @ CdS와 나노 막대에 이리듐 산화물 나노 입자의 광 화학적 산화 성장

여기에서는 고유한 황 공중합체를 기반으로 리간드가 없는 황화 카드뮴(CdS) 나노 입자를 합성하는 방법을 제시합니다. 유황 공중합체는 나노입자 합성 시 고온 용매 및 황 공급원으로 작용하고 반응 후 나노입자를 안정화시킨다.

황 합체 매트릭스 내의 자유 리간드의 CDS 나노 입자의 합성

이 프로토콜은 비전 도성 표면 상에 박막 전자 장치를 생성하는 층으로 무기 나노 결정 층의 합성 용액 증착을 설명한다. 용매 안정화 잉크는 증착 후 리간드 교환 및 소결 다음 스핀 및 스프레이 코팅을 통해 유리 기판에 대한 전체 PV 소자를 제조 할 수있다.

완전 해결 가공 된 무기 나노 결정 태양 광 발전 장치의 제작

프로토콜 자세히 어떻게 모양 이방성 콜 로이드 카드뮴 칼코게나이드 나노 covalently 그들의 끝 면을 통해 연결 될 수 있습니다 여기에 제공 됩니다.

면 대 면 모양 이방성 콜 로이드 카드뮴 칼코게나이드 Nanostructures의 연결

이 작품은 Sb2S3 SbCl3를 사용 하 여 mesoporous 티 오2 층의 증 착에 대 한 상세한 실험 절차를 제공 합니다-thiourea Sb2S3에 응용 프로그램에 대 한 복잡 한 솔루션-태양 전지를 응. 이 문서는 또한 증 착 프로세스를 관리 하는 핵심 요소를 결정 합니다.

주요 Sb2S3의 성능에 영향을 미치는 요인-태양 전지는 Sb2S3 증 착을 통해 SbCl3중 응-thiourea 복잡 한 솔루션-처리

이 문서를 받는 고 기능 UV-A/표시 빛 조사에서 물에, ciprofloxacin 등 유기 오염 물질의 촉매 제거를 수행 하는 비스무트 oxyiodide 스피어 합성 방법을 설명 합니다.

물 Depuration의 촉매 프로세스에 대 한 매우 기능적 비스무트 Oxyiodide 스피어를 손쉬운 합성 방법

이 작품은 향상된 효율성을 위해 얇은 흡수 기 카드뮴 셀레늄 텔루라이드 / 카드뮴 텔루 라이드 광전지 장치의 전체 제조 공정을 설명합니다. 이 공정은 소규모 지역 연구 장치 및 대규모 모듈의 제작에서 부터 확장 가능한 근접 공간 승화 증착을 위해 자동화된 인라인 진공 시스템을 활용합니다.

단락 전류 밀도 및 광발광을 강화하기 위한 근접 공간 승화-증착 초박형 CdSeTe/CdTe 태양전지

CdSe-SnSe 나노 복합체는 표면 공학 된 SnSe 입자를 통합하여 생산됩니다. 간단한 수성 합성이 SnSe 입자를 생성하는 데 사용됩니다. SnSe 입자를 CdSe 분자 복합체로 코팅하면 입자 크기를 제어하고 나노 복합체에 존재하는 결함 수를 증가시켜 열전도율을 낮출 수 있습니다.

용액 처리, 표면 공학, 낮은 열전도율을 나타내는 다결정 CdSe-SnSe

쌍결정 구조 광촉매를 사용하여 가시광선 반응성 ZnCoS/ZnCdS를 제조하는 합성 기술과H2 발생 및 벤즈알데히드 생성에서 광촉매 활성 및 선택성에 대한 광산화환원 반응 시험 기술을 제시합니다.

에너지 응용 분야에서 다기능 산화환원 광촉매를 위한 쌍결정 구조를 갖는 ZnCoS/ZnCdS의 합성 및 성능 평가

학습하세요 화학 욕조 증착법을 이용한 bis(thiourea) 카드뮴 염화물 결정 합성 방법과 자외선이 결정 형태에 미치는 영향을 탐색하세요. 이 재현 가능한 프로토콜은 재료 과학 연구에 활용됩니다.

Bis(thiourea) 카드뮴 염화 물 결정 및 후속 Cd Obtention의 화학 목욕 공 술 서에 자외선의 효과

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