Name: Cu(In,Ga)Se2 박막 태양전지의 실버 나노와이어 전극과 CdS 버퍼 층 간의 견고한 나노스케일 접촉 제조 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00.000+00:00
Duration: 9 min 1 s
Description: 배우세요 CIGS 박막 태양전지에서 은 나노와이어 네트워크와 CdS 버퍼 층 간의 전기적 접촉을 향상시키는 간단하고 재현 가능한 용액 기반 공정 방법을. 이 기술은 전통적인 투명 전도성 산화물을 대체하여 비용 효율적인 태양광 발전을 실현합니다.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

이 연구는 한국에너지연구원(KIER)의 사내 연구개발 프로그램과 한국에너지연구원(NRF)의 지원을 받아 한국에너지연구원(NRF)을 통한 기초과학연구프로그램을 통해 지원되었다. 교육 (그랜트 NRF-2016R1D1A1B0393440).

1. DC 마그네트론 스퍼터링에 의한 모 코팅 유리 준비
<ol><li>세척된 유리 기판을 DC 마그네트론에 적재하고 4 x 10-6 Torr 이하로 펌프합니다.</li>
	<li>유동 Ar 가스 및 작업 압력을 20 mTorr로 설정합니다.</li>
	<li>플라즈마를 켜고 DC 출력 전력을 3kW로 늘립니다.</li>
	<li>표적 세척을 위해 3분의 스퍼터링 을 한 후, 모 막 두께가 약 350 nm에 도달할 때까지 모 증착을 시작합니다.</li>
	<li>동일한 출력 전력(즉, 3kW)을 유지하면서 작업 압력을 15mTorr로 설정합니다.</li>
	<li>Mo의 총 두께가 약 750 nm에 도달할 때까지 모 증착을 재개한다.</li>
</ol>2. CIGS 흡수기 층 증착3단 응비에 의해
<ol><li>모 코팅 유리를 5 x 10-6 Torr보다 낮은 진공 하에서 예열된 공동 증발기로 적재합니다.</li>
	<li>각각 2.5 Å/s, 1.3 Å/s 및 15 Å/s의 증착 속도를 산출하는 In, Ga 및 Se 삼출량 세포의 온도를 설정합니다.<ol>
<li>석영 크리스탈 마이크로 밸런스 (QCM) 기술을 사용하여 증착 속도를 확인합니다. 증착 속도는 삼출 세포의 설정 온도 및 삼출 세포 내의 물질의 양에 의존한다.</li>
	</ol>
</li>
	<li>450°C의 기판 온도에서 1 μm 두께(In,Ga)xSey 전구체 층을 형성하기 위해 모 코팅 유리상에 Ga 및 Se를 공급하기 시작한다. 증착 시간은 15 분 (즉, 1st 단계)입니다.</li>
	<li>In 및 Ga 소모품을 중지하고 기판 온도를 550°C로 증가시다.</li>
	<li>Cu (증착 속도 : 1.5 Å / s)를 (In,Ga)xSey 전구체에 공급하기 시작하고 필름의 Cu / (In + Ga) 조성 비가 1.15에 도달 할 때까지 계속합니다. Se 증착 속도는 2단계 (즉, 2 단계)를 통해 15 Å / s로 유지됩니다.</li>
	<li>Cu 공급을 중단하고 1st 스테이지와 동일한 증착 속도로 다시 In 및 Ga를 증발시키고 Cu/(In+Ga) 조성비가 0.9인 약 2 μm 두께의 CIGS 필름을 마침내 형성한다. 각각 15 Å/s 및 550 °C에서 Se 증착 속도와 기판 온도를 유지합니다. 이 단계의 증착 시간은 4 분 (즉 3rd 단계)입니다.</li>
	<li>완전한 반응을 보장하기 위해, 550°C의 기판 온도에서 5분 동안 주변 Se(15 Å/s)하에서 증착된 CIGS 필름을 어닐레.</li>
	<li>기판 온도를 주변 Se (15 Å / s)에서 450 °C로 냉각 한 다음 기판 온도가 250 ° C 미만일 때 CIGS 증착 기판을 언로드하십시오.</li>
</ol>3. 화학 목욕 증착 (CBD) 방법을 사용하여 CIGS 흡수층상에서 CdS 완충층의 성장
<ol><li>DI 물 97 mL, CD(CH3 COO) 2·2H2O,0.041 g의NH2CSNH2,CH3 COONH 4의0.155 g를 추가하여 250 mL비커로 CdS 반응 목욕 용액을 준비한다. 용액을 몇 분간 저어서 섞으세요. 첨가된 모든 용루가 완전히 용해되었는지 확인하십시오.</li>
	<li>NH4OH (28 % NH3)의 3 mL을 목욕 용액에 넣고 2 분 동안 용액을 저어 줍니다. 그림 1은 CdS용 CBD의 실험 설정을 보여줍니다.</li>
	<li>TEflon 샘플 홀더를 사용하여 CIGS 샘플을 반응 용액에 넣습니다.</li>
	<li>반응욕을 65°C에서 유지된 수열조에 넣고 증착 과정에서 자기막대를 이용하여 200 rpm에서 반응 목욕용액을 교반한다.</li>
	<li>CIGS 상에서 약 70 내지 80 nm CdS 버퍼 층을 생성하기 위해 20분 동안 반응한다.</li>
	<li>반응 후, 반응 욕조에서 샘플을 제거하고 DI 물의 흐름으로 씻어 내고 N2 가스로 건조시다.</li>
	<li>120°C에서 시료를 30분 동안 열판상에 어닐로.</li>
</ol>4. AgNW TCE 네트워크 제작
<ol><li>19 mL의 에탄올과 구매한 에탄올 계 AgNW 분산액(20 mg/mL)의 1 mL을 혼합하여 희석된 AgNW 분산액(1 mg/mL)을 준비합니다.</li>
	<li>희석된 AgNW 분산액 0.2 mL를 CdS/CIGS 샘플(2.5 cm x 2.5 cm)에 부어 시료의 전체 표면을 덮고 샘플을 30s동안 1,000rpm으로 회전시다.</li>
	<li>원하는 광학 및 전기적 특성을 달성하기 위해 필요에 따라 4.2 단계를 반복합니다. 아그나우스 3x스핀 코트. 스핀 코팅 AgNW TCE의 스캐닝 전자 현미경(SEM) 이미지는 도2에 나타내었다.</li>
	<li>스핀 코팅 후, 120°C에서 시료를 120°C에서 5분 동안 열판상에 어닐로.</li>
</ol>5. 2nd CdS 층의 증착
<ol><li>3.1단계에서 설명한 바와 같이 새로운 CdS 반응 목욕 용액을 준비한다.</li>
	<li>필요에 따라 반응 시간을 변경하는 것을 제외하고 섹션 3에서와 같이 CDS를 입금하십시오. 참고: 반응 시간을 최적화하고 10분 만에 CIGS 장치가 최상의 성능을 발휘했습니다. CIGS 박막 태양 전지 장치 성능에 대한2nd CdS 증착 시간의 효과는 전작14에서확인할 수 있습니다.</li>
</ol>6. 특성화 기술
<ol><li>현장 방출 SEM 및 투과 전자 현미경(TEM)에 의해 AgNWs 및 CdS 코팅 된 AgNWs의 표면 및 단면 형태를 특성화합니다.</li>
	<li>태양 열 시뮬레이터(1,000W/m2, AM1.5G)가장착된 전류 전압 소스를 사용하여 태양전지 성능을 측정합니다.</li>
</ol>

<ol><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu%28In%2CGa%29Se2+thin-film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy%22%5BJournal%5D)">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li>
<li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks%3A+a+review%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001(2013).</li>
<li>Chung, C. -H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li>
<li>Liu, C. -H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Silver+nanowire-based+transparent%2C+flexible%2C+and+conductive+thin+film%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale+Research+Letters%22%5BJournal%5D)">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li>
<li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li>
<li>Chung, C. -H., Hong, K. -H., Lee, D. -K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films%5BTitle%5D)+AND+%22Chemistry+of+Materials%22%5BJournal%5D)">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li>
<li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Highly+transparent+low+resistance+ZnO%2FAg+Nanowire%2FZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li>
<li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li>
<li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Functional+Materials%22%5BJournal%5D)">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li>
<li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Solution-processed+Ag+Nanowires+%2B+PEDOT%3APSS+hybrid+electrode+for+Cu%28In%2CGa%29Se2+thin-film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li>
<li>Wang, M., Choy, K. -L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs%2FAZO-based+transparent+electrodes%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li>
<li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Cu%28In%2CGa%29Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers%3A+buffer%2Fwindow+junctions+and+their+effects%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy+Materials+and+Solar+Cells%22%5BJournal%5D)">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li>
<li>Chung, C. -H., Bob, B., Song, T. -B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn%28S%2CSe%292+solar+cells%3A+crossover+and+red+kink%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy+Materials+and+Solar+Cells%22%5BJournal%5D)">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li>
<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Energy%22%5BJournal%5D)">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li>
</ol>

저자는 그들이 경쟁 적인 재정적 이익이 없다고 선언합니다.

최적의 셀 성능을 달성하기 위해 2nd CdS 층의 증착 시간을 최적화해야 합니다. 증착 시간이 증가함에 따라 2nd CdS 층의 두께가 증가하여 결과적으로 전기 접촉이 향상됩니다. 그러나, 2nd CdS 층의 추가 증착은 빛 흡수를 감소시키는 두꺼운 층을 초래할 것이고, 장치 효율은 감소할 것이다. 우리는 2nd CdS 층에 대한 증착 시간 10 분으로 최고의 세포 성능을 달성하고 더 긴 증착 시간으로 세포 효율이 감소한다는 것을 결정했습니다.
우리의 방법을 평가하기 위해, 우리는 그림 3A14에설명된 바와 같이, Ag@CdS NW 기반 CIGS 태양 전지의 장치 성능을 스퍼터드 ZnO:Al/i-ZnOl TCO를 가진 표준 CIGS 태양전지의 장치 성능과 비교했습니다. J-V 특성은 거의 동일했고 전반적인...

실버 나노와이어(AgNW) 네트워크는 낮은 처리 비용 측면에서 기존의 투명 전도산화물(TCO)에 비해 장점으로 인해 인듐 주석 산화물(ITO) 투명 전도 박막의 대안으로 광범위하게 연구되어 왔다. 기계적 유연성이 향상됩니다. 솔루션 처리 AgNW 네트워크 투명 전도전극 (TC)는 따라서 Cu (In,Ga)Se2 (CIGS) 박막 태양 전지1,2,3,4,5에 사용되었습니다. , 6. 솔루션 처리 AgNW TC는 일반적으로 PEDOT : PSS, ITO, ZnO등과 같은 전도성 매트릭스에서 임베디드AgNW 또는 샌드위치 AgNW 구조의 형태로 제작됩니다. 도 10,도 11 매트릭스 층은 AgNW 네트워크의 빈 공간에 존재하는 전하 반송파의 수집을 향상시킬 수 있다.
그러나, 매트릭스 층은 CIGS 박막 태양전지(12,13)에서매트릭스 층과 기본 CdS 버퍼 층 사이의 계면 결함을 생성할 수 있다. 계면 결함은 종종 전류 밀도 전압 (J-V) 곡선에 꼬임을 일으켜 셀의 낮은 충진 계수 (FF)를 초래하여 태양 전지 성능에 해롭습니다. 이전에는 AgNWs와 CdS 버퍼 층(14) 사이에 추가적인 얇은 CdS 층(2nd CdS 계층)을 선택적으로 증착하여 이 문제를 해결하는 방법을 보고하였다. 추가 CdS 레이어의 통합은 AgNW 및 CdS 레이어 사이의 접합부에서 접촉 특성을 향상시켰습니다. 결과적으로, AgNW 네트워크의 반송파 수집이 크게 향상되었고, 셀 성능이 향상되었다. 이 프로토콜에서는 CIGS 박막 태양 전지에서 2nd CdS 층을 사용하여 AgNW 네트워크와 CdS 버퍼 층 간의 강력한 전기 적 접촉을 제조하는 실험 절차를 설명합니다.

<table><tbody><tr><td>Mo</td><td>Materion</td><td>순도 : 3N5</td><td>Mo sputtering</td></tr><tr><td>Cu</td><td>5N Plus</td><td>순도 : 4N7</td><td>CIGS 증착</td></tr><tr><td>In</td><td>5N Plus</td><td>순도 : 5N</td><td>CIGS 증착</td></tr><tr><td>Ga</td><td>5N Plus</td><td>순도 : 5N</td><td>CIGS 증착</td></tr><tr><td>Se</td><td>5N Plus</td><td>순도 : 5N</td><td>CIGS 증착</td></tr><tr><td>암모늄 아세테이트</td><td>Alfa Aesar</td><td>11599</td><td>CdS 반응 용액</td></tr><tr>수<td>산화 암</td><td>모늄 Alfa Aesar</td><td>L13168</td><td>CdS 반응 용액</td></tr><tr><td>카드뮴 아세테이트 이수화</td><td>물 Sigma-Aldrich</td><td>289159</td><td>CdS 반응 용액</td></tr><tr><td>Thiourea</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>T8656</td><td>CdS 반응 용액</td></tr><tr><td>은 나노 와이어</td><td>ACSMaterial</td><td>AgNW-L30</td><td>AgNW 분산액</td></tr></tbody></table>

cu(in,ga)se2 박막 태양전지의 실버 나노와이어 전극과 cds 버퍼 층 간의 견고한 나노스케일 접촉 제조

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

실버 나노와이어 투명 전극은 Cu(In,Ga)Se2 박막 태양전지용 윈도우 레이어로 사용되어 왔다. 베어 실버 나노 와이어 전극은 일반적으로 매우 가난한 세포 성능을 초래한다. 인듐 주석 산화물 또는 산화 아연과 같은 적당히 전도성 투명 재료를 사용하여 실버 나노 와이어를 포함하거나 샌드위치하면 세포 성능을 향상시킬 수 있습니다. 그러나, 용액 처리 매트릭스 층은 투명 전극과 CdS 버퍼 사이에 상당한 수의 계면 결함을 일으킬 수 있으며, 이는 결국 낮은 세포 성능을 초래할 수 있습니다. 이 원고는 Cu(In,Ga)Se2 태양전지에서 실버 나노와이어 전극과 기본 CdS 버퍼 층 사이의 강력한 전기 적 접촉을 제조하는 방법을 설명하여 매트릭스가 없는 실버 나노와이어투명을 사용하여 높은 셀 성능을 가능하게 합니다. 전극. 우리의 방법에 의해 제조 된 매트릭스 무료 실버 나노 와이어 전극은 실버 나노 와이어 전극 기반 셀의 충전 캐리어 수집 능력이 실버 나노 와이어만큼 스퍼터링 ZnO : Al / i-ZnO가있는 표준 셀만큼 좋다는 것을 증명합니다. CdS에는 고품질 전기 접촉이 있습니다. 고품질 전기 접촉은 은 나노와이어 표면에 10 nm의 얇은 추가 CdS 층을 증착함으로써 달성되었다.

(a) 표준 ZnO:Al/i-ZnO 및 (b) AgNW TCE를 가진 CIGS 태양전지의 층 구조는 그림3에 도시되어 있다. CIGS의 표면 형태는 거칠고, 나노 스케일 갭은 AgNW 층과 기본 CdS 버퍼 층 사이에 형성될 수 있다. 도 3A에서강조한 바와 같이, 2nd CdS 층은 나노 스케일 갭상에 선택적으로 증착되어 안정적인 전기 적 접촉을 생성할 수 있다. 전기적 접촉의 형성 및 전기적 특성 및 장치 성능의 향상에 대한 자세한 설명은 참고 14에서 확인할 수 있다. 단면 SEM 및 TEM을 포함하는 AgNW 및 CdS 접합의 구조적 분석 및 상응하는 원소 매핑은 또한 참조 14에서 확인할 수 있다.
<strong class="xf...

이 프로토콜에서, 우리는 CIGS 박막 태양 전지에서 은 나노 와이어 네트워크와 CdS 버퍼 층 사이의 강력한 나노 스케일 접촉의 제조에 대한 상세한 실험 절차를 설명합니다.

Cu(In,Ga)Se2 박막 태양전지의 실버 나노와이어 전극과 CdS 버퍼 층 간의 견고한 나노스케일 접촉 제조

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

실버 나노와이어 네트워크는 박막 태양전지 애플리케이션에서 기존의 투명 전도성 산화물을 대체하는 신흥 기술입니다. 그러나 기본 층에 대한 전기 접촉이 문제가 되었습니다. 당사의 프로토콜은 실버 나노와이어 네트워크와 CIGS 박막 태양전지의 기본 CdS 버퍼 층 간의 전기 접촉 특성을 향상시키는 간단한 공정 방법입니다.우리의 방법은 매우 간단하고 재현 가능하며 저렴한 솔루션 기반 프로세스입니다. 또한 CIGS 박막 태양전지를 제조하기 위해 기존 솔루션 기반 공정과도 비교할 수 있습니다. 먼저, 청소된 유리 기판을 DC 자강에 적재하고, 아래로 펌프하여 마이너스 6토르로 10번 을 날려버리십시오.유동 아르곤 가스, 20 밀리터로 작동 압력을 설정합니다. 플라즈마를 켜고 DC 출력 전력을 3킬로와트로 늘립니다. 표적 청소를 위해 3분 전에 스퍼터링한 후 몰리브덴 필름 두께가 약 350나노미터에 도달할 때까지 몰리브덴 증착을 시작합니다.다음으로, 3킬로와트에서 출력 전력을 유지하면서 작동 압력을 15 밀리토르로 설정합니다. 몰리브덴의 총 두께가 약 750 나노미터에 도달할 때까지 몰리브덴 증착을 재개한다. 몰리브덴 코팅 유리를 10배 이상 진공 저기압으로 예열된 공동 증발기로 하여 마이너스 6토르로 로드합니다.인듐, 갈륨 및 셀레늄 유출 세포의 온도를 각각 초당 2.5, 1.3 및 15 앙스트롬의 증착 속도를 산출합니다. 석영 결정 마이크로 밸런스 기술을 사용하여 증착 속도를 확인하십시오. 몰리브덴 코팅 유리에 인듐, 갈륨 및 셀레늄을 공급하기 시작하여 섭씨 450도의 기질 온도에서 1마이크로미터 두께의 인듐-갈륨 셀레늄 전구체 층을 형성합니다.15분 후 인듐과 갈륨 공급을 멈추고 기판 온도를 섭씨 550도로 늘립니다. 다음으로, 인듐-갈륨-셀레늄 전구체에 구리를 공급하기 시작하고 필름의 구리-인듐+갈륨 조성비가 1.15에 도달할 때까지 계속한다. 구리 공급을 중단하고 구리-인듐+갈륨 조성비0.9로 약 2마이크로미터 두께의 CIGS 필름을 형성하는 첫 번째 단계와 동일한 증착 속도로 인듐및 갈륨을 다시 증발시다.셀레늄 증착 속도와 기판 온도를 초당 15앙스트롬과 섭씨 550도에서 각각 유지한다. 완전한 반응을 보장하기 위해, 섭씨 550도의 기판 온도에서 5 분 동안 주변 셀레늄 에서 퇴적 된 CIGS 필름을 음침합니다. 기판 온도를 주변 셀레늄 에서 섭씨 450도로 낮춘 다음 기판 온도가 섭씨 250도 미만일 때 CI

fabrication-robust-nanoscale-contact-between-silver-nanowire

Research

연구

JoVE Journal

Engineering

공학

태양 에너지 생산을위한 전개 반도체 nanocrystal의 복합를 충전 분리의 개발을위한 일반적인 전략을 제시하고 있습니다. 기증자 - 수용체 nanocrystal 영화의 대량 heterojunctions는 태양 광 에너지 변환에 사용하실 수 있습니다 우리는 하나의 nanoparticle 형태의 기증자 - 수용체 nanocrystal 도메인의 조립 photocatalytic 함수에 상승을 제공합니다을 보여줍니다.

충전 분리 Nanocrystals와 고체를 통해 태양 에너지를 수확

기술은 접촉 / 기판과 하나의 GaN 나노 와이어 장치의 접촉 / NW 인터페이스의 시험 및 특성화를 허용하기 위해, 기판에서의 Ni / AU 접촉 금속 필름을 제거하는 개발되었다.

단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석

은 나노 와이어는 표면 플라즈몬 형태로 전자와 광학 정보를 동시에 전송할 수 있습니다. 이러한 공유 회로를 실현하기 위한 절차가 여기에 설명되어 있으며, 두 정보 캐리어를 전파하는 데 있어서의 한계가 평가됩니다.

전류 운반은 나노와이어의 플라즈몬 수송 평가

절차는 나노 기공에서 템플릿 전착을 통해 분할 및 동축 나노 와이어를 준비하기 위해 설명됩니다. 예를 들어, Ag 및 ZnO 세그먼트로 구성된 세그먼트 나노 와이어와 TiO2 쉘과 Ag 코어로 구성된 동축 나노 와이어가 만들어졌습니다. 나노 와이어는 광촉매 수소 형성 실험에 사용되었다.

준비 및 광촉매 활성 분단 자세의 사용 | ZnO의 동축 티오<sub&gt; 2</sub템플릿 기반 전착에 의해 만들어진&gt; - 자세 나노 와이어

태양 전지에 플라즈몬 금속 나노 구조를 도입하는 실행 가능한 전사 인쇄 기반 방법론에 대해 설명합니다.  나노 필러 폴리 (디메틸 실록산) 스탬프를 사용하여 Ag 기반 주문 나노 디스크 어레이를 표준 수소화 미정질 Si 태양 전지와 통합하여 플라즈몬 광 트래핑으로 인해 장치 성능을 향상시켰습니다.

전송 인쇄하여 수소 첨가 미세 결정 실리콘 태양 전지에 빛 트래핑 실버 나노 구조의 통합

여기에 우리가 합성 프로토콜을 제시 아연 1-X 마그네슘 X O / 구리 구리 산화물에 아연 1-X 마그네슘 X O의 대기압 공간 원자 층 증착 (AP-SALD)을 통해 낮은 온도에서 야외에서 2 O 이종 접합. 이러한 고품질의 균일 한 금속 산화물이 저렴하고 확장 가능한 방법으로 플라스틱을 포함한 다양한 기판 상에 성장 될 수있다.

구리에서 개선 된 이종 접합 품질<sub&gt; 2</sub&gt; 입금 대기 압력 공간 원자 층의 최적화를 통해 태양 전지를 O 기반<br /&gt; 아연<sub&gt; 1-X</sub&gt; 마그네슘<sub&gt; X</sub&gt; O

간단한 합성 방법을 사용하여 은 나노와이어 박막을 화학적으로 납땜하여 신축성이 높은 전도성 금속 전도체를 제조합니다.

실버 나노 와이어와 높은 신축성 도체 제조 방법

이 프로토콜은 비전 도성 표면 상에 박막 전자 장치를 생성하는 층으로 무기 나노 결정 층의 합성 용액 증착을 설명한다. 용매 안정화 잉크는 증착 후 리간드 교환 및 소결 다음 스핀 및 스프레이 코팅을 통해 유리 기판에 대한 전체 PV 소자를 제조 할 수있다.

완전 해결 가공 된 무기 나노 결정 태양 광 발전 장치의 제작

2 ' 현장에서 측정으로 결합 된 스트레스 테스트 ' 설정, 태양 전지 및 모듈의 가속된 저하의 실시간 모니터링을 허용, 설계 그리고 건설. 이러한 설정 습도, 온도, 전기 편견의 동시 사용을 허용 하 고 조명 스트레스 요소를 독립적으로 제어. 설정 및 다양 한 실험 실행 되 게 됩니다.

제자리에서 태양 전지 및 모듈의 가속된 성능 저하의 모니터링: Cu (In, Ga) Se2 태양 전지에 대 한 사례 연구

이 논문은 박막 은전극 위에 지정된 커버리지를 갖춘 은염화물(AgCl)의 부드럽고 잘 제어된 필름을 형성하는 방법을 제시하는 것을 목표로 합니다.

정밀하게 제어된 단일 층 실버 염화물필름 의 박막 실버/실버 염화물 전극 제조

이 작품은 향상된 효율성을 위해 얇은 흡수 기 카드뮴 셀레늄 텔루라이드 / 카드뮴 텔루 라이드 광전지 장치의 전체 제조 공정을 설명합니다. 이 공정은 소규모 지역 연구 장치 및 대규모 모듈의 제작에서 부터 확장 가능한 근접 공간 승화 증착을 위해 자동화된 인라인 진공 시스템을 활용합니다.

단락 전류 밀도 및 광발광을 강화하기 위한 근접 공간 승화-증착 초박형 CdSeTe/CdTe 태양전지

배우세요 CIGS 박막 태양전지에서 은 나노와이어 네트워크와 CdS 버퍼 층 간의 전기적 접촉을 향상시키는 간단하고 재현 가능한 용액 기반 공정 방법을. 이 기술은 전통적인 투명 전도성 산화물을 대체하여 비용 효율적인 태양광 발전을 실현합니다.

Cu(In,Ga)Se₂ 박막 태양전지의 실버 나노와이어 전극과 CdS 버퍼 층 간의 견고한 나노스케일 접촉 제조

더 많은 동영상 탐색