Epitaksjalny wzrost perowskitowego tytanianu strontu na germanie poprzez osadzanie warstwy atomowej

Ogólnym celem tej procedury jest wyhodowanie krystalicznych tlenków perowskitu o wysokiej stałej dielektrycznej w skalowalnym procesie, aby działały jako gazotleny bezpośrednio na geranium, przyszłej platformie mikroelektronicznej. Metoda ta może odpowiedzieć na kluczowe pytania w dziedzinie mikroelektroniki, a mianowicie, czy tlenki krystaliczne, które wiążą się na granicy faz, mogą wytwarzać warstwy o wyjątkowo niskich gęstościach pułapek i stanach międzyfazowych? Główną zaletą tej techniki jest to, że jest łatwa do wdrożenia w środowisku produkcyjnym i powinna być łatwo rozszerzalna do trójwymiarowych architektur urządzeń.

Ogólnie rzecz biorąc, osoby, które są nowicjuszami w tej metodzie, będą miały trudności z obchodzeniem się z prekursorami z powodu braku mniejszości i konieczności wyczucia czasu sekwencji w celu wytworzenia kroków dla ich konkretnego sprzętu w reaktorze. Po raz pierwszy wpadliśmy na pomysł tej metody, gdy współpracownicy zgrupowali perowskity bezpośrednio na geranium za pomocą epitaksji wiązki molekularnej i pomyśleliśmy, że zaadaptujemy ich proces do osadzania warstw atomowych. Wizualna demonstracja tej metody ma kluczowe znaczenie, ponieważ czyszczenie próbki, etap transferu i czas muszą być zmodyfikowane dla innych systemów, zapewniając jednocześnie czystą i zrekonstruowaną powierzchnię wzrostu.