12.20
Rozważmy obwód wzmacniacza tranzystora MOSFET działający w swoim obszarze aktywnym, aby zapewnić wzmocnienie liniowe.
Całkowite chwilowe napięcie bramka-źródło, które łączy napięcie DC i sygnał wejściowy, daje chwilowy prąd drenu składający się z trzech odrębnych składników.
Pierwsza składowa reprezentuje prąd polaryzacji DC, podczas gdy druga jest wprost proporcjonalna do sygnału wejściowego. Trzecia składowa, proporcjonalna do kwadratu sygnału wejściowego, przyczynia się do zniekształceń nieliniowych.
To nieliniowe zniekształcenia można złagodzić, utrzymując małą wielkość sygnału wejściowego.
W warunkach małego sygnału ostatni składnik w wyrażeniu chwilowego prądu drenu może zostać pominięty.
Stosunek prądu drenu sygnału wyjściowego do napięcia sygnału bramka-źródło jest zdefiniowany jako transkonduktancja MOSFET, która jest określana przez nachylenie krzywej charakterystyki w punkcie polaryzacji.
Składową sygnałową napięcia drenu można przedstawić za pomocą transkonduktancji.
W rezultacie wzmocnienie napięcia jest równe ujemnemu iloczynowi transkonduktancji i rezystancji obciążenia. Znak ujemny wskazuje na przesunięcie fazowe o 180° między sygnałem amplifikowanym a wejściowym.
W analizie wzmacniacz tranzystorowy MOSFET działa jak wzmacniacz liniowy, gdy działa w obszarze nasycenia. Napięcie bramka-źródło (V_GS) tranzystora M…
Prawa autorskie © 2026 MyJoVE Corporation. Wszelkie prawa zastrzeżone.