Demonstracja generowania wiązki o jednakowej intensywności za pomocą metapowierzchni dielektrycznych

5.6K wyświetleń

Cytowany 12 razy

09:33 min

7 czerwca 2019

10.3791/59066-v

7 czerwca 2019

5.6K wyświetleń

Przedstawiono protokół wytwarzania i optycznej charakterystyki metapowierzchni dielektrycznych. Metoda ta może być stosowana nie tylko do wytwarzania rozdzielaczy wiązki, ale także ogólnych metapowierzchni dielektrycznych, takich jak soczewki, hologramy i peleryny optyczne.

Przeglądaj więcej filmów

Electron Beam Lithography

Chapters in this video

0:04

Title

0:52

Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H) on a Fused Silica Substrate by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)

1:35

Formation of the Chromium Etching Mask

6:53

Etching Process of Hydrogenated Amorphous Silicon

7:41

Results: The Fabricated Metasurface and its Polarization-independent

8:31

Conclusion

Related Videos